KR102073920B1 - 성막 시스템, 자성체부 및 막의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 막질 불균일을 발생시키지 않고 마스크를 기판에 장기간 밀착시킬 수 있고, 또한, 하나의 챔버로 복수의 마스크 패턴에 대응할 수 있으며, 게다가, 마스크를 바꾼 경우에도 마그넷을 교환할 필요가 없는 등, 장치 비용을 상승시키지 않고 장치 가동률의 향상을 실현할 수 있는 성막 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
개구를 갖는 마스크를, 기판의 상기 마스크와는 반대측에 배치한 마그넷에 의해 기판측으로 끌어당긴 상태에서 상기 기판에 막을 형성하는 성막 시스템으로서, 상기 마그넷과 상기 기판 사이에, 상기 마스크의 개구부에 대응하는 영역에 있어서의 상기 마그넷의 자력을 상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역에 있어서의 상기 마그넷의 자력보다 작게 하는 자성체부를 설치한다.

Description

성막 시스템, 자성체부 및 막의 제조 방법{DEPOSITION SYSTEM, MAGNETIC PART AND MANUFACTURING METHOD OF FILM}
본 발명은, 마스크를 자력에 의해 기판으로 끌어당긴 상태에서 성막하는 기술에 관한 것이다.
투명 도전막의 형성에는, 균일한 막 두께로, 저항치나 투과율 등의 특성도 양호한 투명 도전막을 성막할 수 있고, 또한, 높은 성막 레이트를 얻을 수 있기 때문에, 스퍼터링법이 널리 이용되고 있다. 스퍼터링법에서는, 스퍼터링용 메탈 마스크를 사용하여, 패턴 성막을 행하는 방법이 있다.
스퍼터링용 메탈 마스크를 사용하는 경우, 기판의 배면측에 마그넷을 설치함으로써, 기판의 표면측에 마스크를 장기간 밀착시킬 수 있게 된다.
단, 이 경우, 마스크 밀착용 마그넷의 자장이 스퍼터시에 이상 방전을 일으키는 등의 영향을 미치는 경우나 재료 입자가 자장의 영향을 받아 기판에 성막되는 막질에 불균일이 생겨 버리는 경우가 있다.
그래서, 예컨대 특허문헌 1, 2에서는 이하에 나타내는 바와 같은 막질 불균일 대책이 행해지고 있다.
특허문헌 1에는, 막질 불균일 대책으로서, 방자(防磁) 마스크를 유리 기판과 자석 사이에 설치함으로써, 방자 마스크 통과 후의 자장을 250 가우스 이하로 하는 기술이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 2에는 마스크 패턴에 맞춘 마그넷 배치로 함으로써 막질 불균일 대책을 행하는 기술이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 2에서는, 복수의 스퍼터실을 준비하고, 각각에 상이한 마스크 패턴에 맞춘 마그넷을 준비함으로써 복수의 마스크 패턴에 대응한다는 취지가 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1에서는 자장을 250 가우스 이하로 하고 있기 때문에, 마스크의 밀착력이 약해져서 장기간의 밀착에는 견딜 수 없다. 그 때문에, 장치 가동률의 악화나, 마스크 교환 비용의 증가를 초래한다.
또한, 특허문헌 2에서는, 복수의 챔버와 마그넷을 준비하면 많은 액수의 비용이 발생해 버린다. 또한, 새로운 마스크를 사용할 때에는 마그넷의 교환이 필요하게 되어 장치 가동률의 악화를 초래한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-268530호 공보 [특허문헌 2] 일본 특허 공개 평성 제11-131212호 공보
본 발명은 전술한 바와 같은 현상을 감안하여 이루어진 것으로, 막질 불균일을 일으키지 않고 마스크를 기판에 장기간 밀착시킬 수 있고, 또한, 하나의 챔버로 복수의 마스크 패턴에 대응할 수 있으며, 또한, 마스크를 바꾼 경우에도 마그넷을 교환할 필요가 없는 등, 장치 비용을 상승시키지 않고 장치 가동률의 향상을 실현할 수 있는 성막 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것이다. 이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 요지를 설명한다.
