TW202315958A

TW202315958A - 零部件、等離子體裝置、形成耐腐蝕塗層的方法及其裝置

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Publication number: TW202315958A
Application number: TW111127082A
Authority: TW
Inventors: 段蛟; 郭盛; 楊桂林
Original assignee: 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司
Priority date: 2021-10-08
Filing date: 2022-07-19
Publication date: 2023-04-16
Also published as: CN113611589B; CN113611589A

Abstract

本發明公開了一種零部件、等離子體裝置、形成耐腐蝕塗層的方法及其裝置，所述耐腐蝕塗層包括：零部件本體，其包括待鍍面，所述待鍍面在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米；耐腐蝕塗層，位於所述待鍍面上，所述耐腐蝕塗層表面在任意水平距離為50微米範圍內局域高度偏差小於等於10微米，所述耐腐蝕塗層表面形貌緻密，無生長邊界。本發明所述耐腐蝕塗層耐等離子體腐蝕的能力較強，不易開裂，不易形成顆粒污染。

Description

零部件、等離子體裝置、形成耐腐蝕塗層的方法及其裝置

本發明涉及半導體領域，尤其涉及一種零部件、等離子體裝置、形成耐腐蝕塗層的方法及其裝置。

等離子體蝕刻製程在積體電路領域發揮了關鍵作用。最新的5nm半導體製程中等離子體蝕刻製程步驟數占總比已提升至17%以上。先進蝕刻製程工藝的功率和步驟的大幅提升，要求等離子體蝕刻腔室內產生更少的微顆粒污染，進一步保障蝕刻設備製程的良率。目前，在最先進的製程中，對顆粒污染的要求已經嚴苛要求在整個部件的生命週期內，所產生45nm以下的顆粒污染物小於10顆，並且貼地率（zero rate, 即45nm的顆粒0顆的概率）大於70%以上。

目前，等離子體蝕刻腔體內普遍採用含釔塗層塗覆在工件內壁上，以保護工件免受等離子體的腐蝕。由於塗層塗覆採用的製程差異，如噴塗法、氣凝膠法、濺射法、PVD法等，使得工件表面的粗糙度差異大，造成工件服役條件下的顆粒污染物性能差異也大不相同。在最新的先進製程中的應用法發現，工件表面粗糙度大會引起等離子體在塗層表面形成大量生長單元，每個生長單元中包括多個晶體結構，每個生長單元與相鄰生長單元交界處向下凹陷，在塗層表面相鄰生長單元交界的位置，等離子體濃度大於其它區域，所以會發生優先腐蝕，進一步地，沿著生長單元邊界向內滲透，可能將生長單元邊界的材料快速腐蝕而與周圍生長單元脫離，掉落形成大的顆粒污染物，造成污染，進一步使得含釔塗層塗覆的工件服役壽命遠小於預期而不得不進行更換或者翻新，大大增加運行成本。

然而，由於塗層和襯底本體的熱膨脹係數存在著巨大差異，在光滑襯底表面形成緻密塗層時，塗層容易發生開裂，甚至脫落。因而如何在光滑表面上形成緻密的耐腐蝕塗層，是進一步提升先進等離子體蝕刻性能的一個關鍵因素。

本發明解決的技術問題是提供了一種零部件、等離子體裝置、形成耐腐蝕塗層的方法及其裝置，以形成緻密的耐腐蝕塗層，所述耐腐蝕塗層不易開裂，能夠降低顆粒污染。

為解決上述技術問題，本發明提供一種零部件，包括：零部件本體，其包括待鍍面，所述待鍍面在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米或者平均粗糙度小於1微米；耐腐蝕塗層，位於所述待鍍面上，所述耐腐蝕塗層表面在任意水平距離為50微米範圍內局域高度偏差小於等於10微米，所述耐腐蝕塗層由物理氣相沉積製程製成，表面形貌緻密。其中所述耐腐蝕塗層最佳的需要由低熱應力塗覆方法形成在零部件表面，所述低熱應力塗覆方法包括：放置零部件在一個塗覆材料源裝置上方，使得材料源裝置中的塗覆材料分子向上運動到達零部件表面，零部件表面形成第一厚度的塗層後，移動所述零部件使得零部件與所述塗覆材料源裝置的距離增加，或者使得零部件於傾斜面向所述塗覆材料分子運動方向。

可選的，耐腐蝕塗層中沒有生長邊界，徹底防止在生長邊界中凹槽的產生。

可選的，所述耐腐蝕塗層表面具有多個生長單元，其中80%以上的生長單元的面積小於450平方微米。最佳的每個生長單元的頂部和邊界溝槽之間的高度差小於1μm。或者80%以上的生長單元邊界具有小於100微米的周長。

