TW202311055A - 防污膜及其用途 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種防污膜及其用途。所述防污膜，包含：一金屬材料之軟片材，其中，且所述軟片材的中心線算術平均粗糙度Ra為0.1 微米(μm) 至6 μm、面的算術平均高度Sa為0.1 μm至6 μm、界面展開面積比Sdr為0.1 至6、相對於光滑面之比例Surf (%)為160%至700%。其具有強大抓附力。因此，本發明另外提供一種防污膜的用途，其用於增長一薄膜沉積設備進行一薄膜沉積製程的上機時間、提高上機使用效率，其中，所述防污膜係前述防污膜。本發明能使薄膜沉積的產品無污染、提高產品品質。

Description

防污膜及其用途

本發明係關於一種防污膜，特別是關於一種用於薄膜沉積設備的防污膜。

物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)技術中的濺鍍沉積(sputter deposition)和蒸鍍(evaporation deposition)是常見的薄膜沉積製程，兩者皆常用於生產積體電路電極與擴散阻擋層薄膜、磁記錄介質用磁性薄膜銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)透明導電膜。

現有物理氣相沉積技術通常會導致所製得的薄膜上積聚粗大顆粒。所述粗大顆粒由數個細顆粒在基板上積聚形成。所述粗大顆粒的直徑可達數微米，其在大型積體電路(large scale integration，LSI)等基板上積聚會造成互連短接、斷接或導致不合格產品的比例增加等問題。

粗大顆粒主要是由薄膜沉積設備產生，大部分源自於沉積到基板和薄膜沉積設備內壁(例如室壁)、護板和薄膜沉積設備其他部件上後又剝離的薄膜。顆粒以破碎狀態四散再隨機堆積於基板上，構成一種主要污染源。然而，薄膜沉積設備內壁實際上非常難以保持清潔。完全清潔內部通常需要較長時間，而且清潔工人(即清潔技術人員)有時根本無法接近薄膜沉積設備內壁和內部各部件。為減少內壁粗顆粒數量，通常需要先對最容易受污染影響的內壁表面進行物理粗糙化，例如：噴砂處理或鋁熔射處理，從而整體固定或捕集沉澱物。此種方法要求對設備進行精心維護，然而對沉澱物的抗剝落效果仍然相當弱。

有鑑於現有技術之經過粗糙化處理之薄膜沉積設備上的沉積物仍容易剝落、無法避免薄膜沉積設備之腔體內的產品污染，本發明係提供一種防污膜，其具有強大抓附力，而能延長薄膜沉積製程中沉澱物自薄膜沉積設備的剝落時間，進一步使操作薄膜沉積設備進行薄膜沉積的上機時間增長且提高上機使用效率。

為達成前述目的，本發明提供一種防污膜，包含：一軟片材，其中，所述軟片材包含一金屬材料；所述軟片材的中心線算術平均粗糙度(arithmetic mean deviation of the assessed profile，Ra)為0.1微米(μm)至6 μm、面的算術平均高度(arithmetical mean height of the scale limited surface，Sa)為0.1 μm至6 μm、界面展開面積比(面積增大程度) (developed interfacial area ratio of the scale-limited surface，Sdr)為0.1至6、相對於光滑面之比例(Surf (%))為160%至700%。

當使用本發明之防污膜時，因防污膜具有特定的Ra、Sa、Sdr、以及Surf (%)數值範圍，因此可具有強大抓附力、能延長薄膜沉積製程中產生的沉澱物自薄膜沉積設備的剝落時間、進一步使薄膜沉積設備的上機時間增長，且能避免所得的薄膜沉積產品於製程中受到污染、進而提升前述產品的品質及良率，並能保護並降低設備損耗。

依據本發明，所述Ra係根據ISO 4287規定的標準方法定義。較佳的，所述軟片材的Ra為0.9 μm至5.3 μm，或為此範圍中任兩點所形成之範圍中的任意值。更佳的，Ra為1.2 µm至4.8 µm，再又更佳的，Ra為2.0 µm至3.5 µm。

依據本發明，所述Sa係根據ISO 25178-2:2012規定的標準方法定義。較佳的，所述軟片材的Sa為0.3 μm至5.3 μm，或為此範圍中任兩點所形成之範圍中的任意值。更佳的，Sa為1 μm至5.2 μm，再更佳的，Sa為1.5 μm至3 μm。

