JPS6085515A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6085515A JPS6085515A JP19457683A JP19457683A JPS6085515A JP S6085515 A JPS6085515 A JP S6085515A JP 19457683 A JP19457683 A JP 19457683A JP 19457683 A JP19457683 A JP 19457683A JP S6085515 A JPS6085515 A JP S6085515A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- ion
- film
- semiconductor device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 241000380873 Algon Species 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010005 wet pre-treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ｔａ） 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に電極形成前
処理方法の改善に関する。
処理方法の改善に関する。
（１））従来技術と問題点
従来たとえば通常の拡散グロセヌによって半導体基板内
に、所定の導電層領域を選択的に形成し、該半導体基板
上に所定の接続窓を具備してなる絶縁層が形成されてな
る半導体基板上に、真空蒸着。
に、所定の導電層領域を選択的に形成し、該半導体基板
上に所定の接続窓を具備してなる絶縁層が形成されてな
る半導体基板上に、真空蒸着。
又はスパッタ蒸着によって、該半導体基板上に電極を形
成する場合、電極形成工程の直前に、該半導体基板表面
を湿式酸処理によってクリーニング（前処理）すること
が一般に行われている。即ちこれは工程間の放置による
汚染及び該半導体基板の接続窓表面の自然酸化膜の成長
によってコンタクト不良などの特性上の劣化を防止する
ために行われる。・・ しかしながらこのような湿式（ｗｅｔ）酸処理による前
処理方法は、時には使用する薬品（弗酸系）寥 によってオーバエツチングされ、或は薬品の残留によっ
て品質の劣化を生ずる原因となり、又前記前処理層はで
きるだけ早く次工程を早めて自然酸化膜の生成を防止し
なければならないなどの時間の制約がある。
成する場合、電極形成工程の直前に、該半導体基板表面
を湿式酸処理によってクリーニング（前処理）すること
が一般に行われている。即ちこれは工程間の放置による
汚染及び該半導体基板の接続窓表面の自然酸化膜の成長
によってコンタクト不良などの特性上の劣化を防止する
ために行われる。・・ しかしながらこのような湿式（ｗｅｔ）酸処理による前
処理方法は、時には使用する薬品（弗酸系）寥 によってオーバエツチングされ、或は薬品の残留によっ
て品質の劣化を生ずる原因となり、又前記前処理層はで
きるだけ早く次工程を早めて自然酸化膜の生成を防止し
なければならないなどの時間の制約がある。
そのため最近では湿式前処理にかわって、ＲＦ逆スパッ
タなどによるドライ（Ｄｒｙ）前処理方法が主流となっ
てきている。
タなどによるドライ（Ｄｒｙ）前処理方法が主流となっ
てきている。
こＯＲＦ′逆ヌパツタ方法は真空チャンバ内ニオいてた
とえば所定の真空度（約ｌＯ〜２Ｔｏｒｒ ）のアｌレ
ゴン算囲気中において、ＲＦ電圧全印加し、プラズマ化
されたアｌレゴンイオンの衝突によって物理的に半導体
基板表面をエツチングして清浄にする方法である。
とえば所定の真空度（約ｌＯ〜２Ｔｏｒｒ ）のアｌレ
ゴン算囲気中において、ＲＦ電圧全印加し、プラズマ化
されたアｌレゴンイオンの衝突によって物理的に半導体
基板表面をエツチングして清浄にする方法である。
しかしながらかかる前処理方法においては、プラズマが
真空チャンバ内全体に発生するため、内部治具及びチャ
ンバ槽壁なども同様にプラズマによって叩かれその材質
により鉄（Ｆｅ、）、Ｍ（Ｃｕ）。
真空チャンバ内全体に発生するため、内部治具及びチャ
ンバ槽壁なども同様にプラズマによって叩かれその材質
により鉄（Ｆｅ、）、Ｍ（Ｃｕ）。
ニッケル（Ｎｊ−）など色々なものが半導体基板表面に
再付着してコンタクト汚染の原因となるなどの問題があ
った。
再付着してコンタクト汚染の原因となるなどの問題があ
った。
（Ｃ）発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたものでコン
タクト汚染を防止し、均一にして良好なオーミックコン
タクトを形成しうる半導体装置の製造方法の提供にある
。
タクト汚染を防止し、均一にして良好なオーミックコン
タクトを形成しうる半導体装置の製造方法の提供にある
。
（７）発明の構成
その目的を達成するため、本発明は電極形成の前処理と
して、イオンミリングガンによって、被加工基板のみに
イオンビームを照射する工程が含まれてなることを特徴
とする。
して、イオンミリングガンによって、被加工基板のみに
イオンビームを照射する工程が含まれてなることを特徴
とする。
（ｅ） 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を膠照して説明する。
