JP4691385B2 - 真空成膜装置 - Google Patents
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- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 42
- 239000010408 film Substances 0.000 description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 13
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
メンテナンスなどに費用が嵩み、ランニングコストが高くなる。この方法では、修正膜の密着性は金ペーストレーザー焼成法や無電解ニッケルめっき法によるものに比べてかなり優れており、一箇所当たりの修正時間は5分で処理できるが、一回当たりの修正面積が25μ以下であり、大きな欠陥を修正する場合には、重ねて修正する必要があり、重ね部分で密着性にばらつきが生じ易い。
成膜処理すべき被処理物表面の一部の形状に合わせて変形できるように構成された開口部を備えた真空装置と、
真空装置内に設けられ、被処理物表面の一部に成膜する成膜手段と、
真空装置の開口部の縁部とこの縁部が当接する被処理物との間に挿置され、前記縁部と当該縁部が当接する被処理物との間を密封するシール部材と、
成膜処理すべき被処理物表面の一部に当接され、所要の成膜パターンを画定するマスク部材と、
を有することを特徴としている。
図1及び図2には本発明をクロムマスクリペア装置として実施している一実施の形態を示している。図示装置において、1は可般式の支持台であり、その上面に設けられた移動テーブル3に装置本体2が図示していないXY軸移動機構により水平方向に移動可能に設けられている。被処理物である基板8を装着する基板ホルダー9は垂直方向へ移動可能に構成されている。また支持台1上には蒸着操作盤4が取り付けられ、そして支持台1内には図示されたように真空ポンプ5及び制御盤6が設けられている。また図1及び図2において7は基板ホルダー9を支持するフレームである。
真空チャンバ11の開口部16に、まず当該開口部16の内側に開口面と平行に粗マスク32が装着されている。更に、前記開口部16の外側には同じく開口面と平行に細マスク33が脱着可能に装着される。
こうして真空チャンバ11内が所望の真空レベルに排気されると、電極12におけるフ
ィラメント21が加熱され、フィラメント21内に挿置されたCrが蒸発して基板8に蒸着される。この間、操作盤4の図示していない表示ランプ“蒸着中”が点灯する。蒸着が終了すると、冷却のためクーリング操作に移り、操作盤4の図示していない表示ランプ“クーリング中”が点灯する。クーリング操作が終了すると、操作盤4の図示していない表示ランプ“終了”が点灯し、蒸着処理が終了したことを知らせる。作業者は蒸着装置を基板から分離することができる。
2:装置本体
3:移動テーブル
4:蒸着操作盤
5:真空ポンプ
6:制御盤
7:フレーム
8:基板
9:基板ホルダー
10:架台
11:真空チャンバ
12:電極
13:扉
14:覗き窓
15:覗き窓ハンドル
16:開口部
17:Oリングシール部材
18:電圧入力端子
19:フィラメントホルダー
20:フィラメント押え
21:フィラメント
22:電極シールド
23:電極カバー
24:第1のガイド部材
25:第2のガイド部材
26:支持プレート
27:取り付け部材
28:緩衝手段としての第1のばね
29:緩衝手段としての第2のばね
30:補助真空装置
31:真空ポンプ
32:粗マスク(防着板)
33:細マスク
34:隙間を埋めるための手段(隙間埋め手段)
35:アライメントピン
Claims (6)
- 成膜処理すべき被処理物表面の一部の形状に合わせて変形できるように構成された開口部を備えた真空装置と、
真空装置内に設けられ、被処理物表面の一部に成膜する成膜手段と、
真空装置の開口部の縁部とこの縁部が当接する被処理物との間に挿置され、前記縁部と当該縁部が当接する被処理物との間を密封するシール部材と、
成膜処理すべき被処理物表面の一部に当接され、所要の成膜パターンを画定するマスク部材と、
を有して成ることを特徴とする真空成膜装置。 - マスク部材が不要な部分への成膜を防止する防着板を備えていることを特徴とする請求項1に記載の真空成膜装置。
- マスク部材が成膜形状を特定する細マスクを備えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の真空成膜装置。
- 細マスクが薄板状のメタルマスクから成ることを特徴とする請求項3に記載の真空成膜装置。
- 細マスクを着脱可能に保持する為の保持機構を有することを特徴とする請求項3又は4に記載の真空成膜装置。
- 真空装置の開口部が被処理物表面に対してソフトに当接するソフトタッチ機構を備えていることを特徴とする請求項1に記載の真空成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005118026A JP4691385B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005118026A JP4691385B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | 真空成膜装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010239061A Division JP2011089203A (ja) | 2010-10-25 | 2010-10-25 | 真空成膜装置及び成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006299292A JP2006299292A (ja) | 2006-11-02 |
JP4691385B2 true JP4691385B2 (ja) | 2011-06-01 |
Family
ID=37467944
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005118026A Expired - Fee Related JP4691385B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4691385B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5307645B2 (ja) * | 2009-06-16 | 2013-10-02 | 株式会社アルバック | コネクタユニット、真空装置及び真空装置の製造方法 |
CN109722640B (zh) * | 2019-03-18 | 2023-12-01 | 常州市乐萌压力容器有限公司 | 高密封性能真空镀膜机及其控制方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS6283866U (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-28 | ||
JPH0297944A (ja) * | 1988-10-05 | 1990-04-10 | Tokyo Rika Univ | パターン欠陥の修正方法 |
JPH0295035U (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-27 | ||
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JPH06264271A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-20 | Seiko Instr Inc | 皮膜加工装置 |
JPH07278785A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-24 | Seiko Instr Inc | 薄膜パターン形成装置 |
JP2000178732A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-27 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハーに対する蒸着用マスク板の重ね固定方法及びその装置 |
-
2005
- 2005-04-15 JP JP2005118026A patent/JP4691385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2000178732A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-27 | Rohm Co Ltd | 半導体ウエハーに対する蒸着用マスク板の重ね固定方法及びその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006299292A (ja) | 2006-11-02 |
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