依據本發明，所述Sdr係根據ISO 25178-2:2012規定的標準方法定義。較佳的，所述軟片材的Sdr為0.6至5.7，或為此範圍中任兩點所形成之範圍中的任意值。更佳的，Sdr為2至6，再更佳的，Sdr為2至3。

依據本發明，防污膜的Surf (%)是經過以下公式計算而得：(Sdr +1)×100%。較佳的，所述軟片材的Surf (%)為167%至668%，或為此範圍中任兩點所形成之範圍中的任意值。更佳的，Surf (%)為210%至580%。再更佳的，Surf (%)為320%至450%。

較佳的，所述軟片材的表面形成有微結構顆粒，且所述微結構顆粒的平均粒徑為5 μm 至100 μm，或為此範圍中任兩點所形成之範圍中的任意值。更佳的，為10 μm至50 μm。在此粒徑下，可使抓附沉積物的效果更好，而能進一步延長操作薄膜沉積設備進行薄膜沉積的上機時間、提高上機使用效率。

依據本發明，所述金屬材料可為銅或鎳，另外，所述金屬材料還可使用前述金屬的合金提供或構造軟片材。特別值得注意的是，前述金屬可基本接近100%純度或採用合金形式。舉例而言，鎳可以使用純鎳金屬或是鎳合金。

依據本發明，所述金屬材料可為純金屬、金屬氧化物或兩者的結合。軟片材上可存在純金屬(例如原子量為28的鎳或Ni＜28Ni＞)，即純度超過90%、95%、99%、99.9%、99.995%或更高的純金屬。基本不含雜質或污染物的純金屬適合用於對污染較敏感的濺射製程。例如，金屬層包含純度超過50%、85%或99.9%的鎳箔，室溫條件下以及周圍環境中呈現金屬光澤，銀面帶金色調。在一實施例中提供了一種鎳純度超過99.9%的鎳箔，其表面已經氧化。氧化鎳包括NiO(綠色氧化鎳)、Ni ₂O ₃和NiO ₂。其他金屬實例包括純銅(Cu)箔卷材。

軟片材還包含一個或多個粗糙化表面(例如無光、粗糙或磨砂表面、不均勻表面或皺褶表面)。例如，軟片材氧化面即屬於上述粗糙化表面的一種態樣。較佳的，軟片材氧化面的Ra為1.0 µm至50 µm，更佳的是3.0 µm至20 µm，最好的情況是5.0 µm至10.0 µm。在一實施態樣中，較佳的，軟片材氧化面的Ra為1.0µm至5µm，更佳化的情況2.0µm至4.0µm。

所述一個或多個粗糙化表面可包含一個電解處理表面(例如電解鎳表面)、一個氧化面或者兩者的組合。所述一個或多個粗糙化表面還可包含一個噴砂表面。所述一個或多個粗糙化表面還可包含一個雷射或雷射光束處理表面。

粗糙化表面額包含一個不均勻表面，包括細粒、褶皺、不規整、壓紋、下凹部分或所述任意情況的組合。

在一些實施例中，不均勻表面包含凸出部分(例如壓紋或壓花、凸起)、下凹部分或凸出部分和下凹部分的組合。例如，凸出部分和下凹部分(即凹點、凹處、淺凹和凹槽)彼此相鄰，形成具有顆粒感的不均勻表面，無論是否採用規則或不規則形式，是否直線對齊，是否具有方格斑紋。

軟片材厚度從1 µm至1 mm不等。例如，軟片材均勻厚度為10 µm至750 µm、15 µm至550 µm、18 µm至300 µm、30 µm至200 µm、40 µm至100 µm或上述任意厚度範圍的組合。

軟片材可以是一次性或可回收利用材料。例如，軟片材在真空室內經過預定次數(例如10次、50次、100次和500次)的濺射後可作廢棄處置。例如，軟片材經過多次薄膜沉積後可進行清潔或處理(例如:以電解法翻新)。清潔或處理後的軟片材經過清潔或翻修重新用於薄膜沉積。

防污膜可包含一種預定特性(例如形狀、尺寸和邊界)，以便貼附到薄膜沉積設備上。例如，防污膜可以卷材形式出現。當然，防污膜可以呈長方形、正方形、環形、圓形、橢圓形或這些形狀的任意組合。

