JPS61257469A

JPS61257469A - 薄膜形成方法

Info

Publication number: JPS61257469A
Application number: JP9727085A
Authority: JP
Inventors: Kenji Nakano; 健司中野
Original assignee: Toyota Motor Corp
Current assignee: Toyota Motor Corp
Priority date: 1985-05-08
Filing date: 1985-05-08
Publication date: 1986-11-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は、薄膜の形成方法に関し、主として、大型基板
表面の一部に、薄膜を効率良く形成づ−る方法に関する
。

本発明の方法は、真空槽内壁面の一部を、薄膜を形成す
べき基板表面で置換することを特徴とし、真空装置の小
型化、作業の効率化、省エネルギー化に貢献するもので
ある。

［従来の技術］近年、透明導電膜、熱線反射膜、反則防止膜等の薄膜を
、スパッタリング、イオンブレーティング、電子ビーム
蒸着等の真空成膜法によって、ウィンドシールドガラス
等の基板表面に形成することが行なわれている。

従来、かかる薄膜の形成は、薄膜を形成すべき基板を真
空装置内に収納し、真空槽内を排気した後、行なってい
る。

したがって従来の方法によると、前記基板を収納し得る
大きさの真空槽を有する真空装置が必要である。

このため、前記基板の形状が大きい場合は、装置が大型
化するばかりでなく、真空槽内の吸排気に要するエネル
ギーも大きくなり、また、長時間を要する。

故に、雨センサ用透明導電膜、あるいはヘッドアップデ
ィスプレイ用反則膜等のように、基板表面の一部のみに
薄膜を形成したい場合は、」−記従来の方法は、無駄の
大きい方法である。

［発明が解決しにうどする問題点］本発明は、かかる事情に鑑み案出されたものであり、比
較的小型の真空装置によって、基板表面に効率良く、か
つ、より少ないエネルギーで、薄膜を形成する方法を提
供するものである。

［問題点を解決するための手段及び作用］本発明は、薄
膜を形成すべき基板表面を、真空槽内壁面の一部として
用いるものである。

即ち本発明は、真空槽と、該真空槽に連通ずる吸排気系を有し、前記真
空槽壁面の一部に外部空間との連通口が形＝　　　　３
　　　　＝成されている真空装量内に、蒸発源を配冒し、前記連通
口に、基板を、該基板表面の少なくとも一部が前記真空
機内壁面の一部を構成するようにして気密的に配置し、前記真空槽内を所定圧力に保ちつつ、該真空槽内壁面の
一部を構成している前記基板表面の少く【くとも一部に
、真空成膜法によって薄膜を形成することを特徴とづ−
る薄膜形成方法である。

真空装置どしては、真空槽の壁面の一部に間口部（前記
連通口）を有し、該間口部によって真空槽の内部空間と
、外部空間とが連通され、該開口部に、基板表面の薄膜
を形成すべき部分を、気密的に配置し得るものを用いる
。

かかる真空装置の真空槽内に蒸発源を設置し、前記開口
部に、基板を、該基板の薄膜を形成ずべき表面部分が真
空槽の内壁面の一部を構成η−るようにして、気密的に
配置する。ここに真空槽と基板との気密シールは、例え
ばＯリング等のシール部材を用いて行なう。

その後、実施すべき真空成膜法において必要とされる所
定圧ツノに真空槽内を保ちつつ、薄膜を形成する。ここ
に真空成膜法としては、スパッタリング、イオンブレー
ティング、電子ビーム蒸着等、従来性なわれている方法
を適用できる。

上記において、前記基板の機械的強度が弱く、真空槽内
の減圧時に、負圧（外部空間と真空槽内・の圧力差）に
よって破損する恐れがある場合は、特許請求の範囲第２
項記載の如く、前記真空槽内壁面を構成している基板表
面の部分に対応する反対側の部分に、第２の真空装置の
真空槽を気密的に設置し、両面の圧力を一致させると良
い。

以上述べたように本発明の方法によると、真空装置を従
来よりも小型化でき、したがって、吸排気に要するエネ
ルギー及び時間も少なく、作業の効率化が達成される。

［実施例］以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。

（１）第１実施例第１図は、本発明の第１実施例を説明する図であり、第
２図は、本第１実施例で表面に薄膜を形成したウィンド
シールドガラスの平面図である。

本第１実施例は、自動車用ウィンドシールドガラスの凹
面側の表面の一部に、ヘッドアップディスプレイ（投影
式表示装置）用反射膜である７ｉｏ２膜を形成する場合
であり、以下の手順で実施される。