본 발명의 제1 양태에 따른 성막 시스템은, 개구를 갖는 마스크를, 기판의 상기 마스크와는 반대측에 배치한 마그넷에 의해 기판측으로 끌어당긴 상태에서 상기 기판에 막을 형성하는 성막 시스템으로서, 상기 마그넷과 상기 기판 사이에, 상기 마스크의 개구부에 대응하는 영역에 있어서의 상기 마그넷의 자력을 상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역에 있어서의 상기 마그넷의 자력보다 작게 하는 자성체부를 설치하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제2 양태에 따른 기판을 유지하는 기판 유지부와, 개구를 갖는 마스크를 유지하기 위한 마스크 유지부와, 상기 기판의 상기 마스크가 설치되는 쪽과는 반대측에 설치되는 마그넷을 포함하는 성막 장치의 상기 마그넷과 상기 기판 사이에 배치하여 이용되는 자성체부는, 상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역에, 상기 마스크의 상기 개구에 대응하는 영역에 있어서의 투자율보다 투자율이 작은 영역을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 제3 양태에 따른 막의 제조 방법은, 개구를 갖는 마스크를 이용하여 기판의 피성막면에 막을 형성하는 막의 제조 방법으로서, 상기 기판의 피성막면과는 반대측에, 상기 기판측에서부터 차례로 자성체부와 마그넷을 배치하는 공정과, 상기 기판의 피성막면측에 상기 마스크를 배치하는 공정과, 상기 기판의 피성막면에 상기 마스크를 통해 막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 자성체부에 의해 상기 마그넷의 자력을, 상기 마스크의 개구부에 있어서 상기 마스크의 비개구부보다 약하게 하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 전술한 바와 같이 구성하였기 때문에, 막질 불균일을 일으키지 않고 마스크를 기판에 장기간 밀착시킬 수 있고, 또한, 하나의 챔버로 복수의 마스크 패턴에 대응할 수 있으며, 또한, 마스크를 바꾼 경우에도 마그넷을 교환할 필요가 없는 등, 장치 비용을 상승시키지 않고 장치 가동률의 향상을 실현할 수 있는 성막 장치가 된다.
도 1은 본 실시예의 개략 설명 사시도이다.
도 2는 본 실시예의 마스크 및 자성체부의 개략 설명 사시도이다.
도 3은 별례 1의 자성체부의 개략 설명 평면도이다.
도 4는 별례 2의 자성체부의 (a) 개략 설명 평면도, (b) 개략 설명 단면도이다.
도 5는 본 실시예의 처리실의 배치를 도시한 개략 설명도이다.
도 6는 처리실의 배치예를 도시한 개략 설명도이다.
도 7은 처리실의 배치예를 도시한 개략 설명도이다.
도 8은 처리실의 배치예를 도시한 개략 설명도이다.
도 9는 처리실의 배치예를 도시한 개략 설명도이다.
도 10은 증착 장치의 개략 설명 정면도이다.
적합하다고 생각하는 본 발명의 실시형태를, 도면에 기초하여 본 발명의 작용을 나타내어 간단히 설명한다.
마그넷(5)에 의해 기판(1)측으로 마스크(4)를 끌어당긴 상태에서 성막을 행한다. 마스크에는, 마그넷에 끌어당겨지는 자성체로 형성된 것을 이용한다.
이 때, 자성체부(6)에 의해, 마스크(4)의 끌어당김이나 밀착에 기여하지 않는 마스크(4)의 개구부에 있어서의 자력을 작게 할 수 있고, 마그넷(5)에 의한 자장의 영향을 받아 막질이나 막 두께에 불균일이 생기는 것을 방지할 수 있다. 또한, 마스크(4)의 비개구부에 있어서 자력이 저하하는 정도는, 마스크(4)의 개구부에 비해 작아, 마스크(4)의 비개구부는 양호하게 마그넷(5)에 의해 기판(1)으로 끌어당겨져 그 상태가 유지된다.