依據本發明，本發明的防污膜可以用於薄膜沉積設備中，其中配有真空室或濺射室。薄膜沉積設備包含一個罩殼(陽極錐、擋板、基板罩和靶材罩殼)，罩殼的表面一個或多個部分由防污膜遮蓋。例如，真空室內壁表面部分或完全由防污膜覆蓋。薄膜沉積設備還包含一個固定架(又稱定位架)，用於緊固薄膜生長用基板和一個或多個濺射源(例如磁控管)，使帶電等離子體粒子始終位於濺鍍靶材表面附近。罩殼包含一個能抽真空或全密封的容器，設有一個側壁圍住固定架或更多濺射源。前述內壁表面的一個或多個部分由防污膜覆蓋。

某些情況下，防污膜以可拆離的方式與容器內壁表面連接。其他情況，所述設備的一個或多個部分或器內壁表面包含由第一片防污膜覆蓋的表面或第一個內表面，第二個表面或內表面由第二張防污膜覆蓋。薄膜沉積設備部件由多個防污膜覆蓋，防污膜可具有不同的輪廓、產品規格、性能指標或其他特性。需要更強污染物吸收能力的部位或表面由更高性能的防污膜覆蓋或包覆。受污染物影響較小的部位或表面可重複使用、回收利用或在薄膜沉積過程中使用更少的次數。

依據本發明，本發明的防污膜製備方法可包含以下步驟：第一步，提供一種包含金屬材料之軟片材；第二步，曝置(expose)至少一部分的軟片材；第三步，軟片材一個或多個部分的表面進行粗糙化處理，使所述軟片才得以具有特定的Ra、Sa、Sdr、以及Surf (%)數值範圍；第四步，軟片材至少拆離一部分。上述某些步驟可進行組合、分割或順序調整。例如，第二步曝置軟片材的一個或多個部分以及軟片材一個或多個部分表面的粗糙化可通過對軟片材進行一次或多次電解程序實現。所述防污膜有助於實現高效率和高品質的薄膜沉積過程，因為其可在較長的過程中甚至是較高或迴圈溫度條件下有效吸收或捕集遊散的顆粒。

軟片材一個或多個部分的表面粗糙化可包括利用電解進行表面處理。電解過程或電解能夠提供均勻的粗糙化表面，其表面粗糙度可準確或精確調節。

軟片材一個或多個部分的表面粗糙化可包括在軟片材一個或多個部分表面形成一個或多個表面結構。一個或多個表面結構包括凹槽、凹點、壓紋或其他任何可見或不可見的表面紋理。

前述製備方法可包括對軟片材一個或多個部分表面進行氧化。所述方法還可對軟片材一個或多個部分表面進行電解，從而產生一個電解表面(例如銅或鎳)或電解材料(例如電解銅或電解鎳)。

所述方法還可將一個基片貼附到軟片材上。所述基片包含一基礎結構、一基板、一塗層、一鍍層、一層壓材料層或一無害或在氣相沉積過程不會向薄膜釋放有害顆粒的膠黏層。所述基片提供的附加結構支援可防止防污膜剝落或迴圈受熱和冷卻。

依據本發明，本發明的防污膜可依據以下步驟進行使用：第一步是提供一前述防污膜；第二步是提供一台薄膜沉積設備；第三步是以可拆離的方式將防污膜附著到(例如點焊或精密點焊)所述薄膜沉積設備的內壁上。上述某些步驟可進行組合、分割或順序調整。利用防污膜使用方法可移除耗盡或用過的防污膜，並將新防污膜附著至前述薄膜沉積設備(例如陽極錐、收集器或顆粒收集器)壁上。用過的防污膜可回收利用(例如清潔或翻修)，然後可再次用於薄膜沉積或其他過程。

所述方法還可利用防污膜進行薄膜沉積(例如濺射)。經過幾次薄膜沉積後，用過的防污膜有時會從薄膜沉積設備內壁上移除，隨後可進行處理。用過的防污膜可更換為新製、新的(即之前未用過)或經過清潔或返修的防污膜。