可選的，在耐腐蝕塗層表面任意50微米範圍內，通過掃描電子顯微鏡在放大至少1000倍條件下觀察其形貌，無封閉圖形。

可選的，所述零部件本體的材料包括：鋁、鋁合金、陶瓷、單晶矽、多晶矽、碳化矽、氮化矽和氧化矽中的一種。

可選的，所述耐腐蝕塗層的材料為稀土元素的氧化物、氟化物和氟氧化物中的至少一種。

可選的，所述耐腐蝕塗層的材料還包括：鋁元素或者矽元素。

可選的，所述耐腐蝕塗層的厚度為：1~1000微米。

可選的，所述耐腐蝕塗層的厚度為10微米~200微米。

可選的，所述耐腐蝕塗層為結晶結構和非晶結構中的至少一種。

相應的，本發明提供一種等離子體裝置，包括：反應腔，所述反應腔內用於形成等離子體環境；上述零部件，位於所述反應腔內，暴露於所述等離子體環境中。

可選的，當等離子體裝置為電感耦合等離子體裝置時，所述零部件包括：陶瓷板、內襯套、氣體噴嘴、氣體分配板、氣管法蘭、靜電吸盤組件、覆蓋環、聚焦環、絕緣環和襯底固持框中的至少一種。

可選的，當等離子體裝置為電容耦合等離子體裝置時，所述零部件包括：噴淋頭、上接地環、移動環、氣體分配板、氣體緩衝板、靜電吸盤組件、下接地環、覆蓋環、聚焦環、絕緣環和襯底固持框中的至少一種。

相應的，本發明還提供一種在零部件本體上形成耐腐蝕塗層的裝置，包括：反應腔；零部件本體，位於所述反應腔內，其包括待鍍面，所述待鍍面與所述靶材相對設置，所述待鍍面在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米或者平均粗糙度小於1微米；材料源裝置，用於在所述零部件本體的表面形成上述耐腐蝕塗層。

可選的，所述反應腔內用於進行的製程為：物理濺射、物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層氣相沉積、金屬有機化學氣相沉積和分子束外延法中的一種。

可選的，所述反應腔內用於進行的製程為物理氣相沉積製程時，所述材料源裝置包括：靶材，位於所述反應腔內；激發裝置，用於激發所述靶材形成氣相分子流，並在所述零部件本體的待鍍面沉積形成耐腐蝕塗層；驅動裝置，在形成所述耐腐蝕塗層的過程中，用於驅動所述零部件本體移動，形成所述耐腐蝕塗層。

可選的，所述驅動裝置為升降機構，用於改變所述零部件本體與靶材之間的距離。

可選的，所述驅動裝置為擺角機構，用於改變所述零部件本體的待鍍面法線與豎直方向之間的夾角。

相應的，本發明還提供一種在零部件本體的表面形成耐腐蝕塗層的方法，包括：提供上述的在零部件本體上形成耐腐蝕塗層的裝置；利用所述材料源裝置，在所述零部件本體的表面形成所述耐腐蝕塗層。

可選的，當所述材料源裝置包括靶材、激發裝置和驅動裝置時，利用所述激發裝置激發所述靶材內的分子，在所述零部件本體的待鍍面上形成初始耐腐蝕塗層，利用驅動裝置移動零部件本體，以降低形成的耐腐蝕塗層中殘餘熱應力，形成後續耐腐蝕塗層，所述初始耐腐蝕塗層和後續耐腐蝕塗層構成所述耐腐蝕塗層。

可選的，形成所述初始耐腐蝕塗層和後續耐腐蝕塗層過程中所述零部件本體與靶材之間的間距分別為第一距離和第二距離，且所述第一距離小於第二距離。

可選的，形成後續耐腐蝕塗層過程中第二距離小於所述反應腔內壓力所對應的平均分子自由程。

可選的，形成初始耐腐蝕塗層過程中靶材與待鍍面的中心連線垂直於待鍍面，且所述零部件本體的待鍍面法線與豎直方向之間為第一夾角；形成後續耐腐蝕塗層過程中靶材與待鍍面的中心連線偏離與待鍍面的垂直方向，且零部件本體的待鍍面法線與豎直方向之間為第二夾角，且所述第二夾角大於第一夾角。

可選的，所述第一夾角和第二夾角的範圍為：0°~60°。

可選的，所述初始耐腐蝕塗層的厚度小於10微米。

可選的，利用驅動裝置移動零部件本體的方式為階梯式改變，當耐腐蝕塗層達到一定厚度後利用驅動裝置移動一下零部件本體。

可選的，所述利用驅動裝置移動零部件本體的方式為漸變式改變，即隨著耐腐蝕塗層厚度的增加逐漸連續進行移動零部件本體的操作。

可選的，還包括：增強源，用於增加所述耐腐蝕塗層的緻密性；所述增強源包括：等離子體增強、離子束增強、射頻源增強、微波增強。

與現有技術相比，本發明實施例的技術方案具有以下有益效果：

本發明技術方案提供的在零部件上形成耐腐蝕塗層的方法中，所述零部件本體的待鍍面非常光滑，使得後續在零部件本體的待鍍面形成的耐腐蝕塗層的表面也非常光滑且無生長邊界，耐腐蝕塗層表面局域高度偏差小，使得在等離子體環境下，等離子體濃度在耐腐蝕塗層表面各處的均勻性好，有效避免因局域高度偏差過大引起的邊界優先腐蝕現象，因而耐腐蝕塗層表面受到的腐蝕速率一致，進而不會產生由於耐腐蝕塗層生長單元邊界被優先腐蝕而引起的顆粒污染，進一步延長零部件的服役壽命，降低生產成本。並且，所述耐腐蝕塗層的厚度較厚且不易發生開裂，因此，有利於提高所述耐腐蝕塗層對零部件本體的保護能力，延長所述零部件本體的使用壽命。

