JP2004504495A - 基板にコーティングを施すための真空モジュール（及びその変形）とモジュールシステム - Google Patents

Abstract

基板上に薄膜多層コーティングを真空堆積させるためのモジュール及びそれの変形を説明する。基板、例えばＣＲＴやフラットディスプレイにコーティングを施すためのモジュールシステムが、サイズの異なる基板に異なる薄膜の堆積を行うために使用される。基板にコーティングを施すための真空モジュールは、基板（３、３’）配置用の開口部（２、８）を有する真空チャンバー（１）と、シール（１２、１２’）部材及びコーティングを施すための処理装置（５）と、開口部と処理装置とを仕切るように前記開口部に平行な面内に装着されるバルブゲート（６）とを備える。処理装置搬送機構は、基板表面に平行に往復動する。モジュールシステムは、共通の排気システム（２７、２８、２９）及び共通の排気制御システムと、基板を自動的に配置し取り外す共通のハンドリング装置制御システムとを有するいくつかのモジュールを含む。いくつかのモジュールは、１つの共通のマニピュレータの作動領域内に配置される。

Description

【０００１】
提案する真空モジュール及びそれの変形は、キネスコープ、フラットディスプレイのような立体基板を含めた基板上への材料の真空堆積の分野において、正面上に多層薄膜コーティングを施す目的で用いるために設計され、真空堆積システム内において使用可能である。
【０００２】
提案するモジュールのシステムは、例えば、キネスコープ、フラットディスプレイなどの基板にコーティングを施すために設計され、例えば、大きさが１４インチ、１７インチ、１９インチ、２１インチなどのキネスコープまたはフラットディスプレイのような同じまたは異なる標準サイズの基板上へ種々の薄膜を堆積させるシステム用の連続作動システムとして利用可能である。
【０００３】
組み立て後にキネスコープ（ブラウン管（ＣＲＴ））の外面に薄膜コーティングを施す方法及び装置が、知られている。
【０００４】
先行技術の装置における堆積チャンバーは、堆積領域と排気領域とからなる差動式排気システムを備える。
【０００５】
装置の作動中において、堆積領域における圧力は、１×１０^−１から８×１０^−１Ｐａの範囲内であり、排気領域における圧力は、５×１０^−３から７×１０^−２Ｐａの範囲内である。
【０００６】
基板キャリヤー上のＣＲＴは、真空チャンバーに沿って搬送される。基板キャリヤーには、真空チャンバーの体積を２つの領域に、すなわち堆積領域と排気領域とに仕切るバリアプレートが備えられる。先行技術の装置における導電コーティングは、表面の静電荷を除去しやすいように、例えばマグネトロンスパッタリングを利用して、ＣＲＴ画面のバンデージベルトとまたは他の接地部分と隣接した面の部分上に真空堆積される。［１］
しかしながら、先行技術の装置には著しい欠点がある。
【０００７】
第１に、連続処理装置であるその装置は、低パフォーマンスであるという特徴を有する。
【０００８】
第２に、組み立てたＣＲＴを真空チャンバー内に搬送することによって、種々のタイプの汚染物質や不純物が構成部品面から被コーティング面に到達してしまうので、所望のコーティング品質が保証されない。
【０００９】
第３に、インラインＣＲＴコーティングプロセスは、連続的に続いて行われるので、システムの個々のユニットのどんな故障でも、システムの完全停止につながる。これは、装置のパフォーマンスを低減させる装置の信頼性と有用性とが低いことを意味する。
【００１０】
第４に、種々の予防及び調整のための操作は、製造プロセス全体の完全な運転停止につながる。
【００１１】
第５に、全ユニット及びサブシステムの作動には、システム全体を作動させる必要があるので、システムパフォーマンスに比例して堆積材料でコーティングが行われる１つのＣＲＴごとのエネルギー消費の低減は、不可能であること。
【００１２】
基板を配置するように設計された開口部を有する真空チャンバーと、シール部材と、コーティングを施すように設計されたコーティング処理装置とを備えた真空堆積装置もまた知られる。
【００１３】
その構成は、真空チャンバー開口部の面と平行な面内に装着されるとともに、開口部を有するチャンバー空間部分と、堆積源が配置されたチャンバー空間部分とを仕切るように設計されたバルブゲートを備える。
【００１４】
従って、堆積源−搬送機構は、基板が配置される面に垂直な面において堆積源を搬送する、すなわち、堆積源を基板に対して交互に作動位置に配置しそこからそれを引き出すように持ってくる。［２］
しかしながら、先行技術の装置には、いくつかの欠点がある。
【００１５】
第１に、基板面に垂直方向にのみ堆積源を搬送することによって、基板上におけるコーティングの厚さについて均等性及び均一性が得られず、その断面寸法が、基板面から堆積源までの距離を超える。
【００１６】
第２に、前記装置では、基板面の最終イオンクリーニングを行うことができない。
【００１７】
第３に、先行技術の装置では、コーティング深さを光学またはクォーツにより制御することが困難であり、その結果、ＣＲＴまたはフラットディスプレイ上において多層膜構造体をコーティングするプロセスの再現ができない。
【００１８】
基板面上における薄膜コーティングの品質、均等性及び均一性を改良すること、施されるコーティングの純度を保証すること、装置の機能性及び処理能力を拡大すること、基板上における連続コーティング処理及び、未処理基板とコーティング済み基板との迅速な交換を提供することが、本発明の目的である。
【００１９】
目的を達成するために、基板を配置するように設計された開口部を有する真空チャンバーと、シール部材及びコーティング用に設計された処理装置と、真空チャンバー開口部の面に平行な面内に装着されるとともに処理装置のあるチャンバー空間部分と開口部とを仕切るように設計されたバルブゲートと、処理装置搬送機構とを備える、基板上をコーティングする真空モジュールにおいて、本発明（変形１）によって、処理装置搬送機構は、基板面に平行に往復動可能に装着される。
【００２０】
さらに、本発明（変形２）によれば、真空チャンバーは、基板配置用の少なくとも２つの開口部を有し、処理装置は、基板表面に平行に往復動するように装着される。
【００２１】
本発明のもう一つの変形（変形３）によれば、真空チャンバーは、基板を配置するように設計されたカバーがさらに取り付けられ、また、処理装置搬送機構は、基板表面に平行に往復動可能に装着される。
【００２２】
上述の目的はまた、発明としてクレームに記載された、基板にコーティングを施すためのモジュールシステムを提供することによって達成され、該システムは、提案した変形のいずれかにより構成されるとともに共通の真空ポンピングシステムを有した少なくとも２つの真空モジュールを備え、本発明によれば、該モジュールは、共通のポンピング制御システムと、自動的に基板を搬出入するように設計されプロセスセンサーを有した共通のハンドリング装置制御システムとを有し、モジュールの群の少なくとも一部が、共通のマニピュレータの作動範囲内に配置される。
