KR100609378B1 - 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 LCD 제조 과정과 같이 기판 상에 다양한 재질
의 박막을 형성하는 장치, 즉 박막 형성 장치를 구성하는 오염 방지판 및 그 제조
방법에 관한 것으로서,
상기 본 발명의 오염 방지판은 블라스팅 처리된 구리(Cu) 등의 모재 금속판
과, 이 모재 금속판 상에 스퍼터링 또는 용사 처리를 통하여 형성된 미세 요철 금
속 박막층을 포함하여 구성되는 한편, 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판 제
조 방법은, 모재 금속판을 블라스팅 처리하는 단계와, 블라스팅 처리를 거친 모재
금속판 표면 상에다 스퍼터링 또는 용사 처리 등의 물리적 방법으로 미세 요철 금
속 박막층을 형성하는 단계를 포함하여 구성됨으로써,
박막 형성 공정 중 장치 내에서 발생하는 각종 입자 또는 덩어리들의 박리
현상이 발생하지 않아 박막 형성 불량이 적음은 물론, 장치 제조 과정에 있어서의
전기 도금 관련 환경 문제를 근본적으로 배제하는 효과가 있다.
박막 형성 장치, 파티클, 스퍼터링, 블라스팅, 용사처리.
Description
도 1은 스퍼터링 증착에 의한 박막 형성 장치를 나타낸 개략도,
도 2는 이온화 클라스터 빔 증착에 의한 박막 형성 장치를 나타낸 개략도,
도 3은 이온 플레이팅에 의한 멀티-아크 방전 장치를 나타낸 개략도,
도 4는 레이저 애블레이션에 의한 박막 형성 장치를 나타낸 개략도,
도 5는 플라즈마 CVD에 의한 박막 형성 장치를 나타낸 개략도,
도 6은 상기 도 1의 박막 형성 장치 내에 본 발명의 오염 방지판이 장착된
상태를 나타낸 개략도,
도 7은 상기 도 6의 "A" 표시부 확대 단면도,
도 8은 종래의 박막 형성 장치용 오염 방지판 제조 방법을 나타낸 공정 구성
도,
도 9는 본 발명 실시예의 박막 형성 장치용 오염 방지판 제조 방법을 나타낸
공정 구성도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
10, 20, 30, 40 : 박막 형성 장치 11 : 타겟 재
12 : 피증착물 1-c, 2-c, 3-c, 4-c : 쉴드
2-d, 4-d : 마스크 S : 오염 방지판
m1 : 모재 금속판 m2 : 미세 요철
금속 박막층
본 발명은 반도체 웨이퍼(wafer) 또는 LCD(liquid crystal display) 제조 과
정과 같이 기판 상에 다양한 재질의 박막을 형성하는 장치, 즉 박막 형성 장치를
구성하는 오염 방지판 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 상기
기판을 제외한 장치 내부 구성 요소들의 표면 상에 형성된 오염 물질막의 일부분이
박리되어 기판 상에 부착됨으로 인한 박막 형성 불량을 현저히 감소시킬 수 있는
박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법에 관한 발명이다.
본 발명에서 언급하는 박막 형성 장치는, 진공증착, 분자선
에피택시(epi-taxy), 레이저 애블레이션(laser ablation), 스퍼터링(sputtering)
증착, 이온 플레이팅(ion plating), 이온화 클라스터 빔(cluster beam) 증착 및 이
온 빔 증착 등으로 대별되는 PVD(physical vapor deposition) 기술에 의한 박막 형
성 장치와, 열 CVD(chemical vapor deposition), 광 CVD 및 플라즈마(plasma) CVD
등으로 대별되는 CVD 기술에 의한 박막 형성 장치를 포함하는 박막 형성 장치 전체
를 의미한다.
앞서 언급한 반도체 웨이퍼 또는 LCD 등의 경우와 같이, 기판 상에 특정 재
질의 박막이 형성된 전자제품은 관련 산업분야에서 널리 보편화되어 있다.