まず、ウィンドシールドガラス１の凹面側表面の所定部
分にマスク層２を形成し、これを第１図に示すように、
電子線加熱式蒸発源（蒸発材料Ｔｉ０ｚ）４を収納した
真空槽３の開口部３０に、前記マスク層２で囲まれてい
る部分が前記蒸発源４と対向するようにして、Ｏリング
９を介して配置する。

次に、油回転ポンプ７によって真空槽３内を排気した後
、油拡散ポンプ５を用いて該真空槽３内を、１Ｏ−３Ｐ
ａ以下の高真空とする。

その後、真空槽３内に０２ガスを３Ｘ１０−２ｐａ導入
し、イオンブレーティング法によって、ＴｉＯ２反剣膜
１０を、第２図に示すように形成しＩこ。

次に、真空槽３内を大気圧に戻した後、基板１を真空４
ｇ３から取りはずし、マスク層２を除去しｌこ　。

（２）第２実施例第３図は、本発明の第２実施例の説明図である。

本第２実施例は、自動車用ウィンドシールドガラス１の
凸面側の表面の一部に、雨センサ用の透明導電膜１１を
形成する場合であり、以下の手順で実施される。

マスク層２を形成した後、基板１を真空槽３の間口部３
０に、Ｏリング９を介して配置するまでは、前記第１実
施例と同様である。（ただし、蒸発源どしては、ＴＴＯ
（インディラム・ナイン・オキサイド）を用いている。

）上記配＠後、真空槽３の内部を排気するに先たち、第２
の真空装置の真空槽３ａの開口部３０ａを、第３図に示
すように、前記基板１の凹面側の表面であって、前記第
１の真空槽３の内壁面を構成している部分に対応する部
分が、第２の真空槽３ａの内壁面を構成するように、Ｏ
リング９ａを介して基板１に気密的に配置する。

次に、油回転ポンプ７によって、真空槽３と第２の真空
槽３ａとを同時に排気し、その後、油拡散ポンプ５によ
って、真空槽３内を１Ｏ−３Ｐａ以下の高真空と１”る
。

次に、真空槽３の内部に△ｒガガス３Ｘ１０−１　ｐ　
ａ導入し、高周波スパッタリング法によって透明導電膜
１１を形成する。

その後、前記第１実施例ど同様にして、マスク層の除去
、絶縁保護（△１２０３）膜の形成を行なう。

（評価）上記２つの実施例と同様の薄膜を、従来の方法（ウィン
ドシールドガラス全体を真空槽内に収納して薄膜の形成
を行なう方法）で実施するためには、真空槽として、そ
の内径が２０００ｍｍφ以上の大きさの真空槽が必要で
あった。

これに対し上記実施例では、真空槽３として、内径４０
０ｍｍφのもので薄膜の形成を行なうこどができた。

即ち、上記２つの実施例では、真空槽の容積が従来のも
のに比し、非常に小さいもので足り、このため前記排気
に要する時間は、従来の１１５に短縮され、全工程に要
する時間も１／３に短縮されている。

また、装置の小型化に伴ない、軒１持費、電力も低減さ
れている。

［効果コ以上、要覆るに本発明は、薄膜を形成すべき基板表面を
、真空槽内壁面の一部として用いる薄膜の形成方法であ
る。

実施例に述べたところからも明らかなように、本発明で
は、基板全体を真空槽内に収納するのではなく、薄膜を
形成すべき部分（及びその近傍の限られた部分）のみを
真空槽の内部空間に暉ずものである。

このため真空槽を従来よりも小型化でき、消費電力、作
業に要する時間、維持費等を低減することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、第１実施例で用いる装置の説明図であり、第
２図は、該実施例で薄膜を形成したウィンドシールドガ
ラスの平面図である。第３図は、第２実施例で用いる装
置の説明図である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空槽と、該真空槽に連通する吸排気系を有し、
前記真空槽壁面の一部に外部空間との連通口が形成され
ている真空装置内に、蒸発源を配置し、前記連通口に、基板を、該基板表面の少なくとも一部が
前記真空槽内壁面の一部を構成するようにして気密的に
配置し、前記真空槽内を所定圧力に保ちつつ、該真空槽内壁面の
一部を構成している前記基板表面の少なくとも一部に、
真空成膜法によって薄膜を形成することを特徴とする薄
膜形成方法。
（２）前記真空槽に対して気密的に配置された基板の前
記外部空間側の表面に、第２の真空装置の真空槽の連通
口を気密的に配置し、該第２の真空装置の槽内圧力を、
略前記所定圧力に保つ特許請求の範囲第１項記載の形成
方法。