JPH07278785A - 薄膜パターン形成装置 - Google Patents
薄膜パターン形成装置Info
- Publication number
- JPH07278785A JPH07278785A JP7459294A JP7459294A JPH07278785A JP H07278785 A JPH07278785 A JP H07278785A JP 7459294 A JP7459294 A JP 7459294A JP 7459294 A JP7459294 A JP 7459294A JP H07278785 A JPH07278785 A JP H07278785A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adherend
- mask
- pattern
- thin film
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- Prior art date
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- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 微細なパターンを形成し、パターン不要部へ
の膜の付着と熱の発生を防止し、安価なマスクを製造す
る装置を提供する。 【構成】 被着物に密着せず薄膜形成の範囲を規定する
マクロマスクと、微細なパターン形状を規定し被着物と
密着するミクロマスクを使用する。
の膜の付着と熱の発生を防止し、安価なマスクを製造す
る装置を提供する。 【構成】 被着物に密着せず薄膜形成の範囲を規定する
マクロマスクと、微細なパターン形状を規定し被着物と
密着するミクロマスクを使用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属やプラスチックな
どの被着物に電極や文字等のパターンを形成する装置に
関する。
どの被着物に電極や文字等のパターンを形成する装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜パターン形成装置を図２に基
づいて説明する。図２において、被着物１は外形１０ｍ
ｍ×１０ｍｍ、高さ２ｍｍのポリカーボネートからな
り、サンプルステージ２の上に固定されている。マスク
３は、電極の形状を決定するものでステンレスからな
り、パターン穴７と凹凸部回避穴８を有する。そして、
マスク３は、被着物１のパターン形成面４に密着し固定
されている。ターゲット５は、アルミニウム（Ａｌ）製
でバッキングプレート１３に固定されている。
づいて説明する。図２において、被着物１は外形１０ｍ
ｍ×１０ｍｍ、高さ２ｍｍのポリカーボネートからな
り、サンプルステージ２の上に固定されている。マスク
３は、電極の形状を決定するものでステンレスからな
り、パターン穴７と凹凸部回避穴８を有する。そして、
マスク３は、被着物１のパターン形成面４に密着し固定
されている。ターゲット５は、アルミニウム（Ａｌ）製
でバッキングプレート１３に固定されている。
【０００３】始めに真空容器（図示せず）内を１０-5Ｔ
ｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを導入し ３×１０-3Ｔ
ｏｒｒにし、ターゲット５に−５００Ｖの電圧を印加
し、スパッタリングを行う。スパッタリングされたＡｌ
粒子は、マスク３に到達し、パターン穴７と凹凸部回避
穴８を透過し、被着物１の表面に付着し薄膜パターンを
形成する。
ｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを導入し ３×１０-3Ｔ
ｏｒｒにし、ターゲット５に−５００Ｖの電圧を印加
し、スパッタリングを行う。スパッタリングされたＡｌ
粒子は、マスク３に到達し、パターン穴７と凹凸部回避
穴８を透過し、被着物１の表面に付着し薄膜パターンを
形成する。
【０００４】他の実施例について図３に基づき説明す
る。図３において、マスク９はパターン穴６を有し、被
着物１のパターン形成面４と接触しており、さらにマス
ク９の一部はバッキングプレート１３に絶縁板１４を介
し接続されており、マスク９の放熱を行っている。なお
マスク９は被着物１と接し固定するために剛性が必要で
あり、ステンレスを使用した場合１ｍｍ以上の板厚が必
要である。
る。図３において、マスク９はパターン穴６を有し、被
着物１のパターン形成面４と接触しており、さらにマス
ク９の一部はバッキングプレート１３に絶縁板１４を介
し接続されており、マスク９の放熱を行っている。なお
マスク９は被着物１と接し固定するために剛性が必要で
あり、ステンレスを使用した場合１ｍｍ以上の板厚が必
要である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の装置で
薄膜パターンを形成する場合、えば凹凸が２ｍｍ程度あ
る立体的な被着物１に成膜を行う場合、凹凸回避穴８を
形成する必要がありマスクの形成工程が複雑になる。さ