正如背景技術所述，現有的耐腐蝕塗層易形成顆粒污染，且易發生開裂脫落。為此，本發明致力於提供一種耐腐蝕塗層，所述耐腐蝕塗層的緻密性較好，不易開裂，耐腐蝕能力較強，不易形成顆粒污染，以下進行詳細說明：

圖1為本發明一種等離子體裝置的結構示意圖。

請參考圖1，等離子體裝置包括：等離子體處理腔100，等離子體處理腔100內為等離子體環境，半導體零部件和等離子體處理腔100內部腔壁暴露於等離子體環境中，所等離子體包括含F等離子體、含Cl等離子體、含H等離子體或含O等離子體中的至少一種。

等離子體裝置還包括：基座101，基座101的上方設有靜電夾盤103，所述靜電夾盤103內設有電極（圖中未標出），所述電極與直流電源DC電連接，用於產生靜電引力以固定待處理基片W，等離子體用於對待處理基片W進行處理。由於等離子體具有較強的腐蝕性，為了防止半導體零部件的表面被等離子體腐蝕，因此需要在零部件本體的表面塗覆耐腐蝕塗層。

在本實施例中，等離子體裝置為電容耦合等離子體反應裝置，相應的，暴露於等離子體環境中的零部件包括：噴淋頭102、上接地環104、移動環、氣體分配板105、氣體緩衝板、靜電吸盤組件103、下接地環106、覆蓋環107、聚焦環108、絕緣環和等離子體約束裝置109中的至少一種。

圖2為本發明另一種等離子體裝置的結構示意圖。

在本實施例中，等離子體反應裝置為電感耦合等離子體反應裝置，相應的，暴露於等離子體環境中的半導體零部件包括：陶瓷板、內襯套200、氣體噴嘴201、氣體分配板、氣管法蘭、靜電吸盤組件202、覆蓋環203、聚焦環204、絕緣環和等離子體約束裝置205中的至少一種。

在其它實施例中，所述等離子體體處理裝置還可以為等離子體清洗裝置。

隨著半導體高端製程（10nm以下）的不斷進步，等離子體蝕刻製程中使用的等離子體的環境更加複雜，對顆粒污染的要求也越來越高，這就要求製備出高緻密性的耐腐蝕塗層，所述耐腐蝕塗層不易發生開裂，有利於降低顆粒污染。

以下對高緻密性的耐腐蝕塗層的裝置進行詳細說明：

圖3是本發明一種零部件的結構示意圖。

請參考圖3，零部件300包括：零部件本體301，其包括待鍍面A，所述待鍍面A在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米；耐腐蝕塗層302，位於所述待鍍面上，所述耐腐蝕塗層302表面在任意水平距離為50微米範圍內局域高度偏差小於等於10微米，所述耐腐蝕塗層302表面形貌緻密，無生長邊界。

所述零部件本體301的材料包括：鋁、鋁合金、陶瓷、單晶矽、多晶矽、碳化矽、氮化矽和氧化矽中的至少一種。

所述零部件本體的材料光滑表面可以通過機械拋光、化學拋光和機械化學拋光方式中的一種或者多種方式獲得。例如：對於經過熔融過程形成的零部件本體301的材質為鋁、鋁合金、單晶矽時，零部件本體301中沒有孔洞或者氣泡，可以直接通過機械拋光、化學拋光和機械化學拋光方式中的一種或者多種方式獲得光滑表面。對於經過高溫燒結但沒有經過熔融過程形成的材質如陶瓷、多晶矽、碳化矽、氮化矽和氧化矽的零部件本體301時，由於燒結過程中晶粒收縮形成的孔洞結構，使得這些材質經過拋光後的孔洞結構暴露在表面，這些孔洞結構的高度偏差較大，甚至高達百微米級別，無法通過直接拋光的方式完全去除。因此，對於這些材質，需要通過一定的預處理製程才能得到符合本發明要求的表面特徵。所述預先處理製程，包括但不限於：添加燒結助劑，形成液相燒結，減小縮微孔；在零部件本體301的表面塗覆陶瓷釉；通過快速加熱方式熔融表面，消除孔洞結構等。通過預處理製程消除孔洞結構後，再通過機械拋光、化學拋光和/或機械化學拋光方式可以獲得本發明要求的具有光滑表面特徵的零部件本體。

所述零部件本體301包括待鍍面A，所述待鍍面A後續用於形成耐腐蝕塗層302，所述待鍍面A的粗糙度Ra小於1微米，且所述待鍍面A在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米，即：所述待鍍面A非常光滑。所述零部件本體301作為耐腐蝕塗層302的襯底材料，所述待鍍面A非常光滑，使得後續形成的耐腐蝕塗層302的表面也非常光滑，具體所述耐腐蝕塗層302表面的粗糙度小於1微米，且所述耐腐蝕塗層302表面在任意水平距離為50微米範圍內局域高度偏差小於等於10微米。