【００２３】
発明として提供されるモジュールの変形において、真空チャンバー開口部の外周は、被コーティング面の輪郭に適合する。
【００２４】
モジュールは、基板を保持するように設計された基板キャリヤーがさらに設けられ、モジュールは、開口部なしで形成可能だが、１つの開口部または複数の開口部を有して形成可能である。
【００２５】
基板は、基板キャリヤー面上に、また基板キャリヤー面上に形成された開口部上に配置可能であり、この場合、基板キャリヤーは、取り外し可能に形成できる。
【００２６】
基板を保持するために、基板キャリヤーは、モジュールの外部に配置可能であり、従って、基板を１つの場所から別の場所へ安全に搬送し、続いてモジュール上にそれを配置することが保証される。
【００２７】
基板キャリヤーが、モジュール真空チャンバーの１つのまたは複数の開口部領域内、或いは真空チャンバーカバー領域内のいずれかに配置された場合、それの外周に沿ってシール部材が配置された基板キャリヤーによって、基板の保持だけでなく密閉も行うことができる。
【００２８】
この場合、基板キャリヤーは、処理装置の移動面に平行に配置される。従って、基板キャリヤー開口部の外周は、被コーティング面の輪郭に常に適合し、また、基板キャリヤーに、基板の配置用に少なくとも１つの開口部を設ける場合において、基板キャリヤー開口部のパラメータは、常に、被コーティング面の輪郭と適合し、それと同時に、基板キャリヤー開口部には、それの輪郭に沿って装着されるとともに基板を保持するように設計された少なくとも１つのシール部材を設けなければならない。
【００２９】
真空チャンバー、基板キャリヤー及び／またはカバーが２つまたはそれ以上の開口部を伴って形成される場合、それらの全てには、基板配置面に平行な面内に装着された各開口部用に１つまたはいくつかの個々の追加のバルブゲートと、真空チャンバー、基板キャリヤーまたはカバー内の開口部の数によりその数が確定するシール部材とを設ける。
【００３０】
さらに、特定の場合において、基板配置用の開口部がないカバー及び／または基板キャリヤーを用いることができる。この場合、小形の基板が、真空チャンバーの内部の方向を向いて、カバー及び／または基板キャリヤーの内部上に保持される。基板キャリヤーを伴った基板は、必要に応じて、真空チャンバーカバーに対して保持され得る。従って、カバー自体は、基板キャリヤーとして機能し得る。
【００３１】
全てのモジュールの変形において、処理装置搬送機構は、キャリッジの形状に形成可能である。
【００３２】
キャリッジ上に配置される処理構成要素は、蒸発器、マグネトロンカソード、グロー放電ターゲット、イオンクリーニングシステム及び、回転プリズムを有するイオンスパッタリングシステムを含む構成要素の群から選択することにより構成され、回転プリズムは、真空チャンバー開口部の面に平行に装着され、それの少なくとも１つの作用面には、スパッタリングされる材料が備えられる。
【００３３】
この場合において、処理構成要素は、交換可能に構成され、処理装置上におけるそれらの組は、所望の処理ステップとスパッタリングされる材料とにより確定される。
【００３４】
さらに、基板キャリヤーと同様に、真空チャンバーカバーは、１つの開口部または少なくとも２つの開口部を有し得、基板を保持するように設計されたシール部材が、それの輪郭に沿って装着される。
【００３５】
本発明によれば、カバーは、取り外し可能にかつ／または交換可能に形成することができ、種々の標準サイズの基板を装着するために開口部について異なるパラメータを有し得る。カバーは、基板キャリヤーとして使用可能であり、真空チャンバーカバー内に形成された開口部内に配置される基板面に平行に往復動可能に装着される処理装置の移動面に平行に配置可能である。
【００３６】
真空モジュールの構成及びそれの実施形態の変形は、同様の態様に用いられる従来の装置のものと比較して非常に重要な利点を有する。
【００３７】
よって、例えば、基板面に平行に往復動するように装着された処理装置搬送機構によって、実際に種々のサイズの薄膜コーティングを基板に堆積させることができ、それはまた、真空チャンバーの１つの開口部（変形１）、または、基板キャリヤー及び／またはカバーの複数の開口部（変形２）のサイズにより決まり、さらに、被コーティング面を滑らかにかつリズミカルにスキャンすることにより、コーティング厚さを均等かつ均一にすることができる。
【００３８】
真空チャンバー、基板キャリヤー及び／またはカバー内に設けられる開口部の外周を堆積面の輪郭に適合させることによって、堆積面の全領域が高精度で処理されて、基板面上に高品質の薄膜堆積を行うことができる。
【００３９】
さらに、交換可能なカバー及び／または基板キャリヤー内の開口部は、サイズが異なるので、異なる標準サイズの基板、例えば（例えば１４インチ、１７インチ、１９インチ、及び２１インチの）ＣＲＴまたはフラットディスプレイを配置するために使用できる。
【００４０】
開口部は、処理装置の移動面に平行に真空チャンバー開口部の領域内に配置される基板キャリヤー及び／またはカバー内に設けなくてもよい。これによって、サイズの小さい基板の、真空チャンバーの内部方向を向いた面上を保持することができるので、モジュールの多機能性が増すと同時に、基板表面上に堆積される薄膜を高品質に維持することができる。
【００４１】
また基板キャリヤー及び／またはカバー内に形成される開口部によって、異なる標準サイズの基板の同時処理が可能となるので、真空モジュールのパフォーマンスが改善され、機能性が拡大し、これらの開口部のパラメータが被コーティング面の輪郭に適合することから、基板表面上における高品質のコーティングが保証される。
【００４２】
真空チャンバー、基板キャリヤーまたはカバーの開口部内に配置されるシール部材によって、基板の開口部への緊密な設置が保証されるので、これにより、基板表面上において密閉が行われ薄膜の堆積が高品質になる。
【００４３】
基板キャリヤー及び／またはカバーが取り外し可能に形成され得ることから、これによって、モジュールの多機能性が保証される。
【００４４】
この場合、モジュールカバーは、処理装置の移動面と平行に配置される。
【００４５】
処理装置は、基板表面に平行に往復動可能となるように装着される。カバー、基板及び処理装置のこのような相対的な構成によって、真空モジュールの多機能性ばかりでなく、標準サイズを超える範囲の基板に施されるコーティングの高品質もまた保証される。
【００４６】
本発明により構成された搬送機構によって、異なる材料またはそれの酸化物、或いは他の材料のコーティングを基板表面上に堆積させている間に連続処理を実際に行うことができる。
【００４７】