所述方法還可包括防污膜附著之前或之後對設備內壁進行處理(例如清潔)。設備壁(例如薄膜沉積設備內壁或表面)可進行粗糙化、氧化、噴砂或磨光處理，以改善防污膜附著力。

所述方法實施例還包括使用一前述基片或將其貼附(即固定)至所述軟片材，以提供防污膜。基片有助於增強結構完整性或降低防污膜成本。例如，防污膜包含一帶鎳層的金屬板例如不銹鋼箔材。金屬板和/或鎳層在貼附至真空室內壁進行薄膜沉積之前還可接受其他處理(例如氧化和電解)。

依據本發明，本發明的防污膜可通過一個基板(例如基片)支撐靶材，且基板上的靶材(或目標)產生不規則表面。靶材和基板可採用同種材質(例如鎳)。基板一個或多個表面(例如兩側的兩個表面)可以是不規則或不均勻表面。前述基板可採用柔韌或柔軟材質，以便附到一個或多個不平表面或部位(例如機器或其他適用部分)。

依據本發明，本發明的防污膜可依據以下步驟生產：第一步是將基板固定到固定架(即定位器)上；第二步是將靶材放到一個或多個噴射器(例如磁控管)上；第三步是排空環繞固定架的腔室；第四步是向腔室內充入惰性氣體(例如氬氣)；第五步是將一個或多個噴射器通電產生磁流。上述方法中某些步驟可進行組合、分割或順序調整。

依據本發明，本發明的防污膜生產方法可藉由如下步驟：第一步是處理基板(例如鎳箔)表面；第二部是將基板浸入電解液(例如包含硫酸鎳和硫酸銨)；第三步是在另一種電解液(例如硫酸鎳、硼酸和氯化鎳)中處理基板新形成表面；第四步是將經電解處理後的基板放入烘箱烘乾。上述方法中某些步驟可進行組合、分割或順序調整。

依據本發明，本發明的防污膜生產方法可藉由如下步驟：第一步是將基板附到固定架上；第二步是將靶材(例如鎳靶)加熱至其沸點(即2730°C)；第三步是將靶材蒸發到固定架(即定位器)上的基板上。上述方法中某些步驟可進行組合、分割或順序調整。

依據本發明，本發明的防污膜生產方法可藉由如下步驟：第一步是將基板(例如鎳箔)放到卡盤上的多孔金屬上；第二步是將主箔材放到基板上方；第三步是將聚醯亞胺箔材放到主箔材上方；第四步是抽真空；第五步是將雷射投射到基板或主箔材上，或者兩者同時照射。上述方法中某些步驟可進行組合、分割或順序調整。多個基板可垂直排列，各基板之間設置一個分隔物(例如紙張等非金屬材料)。上述方法中某些步驟可進行組合、分割或順序調整。基板可放到相關部件上存放。所述方法還可利用機械方式(例如末端執行器抓取或真空吸取)輸送基板。

依據本發明，本發明的防污膜可為金屬箔的軟片材。金屬箔的厚度約為0.1毫米，金屬箔的一表面係經過粗糙處理。金屬箔的材料包括鎳(Ni)或鎳合金，例如：坡莫合金、鎳鉻恒彈性鋼、殷鋼、鎳鐵、鎳鑄鐵、鎳黃銅、鎳青銅以及與銅、鉻、鋁、鉛、鈷、銀和金的合金(例如因科鎳合金、因科鎳鉻不銹鋼、蒙乃爾合金和鎳鉻鈦合金)。粗糙表面可進行電解而形成。金屬箔在電解側或表面可包含凸起或凸出部分。凸起可包含肉眼無法辨識的細粒(看到的只是無光澤面)。金屬箔一個或多個部分可進行氧化。金屬箔可與薄膜沉積設備部件(例如顆粒收集器)分離(例如不可分割片)進行處置；因此，金屬箔是一種可處置箔材。且金屬箔的Ra為0.1μm 至6 μm、Sa為0.1 μm至6 μm、Sdr為0.1 至6、Surf (%)為160%至700%。

依據本發明，本發明的防污膜可用於配備一個或多個顆粒收集器的濺射沉積設備。至少有一個顆粒收集器連接電源陽極；顆粒收集器可以是圓錐形或方便安裝設備部件的任何形狀。

依據本發明，本發明的防污膜應用方法可為：第一步是提供一種金屬材料(銅或鎳)的軟片材；第二步是將金屬材料的軟片材附到薄膜沉積設備部件上，在薄膜沉積過程中捕集散射粒子。金屬材料的軟片材附到薄膜沉積設備部件上時可將金屬材料的軟片材焊接(例如精密點焊)至薄膜沉積設備部件。或可在將金屬材料附到薄膜沉積設備(例如濺射沉積設備)零件之前對金屬材料進行電解。或可在金屬材料的軟片材附到薄膜沉積設備部件上之前對金屬材料的軟片材進行粗糙化處理。所述方法還可在將金屬材料的軟片材附到薄膜沉積設備部件上之前對金屬材料進行壓紋處理。

