KR100318724B1 - 음극선관의제조방법및그장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 페이스면에 소정의 막을 형성하는 음극선관의 제조방법 및 그 장치에 관한 것으로서,
음극선관 패널의 적어도 페이스면의 유효영역을 진공실 내에 유지하고, 진공실 외부에 대해서 기밀한 상태로 한 후 페이스면 상에 성막수단을 이용하여 박층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
Description
일반적인 음극선관의 구조를 나타내는 개략도를 도 1에 나타낸다.
도시하는 바와 같이 음극선관(11)에서는 패널(12)과 펀널(funnel)(13)이 일체로 형성되어 있다. 이들 패널(12) 및 펀널(13)의 내부는 고진공으로 유지되어 있다. 음극선관(11)의 내폭축(耐爆縮)성능을 유지하기 위해 패널(12)의 외주면에는 방폭밴드라 부르는 보강용의 금속대인 밴드(14)가 브라운관지지용장식(14a)을 통해서 감겨져있고, 이 밴드(14)에 의해 패널(12)이 죄어져 부착되어 있다. 또 펀널(13)의 외벽에는 표면의 도전성을 얻기 위해 유기도전성재료인 다그(Dlocculated Acheson Graphite)(15)가 도포되어 있다. 또한 패널(12)의 페이스면에는 반사방지막이 형성되어 있다.
패널(12)의 페이스면(12a)에는 반사방지막으로서 도시하지 않는 다층의 반사방지막이 형성되어 있다. 반사방지막은 외광의 반사를 억제하는 것으로 이와 같은 반사방지막을 시행한 브라운관은 근래 가정용 컬러텔레비전, 컴퓨터의 단말장치 등에 주로 사용되고 있다.
페이스면(12a)에 다층의 반사방지막(16)을 형성하는 경우, 종래로부터 스핀법, 스프레이법, 스퍼터법 또는 증착법 등의 여러 가지 방법이 시도되고 있다. 그러나 이들의 방법에는 각각 일장일단이 있었다. 예를 들면 습식의 스핀법 및 스프레이법에서는 비교적 저단가로 양산에 적합한데, 막두께가 두껍게되어 소망의 반사율을 얻는 것이 어렵다.
이에 대해 건식의 스퍼터법 또는 증착법 등은 막두께를 얇게 할 수 있다고 하는 장점이 있는데, 대형의 진공장치나 경우에 따라서는 가열장치가 필요하게 되어 설비단가가 대폭으로 높게되어 버린다. 또 이들의 방법에서는 진공 속에서 박층형성을 실시하기 때문에 박층이 형성될 부분의 주위가 소망의 진공상태에 도달하기까지에 많은 시간이 소요되어 버려서 생산성을 향상시키는 것이 곤란하다.
도 2에 종래의 스퍼터법을 이용한 박층제조장치를 나타내는 개략도를 나타낸다. 도 2에 나타내는 바와 같이 이 박막제조장치에서는 진공챔버(18) 내에 그 내부에 설치된 박막을 형성 할 음극선관(11)과, 소망의 박층재료로 제작된 타겟이 서로 대향하여 배치되고, 타겟(19)은 냉각수관을 겸하는 도전성의 지지대(20) 상에 재치 되어 있다.
또 이 지지대(20)와 음극선관(11) 패널(12)의 주위에 설치된 둥근체(21)는 고주파전원장치 또는 직류전원장치(22)에 접속되어 있다. 또 타겟(19)의 배면부로 되는 지지대(20) 내에는 자석(23)이 설치되어 있다. 이 장치에서는 자석(23)과 직류전원장치(22)에 의해 자계와 전계가 직교하는 공간을 타겟(19)의 표면에 만들어 이 공간에 불활성가스를 도입하고 전원을 인가하여 방전을 발생시킨다.