其中，所述待鍍面A的局域高度偏差與耐腐蝕塗層302的局域高度偏差類似，如圖4所示，圖中1代表的是零部件本體301的待鍍面A或耐腐蝕塗層302的表面，縱坐標高度代表零部件本體301或者耐腐蝕塗層302沿其厚度方向上的尺寸，橫坐標水平距離代表零部件本體301待鍍面A或者耐腐蝕塗層302表面沿水平方向上任意選擇的尺寸。將零部件本體301的待鍍面A或耐腐蝕塗層302的表面按照水平距離劃分為若干個局域，然後在不同的局域水平距離內找到各個局域高度偏差值LHVi（i=1,2,...,n），最後對這些局域高度偏差取最大值，即為LHV值。LHV值越大，說明局部高度偏差越大，零部件本體301的待鍍面A或耐腐蝕塗層302表面粗糙越大；LHV值越接近於0，說明局部高度偏差越小，零部件本體301的待鍍面A或耐腐蝕塗層302表面粗糙越小。

在本實施例中，所述零部件本體301的待鍍面A在水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米，說明在零部件本體301待鍍面A上任意選取水平距離為100微米的局域內，零部件本體301待鍍面A波峰或波谷的高度偏差值LHV均小於等於20微米，即：所述零部件本體301待鍍面A的非常光滑。同樣的，所述耐腐蝕塗層302的表面在水平距離為50微米範圍內局域高度偏差小於等於10微米，說明在耐腐蝕塗層302的表面任意選取水平距離為50微米的局域內，耐腐蝕塗層302表面的波峰或波谷的高度偏差值LHV均小於等於10微米，這樣能夠降低等離子體在耐腐蝕塗層302表面波峰和波谷處的選擇性腐蝕作用，進而使得耐腐蝕塗層302表面在服役條件下均勻腐蝕，降低顆粒污染物形成概率，提高工件服役壽命。

相應的，圖5顯示的為一種耐腐蝕塗層表面1’的局域高度偏差的示意圖，所述耐腐蝕塗層表面1’的粗糙度Ra雖然也是小於1微米，但是，粗糙度Ra只限定了表面波動情況的平均狀態，而對水平方向的尺寸並沒有限制，而使得局域高度偏差可能相對比較大，例如圖中局域LHV-A的高度偏差就較大，那麼在局域內等離子體對耐腐蝕塗層表面1’波峰和波谷處的腐蝕作用不同，其中波谷處更易被等離子體腐蝕，沿著生長單元邊界向內滲透，可能將生長單元腐蝕而與周圍生長單元脫離，掉落形成大的顆粒污染物，造成顆粒污染。

另外，所述耐腐蝕塗層302的表面較光滑，可通過圖6進一步驗證。圖6為所述耐腐蝕塗層302在放大倍數為5000倍的掃描電子顯微鏡照片。根據圖6所示，所述耐腐蝕塗層302表面形貌緻密，沒有觀察到明顯的封閉的圖形，說明塗層中沒有明顯的生長邊界。而現有技術的耐腐蝕塗層如圖7（放大倍數同樣為5000倍）所示，可以看出，圖7中有明顯的封閉的圖形C，說明耐腐蝕塗層中存在明顯的生長邊界。通過對比可以看出，即使對於同樣粗糙度（Ra＜1μm）要求的情況下，局域高度偏差要求不一樣，所得到的耐腐蝕塗層也具有不同的形貌特徵。

圖8為通過3D光學顯微鏡測量得到的本發明耐腐蝕塗層厚度與水平距離的關係圖。

請參考圖8，該圖通過光學顯微鏡測量得到，測量條件為，放大倍率為500倍，高度方向的測量解析度(間距)為0.05微米，水平測試面積為600微米乘以800微米。圖中的曲線為本發明耐腐蝕塗層的表面，橫坐標水平距離代表耐腐蝕塗層沿水平方向的尺寸，縱坐標耐腐蝕塗層沿厚度方向的尺寸，從圖8可以看出：通過計算得到，在測試範圍內，10μm的局部高度偏差LHV值為0.28μm，非常接近於0，說明耐腐蝕塗層表面非常平整。這樣，在等離子體環境下，等離子體濃度在耐腐蝕塗層表面各處的均勻性好，不會存在較大差異的濃度差異，因而耐腐蝕塗層表面受到的腐蝕速率一致，進而不會產生由於耐腐蝕塗層生長單元邊界被優先腐蝕而引起的顆粒污染，進一步延長工件的服役壽命，降低生產成本。其中，所述耐腐蝕塗層的高度數據也可以採用探針接觸方式測量高度信息得到。

除此之外，所述局域高度偏差還可以通過接觸式高度儀測量得到。

本發明所述耐腐蝕塗層的的材料為稀土元素的氧化物、氟化物和氟氧化物中的至少一種，也可以為至少一種稀土元素與鋁、矽元素等形成的複合氧化物、複合氟化物和複合氟氧化物的至少一種。所述耐腐蝕塗層為結晶結構和非晶結構中的至少一種。一般而言，對於氟含量、鋁含量或者矽含量比較高（原子百分比＞40%）的化合物，容易形成非晶結構；而對於稀土元素含量比較高（原子百分比＞50%）的化合物，容易形成結晶結構。