즉, 자성체부(6)는, 마스크(4)의 흡인에 기여하지 않는 마스크(4)의 개구부에 대응하는 영역에서는, 마그넷(5)으로부터 발생하는 자력을 약하게 하는 한편, 마스크(4)의 흡인에 기여하는 마스크(4)의 비개구부에 대응하는 영역에서는, 자력을 극력 저하시키지 않는 상태를 실현하는 것이다. 그 때문에, 특허문헌 1에 개시되는 바와 같이 전체적으로 자장을 약하게 하는 구성에 비하여, 마스크를 흡인하는 힘의 저하를 억제하면서 마그넷(5)에 의한 자장이 성막 영역에 부여하는 영향을 억제할 수 있어, 막질 불균일의 방지와 마스크(4) 및 기판(1)의 장기간 밀착을 양립시키는 것이 가능해진다.
또한, 복수종의 자성체부(6)를 스톡실에 준비해 두면, 이용하는 마스크(4)의 개구 형상(마스크 패턴)에 맞추어 자성체부(6)를 적절하게 교환할 수 있다. 그 때문에, 장치를 일단 정지하여 마그넷(5)을 교환하거나, 복수의 챔버를 준비하거나 할 필요없이 복수의 마스크 패턴에 대응 가능해져, 그만큼 가동률을 향상시킬 수 있고, 장치 비용을 더 삭감할 수 있다.
실시예
본 발명의 구체적인 실시예에 대해서 도면에 기초하여 설명한다.
본 실시예에 따른 성막 장치는, 진공실 내에, 기판(1)을 유지하는 기판 유지부와, 타깃(성막원)(2)이 설치되는 캐소드(성막원 설치부)(3)가 대향 배치되어 있다. 그리고, 진공실 내에 Ar 등의 불활성 가스를 도입하면서, 기판(1)과 캐소드(3) 사이에 직류 고전압을 인가하여 이온화한 Ar을 타깃(2)에 충돌시킴으로써 타깃 재료를 기판(1)에 성막하는 스퍼터 장치이다. 또한, 불활성 가스에 덧붙여 O2·N2 등의 반응성 가스를 도입하면서 반응성 스퍼터링을 행하고, ITO 등의 화합물막을 성막하는 구성을 채용하는 것도 가능하다.
구체적으로는, 본 실시예는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 기판(1)의 상기 캐소드(3)측에 배치된 마스크(4)와, 상기 기판(1)의 상기 캐소드(3)와는 반대측에 배치된 마그넷(5)을 갖는 구성으로서, 이 마그넷(5)에 의해 발생하는 자력에 의해 상기 마스크(4)를 상기 기판(1)측으로 끌어당겨 상기 기판(1)에 밀착시키고 있다.
마스크(4)로서는, 공지된 자성체 마스크, 예컨대 두께 0.2∼1 ㎜ 정도의 인바재(Ni-Fe계 합금)로 이루어진 것이 채용된다. 또한, 마그넷(5)은, 베이스부의 표면에, 마스크(4) 전체가 끌어당겨지도록 복수의 영구자석을 격자형으로 병설하여 구성되어 있다. 영구자석 대신에 전자석을 이용할 수도 있다. 도면 중, 부호 9는 마스크 프레임이다.
다음에, 본 발명에서 사용하는 자성체부(6), 자성체(7), 기판 유지체(8)에 대해서 설명한다.
본 실시예는, 상기 마그넷(5)과 상기 기판(1) 사이에, 상기 마그넷(5)으로부터 발생하는 자력 중 흡인력을 일으키는 상기 마스크(4)의 비개구부에 있어서의 자력에 비해, 흡인력을 일으키지 않는 상기 마스크(4)의 개구부에 있어서의 자력을 약하게 하도록 구성한 자성체부(6)를 설치하는 것이다. 구체적으로는, 자성체부(6)는, 마스크(4)의 비개구부에 대응하는 영역에, 마스크(4)의 개구에 대응하는 영역에 있어서의 투자율보다 투자율이 낮은 영역을 갖는 것이다.
도 2에 자성체부(6)의 구성예를 도시한다. 자성체부(6)는, 기판 유지체(8)의 상기 마스크(4)의 개구부에 대응하는 위치에만 각각 방자성(防磁性)을 갖는 판형의 자성체(7)를 갖고 있고, 상기 마스크(4)의 비개구부에 대응하는 위치에는 자성체(7)를 갖고 있지 않다. 이러한 구성으로 함으로써, 상기 마스크(4)의 개구부에 있어서의 자력을 저감하고, 상기 마스크(4)의 비개구부에 있어서의 자력을 거의 저감시키지 않는 구성으로 할 수 있다.