第１の変形（図１）によって基板にコーティングを施すための真空モジュールは、基板３を配置するように設計された開口部２を有する真空チャンバー１と、シール部材４及び処理装置５と、真空チャンバー１の開口部２の面と平行な面において装着されるとともに処理装置５を有したチャンバー１の空間の一部分と開口部２とを仕切るように設計されたバルブゲート６と、処理装置５を搬送するための機構７とを備える。
【００４８】
処理装置５を搬送するための機構７は、基板３の面に平行に往復動するように装着されることに留意すべきである。
【００４９】
第１の変形とは異なり、第２の変形（図２）において説明する真空モジュールは、基板３（３’）を配置するための少なくとも２つの開口部２、８を備え、また処理装置５は、基板３（３’）の面に平行に往復動可能に装着される。
【００５０】
第３の変形に係る真空モジュールは、最初の２つの変形と区別して、基板３（３’）を配置するように設計されたカバー９（図３のＤ、Ｅ、Ｆ）と、前記基板の面と平行に往復動するように装着された、処理装置５を搬送するための機構７とを備える。
【００５１】
前記種々の変形により構成されたモジュールには、基板キャリヤー１０を備えることができ、該基板キャリヤー１０は、真空チャンバーの開口部領域の外側に配置することができ、それにより、この場合には、基板を保持すること、及び、１つの場所から別の場所へ基板を安全に搬送することが保証される。
【００５２】
他の場合において、基板キャリヤーは、真空チャンバー１の開口部２または開口部２、８の領域内に配置可能であり、開口部なしに或いは、基板３（３’）を配置するために少なくとも１つの開口部１１または２つの開口部１１、（１１’）（図３、Ａ、Ｂ、Ｃ）を伴って、かつ、開口部１１（１１’）の外周に沿って配置され基板３（３’）を保持するように設計されたシール部材１２（１２’）を伴って、設計することができる。その上に、基板キャリヤー１０は、取り外し可能とすることができる。
【００５３】
シール部材４、４’を有する、真空チャンバー１の開口部２、８によって、基板キャリヤー１０は、真空チャンバー１の開口部２、８に対して緊密に設置されかつ保持され得る。
【００５４】
基板キャリヤー１０の開口部１１（または開口部１１、１１’）の外周は、被コーティング面の輪郭に合致し、基板キャリヤー１０は、処理装置５の移動面に平行に装着される。
【００５５】
真空モジュールの第３の変形において、真空チャンバー１のカバー９は、基板キャリヤー１０のように、開口部なしで形成されるか或いは１つの開口部１３または２つの開口部１３及び１４を有し得、開口部１３及び１４上に配置される基板３、３’を装着し密封するためにシール部材１２ａ及び１２ｂを備え得、取り外し可能とされ得る（図３、Ｄ、Ｅ、Ｆ）。
【００５６】
この場合において、シール部材１２ａ及び１２ｂは、正確にカバー９の開口部１３及び１４の輪郭に沿って前記開口部上に装着される。
【００５７】
さらに、カバー９は、基板キャリヤー１０のように、または、基板キャリヤー１０及び基板をその上に配置するように、用いることができる。この場合において、カバーは、処理装置５の移動面に平行に装着される。
【００５８】
上述の２つの真空モジュールの（第１及び第２の）変形におけるのと同様に、カバー９の緊密な設置及び保持を保証するシール部材４、４’は、第３の実施形態においてコーティングされる面の輪郭に合致する、真空チャンバー１の開口部２または開口部２、８の外周に沿って装着される。
【００５９】
例えば、モジュールの変形は、真空チャンバー１（変形２）内にまたはカバー９（変形３）内に２つまたはそれ以上の開口部を備え、真空チャンバーには、基板配置面に平行な面において装着される各開口部用の追加の別個のゲート１５を備えることができる。
【００６０】
モジュールの第１、第２、及び第３の変形において、真空チャンバー１内において、或いは、基板キャリヤー１０（変形１、２、３）またはカバー９（変形３）内において形成される開口部の外周は、コーティングされる面の輪郭に最適に合致させなければならず、これらの開口部上に装着されるシール部材は、前記開口部の輪郭に合致させなければならない。
【００６１】
さらに、すべてのモジュールの変形には、処理用構成要素を備えた処理装置５を搬送する機構７としてキャリッジ１６を用いることが含まれる。
【００６２】
キャリッジ上における処理用構成要素の構成は、蒸発器１７と、マグネトロンカソード１８と、カソードスパッタリングターゲット１９と、イオンクリーニングシステム２０と、回転プリズム２２を有するイオンスパッタリングシステム２１とからなる群から選択され、回転プリズム２２は、真空チャンバー１の開口部面に平行に取り付けられ、それの少なくとも１つの作用面２３に、スパッタリングされる材料が提供される（図４）。
【００６３】
さらに、すべての処理構成要素１７、１８、１９、２０、２１、２２及び２３は、交換可能とされ、それらの処理装置上への設置は、所望の処理ステップとスパッタリングされる材料とにより決まる。
【００６４】
（３つのすべての変形の）モジュールはまた、ガス、水、電力供給システム２４（図１）と、堆積膜厚を制御する光学装置２５及びクォーツ装置２６（図２）とを備え、さらに、補助ポンプ２７及び拡散ポンプ２８（図１）と、任意に追加される補助ポンプ２９（図２）とを備える。
【００６５】
真空モジュールにはまた、バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４と、ドライブＣ１とが備えられ、またバルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３及びＶ４は、ポンプ２７、２８及び２９を真空チャンバー１に接続することに役立ち、ドライブＣ１（図１）は、ゲート６または、ゲート６及び１５（図２）の開閉に用いられる。
【００６６】
図５は、基板３（３’）の搬出入を行う自動モードにおいて基板上をコーティングし、例えば３つの変形のいずれかにより構成される２つの真空モジュール３０、３１を備えるモジュールのシステムを示す。
【００６７】
前記モジュールには、共通の排気システム３２と、プロセスセンサー３３と、共通の排気制御システム３４と、トランスポータ３６及び共通のマニピュレータ−ローダ３７を含むとともに基板３（３’）の自動搬出入を行うように設計された共通のハンドリング装置制御システム３５と、排気ステーション３８、３９とが備えられる。前記モジュールは、共通のマニピュレータ−ローダ３７の作動領域内に配置されることに留意すべきである。
【００６８】
発明として提案される高真空モジュール（変形１）が、以下に説明するように作動する。
【００６９】
拡散ポンプ２８は、最初に作動させる際に、十分に加熱され作動モードになるまで補助ポンプ２７を利用して開口したバルブＶ３を介して排気される。
【００７０】
次に、真空チャンバー１は、補助ポンプ２７を用いてバルブ２を介し特定の圧力まで排気される。バルブゲート６は、初期状態では閉鎖され真空チャンバー１の空間部分８を仕切っており、その内部に開口部２からプロセス装置５が配置される。