らに凹凸回避穴８を通過した粒子も被着物１上に付着
し、すなわち不要部にまで膜が形成される課題があっ
た。
薄膜パターンを形成する場合、えば凹凸が２ｍｍ程度あ
る立体的な被着物１に成膜を行う場合、凹凸回避穴８を
形成する必要がありマスクの形成工程が複雑になる。さ
らに凹凸回避穴８を通過した粒子も被着物１上に付着
し、すなわち不要部にまで膜が形成される課題があっ
た。
【０００６】さらにマスク３は、スパッタリング中にイ
オンや荷電粒子が衝突するため温度が上昇し、ここで発
生した熱はパターン形成面４に集中し、そのため被着物
１がプラスチック材料の場合、この熱により変形や融解
を起こすことがあった。一方、マスク９を用いて薄膜パ
ターンを形成する場合、マスク９の板厚が１ｍｍ以上あ
るため１ｍｍ以下のパターンを形成するためのマスク９
の機械加工は困難である。
オンや荷電粒子が衝突するため温度が上昇し、ここで発
生した熱はパターン形成面４に集中し、そのため被着物
１がプラスチック材料の場合、この熱により変形や融解
を起こすことがあった。一方、マスク９を用いて薄膜パ
ターンを形成する場合、マスク９の板厚が１ｍｍ以上あ
るため１ｍｍ以下のパターンを形成するためのマスク９
の機械加工は困難である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、被着物に密着
せず薄膜形成の範囲を規制するマクロマスクと、微細な
パターン形状を規制し被着物を密着し固定して使用する
ミクロマスクの２つのマスクを用いる。
せず薄膜形成の範囲を規制するマクロマスクと、微細な
パターン形状を規制し被着物を密着し固定して使用する
ミクロマスクの２つのマスクを用いる。
【０００８】
【作用】上記の２種類のマスクを使用する事により、被
着物１に伝わる熱が減少し、パターン不要部への膜の付
着が防止できる。さらに比較的機械強度の低い、膜厚の
少ないミクロマスク１１を使用する事が出来、マスクの
微細加工が容易であり、従って被着物１に微細なパター
ンを容易に形成できる。さらにマスクに凹凸部回避穴８
を設ける必要がなくなるので、マスクの作成費用が低下
する。
着物１に伝わる熱が減少し、パターン不要部への膜の付
着が防止できる。さらに比較的機械強度の低い、膜厚の
少ないミクロマスク１１を使用する事が出来、マスクの
微細加工が容易であり、従って被着物１に微細なパター
ンを容易に形成できる。さらにマスクに凹凸部回避穴８
を設ける必要がなくなるので、マスクの作成費用が低下
する。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１において被着物１は外形１０ｍｍ×１０ｍ
ｍ、高さ２ｍｍのポリカーボネートからなり、サンプル
ステージ２の上に固定されている。マクロマスク１０は
厚み２ｍｍのステンレスで絶縁板１４を介しバッキング
プレート１３に固定されており、パターン形成面４から
１ｍｍ内側になる範囲制御穴１２を有する。
する。図１において被着物１は外形１０ｍｍ×１０ｍ
ｍ、高さ２ｍｍのポリカーボネートからなり、サンプル
ステージ２の上に固定されている。マクロマスク１０は
厚み２ｍｍのステンレスで絶縁板１４を介しバッキング
プレート１３に固定されており、パターン形成面４から
１ｍｍ内側になる範囲制御穴１２を有する。
【００１０】ミクロマスク１１は、微細パターンを規制
するものであり、厚み０．１ｍｍのステンレスで最小パ
ターン幅０．１ｍｍのパターン穴７を有し、パターン形
成面４い密着し固定されている。ここでマクロマスク１
０とミクロマスク１１の間隔は２ｍｍであり、マクロマ
スク１０の熱はミクロマスク１１には直接伝わらない。
するものであり、厚み０．１ｍｍのステンレスで最小パ
ターン幅０．１ｍｍのパターン穴７を有し、パターン形
成面４い密着し固定されている。ここでマクロマスク１
０とミクロマスク１１の間隔は２ｍｍであり、マクロマ
スク１０の熱はミクロマスク１１には直接伝わらない。
【００１１】始めに真空容器（図示せず）内を１０-5Ｔ
ｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを導入し ３×１０-3Ｔ
ｏｒｒにし、ターゲット５に−５００Ｖの電圧を印加
し、スパッタリングを行う。スパッタリングされたＡｌ
粒子は、マスク３に到達し、パターン穴７と凹凸部回避
穴８を透過し、被着物１の表面に付着し薄膜パターンを
形成した。
ｏｒｒに排気した後、Ａｒガスを導入し ３×１０-3Ｔ
ｏｒｒにし、ターゲット５に−５００Ｖの電圧を印加
し、スパッタリングを行う。スパッタリングされたＡｌ
粒子は、マスク３に到達し、パターン穴７と凹凸部回避
穴８を透過し、被着物１の表面に付着し薄膜パターンを
形成した。
【００１２】本実施例においては、パターン不要部への
膜の付着は発生せず、被着物１の温度は１００°Ｃ以下
であり、ショートやオープンがなくかつパターンエッジ
部の直線性が優れた０．１ｍｍ幅のパターン形成が出来
た。また本発明においては成膜方法をスパタリングとし
たが真空蒸着など他の成膜方法でも良い。被着物１はポ
リアセタールやナイロン、ＡＢＳなどのプラスチック材
料やステンレスなどの金属でも可能であり、ターゲット