相應的，本發明還提供一種在零部件本體上形成耐腐蝕塗層的裝置，其包括：反應腔；零部件本體，位於所述反應腔內，其包括待鍍面，所述待鍍面在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米；材料源裝置，用於在所述零部件本體的表面形成所述耐腐蝕塗層。所述反應腔內進行的製程為：物理濺射、物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層氣相沉積、金屬有機化學氣相沉積和分子束外延法中的一種。其中通過物理氣相沉積能獲得最緻密的耐腐蝕塗層，使得耐腐蝕塗層中的孔隙率低於0.5%。以下圖9和圖10以所述反應腔內進行的製程為物理氣相沉積製程進行詳細說明，其中，圖9和圖10中的靶材、激發裝置和驅動裝置作為所述材料源裝置。

圖9是本發明一種形成耐腐蝕塗層的裝置示意圖。

請參考圖9，形成耐腐蝕塗層的裝置包括：反應腔400；靶材401，位於所述反應腔400內；零部件本體403，位於所述反應腔400內，其包括待鍍面，所述待鍍面與所述靶材401相對設置，所述待鍍面在水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米；激發裝置402，用於激發所述靶材401內的分子，在所述零部件本體403的待鍍面形成耐腐蝕塗層404；驅動裝置405，在形成所述耐腐蝕塗層404的過程中，用於驅動所述零部件本體403移動，形成上述耐腐蝕塗層404。

靶材401被激發裝置402激發，形成分子流，所述分子流與零部件本體403的待鍍面碰撞遷移並沉積形成耐腐蝕塗層404。在本實施例中，所述驅動裝置405為升降機構，利用升降機構增加零部件本體403待鍍面與靶材401之間的距離。在初始階段，在零部件本體的表面形成初始耐腐蝕塗層，此時，所述零部件本體403與靶材401之間為第一距離h ₁，之後，利用升降機構使零部件本體403與靶材401之間為第二距離h ₂，所述第二距離h ₂大於h ₁，以降低後續沉積耐腐蝕塗層404中的殘餘熱應力，降低後續耐腐蝕塗層開裂甚至脫落的風險，進一步保持耐腐蝕塗層404的光滑表面，得到具有光滑耐腐蝕塗層404塗覆的零部件。其中，所述初始耐腐蝕塗層和後續耐腐蝕塗層構成耐腐蝕塗層404。

需要說明的是，在耐腐蝕塗層404塗覆的過程（耐腐蝕塗層404厚度逐漸增加）中，通過驅動機構405逐漸增大零部件本體403與靶材401之間的距離，以降低後續耐腐蝕塗層的殘餘熱應力，這種增加距離的方式不限定於逐漸式增加（隨時間逐漸增加所述零部件本體與靶材之間的距離），或者階段式增加（隨時間達到一定厚度的耐腐蝕塗層404後手動調節所述零部件本體403與靶材401之間的距離），但應該使得形成後續耐腐蝕塗層過程中第二距離h ₂小於反應腔400壓力所對應的平均分子自由程，例如：當所述反應腔400內的壓力為10 ^-3Pa下，形成後續耐腐蝕塗層過程中第二距離h ₂應小於1米。

利用圖9所示裝置能夠形成厚度較厚不易開裂的耐腐蝕塗層404，具體的，所述耐腐蝕塗層404的厚度為：0微米~1000微米，所述耐腐蝕塗層404的厚度較厚，能夠抵禦等離子體腐蝕，對零部件本體403的保護能力較強，防止零部件本體403受到等離子體的腐蝕，有利於提高零部件本體的使用壽命。並且，所述耐腐蝕塗層404不易發生開裂，表面光滑，使所述耐腐蝕塗層404在等離子體環境下，等離子體濃度在耐腐蝕塗層404表面各處的均勻性好，不會存在較大差異的濃度差異，因而耐腐蝕塗層404表面受到的腐蝕速率一致，進而不會產生由於耐腐蝕塗層404生長單元邊界被優先腐蝕而引起的顆粒污染，進一步延長零部件的服役壽命，降低生產成本。

本發明技術方案製作的耐腐蝕塗層404厚度可為10微米~1000微米，在一些實施例中，耐腐蝕塗層的厚度可達500微米-1000微米，在另外一些實施例中，所述耐腐蝕塗層404的厚度為10微米~500微米。對於平面型的零部件本體，所述耐腐蝕塗層404塗敷的比較均勻，因此，所述耐腐蝕塗層404的厚度相對較薄就能達到比較好的耐腐蝕效果；但是，對於所述異型的零部件本體，所述異型的零部件本體是指包括非平面部位，所述非平面部位如：傾斜面和或溝槽等，所述異型的零部件本體除了非平面部位還包括平面部位，為了能在非平面部位形成的所述耐腐蝕塗層404滿足耐腐蝕的要求，所述平面部位形成的耐腐蝕塗層404就比較厚了，例如：在所述非平面部位形成的耐腐蝕塗層404的厚度為10微米，在所述平面部位形成的耐腐蝕塗層404的厚度為500微米。