【００７１】
一度所望の圧力に達すると、バルブＶ２は閉鎖され、拡散ポンプ２８は、内部が所望の真空圧力となるように真空チャンバー１の空間に接続される。
【００７２】
同時に、基板３（例えば、前方ＣＲＴ面）は、真空チャンバー１の開口部２上に装着された弾性シール部材４上に、または、基板キャリヤー１０の開口部１１上に装着されたシール部材１２上に配置され、次に、バルブＶ１が開口し、弾性シール部材及びゲート６と、基板の前方面とにより確定される空間が、補助ポンプ２７を用いて排気される。一度、所望の圧力に達すると、バルブＶ１は閉鎖され、ゲート６が、ドライブＣ１、例えば空気圧式シリンダー（図面には図示せず）を用いて開口される。
【００７３】
いくらか時間が経った後、真空チャンバー１全体の最初の圧力は、バランスがとれて、所定の値に達する。
【００７４】
一度、所望の圧力に達すると、基板上の技術的コーティング方法が、実際に始まる。
【００７５】
この目的のために、一般にＡｒまたはＯ_２である作用ガスが、初めのプロセス段階においてガス、水、電力供給システム２４（図１）からイオンクリーニングシステム２０に給送され、処理装置５の搬送用に例えばキャリッジ１６の形態とされた機構７が、作動する。
【００７６】
処理装置５は、特定の材料を基板前方面上に堆積することに関連した特定の処理を実行するために必要な処理構成要素１７、１８、１９、２０、２１、２２及び２３（図４）を装着している。
【００７７】
高電圧が、イオンクリーニングシステム２０に印加され、一定の時間間隔内で、基板３の表面が、ガス−ディスチャージイオン（ｇａｓ−ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ｉｏｎｓ）に晒される。この時間の終了時において、供給ユニット及び作用ガス供給制御システムは、真空チャンバー１内が特定の圧力に達するようにアルゴン−酸素混合物をガス本管内へ給送する。
【００７８】
次に、イオン電流が、イオンスパッタリング源２１から回転式プリズム２２に供給され、プリズム２２の面２３上に配置された材料の１つが、基板３上にスパッタリングされる。
【００７９】
この場合、処理装置５搬送用のキャリッジ１６または種々の他の機構７は、基板３の表面に平行に往復動する。
【００８０】
基板３の前方面上に第１の層を堆積する時間間隔中において、処理の終了を指示する装置、特に光学制御センサー２５及びクォーツ制御センサー２６（図２）が作動し、一度指示装置において信号が所望の値を示すと、第１の層の堆積プロセスは、停止する。
【００８１】
ガス混合物の供給を断ち切った後、プリズム２２は、面２３の１つの位置へ回転し、その上に別の材料がまた配置される。
【００８２】
アルゴン−酸素ガス混合物が、イオンスパッタリングシステム２１に給送され、高電圧が印加され、ガス放出に高熱が加えられる。次に、キャリッジ１６が移動モードになっている間に、材料、特に酸化複合材料（ｏｘｉｄｅ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）が、一定の時間間隔中において基板３の表面上にスパッタリングされ堆積する。
【００８３】
信号が、指示装置、すなわち光学制御センサー２５及びクォーツ制御センサー２６において所定の値に達すると、第２の層の堆積が終了する。
【００８４】
さらに、第１及び第２の層の基板３上における堆積プロセスは、所望の通り何度も繰り返される。
【００８５】
他の場合において、基板表面上に堆積させる材料の組み合わせは、別のものにしてもよく、また、回転式プリズム２２のいくつかの作用面２３上に配置される純金属及びそれの酸化物や窒化物、或いは回転式プリズム２２の他の作用面２３上に配置される他の化合物を含み得る。
【００８６】
この目的のために、必要なガスは、ガス、水、電力システム２４（図１）を通じて、処理構成要素１７、１８、１９、２１、２２、２３及び、処理装置のイオンクリーニングシステム２０（図４）に給送される。
【００８７】
膜層を施す目的により異なるが、光学（反射と透過）制御センサー２５及びクォーツ制御センサー２６ばかりでなく、それらの組み合わせもまた、指示装置として使用可能である。
【００８８】
最小スキャニング範囲において基板３の表面コーティングの最大均一性を保証するために、特別に開発され、処理構成要素１７、１８、１９、２０、２１、２２及び２３を基板３に対してキャリッジ１６上に配置することでキャリッジ１６によりスキャニングを行うようにコンピュータ制御指令を与える設計が行われたソフトウェアプログラムを利用する。
【００８９】
その結果、酸化物及び金属が交互となったコーティングが、基板３の表面上に形成される。金属層の伝導性によって、一定の低い抵抗性が保証されるとともに、酸化物を用いることによって、基板３の正面の反射率が低減する。
【００９０】
一度、基板３上におけるコーティングプロセスが完了すると、バルブゲート６は、閉じられ、空気は、基板の真下の空間内に給送され、次に、基板３は、真空チャンバー１の開口部２から取り外され新しい基板と入れ換えられる。この場合において、処理構成要素を装着した処理装置５は、高真空領域内にとどまっている。
【００９１】
新しい基板を配置した後、サイクルが繰り返される。
【００９２】
注目すべきことは、連続して高真空環境に晒される、処理装置５の処理構成要素が、長時間予防上のクリーニングや修理をせずに作動することである。その上、真空チャンバー壁や機械設備から堆積剥離されるピリングや、それによる処理構成要素の汚れが、観察されないことである。
【００９３】
変形２により構成されたモジュールの作動を保証するためには、真空チャンバー１に少なくとも２つの開口部２及び８を備え、処理装置５を基板３及び３’の表面に平行に往復動させ、真空チャンバー１に追加の補助ポンプ２９を備え、連続してバルブ３を介して拡散ポンプ２８の排気を行って、それにより、モジュールの作動準備をより速く整えることができる。
【００９４】
２つの作動開口部２及び８と、ゲート６及び１５とを有するモジュール（図２）が最初に作動する際には、基板３とバルブゲート６と、基板３’とバルブゲート１５との間の真空チャンバー１の空間は、補助ポンプ２７を用いてバルブＶ１及びＶ４を介して交互に排気される。
【００９５】
ゲート６及び１５は、初期状態において閉鎖され、開口部２及び８から真空チャンバー１の空間を仕切る。モジュールにより作動準備が整うと、基板３が、真空チャンバー１の開口部２のシール部材１２（図２）上に配置される。ゲート６と基板３との間の空間は、補助ポンプ２７でバルブＶ１を介して排気される。
【００９６】
一度、真空チャンバー１の前記空間内が特定の圧力に達すると、ゲート６が開き、基板３上においてコーティングプロセスが始まる。
【００９７】