材料もＣｒ、Ｎｉなど他の金属でも良い。
膜の付着は発生せず、被着物１の温度は１００°Ｃ以下
であり、ショートやオープンがなくかつパターンエッジ
部の直線性が優れた０．１ｍｍ幅のパターン形成が出来
た。また本発明においては成膜方法をスパタリングとし
たが真空蒸着など他の成膜方法でも良い。被着物１はポ
リアセタールやナイロン、ＡＢＳなどのプラスチック材
料やステンレスなどの金属でも可能であり、ターゲット
材料もＣｒ、Ｎｉなど他の金属でも良い。
【００１３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明においては被
着物に密着しない薄膜形成範囲を規定するマクロマスク
と、微細なパターン形状を規制し被着物と密着し固定さ
せて使用するミクロマスクの２種類のマスクを使用して
薄膜パターンを形成することにより以下の効果を得る事
が出来る。第１に凹凸の大きい立体的な被着物にパター
ン形成が可能である。第２に融点が低く熱容量の小さい
被着物にパターン形成が可能である。第３にマスクの製
作コストを低くすることができる。
着物に密着しない薄膜形成範囲を規定するマクロマスク
と、微細なパターン形状を規制し被着物と密着し固定さ
せて使用するミクロマスクの２種類のマスクを使用して
薄膜パターンを形成することにより以下の効果を得る事
が出来る。第１に凹凸の大きい立体的な被着物にパター
ン形成が可能である。第２に融点が低く熱容量の小さい
被着物にパターン形成が可能である。第３にマスクの製
作コストを低くすることができる。
【図１】本発明の薄膜パターン形成装置の断面図であ
る。
る。
【図２】従来の薄膜パターン形成装置の断面図である。
【図３】従来の薄膜パターン形成装置の断面図である。
１ 被着物 ２ マスク ３ パターン形成面 ７ パターン穴 ９ マスク １０ マクロマスク １１ ミクロマスク １２ 範囲制御穴
Claims (1)
- 【請求項１】 蒸発源と蒸発物質の放出範囲を限定する
第１のマスクと前記マスクと離れてかつ被着物に接し、
前記被着物表面に付着する前記蒸発物質の付着範囲を限
定する第２のマスクを有する事を特徴とする薄膜パター
ン形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7459294A JPH07278785A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 薄膜パターン形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7459294A JPH07278785A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 薄膜パターン形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07278785A true JPH07278785A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=13551590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7459294A Pending JPH07278785A (ja) | 1994-04-13 | 1994-04-13 | 薄膜パターン形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07278785A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006299292A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Ulvac Kyushu Corp | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| JP2011089203A (ja) * | 2010-10-25 | 2011-05-06 | Ulvac Kyushu Corp | 真空成膜装置及び成膜方法 |
-
1994
- 1994-04-13 JP JP7459294A patent/JPH07278785A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006299292A (ja) * | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Ulvac Kyushu Corp | 真空成膜装置及び成膜方法 |
| JP4691385B2 (ja) * | 2005-04-15 | 2011-06-01 | アルバック九州株式会社 | 真空成膜装置 |
| JP2011089203A (ja) * | 2010-10-25 | 2011-05-06 | Ulvac Kyushu Corp | 真空成膜装置及び成膜方法 |
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