JP2007149773A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1の開口部を有するレジスト膜24をマスクとする異方性ドライエッチングにより、絶縁膜13に凹部を形成し、その後、第1の開口部の側壁を形成するレジスト膜24を後退させて、第1の開口部よりも直径の大きい第2の開口部27を形成し、続いて、第2の開口部27が形成されたレジスト膜24をマスクとする異方性ドライエッチングにより、拡散層が露出するまで絶縁膜13をエッチングして、接続孔を形成する。
【選択図】図5
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
11 半導体基板
11A,13A,18A 上面
12 拡散層
13,18 絶縁膜
15,19 接続孔
15A,19A 内孔
15B,19B,25 凹部
16,21 配線パターン
16A,21A ビア部
16B,21B 配線部
24,31 レジスト膜
24A 第1の開口部
24B 側壁
27 第2の開口部
28 配線材
M1,M2 厚さ
D1〜D3 深さ
B〜E 境界部分
F 後退量
R1〜R5 直径
Claims (3)
- 導電体上に設けられ、接続孔を有する絶縁膜と、前記接続孔と前記絶縁膜上とに設けられ、前記導電体と電気的に接続された配線パターンと、を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁膜上に該絶縁膜を露出する第1の開口部を有したレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜をマスクとする異方性ドライエッチングにより、前記絶縁膜に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部形成工程後に、前記第1の開口部の側壁を形成する前記レジスト膜を後退させて、前記第1の開口部よりも直径の大きい第2の開口部を形成する第2の開口部形成工程と、
前記第2の開口部が形成された前記レジスト膜をマスクとする異方性ドライエッチングにより、前記導電体が露出するまで前記絶縁膜をエッチングして、前記接続孔を形成する接続孔形成工程と、
前記配線パターンを形成する配線パターン形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2の開口部形成工程において、前記レジスト膜の後退は、酸素プラズマによるアッシングにより行なうことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁膜上には、複数の絶縁膜及び配線パターンが積層されており、
前記複数の配線パターンは、前記レジスト膜形成工程、凹部形成工程、第2の開口部形成工程、接続孔形成工程、及び配線パターン形成工程により形成することを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012514319A (ja) * | 2008-12-31 | 2012-06-21 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 特別に先細りされた遷移ビアを備えた半導体デバイスのメタライゼーションシステム |
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-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005339135A patent/JP2007149773A/ja active Pending
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