この目的のために、例えば、キャリッジ１６の形状を有しかつ、その上に配置される処理構成要素１７、１８、１９、２０、２１、２２及び２３のセットを有するように、形成された搬送機構７は、上述と同様の方法で、基板３の表面へ所望の層数を交互に堆積するために開口部２の領域内において基板３の表面をスキャンする。
【００９８】
真空チャンバー１の開口部２上に配置された基板３がコーティングプロセスに晒されている間に、第２の基板が、シール部材１２’（図２）を伴って開口部８上に配置され、ゲート１５により画定される真空チャンバー１の空間と第２の基板とが、補助ポンプ２７を用いてバルブＶ４を介して排気される。
【００９９】
基板３上におけるコーティングプロセスが完了する時までに、所望の圧力が、真空チャンバー１の開口部２上に配置された第２の基板の下方において生じる。
【０１００】
一度、基板３上におけるコーティングプロセスが終了すると、バルブゲート６は閉じ、基板３は入れ替えられ、真空ゲート１５が直ちに開き、処理構成要素を上に配置したキャリッジ１６が、上述の方法により、真空チャンバー１の開口部８の領域内に配置された第２の基板の表面に必要な数の層を交互に堆積するために、表面のスキャンを開始する。
【０１０１】
従って、前記第２のモジュール変形において、処理構成要素は、必要な構成において連続して作動し、まず開口部２の領域内に配置された基板上において、次に開口部８の領域内に配置された第２の基板上において交互のコーティングプロセスを行う。
【０１０２】
前記モジュールの変形はまた、基板キャリヤー１０が緊密に設置されるとともに真空チャンバー１の開口部２または開口部２、８を保持することを保証するシール部材４、（４’）上に装着された基板キャリヤー１０の利用を可能にする。
【０１０３】
この場合において、例えば開口部を有してない基板キャリヤー１０（図３、Ａ）は、処理装置５の作動面に平行に装着され、小形の基板が、真空チャンバー１内を向いた面に対して保持される。
【０１０４】
前記基板の表面上におけるコーティングプロセスが、上述の方法で行われる。
【０１０５】
基板キャリヤー１０は、モジュール外部に配置される場合、それの面上におけるかまたはそれの内部に形成された開口部上における基板の固定部材として機能し、表面をコーティングするためにモジュール上に基板を搬送し配置することを容易にする。
【０１０６】
或いは、基板キャリヤー１０は、取り外し可能にすることができ、基板３（３’）が配置されそれに対するコーティングプロセスが上述の方法と同様の方法で行われる、シール部材１２（１２’）を有する少なくとも１つの開口部１１（１１’）を備えることができる。
【０１０７】
モジュールの第３の変形において、それは、基板を配置するように設計されたカバー９を備え、処理装置搬送機構５は、真空チャンバー１のカバー９内に配置される基板の表面に平行に往復動し得るように装着される。
【０１０８】
前記モジュールの変形において、カバー９は、取り外し可能とすることができ、基板キャリヤー１０として使用可能である。第２のモジュールの実施形態と同様に、小形の基板は、開口部なしに形成されるとともに内側方向に真空チャンバー１の方を向いたカバー９の面に保持可能であり、前記基板の表面上におけるコーティングプロセスは、本明細書において上述の方法によって行われる。
【０１０９】
その上、シール部材で固定される１つ、２つまたはそれ以上の大形基板を配置するように設計された１つの開口部１３、２つの開口部１３、１４またはそれ以上の開口部をカバー９内に形成可能である。
【０１１０】
基板上におけるコーティングプロセスは、モジュールの第１及び第２の変形について説明した方法を利用して行われる。
【０１１１】
提案した変形のどれかによって構成される真空モジュールを用いた、
ＣＲＴ （基板）の表側ガラス面上における薄膜コーティングプロセスの
特定の実施形態
変形１により構成される真空モジュールは、ＣＲＴの正面側ガラス面上をコーティングするために以下の方法でかつ以下のモードで作動する。
【０１１２】
最初に、拡散ポンプ２８が、加熱され作動モードになるまで補助ポンプ２７を用い開いたバルブＶ３を介して排気される。
【０１１３】
次に、真空チャンバー１は、補助ポンプ２７でバルブＶ２を介して圧力が約６〜１０Ｐａに下がるまで排気される。バルブゲート６が、初期状態において閉じられ、処理装置５を有する真空チャンバー１の空間の一部分を開口部２から仕切る。
【０１１４】
一度、前記圧力に達すると、バルブＶ２は閉じ、拡散ポンプ２８は真空チャンバー１の空間に接続され、内部は約１．３×１０^−３の圧力となる。
【０１１５】
ＣＲＴの正面ガラス面が、真空チャンバー１の開口部２上に配置された弾性シール部材４上に配置される。次に、バルブＶ１が開き、補助ポンプ２７が用いられて、ＣＲＴ正面ガラス面とゲート６とにより画定される空間内の圧力が約１０Ｐａとなる。一度、前記圧力に達すると、バルブＶ１は閉じ、ゲート６は、（図面には図示していない）空気圧式シリンダーのドライブＣ１により開く。
【０１１６】
３０秒後に、最初の圧力は、真空チャンバー１の空間中においてバランスがとれ、約８×１０^−３Ｐａの値に到達する。前記圧力に達すると、ＣＲＴの正面ガラス面上におけるコーティングプロセスが、実際に始まる。
【０１１７】
この目的のために、一般にＡｒまたはＯ_２である作用ガスが、第１のプロセス段階においてイオンクリーニング源２０に給送され、イオンクリーニング源２０と、面２３の１つの面の上には金属がかつ他の１つ面の上には金属酸化物が配置される回転プリズム２２を有するイオンスパッタリング源２１（図４）とを装着してキャリッジ１６の形状に形成された搬送機構７が、作動する。
【０１１８】
２〜２．５ｋＶの高電圧が、イオンクリーニング源２０のアノードに印加され、キネスコープガラス面が、０．５〜１分間ガス−ディスチャージイオンに晒されて、これにより、種々の不純物から前記面が十分にクリーニングされる。
【０１１９】
その時間が経過した後、アルゴン−酸素のガス混合物が、電力供給ユニット及び作用ガス給送制御システムを用いて、ガス、水、電力システム２４のガス本管へ給送されて、真空チャンバー１内における圧力が、７〜８．５×１０^−２Ｐａに達する。
【０１２０】
次に、０．４〜０．６Ａのイオン電流が、イオンスパッタリング源２１から回転プリズム２２へ供給され、金属、例えば回転プリズム２２の面２３の１つの面上に配置されるＩｎ−Ｓｎが、１分間ＣＲＴガラス面上に堆積する。
【０１２１】
そうなっている際に、上に配置された処理構成要素を有するキャリッジ１６は、ＣＲＴガラス面に平行に往復動する。
【０１２２】
第１の層がＣＲＴ正面ガラス面上に堆積する時間間隔中に、プロセス終了指示装置、特に、光学制御センサー２５及びクォーツ制御センサー２６（図２）が作動し、一度信号が指示装置において所望の値になると、第１の層の堆積プロセスは、停止する。
【０１２３】
ガス混合物の供給が断ち切られると、プリズム２２は、別の面を伴い回転し、その上に、別の材料が配置される。
【０１２４】