방전에 의해 고밀도의 플라스마(24)가 발생하고, 플라스마(24)의 대량의 이온이 타겟(19) 근처에서 발생하는 바이어스전압에 의해 가속되어 타겟(19)에 충돌한다. 그리고 이 이온의 타겟(19)으로의 충돌에 의해 타겟재료가 튀겨 날려지는 현상, 즉 스퍼터가 발생하고, 스퍼터된 재료는 타겟(19)으로부터 떨어져 위치하는 워크로서의 음극선관(11)의 페이스면(12a)에 부착하여 박막으로 된다.
그리고 예를 들면 타겟(19)의 재료로서 예를 들면 산화지르코늄(ZrO2)을 이용하여 아르곤(Ar2) 분위기 속에서 스퍼터함으로써 음극선관(11)의 페이스면(12a)에는 산화지르코늄(ZrO2)의 박층이 형성된다. 그 후 타겟(19)의 재질을 규소(Si)로 바꿈으로써 아르곤(Ar2)과 산소(O2)의 분위기 속에서 이산화규소(SiO2)의 박막을 형성할 수 있다. 이와 같이 종류가 다른 반사방지막(16)의 층을 페이스면(12a)에 순차 형성함으로써 소망의 반사율을 갖는 페이스면(12a)을 형성할 수 있다.
그러나 종래의 박막형성방법에서는 음극선관(11)의 전체를 진공챔버(18) 내에 넣어 박막형성을 실시하기 때문에 진공챔버(18)의 내용적이 크게 되어 버린다. 또 진공챔버(18)의 내부를 진공상태로 하기 위한 배기에 많은 시간이 소요되어 버려 효율이 나쁘다. 예를 들면 진공챔버(18)에 대해서 음극선관(11)을 출납하는 경우, 그 때마다 진공챔버(18) 내의 고진공상태를 파괴하고, 다시 음극선관(11)을 로딩하여 대기압상태에서 고진공상태로 배기하지 않으면 안되기 때문에 많은 시간이 소요되어 생산성이 저하하여 버린다.
또 음극선관(11)의 페이스면(12a) 이외의 펀널(13)의 외벽에는 다그(15)가코팅되어 있고, 이 다그(15)는 음극선관(11)을 통상의 사용상태에서 전자관으로서 사용하는 경우는 표면의 도전성을 얻는 목적으로 기능하여 유익한 것인데, 진공환경 하에 설치한 경우에는 몇 가지의 문제가 발생한다. 즉 그 하나는 다그(15) 속에 가스가 함유되어 있기 때문에 배기에 많은 시간이 필요하게 되는 것이다.
배기시간을 단축하기 위해 예를 들면 음극선관(11)을 가열하는 것 등을 생각할 수 있다. 그러나 가열을 실시한 경우 다그(15)가 벗겨지기 쉽게되는 새로운 문제가 발생한다. 그리고 벗겨져 떨어진 다그(15)는 진공챔버(18) 내에 누적하여 배기 시에 날려 올라가 음극선관(11)의 페이스면(12a)에 부착하여 불량제품 발생의 원인으로 된다.
또 음극선관(11)은 내폭축특성을 유지하기 위해 패널(12)의 주위에 밴드(14)가 감겨져 패널(12)을 죄어 부착하고 있는데, 음극선관(11)이 고진공상태의 진공챔버(18) 내에 들어가면 음극선관(11)의 외부와 내부의 압력차가 줄어들어 음극선관(11)이 팽창하려고 한다. 이 때문에 밴드(14)는 넓혀지고, 그 후 음극선관(11)을 진공챔버(18)로부터 꺼내면 이번은 대기압에 의해 음극선관(11)이 수축하기 때문에 밴드(14)에 의한 체결부착력이 약하게 되어 충분한 방폭특성을 얻지 못하게 되는 염려가 발생한다.
본 발명은 페이스면에 소정의 막을 형성하는 음극선관의 제조방법 및 그 장치에 관한 것이다.
도 1은 일반적인 음극선관의 구조를 나타내는 개략도 이다.
도 2는 종래의 스퍼터를 이용한 박층제조장치를 나타내는 개략도 이다.