圖10是本發明另一種形成耐腐蝕塗層的裝置示意圖。

請參考圖10，形成耐腐蝕塗層的裝置包括：反應腔500；靶材501，位於所述反應腔500內；零部件本體503，位於所述反應腔500內，其包括待鍍面，所述待鍍面與所述靶材501相對設置，所述待鍍面在水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米；激發裝置502，用於激發所述靶材501內的分子，在所述零部件本體503的待鍍面形成耐腐蝕塗層504；驅動裝置505，在形成所述耐腐蝕塗層504的過程中，用於驅動所述零部件本體503移動，形成上述耐腐蝕塗層504。

所述靶材501被激發裝置502激發形成分子流，所述分子流與零部件本體503的待鍍面碰撞遷移並沉積形成耐腐蝕塗層504，在耐腐蝕塗層504形成過程中隨著耐腐蝕塗層504厚度的增加通過驅動裝置505，在此所述驅動裝置505為擺角機構，所述擺角機構增大所述零部件本體503待鍍面法線與豎直方向之間的夾角，從而降低分子流與零部件本體待鍍面垂直入射沉積的角度，降低後續沉積耐腐蝕塗層504中的殘餘熱應力，降低後續耐腐蝕塗層504開裂甚至脫落的風險，進一步保持耐腐蝕塗層504的光滑表面，得到具有光滑耐腐蝕塗層504塗覆的零部件。

一般的，在初始耐腐蝕塗層504沉積時（見圖10左圖），調節所述零部件本體503待鍍面法線與豎直方向之間的夾角為θ1使得分子流垂直零部件本體503待鍍面入射，進行沉積形成初始的耐腐蝕塗層504；而在後續耐腐蝕塗層504塗覆時（見圖10右圖），調節擺角為θ2，θ2大於θ1，使得入射分子流偏離垂直零部件本體503待鍍面方向入射，進行沉積形成後續耐腐蝕塗層504。特別的，應當避免擺角過小，改變耐腐蝕塗層504的高緻密特性，例如待鍍面法相與豎直方向的夾角＞60°之後，形成的塗層結構比較疏鬆。入射分子流偏離垂直零部件本體503待鍍面方向入射時，分子流在零部件本體503表面的熱遷移程大，從而與表面交換的熱量大，使得自身沉積的耐腐蝕塗層504中殘餘熱應力減小，因而能夠降低後續耐腐蝕塗層504熱量累積變形量過大而開裂甚至脫落的風險，保持後續耐腐蝕塗層504表面光滑的特性。

需要注意的是，在耐腐蝕塗層504塗覆的過程（耐腐蝕塗層504厚度逐漸增加）中，通過擺角機構逐漸改變零部件本體503的偏轉方向，以降低後續耐腐蝕塗層504的殘餘熱應力，這種調節角度的方式不限定於逐漸式增加（隨時間逐漸增加零部件本體待鍍面與豎直方向之間的角度），或者階梯式增加（隨時間達到一定厚度的耐腐蝕塗層504後手動調節零部件本體的待鍍面與豎直方向之間的角度），但應該使零部件本體503的待鍍面法相與豎直方向的擺角度Ɵ小於60°，以保持耐腐蝕塗層504的緻密特性。

所述耐腐蝕塗層504的表面非常光滑，使得在等離子體環境下，等離子體濃度在耐腐蝕塗層504表面各處的均勻性好，不會存在較大差異的濃度差異，因而耐腐蝕塗層504表面受到的腐蝕速率一致，進而不會產生由於耐腐蝕塗層504生長單元邊界被優先腐蝕而引起的顆粒污染，進一步延長工件的服役壽命，降低生產成本。

本發明技術克服了現有技術的偏見，現有技術為了得到不易開裂且厚度較厚的耐腐蝕塗層，通常需要對零部件本體進行粗糙化處理，通過增加零部件本體表面的粗糙度增強耐腐蝕塗層與零部件本體的結合力，而本發明提出了一種新的評價表面光滑程度的機制，可以在局部高度偏差較小即光滑的零部件本體表面製作得到更加光滑的耐腐蝕塗層，進而降低耐腐蝕塗層404生長單元邊界被優先腐蝕而引起的顆粒污染概率。

相應的，本發明還提供一種利用上述裝置形成耐腐蝕塗層的方法，請參考圖11。

圖11是本發明形成耐腐蝕塗層的流程圖。

請參考圖11，步驟S1：提供上述的在零部件本體上形成耐腐蝕塗層的裝置；步驟S2：利用所述激發裝置激發所述靶材內的原子，在所述零部件本體的待鍍面上形成耐腐蝕塗層，在形成耐腐蝕塗層的過程中，利用驅動裝置移動零部件本體，以降低後續形成的耐腐蝕塗層中殘餘熱應力，形成所述耐腐蝕塗層。