アルゴン−酸素のガス混合物は、イオンスパッタリング源２１に給送され、２０００〜３５００Ｖの高電圧が印加され、電流約０．３〜０．４Ａによりガスが点火され、その作動状態の下で、第２の層、特に例えばＳｉＯ_２のような第２の金属の酸化物が、１〜２分間ＣＲＴガラス面上にスパッタリングされ、それと同時に、キャリッジ１６が、このＣＲＴ面に平行に往復動する。
【０１２５】
第２の層の堆積は、指示装置すなわち光学制御センサー２５及びクォーツ制御センサー２６において信号が所定の値に達すると終了する。
【０１２６】
さらに、基板３上に第１及び第２の層をコーティングするプロセスは、コーティングイオンプロセスにより必要な場合には、何度も繰り返される。
【０１２７】
他の場合において、基板表面上に堆積される材料の組み合わせは、異なるものにすることができ、回転プリズム２２の異なる作用面２３上に配置される純金属やそれの酸化物及び窒化物、或いは他の合成物を含み得る。
【０１２８】
この目的のために、必要なガスが、ガス、水、電力供給システム２４を通じて処理装置５の処理構成要素１８、１９、２１、２２及びイオンスパッタリング源２０に給送される。
【０１２９】
膜層を施す目的により異なるが、光学（反射及び透過）制御センサー及びクォーツ制御センサーばかりではなく、それらの組み合わせも指示装置として利用可能である。
【０１３０】
最小スキャニング範囲でＣＲＴ表面コーティングの最大均一性を保証するためには、特別に開発されたソフトウェアプログラムを利用し、該プログラムは、コーティングされるＣＲＴ表面に対して処理構成要素１７、１８、１９、２０、２１、２２及び２３が上に配置されたキャリッジ１６によってスキャニングを行うコンピュータ制御指令を与えるように設計される。
【０１３１】
その結果、酸化物及び金属が交互となったコーティングが、ＣＲＴガラス面上に形成される。金属層の伝導によって、特定の低い抵抗性、すなわち約１０ Ｏｈｍ／ｃｍ^２が保証されると同時に、酸化物を用いることによって、ＣＲＴガラス面の反射率が最初の６．５％から約１．５％へ低減する。
【０１３２】
一度、ＣＲＴガラス面上におけるコーティングプロセスが完了すると、バルブゲート６は閉じ、空気がＣＲＴの下方の空間内に給送され、次に、ＣＲＴは、真空チャンバー１の開口部２から取り外されて新しいＣＲＴと交換される。この場合、処理構成要素を装着した処理装置５は、なお高真空領域内にある。
【０１３３】
新しいＣＲＴを配置した後、表面上へのコーティングサイクルが繰り返される。
【０１３４】
注目すべきこととして、高真空環境に連続して晒される処理装置５の処理構成要素が、長時間予防上のクリーニングや修理を必要とせずに作動することである。さらには、真空チャンバー壁や機械設備から堆積剥離されるピリングや、よって処理構成要素の汚れが観察されない。
【０１３５】
真空チャンバー１に少なくとも２つの開口部２及び８が備えられるとともに処理装置５が基板表面に平行に往復動する、実施形態２により構成されるモジュールの作動を保証するために、連続してバルブＶ３を介して拡散ポンプ２８を排気する追加の補助ポンプ２９を備え、それによりモジュールの作動準備をより速く整えることができる。
【０１３６】
２つの作動開口部２及び８とゲート６及び１５とを有するモジュール（図２）を最初に作動させる際に、真空チャンバー１は、バルブＶ２を介して補助ポンプ２７により予備排気され、次に、補助ポンプ２７が、バルブＶ１及びＶ４を介して開口部２及び８上に配置されたＣＲＴと、バルブゲート６及び１５との間の、真空チャンバー１の空間を排気する。
【０１３７】
ゲート６及び１５は、初期状態において閉じており、真空チャンバー１の空間と開口部２及び８とを仕切る。モジュールにより作動準備が整うと、第１のＣＲＴが、真空チャンバー１の開口部２のシール部材１２（図２）上に配置される。真空チャンバー１のゲート６と、ＣＲＴの表側ガラス面との間の空間が、補助ポンプ２７を用いてバルブＶ１を介して排気される。
【０１３８】
一度、真空チャンバー１の前記空間内が、約１〜１０ Ｐａの特定の圧力に達すると、ゲート６が開き、ＣＲＴ表面上におけるコーティングプロセスが始まる。
【０１３９】
この目的のために、処理構成要素１７、１８、１９、２０、２１、２２及び２３のセットが上に配置されたキャリッジ１６が、開口部２の領域内においてＣＲＴの表面をスキャンし、上述の方法を利用して表面上に所望の数の層を交互に堆積する。
【０１４０】
真空チャンバー１の開口部２上に配置されたＣＲＴガラス面がコーティングプロセスに晒されている間に、第２のＣＲＴ３’が、シール部材１２’を伴い第２の開口部８上に配置される（図２）。
【０１４１】
次に、真空チャンバー１のゲート１５と第２のＣＲＴ（３’）の表側ガラス面とにより画定される真空チャンバー１の空間が、補助ポンプ２７を用いてバルブＶ４を介して排気される。
【０１４２】
真空チャンバー１の開口部２上に配置された第１のＣＲＴ３の表面上におけるコーティングプロセスが完了するまで、第２のＣＲＴ３’の下方における圧力は、約１〜１０ Ｐａである。
【０１４３】
一度、第１のＣＲＴの表面上におけるコーティングプロセスが終了すると、バルブゲート６は閉じ、第１のＣＲＴは次のものと交換され、真空ゲート１５が直ちに開く。
【０１４４】
その時に、処理構成要素のセットが上に配置されたキャリッジ１６は、開口部８の領域内に配置された第２のＣＲＴの表面のスキャニングを開始し、上述の方法によりそれの表側の面に交互に必要な数の層を付加する。
【０１４５】
従って、前記第２のモジュール変形において、処理構成要素は、まず開口部２の領域内に配置された基板３に、次に開口部８の領域内に配置された第２の基板３’に交互に連続して作動しコーティングを施す。
【０１４６】
真空モジュールのすべての変形におけるような基板キャリヤー１０と、モジュールの第３の実施形態におけるようなカバー９とであれば、クレームに記載された対象についての機能上の能力が著しく拡張されるとともに、ＣＲＴまたはフラットディスプレイの表側ガラス面のような大きな表面ばかりでなく、開口部を備えず真空チャンバー１の方を向いた基板キャリヤー１０またはカバー９に保持され得る小さな表面にも薄膜コーティング可能である。
【０１４７】
この場合において、前記基板の表面上におけるコーティングプロセスには、なお変更がない。
【０１４８】
さらに、基板キャリヤー１０は、真空モジュールの外側に配置され、基板固定部材として機能し、それの表面上においてコーティングプロセスを行うように、モジュール上に基板を予備的に配置し、搬送し、位置決めするための好適な状態を生み出し得る。コーティングをキネスコープ表面（図５）に施すための、クレームに記載されたモジュールのシステムは、３つの変形のいずれかにより構成されるとともに共通の真空ポンピングシステム３２及びプロセスセンサー３３を有する少なくとも２つの真空モジュール３０、３１を備える。
【０１４９】