도 3은 본 발명의 음극선관 제조장치의 한 실시형태를 나타내는 개략도 이다.
도 4는 음극선관 패널 유지상태의 다른 예를 나타내는 부분도 이다.
도 5는 음극선관 패널 유지상태의 다른 예를 나타내는 부분도 이다.
도 6은 본 발명 음극선관 제조방법의 조작순서의 한 예를 나타내는 흐름도 이다.
도 7은 본 발명에 의해 얻어지는 다층의 한 예를 나타내는 부분도 이다.
도 8은 본 발명에 의해 얻어지는 다층의 한 예를 나타내는 부분도 이다.
이와 같이 종래의 방법에서는 고진공상태의 장치 속에 음극선관의 전체를 넣어 박막형성을 실시하기 때문에 커다란 진공공간이 필요했었다. 게다가 음극선관 다그 속의 가스도 배기 하지 않으면 안되어 많은 배기시간을 요해 생산성을 향상시키는 것이 곤란했었다.
또 음극선관에 팽창수축이 발생하기 때문에 밴드에 의한 체결부착력이 약해져 방폭특성을 충분히 확보할 수 없게 되는 염려가 있었다.
본 발명은 상기 문제점에 감안하여 이루어진 것으로 진공공간의 용적이 축소화되고, 또 생산효율이 높으며, 또한 안전성이 높은 음극선관의 제조방법 및 그 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 제 1로 음극선관 패널의 적어도 페이스면 의 유효영역을 진공실 내에 유지하고, 진공실 외부에 대해서 기밀한 상태로 하는 공정 및 상기 페이스면 상에 성막수단을 이용하여 박층을 형성하는 공정을 구비하는 음극선관의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 제 2로 진공실과 해당 진공실의 일부에 설치되어 적어도 음극선관 패널의 페이스면의 유효영역을 실내로 유지하는 기밀수단과, 해당 진공실 내에 설치된 성막수단을 갖는 진공성막장치를 구비하는 음극선관의 제조장치를 제공한다.
본 발명에 따르면 음극선관의 적어도 페이스면의 유효영역을 진공실 내에 배치하고, 진공실 외부에 대해서 기밀한 상태로 상기 페이스면에 박층이 형성된다. 이 때문에 음극선관 전체를 수납하는 경우에 비해 진공실의 내부 용적을 대폭으로 축소할 수 있어 배기시간을 단축하여 생산효율을 높일 수 있다.
또 본 발명에 따르면 음극선관의 다그를 진공실 내에 배치할 필요가 없기 때문에 배기 시에 다그에 함유되는 가스의 악영향에 의해 배기에 많은 시간을 요하는 일이 없다.
또한 본 발명에 따르면 음극선관 패널과 펀널을 죄어 부착하고 있는 밴드를 진공실 내에 배치할 필요가 없기 때문에 충분한 내방폭성을 유지할 수 있다.
본 발명의 제 1관점에 따르면 음극선관 패널의 적어도 페이스면의 유효영역을 진공실 내로 유지하고, 진공실 외부에 대해서 기밀한 상태로 하는 공정 및 상기 페이스면 상에 성막수단을 이용하여 박층을 형성하는 공정을 구비하는 음극선관의 제조방법이 얻어진다.
본 발명의 제 2관점에 따르면 제 1관점에 관련되는 제조방법에 사용되는 음극관의 제조장치가 제공된다. 이 장치는 진공실과 해당 진공실의 일부에 설치되어적어도 음극선관 패널의 페이스면의 유효영역을 실내로 유지하는 기밀수단과, 해당 진공실 내에 설치된 성막수단을 갖는 진공성막장치를 구비한다.
진공실은 적어도 페이스면의 유효영역을 유지하기 위한 제 1영역과, 제 1영역과 개폐 가능한 밸브기구에 의해 구분되어 성막수단이 설치된 제 2영역으로 구성되는 것이 바람직하다.