상기와 같은 전자제품의 효용도 내지 중요도가 큰 만큼, 기판 상에 보다 양
질의 박막을 형성하기 위한 다양한 기술 및 관련 장치의 개발이 진행되어 왔음은
물론이다.
이러한 박막 형성 장치는 박막 형성 대상이 되는 기판을 장착하는 기판 지지
대와, 이 기판 지지대를 둘러싸며 적정 작업 조건을 구비한 챔버를 포함하는 구성
으로 통상 이루어져 있다.
즉, 물리적 또는 화학적 방법에 의하여, 상기 챔버 내 기판 상에 특정 재질
의 입자를 부착시켜 박막을 형성하는 것이다.
상기 PVD 기술 또는 CVD 기술을 이용하는 박막 형성 장치들 가운데 몇 가지
예를 들면 다음과 같다.
도 1은 PVD 기술의 하나인 스퍼터링 증착에 의한 박막 형성 장치의 하나인
고주파 마그네트론(magne-tron) 스퍼터링 장치를 나타낸다.
앞서 언급한 바와 같이, 박막 형성 대상이 되는 기판(P)을 장착하는 기판 지
지대(10)와, 이 기판 지지대(10)를 둘러싸며 적정 작업조건을 구비한 챔버(30)를
포함하는 구성으로 되어 있다.
상기 기판 지지대(10)와 마주보는 쪽에 설치된 백킹 플레이트(backing
plate, 11)상에 타겟(target, T)을 올려놓은 다음, 고주파 전원(12)을 작동시켜 타
겟(T)상에 고압을 인가하면, 스퍼터링 현상에 의하여 타겟(T) 표면으로부터 다량의
타겟 재 입자, 즉 이온들이 발생하여 상기 기판(P)을 향해 나아가 그 표면상에 박
막을 형성하게 된다.
도면부호(13)는 쉴드(shield)로서, 타겟(T) 및 백킹 플레이트(11) 부위의 접
지를 담당하는 한편, 상기 타겟 재 입자들로 하여금 적정 방향성을 갖도록 보조하
는 역할을 한다.
도 2는 상기 PVD 기술의 하나인 이온화 클라스터 빔 증착에 의한 박막 형성
장치를 나타낸다.
상기 스퍼터링 장치와 마찬가지로, 기판(P)을 장착하는 기판 지지대(10)와,
이 기판 지지대(10)를 둘러싸며 적정 작업조건을 구비한 챔버(30)를 포함하는 구성
으로 되어 있다.
상기 기판 지지대(10)와 마주보는 쪽의 전기로(14)내에 타겟 재를 넣은
다음, 필라멘트(filament) 전원(14)을 작동시켜 전기로(14)내에 고압을 인가하면,
타겟 재로부터 다량의 이온이 방출되어 기판(P)을 향해 나아가 그 위에 박막을 형
성하는 것이다.
한편, 이들 이온은 별도의 필라멘트(16) 및 가속 전극(17) 영역을 지나면서
클라스터 형태를 갖추게 되는 특징이 있다.
도면부호(13)는 상기 도 1의 장치에서와 마찬가지의 역할을 하는 쉴드이며,
이하의 다른 장치를 설명함에 있어서도, 동일 기능을 갖는 구성 요소에 대하여는
동일한 도면부호를 붙이기로 한다.
도 3은 PVD 기술의 하나인 이온 플레이팅에 의한 멀티-아크(multi-arc) 방전
장치를 나타낸다.
이 경우에 있어서는, 챔버(30)의 중앙부에 설치된 기판 지지대(10)상에 박막
형성 대상으로서의 기판(P)을 올려놓은 다음, 그 측방 및 상방의 타겟(T)상에 고압
을 인가하면, 각각의 타겟(T) 표면으로부터 다량의 이온이 발생하여 상기 기판(P)
을 향해 나아가 그 위에 박막을 형성하게 된다.
도면부호(18)는 챔버(30) 내부를 적정 수준의 진공상태로 만들어주기 위한
배기 덕트(duct)이며, 도시하지 않았지만, 이러한 배기 덕트(18)는 앞서의 두 가지
장치에 있어서도 역시 설치되어 있다.