所述耐腐蝕塗層通過氣相法塗覆得到，包括：物理濺射、物理氣相沉積、化學氣相沉積、原子層氣相沉積、金屬有機化學氣相沉積、分子束外延法等中至少一種。

所述耐腐蝕塗層的製備方法中可以引入增強源以增加塗層緻密特性，增強源包括：等離子體增強、離子束增強、射頻源增強、微波增強等。

所述零部件本體的待鍍面在水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米，即：所述零部件本體的待鍍面非常光滑，在光滑的待鍍面上塗覆耐腐蝕塗層，所述耐腐蝕塗層表面生長連續，無生長單元生長邊界的理論包括：通過氣相法生長耐腐蝕塗層的過程中，靶材被激發裝置激發形成的氣源分子基團具有一定的動能（＜0.5eV），當氣源分子到達零部件本體的待鍍面時，與零部件本體分子發生碰撞，能量降低，此能量可以為氣源分子在零部件本體待鍍面遷移提供一定的能量，當與其他到達零部件本體待鍍面的分子發生碰撞後，動能全部損失，進而在零部件本體的待鍍面沉積。當零部件本體的待鍍面粗糙度（局域高度偏差）比較大時，氣源分子需要遷移的距離較大，因而不容易發生碰撞，進而各自孤島生長，各個孤島向上生長形成多個互相緊貼的生長單元，相鄰生長單元之間形成大量的生長邊界；而當零部件本體的待鍍面粗糙度（局域高度偏差）比較小時，氣源分子需要遷移的距離較小，因而容易與氣體氣源分子發生碰撞，生長邊界進而發生合併，形成具有較小甚至消失的生長邊界特徵的耐腐蝕塗層。經過發明人驗證，採用本發明提出的鍍膜製程，耐腐蝕層厚度大於1μm時，大量生長邊界發生合併，最終使得生長邊界基本消失，整個耐腐蝕塗層只具有一個生長單元。

所述耐腐蝕塗層的表面非常光滑且無生長邊界，使得在等離子體環境下，等離子體濃度在耐腐蝕塗層表面各處的均勻性好，不會存在較大差異的濃度差異，因而耐腐蝕塗層表面受到的腐蝕速率一致，進而不會產生由於耐腐蝕塗層生長單元邊界被優先腐蝕而引起的顆粒污染，進一步延長工件的服役壽命，降低生產成本。

本發明揭露了滿足零部件表面達到100μm內高度偏差限值內（＜20μm）的光滑度時，可以實現耐腐蝕塗層表面無生長邊界的實施例，本發明也可以適用於零部件本體表面只滿足平均粗糙度＜1μm而未達到100μm內高度偏差限值內（＜20μm）的零部件塗覆製程。由於本發明在生長耐腐蝕塗層時提出了上述具有低熱應力的塗覆製程，所以即使Ra＜1μm也能在多次溫度變化循環中避免耐腐蝕塗層從零部件本體表面脫落。其中本發明揭露的低熱應力塗覆方法由圖9-11及對應的描述文字詳細描述。

如圖12a所示為現有技術（Ra＞5μm）執行耐腐蝕塗層塗覆製程後形成的塗層示意圖，圖12b為本發明另一實施例在低平均粗糙度（Ra＜1μm）的零部件表面上執行本發明的低熱應力塗覆方法後獲得的耐腐蝕塗層的示意圖，圖12a和12b的示意圖僅示出了在一個檢測區域（640μm x 510μm）範圍內的掃描電鏡圖，從圖中可以看到圖12a中包括大量大面積的生長單元，每個生長單元外周交界處包括生長單元邊界。圖12b中能看到生長單元數量遠大於圖12a中的生長單元數，但是每個生長單元的面積和每個單元的平均周長卻遠小於圖12a中。

下表1所示為圖12a所示的現有技術和圖12b所示的本發明採用低熱應力製程形成的耐腐蝕塗層表面生長單元的個數、面積、周長的統計數據。上述生長單元的面積和周長是通過圖像法識別的，圖像的獲得可以通過SEM方法，光學方法，超音波方法，以及其他可以獲得具有生長單元邊界圖像的方法。下表1中顯示出採用本發明的光滑基底生長耐腐蝕層後，形成較佳的耐腐蝕塗層，其中耐腐蝕層表面80%以上的生長單元面積小於120μm ²。採用本發明塗覆方法，對基底光滑度進行調整或者耐腐蝕層生長製程進行修改後也可以獲得的80%生長單元面積小於450μm ²的耐腐蝕層，雖然生長單元面積大於最佳實施例的120μm ²，但是也遠好於現有技術中形成的具有幾千平方微米的耐腐蝕塗層，能夠大幅改善材料層的耐腐蝕性能，也屬於本發明實施例。同樣的，本發明最佳的每個生長單元的周長也就是生長單元邊界的長度需要低於75μm，但是經測試發現只要生長單元周長小於100μm就能有效改善耐腐蝕塗層的耐腐蝕性能，屬於本發明需要保護的實施例。

表1

	個數	生長單元面積/μm ²	生長單元周長/μm
平均	最小	最大	80%	平均	最小	最大	80%
現有技術Ra~5	200	1656	51	8517	＜2500	169	27	474	＜260
本發明 Ra＜1	1014	296	22	1456	＜120	69	18	163	＜75