所述一種或多種箔材可包括一種或多種鎳箔，其能用於銅和非銅薄膜沉積設備和濺射製程。薄膜沉積濺射過程中利用鎳箔覆蓋或製作的顆粒收集器很容易捕捉散射粒子。鎳箔覆蓋顆粒收集器，形成用於非銅薄膜沉積的鎳顆粒收集器。鎳顆粒收集器的顆粒吸收能力更強，在薄膜沉積過程中持續時間更長。所述一種或多種鎳箔上有圓形凸紋，方便所述一種或多種鎳箔表面區域的擴展，可用於非銅薄膜沉積過程。鎳箔表面吸收能力強於銅箔，因此能在薄膜沉積過程中捕集更多顆粒。鎳箔還能承受高溫。例如，鎳的熔點是1455°C，比銅的熔點高出370°C。此外，鎳材料的熱膨脹率也小於銅材料。鎳箔最高工作溫度通常為600°C左右，比銅箔高出200°C。

薄膜沉積用鎳箔的顆粒吸收能力更強，更加耐用，且在薄膜沉積過程中壽命更長。鎳箔特別適合非銅薄膜沉積過程。由於鎳箔性能出色，薄膜沉積採用鎳箔能夠開發出先進的半導體製造製程。

依據本發明，本發明的防污膜可包括：一種經處理的電解鎳箔、一種經過表面處理的電解鎳箔，所述電解鎳箔塗覆有與通過在襯底上氣相生長而作為薄膜沉積的材料相同或者無害的材料、一種皺褶金屬箔或帶有許多不規則體(即凹坑和壓紋)的金屬箔。

依據本發明，本發明的防污膜可用於薄膜沉積設備防止設備內部裝置污染以及沉積薄膜中形成顆粒，且防污膜可包括：(1) 電解鎳箔或通過鎳箔無光面鍍鎳形成鎳或/和氧化鎳細粒薄層的鎳箔；(2) 一種鎳箔或電解鎳箔，其通過箔材無光面鍍鎳形成鎳或/和氧化鎳細粒薄層，鍍層材料與將要通過基板氣相生長製成的沉澱薄膜的材料相同或對其無害且與其相似；(3) 一種皺褶鎳箔；(4) 通過壓紋處理產生若干不規則體的鎳箔。依據本發明，本發明的防污膜還可用於薄膜氣相沉積設備的防污方法，其從上述(1)~(4)範圍內選擇。

依據本發明，本發明的防污膜可用於基於氣相生長的薄膜沉積系統或裝置。系統採用適當的防污方法。防污方法包括一種經處理的電解鎳箔，上有鎳、氧化鎳或鎳與氧化鎳混合物的細粒，通過電解鎳箔無光面大量凸起部位的鍍鎳實現沉澱。可避免、減少或減輕系統內裝置的污染以及沉積薄膜中顆粒的形成。經處理的電解鎳箔(即箔材)其中一側可以有細粒，用於捕集氣相生長過程中散逸的顆粒。箔材可以是一種可處理的電解鎳箔，系統可以是一種濺射系統。

依據本發明，本發明的的防污膜可用於一種防污方法。所述防污方法包括一種經處理的電解鎳箔，其上有鎳、氧化鎳或鎳與氧化鎳混合物的細粒，通過電解鎳箔無光面大量凸起部位的鍍鎳實現沉澱。箔材鍍層材料與將要通過基板(例如矽片)氣相生長製成的沉澱薄膜的材料相同或對其無害且與其相似，從而防止系統內部裝置污染以及沉積薄膜中形成顆粒。箔材其中一側可以有細粒，用於捕集氣相生長過程中散逸的顆粒。