한편, 도면부호(19)는 아크 전원으로서, 타겟(T)상에 아크를 발생시켜 입자
발생을 야기하는 역할을 한다.
도 4 역시 상기 PVD 기술의 하나인 레이저 애블레이션에 의한 박막 성형 장
치를 나타낸다.
도시된 바와 같이, 원통형 챔버(30)의 중앙부의 타겟 지지대(11)상에 놓인
타겟(T)을 향하여 레이저를 투사하면, 타겟(T) 표면으로부터 가스상의 입자들이 기
둥 모양으로 방출되어 맞은 편의 기판(P)을 향해 나아가 그 위에 박막을 형성한다.
도면부호(22)는 레이저를 발생시키는 레이저 발생장치이며, 도면부호(24)는
챔버(30)내 작업 상황을 투시하기 위한 투시창이다.
상기 기판(P)상의 박막형성 상태는 챔버(30) 외부에 장치된 별도의 전자 모
니터(monitor, 24)에 의해 감지된다.
한편, 도 5는 상기 CVD 기술의 하나인 플라즈마 CVD에 의한 박막 형성 장치
를 나타낸다.
앞서 설명한 PVD 기술을 이용하는 장치에서와 마찬가지로, 기판(P) 및 이를
지지하기 위한 기판 지지대(10)와, 이들을 둘러싸며 적정 작업조건을 구비한
챔버(30)를 포함하는 구성으로 되어 있다.
CVD에 의한 박막 형성 장치에 있어서는, 가스 주입구(25)를 통해 원료 가스
를 주입하게 되면, 고주파 전원(26) 및 매칭 박스(matching box, 27)와 연결된 통
로를 지나면서 이들 가스는 플라즈마, 즉 전하를 띤 입자의 상태가 되어 상기
챔버(30)내 기판(P)을 향해 나아가 그 위에 박막을 형성하게 된다.
상기 플라즈마 CVD 장치의 경우, 상기 가스 주입구(25)로 주입된 가스가 챔
버(30)내를 순환하여 박막형성에 관여한 후에는 배기가스 처리장치(28)쪽으로 배출
되는 하나의 순환 과정을 이루는 특징이 있다.
PVD 기술 또는 CVD 기술에 의한 상기 박막 형성 장치들은, 기판 상에 다양한
재질의 박막을 형성하는 장치 본래의 기능을 오래 전부터 수행해 오고는 있으나,
입자 또는 기체 상태의 타겟 재가 상기 기판 이외의 장치 내부 구성 요소들의 표면
상에 부착됨으로 인한 문제를 안고 있는 실정이다.
즉, 상기 타겟 재 입자 등이 기판을 향해 정확히 나아가 그 위에 소정의 박
막을 형성하지 않고, 기판 이외의 다른 부위에 부착되어 그 결과로서의 불필요 박
막층, 즉 오염 물질막을 형성하게 되며, 이들 오염 물질막은, 점차 시간이 지남에
따라 그 두께가 증가하기도 하는 한편, 작업중의 물리적, 전기적 또는 화학적 충격
등으로 인해 그 일부가 박리되는 현상을 나타내기도 한다.
상기 박리는 입자 또는 덩어리 형태로 발생하며, 이들 박리 입자 또는 덩어
리 일부는 박막 형성중인 상기 기판을 향해 나아가 그 표면에 부착됨으로써 심각한
박막 형성 불량을 초래하게 된다.
이러한 박막 형성 불량을 방지하기 위한 다양한 방법들이 제기되어 온 바,
LCD 제조 장치로 널리 사용되는 상기 도 1의 고주파 마그네트론 스퍼터링 장치를
예로 하여 그 하나의 방법을 설명하면 다음과 같다.
즉, 엠보싱(embossing) 처리를 통하여 그 표면에 다수의 요철이 형성됨에 따
라 넓은 표면적을 갖는 형태 내지 구조의 오염 방지판을 상기 쉴드(13) 등의 표면
에 부착해 둠으로써, 타겟 재 입자를 포함한 각종 입자들이 당해 오염 방지판에 용
이하게 달라붙도록 하는 방법이 근래 개발된 바 있다.