第１図乃至第８図は本発明の一実施例を説明するための
工程要部断面図で前回と同等の部分については同一符号
を付している。又第４図は本実施例の前処理を実施する
ための装置の模式的概略構成図を示す。
工程要部断面図で前回と同等の部分については同一符号
を付している。又第４図は本実施例の前処理を実施する
ための装置の模式的概略構成図を示す。
第１図において、基板たとえば半導体基板ｌに所定の不
純物を選択的に拡散して導電層２が形成された該半導体
基板ｌ上に絶縁膜、たとえば化学気相成長法（ＣＶＤ法
）によって燐シリケート膜（ＰＳ（）膜）３を形成し、
次いでフォトグロ十ヌによってレジストパターン膜（図
示せず）をマスクとして該ＰＳＧ膜３をエツチングし、
所定の接続窓４を形成し、前記導電層ｚ上にコンタクト
領域５を表出させる。次いでレジストパターン膜をアッ
シングなどによって除去する。その際コンタクト領域５
上に極めて薄い自然酸化膜６が生成する。
純物を選択的に拡散して導電層２が形成された該半導体
基板ｌ上に絶縁膜、たとえば化学気相成長法（ＣＶＤ法
）によって燐シリケート膜（ＰＳ（）膜）３を形成し、
次いでフォトグロ十ヌによってレジストパターン膜（図
示せず）をマスクとして該ＰＳＧ膜３をエツチングし、
所定の接続窓４を形成し、前記導電層ｚ上にコンタクト
領域５を表出させる。次いでレジストパターン膜をアッ
シングなどによって除去する。その際コンタクト領域５
上に極めて薄い自然酸化膜６が生成する。
上記のように構成された半導体基板（被加工基板）を第
４！図に示すような前処理装置を用いて電極形成前の前
処理を行う。
４！図に示すような前処理装置を用いて電極形成前の前
処理を行う。
第４図において加工室１０の側面に設けられたイオンミ
リングガン、たとえばサドルフィルド型イオンガン１１
はカーボン板より被覆されたイオン発生室１２内にイオ
ン発生室１２の内壁より絶縁された２本のカーボン電極
１８が配設され、該イオン発生室１２の所定位置にガス
導入口１４が付設されている。又加工室１１と接するカ
ーボン側壁１５には複数個の貫通孔（アパーチャー）１
６が設けられ、前記加工室には排気口■７と被加工基板
保持台１８が設けられている。
リングガン、たとえばサドルフィルド型イオンガン１１
はカーボン板より被覆されたイオン発生室１２内にイオ
ン発生室１２の内壁より絶縁された２本のカーボン電極
１８が配設され、該イオン発生室１２の所定位置にガス
導入口１４が付設されている。又加工室１１と接するカ
ーボン側壁１５には複数個の貫通孔（アパーチャー）１
６が設けられ、前記加工室には排気口■７と被加工基板
保持台１８が設けられている。
かかる前処理装置を用いて、前述した半導体基板（被加
工基板）１９を加工する場合には、被加工基板１９を保
持台１８に図示したごとく約４５゜〜５０’の傾斜（エ
ツチング効率がよい）をもたせて保持し、前記排気口１
７より真空排気した後、ガス導入口１４よりイオン発生
室１２中にアルゴンガスを導入して加工室ｌＯの真空度
を約１０−’ＴｏｒｒＯ高真空とし、該イオン発生室を
アースして前記２本のカーボン電極１３に約２〜５に’
Ｖの直流電圧を印加してサドＩｖ（鞍点）状のア）Ｖボ
ンプラズマを発生させ前記アノく一チャー１６を通じて
保持台１８に保持された被加工基板１９のみに直進性の
高いイオンビームを照射してイメーンミリングして前処
理を行う。
工基板）１９を加工する場合には、被加工基板１９を保
持台１８に図示したごとく約４５゜〜５０’の傾斜（エ
ツチング効率がよい）をもたせて保持し、前記排気口１
７より真空排気した後、ガス導入口１４よりイオン発生
室１２中にアルゴンガスを導入して加工室ｌＯの真空度
を約１０−’ＴｏｒｒＯ高真空とし、該イオン発生室を
アースして前記２本のカーボン電極１３に約２〜５に’
Ｖの直流電圧を印加してサドＩｖ（鞍点）状のア）Ｖボ
ンプラズマを発生させ前記アノく一チャー１６を通じて
保持台１８に保持された被加工基板１９のみに直進性の
高いイオンビームを照射してイメーンミリングして前処
理を行う。
上述した前処理方法においてはスノ（ツタ率の／１＼さ
いカーボン部材より構成されたサドルフィールド染が少
なく、かつ加工室１０の真空度７５（高真空のためイオ
ンビームの直進性が高く被加工基板１９のみを加工して
周囲の影響を受けることカニなく、第２図に示すような
非常に清浄なコンタクト領域５を形成することができる
。
いカーボン部材より構成されたサドルフィールド染が少
なく、かつ加工室１０の真空度７５（高真空のためイオ
ンビームの直進性が高く被加工基板１９のみを加工して
周囲の影響を受けることカニなく、第２図に示すような
非常に清浄なコンタクト領域５を形成することができる
。
前処理が完了したならばロードロック室２０（第４図）
を経由して真空蒸着装置（図示せず）に大気にふれるこ
となく搬送され第８１図に示すようにアｌレミニウム電
極７を形成すｈば均一にしてジし常に良好なオーミック
コンタクトを形ｊ戊することが可能となる。
を経由して真空蒸着装置（図示せず）に大気にふれるこ
となく搬送され第８１図に示すようにアｌレミニウム電
極７を形成すｈば均一にしてジし常に良好なオーミック
コンタクトを形ｊ戊することが可能となる。
（ｆ′）発明の詳細
な説明したごとく本発明によれば、電極形１１克前処理
としてイオンミリングガンを用いることにより、極めて
良好なオーミックコンタクトの電極を形成することが可
能となり、製品の特性向上。
としてイオンミリングガンを用いることにより、極めて