보다 상세하게는, 본 실시예는, 상기 마그넷(5)과 상기 기판(1) 사이에 상기 기판(1)을 유지하는 기판 유지체(8)를 설치하고, 이 기판 유지체(8) 상에 상기 자성체(7)를 설치하여 상기 자성체부(6)를 구성하고 있다. 자성체(7)는 기판 유지체(8)에 매설하는 구성으로 하여도 좋다. 자성체(7)로서는 투자율이 높으면 좋고, 재질로서는 퍼멀로이, SPCC(냉간 압연 강판), SS400(일반 구조용 압연 강판) 스테인레스(SUS440, SUS430)로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 마스크의 개구부에 있어서의 자성체(7)의 두께는, 2 ㎜∼5 ㎜ 정도인 것이 바람직하다. 기판 유지체(8)로서는 비자성체의 알루미늄제인 것이 채용되고 있다. 기판 유지체(8)는 기판(1)을 유지한 상태로 로봇 핸드(11)에 의해 반송된다. 또한, 기판 유지체(8)에 의한 기판 유지 구조의 도시는 생략하고 있다.
자성체(7)는, 기판 유지체(8) 상에 나사 등에 의해 착탈 가능하게 설치되어 있고, 상기 마그넷(5)의 자력 및 상기 마스크(4)의 개구 형상에 따라 배치를 변경할 수 있도록 구성하고 있다.
또한, 도 3에 도시된 별례 1과 같이, 마스크(4)의 개구부에 대응하여 배치된 복수의 자성체를 연결부에서 서로 연결하여, 기판 유지체(8)와는 별개의 부재로 자성체부(6)를 구성하여도 좋다. 구체적으로는, 마스크(4)가 갖는 복수의 개구부를 방자할 수 있는 넓이의 자성체(7)의 상기 마스크(4)의 비개구부와 대응하는 위치에, 복수의 관통구(10)를 형성하여 끌어당김부를 구성하면 좋다. 혹은, 마스크(4)의 개구부를 방자할 수 있는 넓이의 자성체(7)를 마스크(4)의 개구부에 대응하여 복수 배열하여, 마스크(4)의 비개구부와 대응하는 위치에서, 연결부에 의해 서로 부분적으로 연결시켜 구성하여도 좋다. 이 경우, 연결되어 있지 않은 부분이 관통구가 된다. 또한, 끌어당김부에 형성되는 관통구(10)의 형상은 특별히 한정되지 않고, 도 3에 도시된 바와 같은 원형 구멍이라도 다각 형상 구멍이라도 좋다.
또한, 도 4에 도시된 별례 2와 같이, 마스크(4)의 비개구부에 대응하는 위치에 관통 구멍을 형성하지 않고, 마스크(4)의 비개구부에 대응하는 위치의 자성체(7)의 두께를, 마스크(4)의 개구부에 대응하는 위치의 두께보다 얇게 하는(1/2 정도로 하는) 구성으로 하여도 좋다.
또한, 자성체부(6)를 기판 유지체(8)와는 별개의 부재로 한 경우에는, 기판 유지체(8)와 기판(1) 사이에 자성체부(6)를 배치한다. 또한, 기판 유지체(8)와 별개의 부재로 하는 경우에는, 자성체부(6)는 상기 기판 혹은 상기 마스크 반송용의 로봇 핸드(11)를 이용하여 반송할 수 있도록 판형으로 구성한다.
자성체부(6)를 로봇 핸드(11)를 이용하여 반송할 수 있도록 구성함으로써, 복수종의 자성체부(6)를 기판 유지체 스톡실에 수납해 두고, 필요에 따라 로봇 핸드(11)로 자동 교환하는 것이 가능해진다.