상기 엠보싱 처리에 의한 오염 방지판 제작 방법은, 전기 분해 공정을 통하
여 얻어진 모재로서의 얇은 구리(Cu) 판재(이하, "전해동박"이라 함) 상에다 전기
도금에 의한 구리(Cu) 박막층(이하, "구리(Cu) 전기 도금층"이라 함)을 형성한 다
음, 이를 엠보싱 처리함으로써 표면 상에 다수의 요철을 형성시켜 그 표면적을 증
대시키는 과정으로 이루어진다.
그러나, 이 방법에 따르면, 상기 모재로서의 구리(Cu) 판재, 즉 전해 동박에
대한 구리(Cu) 전기 도금층의 부착력이 약하여, 특히 400 ℃ 이상의 고온 영역에
있어서는, 타겟 재 입자를 포함하는 각종 부착 입자들과 함께 전기 도금층 자체가
쉽게 박리되는 경우가 빈번함에 따라, 상기 입자 또는 덩어리들, 즉 소위
파티클(particle)로 인한 증착 불량 발생을 다소 지연시키는 이상의 특별한 효과는
얻지 못했다.
상기 엠보싱 처리는 불과 100 ㎛ 정도의 얇은 판재인 상기 전해 동박 표면
상에 3 ㎜나 되는 높이의 요철을 형성시키는 가공인 점을 감안하면, 가공 중 상기
전기 도금층의 심한 변형으로 인하여 모재로서의 구리(Cu) 판재에 대한 부착력이
현저히 약화될 것이 분명하므로, 당해 전기 도금층이 쉽게 박리되는 현상은 당연한
결과라 할 것이다.
더욱이, 상기 전기 도금 공정은 과다한 전력 소모를 필요로 함과 아울러 각
종 환경 오염을 유발하는 작업이다.
결과적으로, 전해 동박 상에 구리(Cu) 전기 도금층을 형성한 다음 이를 엠보
싱 처리한 상기 종래의 오염 방지판 역시 고온 박막 형성 공정 중에는 그다지 만족
스러운 효과를 가져다 주지 못했다.
본 발명은 이러한 종래의 문제점을 감안하여 안출한 것으로서, 기판 이외의
다른 부위에 형성된 오염 물질막의 일부분이 박리되어 기판 상에 부착됨으로 인한
박막 형성 불량을 현저히 감소시킬 수 있는 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그
제조 방법에 관한 발명이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판은, 블
라스팅(blasting) 처리된 구리(Cu) 등의 모재 금속판과, 이 모재 금속판 상에 스퍼
터링 또는 용사(鎔射) 처리를 통하여 형성된 미세 요철 금속 박막층을 포함하여 구
성된다.
상기와 같은 구성의 박막 형성 장치용 오염 방지판 제조 방법은, 모재 금속
판을 블라스팅(blasting) 처리하는 단계와, 블라스팅 처리를 거친 모재 금속판 표
면 상에다 스퍼터링 또는 용사(鎔射) 처리 등의 물리적 방법으로 미세 요철 금속
박막층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
상기 모재로서의 금속 박판재는 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 기타의 금속판
이라도 무방한 반면, 블라스팅 처리를 거친 모재 표면 상에 형성되는 상기 미세 요
철 금속 박막층을 이루는 금속재로서는 구리(Cu) 또는 알루미늄(Al)이 바람직하다.
즉, 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법에 따르면, 모
재 금속판 표면 상에 형성된 미세 요철 금속 박막층이 갖는 입자 흡인력 내지 부착
력을 이용함에 있어서, 상기 모재로서의 금속판을 전해 동박 이외의 비교적 값싼
판재로 함과 아울러, 전기 도금과 같은 화학적 방법이 아닌 스퍼터링 또는 용사 처
리 등의 물리적 방법으로 상기 미세 요철 금속 박막층을 형성하는 특징이 있다.