鎳箔可以有鎳、氧化鎳或鎳和氧化鎳的細粒，其通過鍍鎳沉澱在鎳箔表面，可以使用或不使用基於氣相生長或基板的材料與待製成沉澱薄膜的材料相同或對其無害且與其相似的鍍層。防污材料可通過點焊連接系統(例如濺射系統)內部一種或多種裝置，從而將其覆蓋。

本發明另提供一種防污膜的用途，其用於增長一薄膜沉積設備進行一薄膜沉積製程的上機時間，其中，所述防污膜係前述之防污膜。

較佳的，所述薄膜沉積製程為製備有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)的電洞注入層(hole injection layer，HIL)的製程。

依據本發明，所述防污膜係附著於所述薄膜沉積設備的內壁表面上。

較佳的，所述防污膜係以點焊的方式附著於所述薄膜沉積設備的表面上。由於焊點之間產生緩衝空間，鍍層厚植後，防污膜能膨起以緩衝應力，不會導致鍍層破裂剝落。

本發明的優點在於，利用同時具有特定Ra、Sa、Sdr、Surf (%)數值範圍的軟片材作為薄膜沉積製程中使用於薄膜沉積設備的防污膜，能具有強大抓附力，且優於先前技術的噴砂處理或鋁熔射處理而能延長薄膜沉積製程中產生的沉澱物自薄膜沉積設備的剝落時間，進一步使操作薄膜沉積設備進行薄膜沉積的上機時間增長、提高上機使用效率。此外，能避免所得的薄膜沉積產品於製程中受到污染、進而提高前述產品的品質及良率，並能保護並降低設備損耗。

本發明將由下列的實施例做為進一步說明，這些實施例並不限制本發明前面所揭示的內容。熟習本發明之技藝者，可以做些許之改良與修飾，但不脫離本發明之範疇。

製備例

第一步，提供一純銅之軟片材；第二步，進行電解以曝置至少一部分的軟片材；第三步，對經曝置的軟片材一個或多個部分的表面進行電解程序以使所述表面進行粗糙化處理；第四步，拆離未經曝置及粗糙化處理的一部分軟片材，而得到製備例1至9、比較例1至5的防污膜。

製備例1至4、比較例1至5的防污膜的Ra、Sa、Sdr、Surf (%)依據ISO 4287標準方法、ISO 25178-2:2012標準方法，以KEYENCE VK光學顯微鏡量測並計算後而得，其中，防污膜的Surf (%)是經過以下公式計算而得：(Sdr +1)×100%。結果分別如表1所示。此外，表1中更進一步列出比較例6至11的Ra、Sa、Sdr、Surf (%)分析結果；其中，比較例6至8係於薄膜沉積設備內壁表面進行如習知技術之噴砂處理；以及，比較例9至11係於薄膜沉積設備內壁表面進行如習知技術之鋁熔射處理。

表1 實施例1至4及比較例1至11的Ra、Sa、Sdr、Surf (%)

組別編號	Ra (μm)	Sa (μm)	Sdr	Surf (%)
實施例1	0.972	0.331	0.673	167.3%
實施例2	1.503	1.412	1.113	211.3%
實施例3	2.017	2.373	2.205	320.5%
實施例4	2.588	2.586	2.515	351.5%
實施例5	3.033	2.579	2.989	398.9%
實施例6	3.731	2.817	3.107	410.7%
實施例7	4.001	3.666	3.471	447.1%
實施例8	4.677	4.279	4.782	578.2%
實施例9	5.213	5.225	5.673	667.3%
比較例1	0.342	0.084	0.222	122.2%
比較例2	0.517	0.162	0.543	154.3%
比較例3	5.501	5.876	6.113	711.3%
比較例4	6.184	6.325	6.668	766.8%
比較例5	7.022	7.431	7.841	884.1%
比較例6	3.086	2.986	0.713	171.3%
比較例7	4.945	3.554	1.082	208.2%
比較例8	6.071	4.716	1.718	271.8%
比較例9	15.173	8.648	6.432	743.2%
比較例10	23.149	11.486	6.796	679.6%
比較例11	35.441	12.333	7.145	814.5%

測試例

分別將實施例1至4的防污膜及比較例1至5的防污膜分別點焊於薄層沉積設備的內壁及表面，並用於有機發光二極體中的電洞注入層製備過程，另將薄層沉積設備的內壁及表面進行粗糙化處理後的比較例6至11進行OLED的HIL製備，測試沉積到薄層沉積設備的內壁的沉積物的剝落時間，並以最長未發生剝落的時間界定出各實施例或比較例的上機時間，測試結果如表2所示。