예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이 반송실(12)의 주위에, 성막실(13), 기판 유지체 스톡실(14), 마스크 스톡실(15)을 처리실로서 설치하여, 기판 유지체 스톡실(14)에 복수종의 마스크 패턴에 따른 복수종의 기판 유지체(8)(자성체부(6))를 수납해 두고, 마스크(4)를 다른 마스크 패턴의 것으로 교환할 때에, 함께 기판 유지체(8)(자성체부(6))를 교환하는 것이 가능해지고, 장치를 정지시키지 않고 복수종의 마스크 패턴에 대응한 자성판부(6)로 교환할 수 있는 성막 장치를 실현할 수 있어, 그만큼 장치 가동률을 향상시킬 수 있다.
또한, 도 5의 구성에 한정되지 않고, 도 6∼도 9에 도시된 바와 같이 반송실(12)의 주위에 각 처리실을 설치하는 구성으로 하여도 좋다. 또한, 도 9는 기판 유지체 스톡실과 마스크 스톡실을 겸용한 스톡실(16)을 설치한 구성이다. 어느 쪽의 구성에 있어서도, 로봇 핸드(11)를 이용하여, 장치를 정지시키지 않고 기판 유지체(8)(자성체부(6))를 자동 교환하는 것이 가능해져, 장치 가동률을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은, 성막원에 수용된 재료를 가열하여, 기판에 재료를 증착시켜 성막을 행하는 성막 장치(증착 장치)에도 이용하는 것이 가능하다.
소정의 마스크 패턴이 형성된 마스크를 마그넷의 자력을 이용하여 기판으로 끌어당긴 상태로 하고, 성막원으로부터 비산되는 재료 입자를, 상기 마스크를 통해 기판에 막을 형성하는 성막 장치(증착 장치)에 이용할 수 있다.
결과, 성막원으로부터 비산되는 재료 입자가, 마그넷에 의한 자력의 영향을 받는 것을 저감할 수 있어, 기판에 형성되는 막의 막질이나 막 두께에 불균일이 생겨 버리는 것을 억제할 수 있다.
도 10은 본 발명을 적용한 증착 장치를 설명하는 모식도이다.
본 실시예에서 설명하는 성막 장치는, 감압 분위기를 유지하는 진공조(20) 내에, 기화된 성막 재료를 방출하는 증발원(성막원)(2)을 설치하는 증발원 설치부(성막원 설치부)(3)와, 증발원(2)으로부터 방출된 재료의 증발 레이트를 모니터링하는 막 두께 모니터(23)와, 진공조(20) 밖에 설치한 막 두께계(22)와, 증발원(2)에 설치된 가열 장치를 제어하는 전원(21)과, 기판(1)을 유지하는 기판 유지부(25)와, 기판 반송시에 이용하고, 장치 내에서 기판 유지부(25)와 연결하는 기판 유지체(8)와, 마스크(4)를 유지하는 마스크 유지부(24)와, 마스크 유지부의 일부로서 마스크를 배치하는 마스크 프레임(9)과, 마스크(4)를 기판(1)측으로 끌어당기는 마그넷(5)과, 마그넷으로부터의 자력을 약하게 하는 자성체(7)와, 자성체(7)를 구비하는 자성체부(6)와, 마그넷(5)을 승강시키는 마그넷 승강 기구(26)가 설치되어 있다.
본 실시예에서는, 증발원(2)은, 기판(1)의 성막면에 대하여 재료를 방출하는 방출 구멍을 복수 구비하는 구조이며, 성막면에 대하여 상대적으로 이동시키는 증발원 이동 기구가 설치되어 있다. 증발원(2)은 이것에 한정되지 않고, 기판(1), 또는 마스크(4)의 패턴 등에 맞추어 적절하게 증발원을 선정하면 되고, 예컨대, 포인트 소스나, 소형의 재료 수납부에 확산실을 접속하고, 재료를 방출하는 방출 구멍을 확산실에 복수 구비한 구조의 증발원 등을 이용하여도 좋다.
기판 유지부(25)는, 기판(1)을 유지하는 것 외에도, 기판(1)의 위치를 조정하는 기판 이동 기구를 가지며, 마스크(4)나 증발원(2)과의 상대 위치를 조절할 수 있다. 마스크 유지부(24)는, 마스크(4) 또는 마스크 프레임(9)을 유지하는 것 외에도, 기판(1)의 위치를 조정하는 마스크 이동 기구를 가지며, 기판(1)이나 증발원(2)과의 상대 위치를 조절할 수 있다.