상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판을 실제
장치 내에 장착하는 방법으로서는, 당해 오염 방지판을 쉴드 또는 마스크 등의 장
치 내부 구성 요소들의 표면 상에 부착하거나 또는 장치 내 적정 지점에 걸어두는
형태로 한다.
이하, 첨부 도면에 의거하여 본 발명 실시예의 박막 형성 장치용 오염 방지
판 및 그 제조 방법을 상세히 설명한다.
한편, 본 발명은 앞서 언급한 각종 박막 형성 장치의 구성 요소 일부를 삭제
또는 변경하는 것이 아니라, 쉴드 또는 마스크 등의 장치 내부 구성 요소들의 표면
상에 부착하거나 또는 장치 내 적정 지점에 걸어두는 단순 구성 요소인 상기 오염
방지판의 구성 및 그 제조 방법에 포인트를 맞추고 있으므로, 박막 형성 장치 전체
로서의 일반 구조를 이해함에 있어서는 상기 도 1 내지 도 5를 원용한다.
도 6은 상기 도 1의 고주파 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어 그 주요 구성
요소들의 표면 상에 상기 본 발명의 오염 방지판을 부착한 경우를 나타낸 것이다.
도시한 바와 같이, 스퍼터링 현상에 의하여 타겟(T) 표면으로부터 방출된 다
량의 입자들 대부분은 기판(P)을 향하여 나아가 그 표면 상에 적정 두께의 박막을
형성하게 되지만, 그 중 일부는 챔버(30), 쉴드(13) 등과 같은 기판 이외의 장치
내부 구성 요소들을 향하여 나아감으로써, 이들 구성 요소의 표면 상에 부착된 본
발명 실시예의 오염 방지판(S) 상에 오염 물질막을 형성하게 된다.
엄밀히 말하자면, 상기 도 6은 본 발명 실시예의 오염 방지판이 부착된 고주
마 마그네트론 스퍼터링 장치를 나타내는 동시에, 종래 구조의 오염 방지판이 부착
된 고주파 마그네트론 스퍼터링 장치라고도 할 수 있다.
이처럼 외관상으로는 일견 동일하게 보이지만, 상기 도 6의 "A" 표시부 확대
단면도인 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판을 구
성하는 모재 금속판(m1)은 블라스팅 처리를 통하여 그 한쪽 표면 상에만 요철이 형
성된 점에서, 엠보싱 처리로 인하여 양쪽 표면 상에 요철이 형성된 종래의 모재 금
속판과는 단면 형상 면에서 우선 차이가 있다.
나아가, 본 발명에 따른 박막 형성 장치용 오염 방지판은 종래의 경우와는
그 구성상에 있어서도 명백한 차이점을 갖고 있다.
즉, 본 발명에 있어서의 오염 방지판(S)은, 알루미늄(Al) 등 비교적 값싼 금
속재로서 블라스팅 처리에 의한 다수의 요철을 그 표면 상에 갖는 모재 금속판(m1)
과, 이 모재 금속판(m1) 표면 상에 스퍼터링 또는 용사 처리 등을 포함하는 물리적
방법으로 형성 내지 부착된 미세 요철 금속 박막층(m2)을 포함하여 구성되는 특징
이 있다.
다시 말하자면, 구리(Cu) 이외에 알루미늄(Al) 등의 비교적 값싼 금속재를
포함하는 개념의 상기 모재 금속판(m1)은 구리(Cu) 판재, 그것도 압연 동박이 아닌
전해 동박에 한정되었던 종래의 모재 금속판과는 명백히 다르며, 상기 모재
금속판(m1) 표면 상에 스퍼터링 또는 용사 처리 등의 물리적 방법으로 형성된 미세
요철 금속 박막층(m2) 또한 전기 도금이라는 화학적 방법에 의한 종래의 경우와는
서로 분명하게 구별되는 것이다.
상기와 같은 구성상의 명백한 차이점은 후술하게 될 본 발명의 박막 형성 장
치용 오염 방지판 제조 방법을 보면 더욱 명확해진다.