이 때 기밀한 상태로 하는 공정은 제 1영역 및 제 2영역 사이를 폐색하여 실시되고, 박막을 형성하는 공정은 제 1영역 및 제 2영역 사이를 개방하여 실시되며, 박막을 형성하는 공정 후 유지된 페이스면을 탈착하는 공정은 이들 제 1영역 및 제 2영역 사이를 다시 폐색하여 실시된다.
기밀수단으로서는 예를 들면 오링, 중공(中空)오링(hollow O-ring) 및 혀 형상의 단면형상을 갖는 패킹 등이 바람직하게 사용된다.
박층으로서는 반사방지막, 정전방지막 및 이들 양쪽의 기능을 갖는 막 등이 바람직하게 이용된다.
또 박층은 바람직하게는 다층이다.
다층의 대표적인 예로서 산화지르코늄 박층과 이산화규소 박층의 적층체로 이루어지는 반사방지막을 들 수 있다.
다층을 형성하는 경우에는 예를 들면 진공성막장치 내에 예를 들면 이동 가능한 복수의 성막원(成膜源)을 설치할 수 있다. 복수의 성막원은 소망의 박막에 따라서 예를 들면 회전식, 슬라이드식 등의 이동수단에 의해 이동할 수 있다.
이동 가능한 복수의 성막원을 설치하지 않는 경우에는 진공성막장치를 복수설치할 수 있다. 이 경우 각 진공성막장치에 종류가 다른 성막원을 설치하여 박막이 형성될 음극선관의 패널을 예를 들면 제 1진공성막장치에서 제 2진공성막장치에 순차 이동할 수 있다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 구체적으로 설명한다. 또한 종래 예에서 설명한 부분에 대응하는 부분에는 동일부호를 붙여서 설명한다.
도 3은 본 발명 음극선관 제조방법의 한 실시형태를 나타내는 개략도 이다.
도 3에 나타내는 바와 같이 이 장치는 진공챔버(28, 28)에 설치되고, 음극선관(11) 패널의 페이스면(12a)을 유지할 수 있는 유지수단(29), 페이스면(12a)에 대향하여 진공챔버(28) 내에 설치된 성막수단(34) 및 이 진공챔버(28)를 페이스면(12a)이 유지되는 제 1영역(28A)과 성막수단(34) 예를 들면 기상성막수단이 설치된 제 2영역(28B)으로 구분하는 개폐 가능한 밸브기구(38)로 기본적으로 구성된다.
제 1영역(28A) 및 제 2영역(28B)에는 각각 제 1배기구(31), 제 2배기구(35)가 설치되어 각각 밸브(32, 36)를 통해서 도시하지 않는 배기장치에 연이어 통하고 있다.
또 유지수단(29)은 음극선관(11)의 페이스면(12a)의 유효영역을 둘러싸도록 설치되어 있다. 유지수단(29)과 페이스면(12a)의 접촉부에는 페이스면(12a)을 진공챔버 외부에 대해서 기밀 하게 유지하기 위한 기밀수단으로서 수지제의 오링(30)이 설치되어 있다.
또 제 2영역(28B)에는 페이스면(12a)과 대향하는 위치에 예를 들면 스퍼터장치(34) 등의 성막수단이 설치되어 있다. 스퍼터장치(34)는 타겟(19)과, 이 타겟(19)을 소정의 전기조건에서 스퍼터시키는 전원장치(37)에 의해 구성되어 있다.
또 제 1영역(28A)과 제 2영역(28B)의 사이에는 밸브기구로서 예를 들면 게이트밸브(38)가 설치되어 있다. 게이트밸브(38)에 의해 제 1영역(28A) 및 제 2영역(28B) 사이가 개폐된다. 게이트밸브(38)는 음극선관(11)의 페이스면(12a)을 페이스면 유지수단(29)에 대해서 장착할 때 및 탈착할 때에 폐색된다. 폐색에 의해 제 1영역(28A) 및 제 2영역(28B)은 각각 독립하여 급기, 배기가 가능하게 된다. 예를 들면 제 1영역(28A)이 대기압이더라도 제 2영역(28B)을 진공으로 유지할 수 있다. 음극선관(11)의 장착 후는 제 1영역(28A)이 배기 되어 진공상태로 되는 것을 조건으로 게이트밸브(38)가 개방된다.