다음에 증착 장치로 성막을 행하는 공정을 설명한다.
미리, 기판(1)과 마스크(4)에는, 얼라인먼트 마크를 형성해 둔다.
얼라인먼트 마크가 형성된 마스크(4)는, 반송 수단(도시하지 않음)에 의해, 진공조(20) 내로 반입되고, 마스크 유지부(24)에 배치된다. 마스크 유지부(24)는, 이동 기구를 갖고 있고, 마스크(4)를 소정의 위치로 이동시킨다.
증발원(2)은, 재료를 기화시키기 위해, 증발원(2)에 설치된 가열 장치가 전원(21)에 의해 제어된다.
또한, 증발원(2)의 재료 방출측에 셔터를 설치하고, 셔터의 개폐에 의해, 성막을 제어하도록 하여도 좋다.
얼라인먼트 마크가 형성된 기판(1)은, 기판 유지체(8)에 유지된 상태로 반송 수단에 의해 진공조(20) 내로 반입되어, 기판 유지부(25)에 배치된다.
이 기판 유지체(8)에, 자성체(7) 또는 자성체(7)로 구성된 자성체부(6)를 설치하여도 좋다.
또는, 기판 유지체(8)에 자성체부(6)를 설치하지 않는 경우에는, 자성체(7) 또는 자성체(7)로 구성된 자성체부(6)를 기판(1)과 마그넷(5) 사이에 설치한다. 구체적으로는, 기판 유지체(8) 상에, 자성체부(6), 기판(1)의 순서로, 기판(1)의 막이 형성되는 쪽의 면(피성막면)이 상기 기판 유지체(8)와는 반대측을 향하도록 배치하고, 클램프 등의 고정 기구에 의해 기판 유지체(8)와 기판(1)과 자성체부(6)를 서로 고정한다. 이 때, 기판(1)의 피성막면을 수평으로 하여 행하면 작업이 간단해지기 때문에 바람직하다.
이 후, 기판(1)의 피성막면이 증발원(2)측을 향하도록 기판 유지체(8)마다 기판 유지부(25)에 설치하고, 기판 유지부(25)에 설치한 이동 기구에 의해 마스크(4)와 기판(1)의 얼라인먼트를 행한다. 본 실시예에서는, 마스크(4)에 형성된 얼라인먼트 마크와 기판(1)에 형성된 얼라인먼트 마크를 이용하여, 마스크(4)와 기판(1)의 얼라인먼트를 행한다.
또한, 기판(1)이, 진공조(20) 내로 반입되어, 기판 유지부(25)에 의해 소정의 위치에 배치된 후에, 마스크(4)를 마스크 유지부(24)에 의해 이동하고, 마스크(4)와 기판(1)의 얼라인먼트를 행하여도 좋다.
얼라인먼트 종료 후, 마그넷 승강 기구(26)에 의해 마그넷(5)을 기판(1) 및 자성체부(6)에 가까이 한다. 이에 따라, 마그넷(5)으로부터 발생하는 자력에 의해 마스크(4)를 기판(1)으로 끌어당긴 상태로 한다.
그 후, 증발원(2)의 셔터를 개방하는 등에 의해 성막을 시작하고, 마스크(4)의 개구부에 따른 패턴의 막을 기판(1)에 형성한다. 수정 진동자 등의 막 두께 모니터(23)는, 증발 레이트를 계측하고, 막 두께계(22)에 의해 막 두께로 환산하고 있다. 막 두께계(22)에 의해 환산된 막 두께가 목표막 두께가 될 때까지 증착을 계속한다.
막 두께계(22)가 목표 막 두께에 도달한 후, 증발원(2)의 셔터를 폐쇄하여 증착을 종료한다. 그 후, 마그넷(5)을 마그넷 승강 기구(26)에 의해 기판(1) 및 자성체부(6)로부터 떼어놓은 후, 반송 수단에 의해 기판(1)을 진공조(20) 밖으로 반출하고, 다음 기판(1)을 반입하여 동일한 공정으로 성막을 행한다.