우선, 종래의 오염 방지판 제조 방법은, 도 8의 공정 구성도에 나타낸 바와
같이, 전기 분해를 이용하여 적정 두께의 얇은 구리(Cu) 판재, 즉 전해 동박을 얻
는 단계와, 이 전해 동박의 표면 상에 구리(Cu) 전기 도금층을 형성하는 단계와,
이 구리(Cu) 전기 도금층이 형성된 상태의 판재를 엠보싱 처리하는 단계를 포함하
는 구성으로 되어 있다.
반면, 본 발명 실시예에 따른 박막 형성 장치용 오염 방지판 제조 방법은,
도 9의 공정 구성도에 나타낸 바와 같이, 모재 금속판을 블라스팅 처리하는
단계와, 블라스팅 처리를 거친 모재 금속판의 표면 상에 물리적 빙법으로 미세 요
철 금속 박막층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된다.
이처럼, 본 발명 실시예의 박막 형성 장치용 오염 방지판을 제조함에 있어서
는, 블라스팅 처리를 통하여 모재 금속판 표면 상에 비교적 큰 요철을 우선 형성한
다음, 그위에다 스퍼터링 또는 용사 처리 등의 물리적 방법으로 미세 요철 금속 박
막층을 형성 내지 부착함으로써, 모재 금속판에 대한 당해 미세 요철 금속 박막층
의 부착력이 크게 향상된 특징이 있다.
즉, 모재 금속판으로서의 전해 동박 표면 상에 먼저 전기 도금층을 형성한
다음 이를 엠보싱 처리함에 따라 전기 도금층 자체의 부착력 저하가 불가피했던 종
래의 문제점을 근본적으로 배제한 매우 효과적인 방법이다.
한편, 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판을 구성하는 상기 모재 금속
판은 통상의 압연 동박 또는 알루미늄(Al) 박판 등을 포함하는 개념의 비교적 값싼
금속재 박판이며, 모재 금속판 표면 상에 미세 요철 금속 박막층을 형성하는 바람
직한 방법으로서의 상기 물리적 방법은 스퍼터링 또는 용사 처리인 점은 앞서 언급
한 바와 같다.
아울러, 상기 미세 요철 금속 박막층을 형성하는 금속재로서는, 연성 등의
재질적 특성을 고려할 때, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금으로 하는 것
이 바람직하다.
비교 시험 결과에 따르면, 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판은 전기
분해에 의한 구리(Cu) 박판, 즉 전해 동박을 모재 금속판으로 하는 종래 구조의 오
염 방지판과 표면 조도 면에서 대략 동일한 수준인 것으로 나타났으며, 이를 보더
라도, 박막 형성 공정 중 발생하는 각종 입자가 당해 오염 방지판에 부착되는 정도
역시 엠보싱 처리 및 전기 도금에 의한 종래의 오염 방지판의 경우와 차이가 없음
을 알 수 있다.
그런 반면, 종래의 경우 각종 입자와 함께 구리(Cu) 전기 도금층 자체가 자
주 박리되는 문제가 있었던 반면, 본 발명의 스퍼터링 장치용 오염 방지판에 있어
서는 이러한 현상이 현저히 줄어들었으며, 특히 400 ℃ 이상의 고온 영역에서는 그
효과가 매우 큰 것으로 나타났다.
이는 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판의 표면을 이루는 상기 미세
요철 금속 박막층의 모재 금속판에 대한 부착력 내지 친화력이 탁월함을 의미한다.
이처럼, 본 발명에 따른 박막 형성 장치용 오염 방지판은 그 기능 면에서는
종래 보다 월등히 앞서는 한편, 전기 도금 같은 전기적 에너지 소모 또는 환경 오
염 문제도 근본적으로 배제할 수 있다.
한편, 당업자라면, 이상의 설명에 근거하여 다양한 형태의 수정 내지 변경을
가할 수 있을 것이다.
예를 들면, 금속 박막층 형성을 위한 상기 물리적 방법을 스퍼터링 또는 용
사 처리로 특별히 한정하지 않는 바, 이들과 동일 수준의 표면 조도를 얻을 수 있
는 기타의 물리적 방법이라도 무방하다.