또한 상기의 예에서는 기밀수단으로서 오링을 설치한 유지수단을 사용하여 음극선관 패널의 페이스면(12a)을 유지하고 있는데, 다른 기밀수단을 사용하는 것도 가능하다. 또 음극선관 패널의 스커트부를 유지하는 것도 가능하다. 음극선관 패널 유지상태의 다른 예 및 또 다른 예를 나타내는 부분도를 도 4 및 도 5에 나타낸다.
도 4에 나타내는 예에서는 기밀수단으로서 혀 형상의 단면형상을 갖는 패킹(51)을 이용한 유지수단(50)을 이용하여 페이스면(12a)을 유지하고 있다.
또 도 5에 나타내는 예에서는 기밀수단으로서 중공오링(56)을 설치한 유지수단(55)을 이용하여 음극선관 패널의 스커트부를 유지하고 있다. 유지수단(55)에는중공오링(56)에 통하는 급기구(57)가 설치되어 있다. 급기구(57)로부터 공기를 보내 넣어 중공오링(56)을 팽창시킴으로써 충분한 기밀상태가 얻어진다.
다음으로 음극선관의 페이스면에 다층의 박막을 형성하는 공정을 도 6에 나타내는 흐름도를 참조하여 설명한다.
우선 스텝 1에 나타내는 바와 같이 음극선관(11)을 진공챔버(28)에 장착하기 전에 게이트밸브(38)를 닫아서 제 1영역(28A)과 제 2영역(28B) 사이를 폐색한다(ST 1).
다음으로 도시하지 않는 배기 장치를 구동하는 동시에 스텝 2에 나타내는 바와 같이 밸브(36)를 열어서 제 2영역(28B) 내를 배기 한다(ST 2).
이 후 스텝 3에 나타내는 바와 같이 음극선관(11)을 도시하는 바와 같이 진공챔버(28)에 로딩한다(ST3). 즉 음극선관(11)의 페이스면(12a)을 그 페이스면(12a)의 유효부가 제 1영역(28A) 내와 대향하도록 페이스면 유지수단(29)의 패킹(30) 상에 장착한다.
스텝 4에 나타내는 바와 같이 장착된 음극선관(11)에 가중을 가한 후 밸브(32)를 열어서 제 1영역(28A) 내를 배기 한다(ST 4).
스텝 5에 나타내는 바와 같이 소망의 진공도로 될 때까지 제 1영역(28A)의 배기를 계속한다(ST 5).
이 배기에 의해 제 1영역(28A)이 소망의 진공 도에 도달했으면 스텝 6에 나타내는 바와 같이 밸브(32)를 닫는다(ST 6).
그 후 스텝 7에 나타내는 바와 같이 게이트밸브(38)를 개방한다(ST 7).
이 개방조작에 의해 스텝 8에 나타내는 바와 같이 제 1영역(28A)과 제 2영역(28B)이 일체화한 상태로 제 2영역(28B)의 배기구(35)를 통해서 배기 한다(ST 8).
스텝 9에 나타내는 바와 같이 소망의 진공도로 될 때까지 제 1영역(28A) 및 제 2영역(28B)의 배기를 계속한다(ST 9).
또한 이들 배기에 의해 진공챔버(28) 전체가 소망의 진공 도에 도달했으면 스퍼터를 실시할 전원장치(37)를 작동시켜 스텝 10에 나타내는 바와 같이 타겟(19)에 대해서 소망의 전기조건을 가해 음극선관(11)의 페이스면(12a) 상에 타겟(19)의 재질에 대응한 반사방지막(16)을 형성한다(ST 10).