これらのモジュール３０、３１は、共通の真空ポンピング制御システム３４と、トランスポータ３６及びマニピュレータ−ローダ３７を有する共通のハンドリング装置制御システム３５とが備えられ、共通のマニピュレータ−ローダ３７の作動領域内に配置される無数のモジュールの同時保守点検を可能とする。
【０１５０】
２つの補助真空排気ステーション３８及び３９からなる共通の真空ポンピングシステム３２と、共通のマニピューレータ−ローダ３７とは、異なる変形のモジュールにＣＲＴを配置しそれから取り出す。
【０１５１】
ＣＲＴは、基板キャリヤー１０の開口部内に予備的に配置され固定され、マニピュレータ−ローダ３７は、それらの表面上に薄膜をコーティングするために基板キャリヤー１０と共同してモジュール上にＣＲＴを配置することができる。基板上にコーティングを行うための、クレームに記載されたモジュールのシステムは、以下のように作動する。
【０１５２】
例えば１９インチや２１インチの異なる態様のＣＲＴ上に同時にコーティングを（２つまたはそれ以上の）モジュールのグループに行わせるためには、モジュール３０、３１の真空チャンバー内の開口部のパラメータを適合させて、前記開口部上に標準サイズのＣＲＴを配置する。
【０１５３】
真空ポンピング制御システム３４は、真空ポンピングステーション３８、３９を備える。ステーション３９は、モジュール３０及び３１の共通の排気システム３２内に組み入れられた全ての拡散ポンプを排気し、同時に、ステーション３８は、前記モジュールの真空チャンバー１の排気を交互に行う。
【０１５４】
同時に、ハンドリング装置制御システム３５は、センサー３３を介してトランスポータ３６と共通のマニピュレータ−ローダ３７とに信号を与え、それらのうち、前者は、ＣＲＴを供給し、後者は、正面上のコーティングのためにモジュール３０、３１の開口部上にＣＲＴを配置する。
【０１５５】
この場合において、センサー３３は、ＣＲＴの大きさとタイプについての情報を提供する。この情報を利用して、特定のモジュールで特定のプロセスの変形を開始する、すなわち、コーティングプロセス及びモードは変更しないままで、必要な材料のコーティングを保証する処理構成要素が装着される。
【０１５６】
共通で作動するコンピュータの特別に開発されたソフトウェアプログラムが、コーティングプロセスを制御する。前記プロセスを行うために、必要な処理構成要素、例えばイオンクリーニング源及び、スパッタリングされる種々の材料を面が含有する回転プリズム２２を有したイオンスパッタリング源２１が、キャリッジ１６上に装着される。
【０１５７】
他の場合において、他の材料をスパッタリングする必要がある時には、マグネトロンカソード１８またはカソード堆積ターゲット１９をキャリッジ１６上に装着する。いくつかの場合において、キャリッジ１６上に、コーティングされる材料の熱源として、例えば蒸発器１７のような種々の他の処理構成要素を装着することができる。
【０１５８】
可撓性のある管やケーブルの組が配置されるケーブル設置機Ｃ１と、ガス、水、電力供給システム２４とを介して、可動なキャリッジ１６上に装着された源２１、２１のガス主管内に、作用ガスが、給送され、それにより、同時に真空チャンバー１と処理構成要素１７、１８、１９、２０、２１、２２及び２３とを冷却しかつそれらに動力を供給する。
【０１５９】
信号がセンサー３３から共通のマニピュレータ−ローダ３７に到着すると、後者は、真空チャンバー１の、或いは、異なるモジュールの基板キャリヤー１０またはカバー９内の（モジュールの実施形態により異なる）個々の開口部上に、特定の標準サイズのＣＲＴを配置し、一度、前段排気ポンプ（補助ポンプ２７）と高真空排気ポンプ（拡散ポンプ）２８とを用いて、前記モジュールの真空チャンバー１内が所望の圧力に達すると、モジュールの全ての装置及び構成要素が係合されて、上に開示した方法によりＣＲＴのガラス上においてコーティングプロセスが行われる。
【０１６０】
基板上におけるコーティング用の提案したシステムの信頼性は、１つまたはいくつかのモジュールの故障によってシステム全体を停止させる必要がないことから、同様の態様の従来の真空インライン型システムの信頼性と比較して高い。
【０１６１】
さらに、本システムは、必要に応じて、追加のモジュールを組み込むことにより拡大可能であるか、または、それからいくつかのモジュールを取り出すことにより縮小可能である。
【０１６２】
真空モジュール及びそれの変形の多機能性は、高品質のコーティングを狭い面ばかりでなく広い面にも施すことを保証する。
【０１６３】
コーティング厚さの光学及びクォーツ制御によって、ＣＲＴガラス面上だけでなく他の基板への多層膜構造体のコーティングプロセスを再現することができる。
【０１６４】
クレームに記載した真空モジュール及びそれの変形は、多機能性を有しかつ特に高パフォーマンスである。
【０１６５】
その上、その多用性によって、クレームに記載した真空モジュール及びそれの変形は、順応性のある操作真空システムにおいて種々の組み合わせ及び変更を行って基板上をコーティングするために利用可能である。
【０１６６】
クレームに記載したモジュールは、一続きの真空システム作動全体を妨げることなく交換可能である。
【０１６７】
個々のシステムユニットの種々の故障は、システム全体の作動に影響せず、すなわち、少なくとも１つのモジュールの故障は、システム全体の停止につながらず、従って、それの信頼性及びさらなる作動が維持される。
【０１６８】
本発明として提供される、基板上におけるコーティング用に設計したモジュール（それの変形）及びモジュールシステムは、多機能であり、工業用に適する。
参考文献：
１．米国特許第５４８９３６９号、ＩＰＣ Ｃ２３Ｃ １４／５６、１９９６年２月６日公開
２．ドイツ特許第Ｐ４３１３３５３．３、ＩＰＣ Ｃ２３Ｃ １４／２２、１９９４年１０月２７日公開
３．米国特許第５３７２６９３号、ＩＰＣ Ｃ２３Ｃ １４／３４、１９９４年１２月１３日公開
【図面の簡単な説明】
【図１】
変形１におけるものとして説明する真空モジュールの概要図である。
【図２】
変形２におけるものとして説明する真空モジュールの概要図である。
【図３】
Ａでは開口部がなく、Ｂでは開口部が１つあり、Ｃでは開口部が２つある基板キャリヤーと、Ｄでは開口部がなく、Ｅでは開口部が１つあり、Ｆでは開口部が２つある真空モジュールカバーとを示す図である。
【図４】
Ａはイオンスパッタリング源及び回転プリズムを有したキャリッジであり、Ｂはキャリッジ上に装着された処理構成要素である、処理構成要素を装着したキャリッジの形態に構成された処理装置搬送機構の概要図である。
【図５】
薄膜コーティングを施すための真空システムの概要図である。

Claims (21)

1. 基板にコーティングを施すための真空モジュールであって、
   −基板を配置するように設計した開口部が設けられた真空チャンバーと、
   −シール部材及び、コーティングを施すように設計した処理装置と、