따라서, 박막 형성 장치용 오염 방지판을 제조함에 있어서, 모재 금속판 표
면 상에 블라스팅을 통하여 비교적 큰 요철을 우선 형성한 다음, 스퍼터링 또는 용
사 처리 등의 물리적 방법으로 미세 요철 금속 박막층을 형성하는 방법인 한의 단
순한 수정 또는 변경 역시 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해함이 마땅
하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제
조 방법에 따르면, 400 ℃ 이상의 고온 영역을 포함하는 전체 박막 형성 공정 중
장치 내에서 발생하는 각종 입자 또는 덩어리들의 박리 현상이 발생하지 않아 박막
형성 불량이 적음은 물론, 장치 제조 과정에 있어서의 전기 도금 관련 환경 문제를
근본적으로 배제하는 효과가 있다.
첨단 전자산업 관련 분야에 있어 상기 박막 형성 불량이 큰 골칫거리였던 점
과, 전기 도금 공정과 관련된 과다한 전기 에너지 소모 및 환경 오염 문제등을 감
안하다면, 본 발명에 따른 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법은 해당
산업 분야에 있어 매우 유용한 발명이다.
Claims (9)
- 블라스팅 처리에 의한 다수의 요철을 그 표면 상에 갖는 모재 금속판(m1)과,이 모재 금속판(m1) 표면 상에 물리적 방법으로 형성된 미세 요철 금속 박막층(m2)을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치용 오염 방지판(S).
- 제 1 항에 있어서, 상기 모재 금속판(m1)은 구리(Cu)인 것을 특징으로 하는박막 형성 장치용 오염 방지판(S).
- 제 1 항에 있어서, 상기 모재 금속판(m1)은 알루미늄(Al)인 것을 특징으로하는 박막 형성 장치용 오염 방지판(S).
- 제 1 항에 있어서, 상기 미세 요철 박막층(m2)은 구리(Cu)인 것을 특징으로하는 박막 형성 장치용 오염 방지판(S).
- 제 1 항에 있어서, 상기 미세 요철 박막층(m2)은 알루미늄(Al)인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치용 오염 방지판(S).
- 제 1 항에 있어서, 상기 미세 요철 박막층(m2)은 구리(Cu) 및 알루미늄(Al)합금인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치용 오염 방지판(S).
- 모재 금속판을 블라스팅 처리함으로써 그 표면 상에 다수의 요철을 형성하는단계와, 블라스팅 처리를 거친 상기 모재 금속판의 표면 상에 물리적 방법으로 미세 요철 금속 박막층을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막형성 장치용 오염 방지판 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 물리적 방법은 용사 처리인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치용 오염 방지판 제조 방법.
- 제 7 항에 있어서, 상기 물리적 방법은 스퍼터링인 것을 특징으로 하는 박막 형성 장치용 오염 방지판 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040056352A KR100609378B1 (ko) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040056352A KR100609378B1 (ko) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060007533A KR20060007533A (ko) | 2006-01-26 |
| KR100609378B1 true KR100609378B1 (ko) | 2006-08-08 |
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ID=37118770
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020040056352A KR100609378B1 (ko) | 2004-07-20 | 2004-07-20 | 박막 형성 장치용 오염 방지판 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100609378B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101233773B1 (ko) | 2010-10-05 | 2013-02-15 | 현대비앤지스틸 주식회사 | 배기가스 정화를 위한 금속필터용 모재의 제조방법, 이를 적용한 금속필터용 모재 및 금속필터 |
-
2004
- 2004-07-20 KR KR1020040056352A patent/KR100609378B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101233773B1 (ko) | 2010-10-05 | 2013-02-15 | 현대비앤지스틸 주식회사 | 배기가스 정화를 위한 금속필터용 모재의 제조방법, 이를 적용한 금속필터용 모재 및 금속필터 |
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| Publication number | Publication date |
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| KR20060007533A (ko) | 2006-01-26 |
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