소망의 시간경과 후 스텝 11에 나타내는 바와 같이 게이트밸브(38)를 닫아서 음극선관(11)의 페이스면(12a)을 제 2영역(28B)으로부터 차단한다(ST 11).
또 게이트밸브(38)의 차단조작 후 스텝 12에 나타내는 바와 같이 페이스면(12a)과 대향하고 있는 제 1영역(28A)의 진공상태를 파괴한다(ST 12).
스텝 13에 나타내는 바와 같이 대기압상태로 되고 나서 음극선관(11)의 언 로드를 실시한다(ST 13).
스텝 13에서는 제 2영역(28B)은 게이트밸브(38)에 의해 제 1영역(28A)으로부터 차단되어 있기 때문에 고진공상태로 유지된다.
따라서 스텝 3에 있어서 다음의 음극선관(11)이 로딩된 후, 스텝 4에 있어서는 그 페이스면과 대향하고 있는 제 1영역(28A)만을 배기하는 것만으로 좋다. 이 배기 후 스텝 8에 있어서 게이트밸브(38)를 열어서 제 1영역(28A)과 제 2영역(28B)을 일체화하면, 스텝 9에 있어서 진공챔버(28) 전체는 바로 소망의 진공도에 도달하기 때문에, 스텝 10에 있어서 즉시 스퍼터작업이 실시된다. 즉 배기에 요하는 시간이 2번째 이후는 현격히 짧게되기 때문에 종래에 비해 생산효율이 대폭으로 향상한다.
또 음극선관(11)은 페이스면(12a)의 유효영역이 고진공에 노출되는 것뿐이고, 종래의 음극선관(11) 전체가 고진공환경 하에 놓여지는 경우와 같이 음극선관(11) 내의 압력과 외부의 압력 차가 작게됨으로써 음극선관(11)이 팽창하고 그 후 수축하여 밴드(14)에 힘이 가해지는 일이 없기 때문에 충분한 방폭특성을 유지할 수 있다.
종류가 다른 박층을 다층으로 구성하는 경우는 박층을 형성할 때마다 타겟을 교환할 수 있다. 이 경우 타겟(19)의 교환작업에 시간을 요하는 일도 있는데, 진공챔버(28) 하나로 복수의 박층을 형성할 수 있다. 이 때문에 설비구조를 간소화할 수 있다.
그 외 이들 재질의 타겟(19)을 갖는 도 3에서 나타낸 진공챔버(28)를 박층의 종류에 따라서 각각 준비하고, 각 진공챔버마다에 다른 종류의 타겟을 배치하여 박층을 형성할 수 있다.
또는 예를 들면 회전식 또는 슬라이드식 등의 이동할 수 있는 테이블 상에 타겟을 두어 박층의 종류에 따라서 타겟을 각각 이동하여 교환할 수 있다.
이와 같이하여 얻어진 다층의 한 예를 나타내는 부분도를 도 7에 나타낸다. 이 예에서는 상기 다층막의 형성공정을 이용하여 제 1타겟으로서 산화지르코늄을이용한 제 1박층을 형성하고, 그 후 타겟을 제 2타겟인 이산화규소로 교환하여 제 2박층을 형성했다. 얻어진 다층막은 페이스면(12a)에 형성되어 산화지르코늄의 박막(17) 및 이산화규소 박막(18)의 다층체로 이루어지는 반사방지막(16)으로 이루어진다.
또 다층의 다른 한 예로서 제 1타겟으로서 산화주석을 이용하여 투명도전막을 형성하고, 제 2타겟으로서 이산화규소를 이용하여 반사방지막을 형성하여 다층체를 얻을 수 있다.