表2 實施例1至9及比較例1至11用於OLED的HIL製備之沉積物的剝落時間

組別	上機時間(小時)	組別	上機時間(小時)
實施例1	87	比較例1	54
實施例2	111	比較例2	61
實施例3	145	比較例3	61
實施例4	136	比較例4	60
實施例5	148	比較例5	50
實施例6	133	比較例6	59
實施例7	126	比較例7	72
實施例8	127	比較例8	60
實施例9	107	比較例9	54
		比較例10	61
		比較例11	57

從表2結果可知，實施例1至9的上機時間均高於比較例1至11的上機時間，其中，實施例以實施例5的上機時間148小時為最高。比較例1至5、8至11因為Ra、Sa、Sdr、Surf (%)數值沒有同時落入本發明所界定之範圍，因此無法具有強力的沉積物抓附效果，最高上機時間頂多為61小時，比較例6、7雖有較接近實施例的上機時間(最高可達到如比較例7的72小時)，然比較例6、7係直接於薄膜沉積設備內壁進行噴砂處理所得的粗糙化表面，所述粗糙化表面產生的微結構粒徑尺寸分布廣且較不均勻，且微結構顆粒的平均粒徑較大，因此仍然無法具有足夠好的抓附效果。進一步將本發明之防污膜、習知技術之噴砂處理、習知技術之鋁熔射處理各選取一例於KEYENCE VK光學顯微鏡觀察下觀察，結果如圖1A、1B、1C所示，本發明實施例5之防污膜與比較例7、比較例10之表面微結構請分別見圖1A、1B、1C，可得出實施例5之表面微結構顆粒約之平均粒徑為10 μm至50 μm、比較例7之表面微結構顆粒約之平均粒徑為200 μm至300 μm，而比較例10之表面微結構顆粒之平均粒徑約為200 μm至400 μm，比較例7與比較例10之表面微結構顆粒之平均粒徑皆遠大於實施例5。此外，可看出比較例7與比較例10的表面微結構顆粒的大小與圖1A的實施例5相比顯得較不規則。

另外，比較例1至5雖亦為粗糙化的軟片材，然比較例1因為Sa、Surf (%)的值低於本發明界定之範圍內，而上機時間較短，比較例2因為Surf (%)的值低於本發明界定之範圍，而上機時間較短。比較例3防污膜雖然Sdr、Surf (%)的值高於本發明所界定之數值範圍、比較例4、5的防污膜之Ra、Sa、Sdr、Surf (%)的值雖均高於本發明所界定之數值範圍，卻仍無法達到87小時以上的上機時間，而僅有50至61小時的上機時間，遠低於實施例1至9之本發明防污膜的上機時間87至148小時。因此證明本發明的防污膜因同時具有特定數值範圍的Ra、Sa、Sdr、Surf (%)而有強大抓附力，能延長薄膜沉積製程中沉澱物自薄膜沉積設備的剝落時間，進一步使操作薄膜沉積設備進行薄膜沉積的上機時間增長。

噴砂處理的比較例6至8中，而比較例8雖然Ra高於本發明界定之範圍，上機時間仍低於本發明實施例之上機時間。比較例6、7雖然落在本發明所界定之Ra、Sa、Sdr、Surf (%)之數值範圍，然從圖1B得知，噴砂處理之表面微結構之顆粒較不規則、不均勻，其表面微結構顆粒的平均粒徑為200 μm至300 μm，遠大於實施例5之10 μm 至 50 μm，因此其抓附力相較於本發明防污膜之均勻分佈之較小顆粒狀之表面仍較弱。

鋁熔射處理的比較例9至10中，雖Ra、Sa、Sdr、Surf (%)之數值範圍均高於本發明所界定的範圍，然上機時間仍低於本發明實施例之上機時間。而比較例9至10中，最長上機時間僅為61小時。並可從圖1C得知鋁熔射處理之表面微結構之顆粒較不均勻，其表面微結構顆粒之平均粒徑為200 μm至400 μm，遠大於實施例5之10 μm 至50 μm，因此抓附力相較於本發明防污膜之均勻顆粒狀且顆粒較小之表面要來的弱。