良好なオーミックコンタクトの電極を形成することが可
能となり、製品の特性向上。
品質向上に効果がある。
第１図乃至第３図は本発明の一実施例を説明するための
工程要部断面図、第４図は本実施例の前処理を実施する
ための装置の模式的概略構成図である。 図において、■は半導体基板、２は導電層、３は絶縁膜
、４は接続窓、５はコンタクト領域、７はアルミニウム
″電極、１０は加工室、ＩＩはイオンミリングガン、１
９は被加工基板を示す。
工程要部断面図、第４図は本実施例の前処理を実施する
ための装置の模式的概略構成図である。 図において、■は半導体基板、２は導電層、３は絶縁膜
、４は接続窓、５はコンタクト領域、７はアルミニウム
″電極、１０は加工室、ＩＩはイオンミリングガン、１
９は被加工基板を示す。
Claims (1)
- に４Ｍ形成の前処理として、イオンミリングガンによっ
て、被加工基板のみにイオンビームを照射する工程が含
まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19457683A JPS6085515A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19457683A JPS6085515A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6085515A true JPS6085515A (ja) | 1985-05-15 |
Family
ID=16326831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19457683A Pending JPS6085515A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6085515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62193128A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764927A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-17 JP JP19457683A patent/JPS6085515A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5764927A (en) * | 1980-10-08 | 1982-04-20 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62193128A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60105235A (ja) | アルミニウムおよびアルミニウム合金の反応性イオンエッチング法 | |
| JP3216881B2 (ja) | 試料断面観察方法 | |
| JP2757546B2 (ja) | Ｆｅを含む物質のエッチング方法およびエッチング装置 | |
| JPS6085515A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05190517A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPH02303371A (ja) | 超音波モータ用圧電素子の電極パターンの形成方法 | |
| JPS58102521A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63107118A (ja) | イオンビ−ム装置 | |
| JPH0518906B2 (ja) | ||
| JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
| JPS6350854B2 (ja) | ||
| JP2985321B2 (ja) | マスクパタ−ン形成方法 | |
| JP3412780B2 (ja) | 回路パターンの製造装置 | |
| JPS62286227A (ja) | ドライエツチング装置 | |
| JPH06291063A (ja) | 表面処理装置 | |
| WO2000046830A1 (fr) | Plaque diaphragme et son procede de traitement | |
| JPS61135125A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0518459B2 (ja) | ||
| JPH05136097A (ja) | 微細加工方法および微細加工装置 | |
| JPH01275746A (ja) | ダイヤモンドに対して金属炭化物層を被着する方法 | |
| JP3251011B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPS6136376B2 (ja) | ||
| JPH06295889A (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JPS584920A (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPH0590230A (ja) | ドライエツチング方法 |