또한 본 발명에 의해 형성되는 다층의 또 다른 예를 나타내는 부분도를 도 8에 나타낸다. 이 예에서는 제 1타겟으로서 이산화규소와 이산화티탄, 제 2타겟으로서 이산화주석, 제 3타겟으로서 이산화규소를 사용하고, 상기 다층막의 형성공정을 이용하여 순차 형성되어 있다. 페이스면(12a)에 형성된 다층막은 이산화규소와 이산화티탄의 혼합박층(67), 이산화주석박층(68), 이산화규소박층(69)의 다층체이다. 이 다층체는 반사방지층, 전자파차폐층, 정전방지층으로서의 3가지의 기능을 갖는다.
상기의 예에서는 박층의 성막수단으로서 직접스퍼터를 나타냈는데, 그 외의 막형성방법, 예를 들면 RF스퍼터장치나 증착장치 등 다른 진공을 이용한 장치나 방법도 본 발명에 적용할 수 있다.
박층의 재료는 진공을 이용한 장치로 형성할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
또 본 발명에 의해 얻어진 박층에 습식의 스핀법 및 스프레이법으로 얻어진 도포층을 조합하여 다층을 형성하는 것도 가능하다.
또한 상기의 장치에서는 제 1영역(28A)과 제 2영역(28B) 사이의 게이트밸브(38)로 했는데, 밸브기구로서는 다른 밸브를 이용해도 좋다. 또한 게이트밸브(38)를 설치하지 않으면 2회째 이후의 배기시간은 늦어지는데, 도 2에 나타내는 바와 같이 진공장치에 음극선관(11) 전체를 넣어 배기하는 경우에 비하면 배기시간은 현격히 짧게되고, 게다가 상기한 바와 같이 밴드(14)에 힘이 가해지지 않기 때문에 충분한 방폭특성을 유지할 수 있다. 이 때문에 밸브기구로서의 게이트밸브(38)를 생략하는 것도 가능하다.
또한 성막수단은 상기 기상성막법에 한하지 않고 증착법, 스퍼터법 등 진공실을 사용하는 박막형성방법이면 어떠한 방법이어도 사용할 수 있다.
Claims (14)
- 음극선관 패널의 적어도 페이스면의 유효영역을 진공실 내에 유지하는 단계, 상기 진공실은 적어도 상기 페이스면의 유효영역을 유지하기 위한 제 1영역과, 해당 제 1영역과 개폐 가능한 밸브기구에 의해 구분되어 성막수단이 설치된 제 2영역을 가지며:상기 제 1영역 및 제 2 영역을 폐색하는 단계:상기 진공실 외부에 대해서 상기 진공실을 기밀한 상태로 하는 단계:상기 제 1영역 및 제 2영역 사이를 개방하는 단계:상기 페이스면 상에 상기 성막수단을 이용하여 박층을 형성하는 단계:상기 제 1 영역 및 제 2영역을 폐색하는 단계: 및상기 진공실로부터 상기 패널면을 탈착하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 적어도 페이스면을 유지하는 공정은 오링, 중공오링 및 혀 형상패킹으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 기밀수단을 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 박층은 반사방지막으로부터 실질적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 박층은 정전방지막을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 박층은 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 다층은 산화지르코늄의 박층 및 이산화규소 박층의 적층체를 포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조방법.
- 적어도 상기 페이스면의 유효영역을 유지하기 위한 제 1영역과, 해당 제 1영역과 개폐 가능한 밸브기구에 의해 구분되는 제 2영역을 포함하는 진공실;해당 진공실의 일부에 설치되어 적어도 음극선관 패널의 페이스면의 유효영역을 진공실내에 유지하는 기밀수단; 및상기 진공실 내에 설치된 성막수단을 갖는 진공성막장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 기밀수단은 오링, 중공오링 및 혀 형상패킹으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 박층은 반사방지막으로부터 실질적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 박층은 정전방지막을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 박층은 다층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 다층은 산화지르코늄의 박층 및 이산화규소 박층의 적층체를 포함하는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 성막수단은 이동가능한 복수의 성막원을 갖는 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조장치.
- 제 7 항에 있어서,상기 진공성막장치를 복수 설치한 것을 특징으로 하는 음극선관의 제조장치.
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