마스크(4)는, 기판(1)의 증착을 복수매 행할 때마다 교환을 행한다. 마스크(4)의 교환 빈도는, 마스크(4)에 대한 성막 재료의 퇴적 상태 등에 따라, 적절하게 결정할 수 있다.
기판 유지체(8)와 기판(1)과 자성체부(6)를 서로 고정하는 공정은, 기판(1)의 피성막면을 수평으로 하여 행하는 것이 바람직하지만, 그 후의 기판 반송 공정이나 얼라인먼트 공정, 성막 공정 등은, 기판(1)의 피성막면을 수직으로 하여 행하는 것이 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 수평 및 수직은, ±30° 범위의 오차를 허용하는 것이다.
또한, 본 발명은, 본 실시예에 한정되지 않고, 각 구성 요건의 구체적 구성은 적절하게 설계할 수 있는 것이다.
1 : 기판 4 : 마스크
5 : 마그넷 6 : 자성체부
7 : 자성체 8 : 기판 유지체

Claims (14)

  1. 개구를 갖는 마스크를, 기판의 상기 마스크와는 반대측에 배치한 마그넷에 의해 기판측으로 끌어당긴 상태에서 상기 기판에 막을 형성하는 성막 시스템으로서,
    상기 마그넷과 상기 기판 사이에, 상기 마스크의 개구부에 대응하는 영역에 있어서의 상기 마그넷의 자력을 상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역에 있어서의 상기 마그넷의 자력보다 작게 하는 자성체부를 설치하는 것을 특징으로 하는 성막 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판과 상기 자성체부를 유지하여 반송하는 기판 유지체를 갖는 것을 특징으로 하는 성막 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 기판 유지체가 자성체를 갖고 있고, 상기 자성체부를 겸하고 있는 것을 특징으로 하는 성막 시스템.
  4. 제3항에 있어서, 상기 자성체가 착탈 가능하게 설치되어 있고, 상기 마그넷의 자력 및 상기 마스크의 개구 형상에 따라 배치를 변경할 수 있는 것을 특징으로 하는 성막 시스템.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 성막 시스템에 설치되는 자성체부로서,
    상기 자성체부는, 상기 마스크의 개구부에 대응하는 영역 각각의 전체에 자성체가 설치되고,
    상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역의 적어도 일부에는 자성체가 설치되지 않는 것을 특징으로 하는 자성체부.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 성막 시스템에 설치되는 자성체부로서,
    상기 자성체부는, 자성체로 구성되어 있고,
    상기 마스크의 개구부에 대응하는 영역에 있어서, 상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역보다 두껍게 되어 있는 것을 특징으로 하는 자성체부.
  7. 제5항에 있어서, 판형으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자성체부.
  8. 제6항에 있어서, 판형으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 자성체부.
  9. 기판을 유지하는 기판 유지부와, 개구를 갖는 마스크를 유지하기 위한 마스크 유지부와, 상기 기판의 상기 마스크가 설치되는 쪽과는 반대측에 설치되는 마그넷을 포함하는 성막 장치의 상기 마그넷과 상기 기판 사이에 배치하여 이용되는 자성체부로서,
    상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역에, 상기 마스크의 상기 개구에 대응하는 영역에 있어서의 투자율보다 투자율이 낮은 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 자성체부.
  10. 제9항에 있어서, 상기 마스크의 개구부에 대응하는 영역 각각의 전체에 자성체가 설치되고,
    상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역의 적어도 일부에는 자성체가 설치되지 않는 것을 특징으로 하는 자성체부.
  11. 제9항에 있어서, 상기 마스크에 대응하는 크기의 자성체로 구성되어 있고, 상기 마스크의 개구부에 대응하는 영역에 있어서, 상기 마스크의 비개구부에 대응하는 영역보다 두껍게 되어 있는 것을 특징으로 하는 자성체부.