   −前記真空チャンバーの開口部面と平行な面内に配置されるとともに、内部に前記処理装置を配置した、チャンバー空間の一部分と、前記開口部とを仕切るように設計したバルブゲートと、
   処理装置搬送用機構と、
   を備え、
   前記処理装置搬送機構は、前記基板面に平行に往復動可能なように装着されることを特徴とする真空モジュール。
2. 基板にコーティングを施すための真空モジュールであって、
   −基板を配置するように設計した開口部が設けられた真空チャンバーと、
   −シール部材及び、コーティングを施すように設計した処理装置と、
   −前記真空チャンバーの開口部面と平行な面内に配置されるとともに、内部に前記処理装置を配置した、チャンバー空間の一部分と、前記開口部とを仕切るように設計したバルブゲートと、
   処理装置搬送用機構と、
   を備え、
   前記真空チャンバーには、基板配置用の少なくとも２つの開口部が設けられ、また、前記処理装置は、前記基板面に平行に往復動するように装着されることを特徴とする真空モジュール。
3. 基板にコーティングを施すための真空モジュールであって、
   −基板を配置するように設計した開口部が設けられた真空チャンバーと、
   −シール部材及び、コーティングを施すように設計した処理装置と、
   −前記真空チャンバーの開口部面と平行な面内に配置されるとともに、内部に前記処理装置を配置した、チャンバー空間の一部分と、前記開口部とを仕切るように設計したバルブゲートと、
   処理装置搬送用機構と、
   を備え、
   前記真空チャンバーには、基板を配置するように設計されたカバーがさらに設けられ、前記処理装置搬送機構は、前記基板面に平行に往復動可能に装着されることを特徴とする真空モジュール。
4. 前記真空チャンバー開口部の外周は、コーティングされる表面の輪郭に適合することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
5. 真空モジュールは、前記真空チャンバー開口部の領域内に配置される基板キャリヤーが設けられることを特徴とする請求項１、２、３のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
6. 真空モジュールの前記基板キャリヤーは取り外し可能とされることを特徴とする請求項５に記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
7. 真空モジュールの前記基板キャリヤーは、基板を配置するように設計した少なくとも１つの開口部が設けられることを特徴とする請求項５、６のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
8. 真空モジュールの前記基板キャリヤーは、前記処理装置の移動面に平行に配置されることを特徴とする請求項５、７のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
9. 前記基板キャリヤーの開口部は、基板を固定するように設計されるとともに前記開口部の外周に沿い装着されるシール部材が設けられることを特徴とする請求項７に記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
10. 前記基板キャリヤー開口部の外周は、コーティングされる面の輪郭に適合することを特徴とする請求項７、９のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
11. 前記真空チャンバーのカバーは、取り外し可能とされることを特徴とする請求項３に記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
12. 前記真空チャンバーのカバーは、開口部が設けられることを特徴とする請求項３、１１のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
13. 前記真空チャンバーのカバーは、基板を配置するように設計された少なくとも２つの開口部が設けられることを特徴とする請求項３、１１のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
14. 前記真空チャンバーのカバーは、基板キャリヤーとして用いられることを特徴とする請求項３、１２、１３のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
15. 前記カバー開口部は、前記真空チャンバーカバーを固定するように設計されるとともに前記開口部の外周に沿って装着されるシール部材が設けられることを特徴とする請求項１２、１３のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
16. 前記真空チャンバーカバーは、前記真空チャンバーカバー内に形成された開口部内に配置される基板表面に平行に往復動可能に装着した前記処理装置の移動面に平行に配置されることを特徴とする請求項３、１２、１３、１４、１５のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
17. 前記真空チャンバーは、基板配置面に平行な面内に装着された各開口部用の個々の追加ゲートが設けられることを特徴とする請求項２、７、１２、１３のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
18. キャリッジが、処理装置搬送機構として用いられることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
19. 前記処理装置は、処理構成要素を備え、その構成は、前記キャリッジ上において、蒸発器、マグネトロンカソード、カソード堆積ターゲット、イオンクリーニングシステム及び、回転プリズムを有するイオンスパッタリングシステムとからなる群から選択され、前記回転プリズムは、前記真空チャンバー開口部の面に平行に配置されるとともに、それの少なくとも１つの作用面に、スパッタリングされる材料が与えられることを特徴とする請求項１から３、１８のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
20. 前記処理構成要素は交換可能とされることを特徴とする請求項１９に記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。
21. 共通の排気システムを有した少なくとも２つの真空モジュールを備え、
    前記モジュールは、共通の排気制御システムと、基板を自動的に配置し取り外すように設計されるとともにプロセスセンサーを有した共通のハンドリング装置制御システムとが設けられ、少なくとも２つのモジュールは、前記共通のマニピュレータの作動領域内に配置されることを特徴とする請求項１から２０のいずれかに記載の基板にコーティングを施すための真空モジュール。