另外，進一步將實施例1至9及比較例1至11用於OLED的HIL製備之沉積物的剝落時間測試結果，以上機時間最長的比較例7為基準(100%)，換算實施例1至4及比較例1至11的上機使用效率，並將計算結果紀錄如下表3。舉例而言，表2中的實施例1之上機時間為87小時，比較例7之上機時間為72小時，因此，實施例1之上機使用效率為87與72之比值，以百分比表示為120.8%。

表3 實施例1至9及比較例1至11用於OLED的HIL製備之上機使用效率

組別	上機使用效率(%)	組別	上機使用效率(%)
實施例1	120.8	比較例1	75.0
實施例2	154.2	比較例2	84.7
實施例3	201.4	比較例3	84.7
實施例4	188.9	比較例4	83.3
實施例5	205.6	比較例5	69.4
實施例6	184.7	比較例6	81.9
實施例7	175.0	比較例7	100.0
實施例8	176.4	比較例8	83.3
實施例9	148.6	比較例9	75.0
		比較例10	84.7
		比較例11	79.1

從表3結果可知，實施例1至9的上機使用效率均高於120%，介於120.8%至205.6%。也就是相較於比較例的最佳組別，實施例的上機使用效率至少均高出20%，而最佳的實施例5之上機使用效率更是比較例的最佳組別的200%以上。因此證實本發明的防污膜確實能延長上機時間、且大幅提高上使用效率。

綜上，本發明之防污膜因Ra、Sa、Sdr、Surf (%)之值具有特定範圍，因此可具有優於習知技術的噴砂處理或鋁熔射處理後所得的粗糙化表面，從而能延長薄膜沉積製程中沉澱物自薄膜沉積設備的剝落時間，進一步使操作薄膜沉積設備進行薄膜沉積的上機時間增長，有更佳的上機使用效率。此外，能避免所得的薄膜沉積產品於製程中受到污染、進而提高前述產品的品質及良率，並能保護並降低設備損耗。

以上所述僅是為方便說明本發明之較佳實施例，並非用於限定本發明之範圍，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為主。

根據本發明可作之不同修正及變化對於熟悉該項技術者而言均顯然不會偏離本發明的範圍與精神。雖然本發明已敘述特定的較佳具體事實，必須瞭解的是本發明不應被不當地限制於該等特定具體事實上。事實上，在實施本發明之已述模式方面，對於熟習該項技術者而言顯而易知之不同修正亦被涵蓋於下列申請專利範圍之內。

無

圖1A為實施例5之防污膜的表面微結構顯微放大圖； 圖1B為比較例7之表面微結構顯微放大圖； 圖1C為比較例10之表面微結構顯微放大圖。

無

Claims (10)

1. 一種防污膜，包含：一軟片材，其中，所述軟片材包含一金屬材料；所述軟片材的中心線算術平均粗糙度Ra為0.1微米至6微米、所述軟片材的面的算術平均高度Sa為0.1微米至6微米、所述軟片材的界面展開面積比Sdr為0.1至6、所述軟片材的相對於光滑面之比例Surf (%)為160%至700%。
2. 如請求項1所述之防污膜，其中，所述軟片材的中心線算術平均粗糙度Ra為0.9微米至5.3微米。
3. 如請求項1所述之防污膜，其中，所述軟片材的面的算術平均高度Sa為0.3微米至5.3微米。
4. 如請求項1所述之防污膜，其中，所述軟片材的界面展開面積比Sdr為0.6至5.7。
5. 如請求項1所述之防污膜，其中，所述軟片材的相對於光滑面之比例Surf (%)為167%至668%。
6. 如請求項1所述之防污膜，其中，所述軟片材的表面形成有複數微結構顆粒，且所述微結構顆粒的平均粒徑為5微米至100微米。
7. 一種防污膜的用途，其用於增長一薄膜沉積設備進行一薄膜沉積製程的上機時間，其中，所述防污膜係請求項1至6中任一項所述之防污膜。
8. 如請求項7所述之用途，其中，所述薄膜沉積製程為製備有機發光二極體的電洞注入層的製程。
9. 如請求項7所述之用途，其中，所述防污膜係附著於所述薄膜沉積設備的內壁表面上。
10. 如請求項9所述之用途，其中，所述防污膜係以點焊的方式附著於所述薄膜沉積設備的內壁表面上。

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