  12. 개구를 갖는 마스크를 이용하여 기판의 피성막면에 막을 형성하는 막의 제조 방법으로서,
    상기 기판의 피성막면과는 반대측에, 상기 기판측에서부터 차례로 자성체부와 마그넷을 배치하는 공정과,
    상기 기판의 피성막면측에 상기 마스크를 배치하는 공정과,
    상기 기판의 피성막면에 상기 마스크를 통해 막을 형성하는 공정
    을 포함하고, 상기 자성체부에 의해, 상기 마그넷의 자력을, 상기 마스크의 개구부에 있어서 상기 마스크의 비개구부보다 약하게 하는 것을 특징으로 하는 막의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기판의 피성막면과는 반대측에, 상기 기판측에서부터 차례로 자성체부와 마그넷을 배치하는 공정은, 기판 유지체 상에, 상기 자성체부, 상기 기판의 순서로 배치하여, 상기 기판의 피성막면을 상기 기판 유지체와는 반대측을 향해 고정하는 공정을 포함하고,
    상기 자성체부와 상기 기판이 고정된 기판 유지체를 반송하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 막의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판의 피성막면을 상기 기판 유지체와는 반대측을 향해 고정하는 공정을, 상기 기판의 피성막면을 수평으로 하여 행하고,
    상기 자성체부와 상기 기판이 고정된 기판 유지체를 반송하는 공정을, 상기 기판의 피성막면을 수직으로 하여 행하는 것을 특징으로 하는 막의 제조 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102411538B1 (ko) * 2017-09-04 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN108359933A (zh) * 2018-03-23 2018-08-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 成膜组件及其承载组件、成膜方法
KR101941404B1 (ko) * 2018-04-18 2019-01-22 캐논 톡키 가부시키가이샤 처리체 수납 장치와, 처리체 수납 방법 및 이를 사용한 증착 방법
CN109023234B (zh) * 2018-08-09 2020-08-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种掩膜板更换装置及更换方法
JP7188973B2 (ja) * 2018-10-15 2022-12-13 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、製造システム、有機ｅｌパネルの製造システム、成膜方法、及び有機ｅｌ素子の製造方法
JP7202168B2 (ja) * 2018-12-13 2023-01-11 キヤノントッキ株式会社 成膜装置、有機ｅｌパネルの製造システム、及び成膜方法
CN110164808B (zh) * 2019-05-15 2022-03-25 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板的搬运装置以及搬运方法
JP7420496B2 (ja) * 2019-07-05 2024-01-23 キヤノントッキ株式会社 マスク保持機構、蒸着装置、および電子デバイスの製造装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005187875A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Seiko Epson Corp 蒸着装置、蒸着方法、有機ｅｌ装置、および電子機器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11131212A (ja) * 1997-10-28 1999-05-18 Canon Inc 枚葉式スパッタ装置、枚葉式スパッタ方法及びスパッタ膜
JP4058149B2 (ja) * 1997-12-01 2008-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法
JP2003268530A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Nippon Sheet Glass Co Ltd スパッタ用治具
KR100838065B1 (ko) * 2002-05-31 2008-06-16 삼성에스디아이 주식회사 박막증착기용 고정장치와 이를 이용한 고정방법
JP4375232B2 (ja) * 2005-01-06 2009-12-02 セイコーエプソン株式会社 マスク成膜方法
JP2006199998A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Seiko Epson Corp 成膜装置、成膜方法
JP4609759B2 (ja) * 2005-03-24 2011-01-12 三井造船株式会社 成膜装置
JP4524766B1 (ja) * 2009-01-15 2010-08-18 株式会社セラピット ウォーキング用の杖
JP2010185107A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Seiko Epson Corp マスク蒸着装置、蒸着マスクおよびマスク蒸着法
KR101049804B1 (ko) * 2009-02-19 2011-07-15 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치용 마스크 밀착 수단 및 이를 이용한 증착 장치
JP5958690B2 (ja) * 2012-03-29 2016-08-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 成膜方法
CN104131252A (zh) * 2013-05-02 2014-11-05 上海和辉光电有限公司 提高封装成膜均匀性的方法及装置
CN203807547U (zh) * 2014-04-30 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置
JP6163586B2 (ja) * 2015-04-17 2017-07-12 大日本印刷株式会社 蒸着パターンの形成方法、押さえ板一体型の押し込み部材、蒸着装置及び有機半導体素子の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005187875A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Seiko Epson Corp 蒸着装置、蒸着方法、有機ｅｌ装置、および電子機器

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