圖13a為圖12a所示的現有技術中耐腐蝕層表面形貌示意圖，其中每個大面積的生長單元頂部A1和不同生長單元邊界B1處的凹槽之間存在很大的高度差D1，其中D1往往大於5μm，等離子體極易在生長單元邊界處的空間內產生，並且使得邊界處的等離子濃度高於生長單元其餘部分，最終導致不均勻腐蝕和顆粒脫落。圖13b為圖12b所述的本發明實施例中形成的耐腐蝕層表面形貌示意圖，其中每個小面積的生長單元頂部A2和生長單元邊界B2之間的高度差D2小於1μm，在這樣小的凹槽中不易形成等離子體，所以即使生長單元數量和生長單元邊界總長度大於現有技術，仍然能明顯降低耐腐蝕塗層的腐蝕速度，減少等離子反應腔內的顆粒物產生。

本發明通過低熱應力的塗覆製程解決了光滑的零部件表面易導致耐腐蝕材料層脫落問題，同時也與現有技術中增加生長單元尺寸以減少生長單元邊界長度的思路截然不同，通過形成大量小尺寸生長單元並降低生長單元邊界槽深度（D2）的方法實現了材料更耐腐蝕的技術目標。在具有平均粗糙度小於1μm的零部件表面塗覆形成的耐腐蝕層上表面的粗糙度也能符合前述實施例中描述的在任意水平距離為50微米範圍內局域高度偏差小於等於10微米的光滑度要求。

雖然本發明披露如上，但本發明並非限定於此。任何本案所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，均可作各種更動與修改，因此本發明的保護範圍應當以申請專利範圍所限定的範圍為準。

1:表面 1’:耐腐蝕塗層表面 100:等離子體處理腔 101:基座 102:噴淋頭 103:靜電夾盤 104:上接地環 105:氣體分配板 106:下接地環 107:覆蓋環 108:聚焦環 109:等離子體約束裝置 200:內襯套 201:氣體噴嘴 202:靜電吸盤組件 203:覆蓋環 204:聚焦環 205:等離子體約束裝置 300:零部件 301:零部件本體 302:耐腐蝕塗層 400:反應腔 401:靶材 402:激發裝置 403:零部件本體 404:耐腐蝕塗層 405:驅動裝置 500:反應腔 501:靶材 502:激發裝置 503:零部件本體 504:耐腐蝕塗層 505:驅動裝置 h ₁:第一距離 h ₂:第二距離 A:待鍍面 C:封閉的圖形 S1~S2:步驟 W:待處理基片

圖1為本發明一種等離子體裝置的結構示意圖；圖2為本發明另一種等離子體裝置的結構示意圖；圖3是本發明一種零部件的結構示意圖；圖4是本發明一種局域高度偏差計算方法的示意圖；圖5是粗糙度小於1微米時局域高度偏差的示意圖；圖6是本發明耐腐蝕塗層的掃描電鏡圖；圖7是現有技術耐腐蝕塗層的掃描電鏡圖；圖8為本發明耐腐蝕塗層厚度與水平距離的關係示意圖；圖9是本發明一種形成耐腐蝕塗層的裝置示意圖；圖10是本發明另一種形成耐腐蝕塗層的裝置示意圖；圖11是本發明形成耐腐蝕塗層的流程圖；圖12a、12b是現有技術與本發明另一實施例形成的耐腐蝕層表面的掃描電鏡圖；圖13a、13b是圖12a、12b所示的耐腐蝕層表面形貌示意圖。

Claims

一種耐等離子腐蝕的零部件，其中，包括：一零部件本體，其包括一待鍍面，該待鍍面在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米或者平均粗糙度小於1微米；一耐腐蝕塗層，位於該待鍍面上，該耐腐蝕塗層表面在任意水平距離為50微米範圍內局域高度偏差小於等於10微米，該耐腐蝕塗層由物理氣相沉積製程製成，表面形貌緻密。
如請求項1所述的零部件，其中，該耐腐蝕塗層無生長邊界。
如請求項1所述的零部件，其中，該耐腐蝕塗層表面具有多個生長單元，其中80%以上的該生長單元的面積小於450平方微米。
如請求項3所述的零部件，其中，該多個生長單元中，每個該生長單元的頂部和邊界溝槽之間的高度差小於1μm。
如請求項1所述的零部件，其中，該耐腐蝕塗層表面在任意水平距離為50微米範圍內，通過掃描電子顯微鏡在放大至少1000倍條件下觀察其形貌，無封閉圖形。
如請求項1所述的零部件，其中，該零部件本體的材料包括：鋁、鋁合金、陶瓷、單晶矽、多晶矽、碳化矽、氮化矽和氧化矽中的至少一種。
如請求項1所述的零部件，其中，該耐腐蝕塗層的材料為稀土元素的氧化物、氟化物和氟氧化物中的至少一種。
如請求項7所述的零部件，其中，該耐腐蝕塗層的材料還包括：鋁元素或者矽元素。
如請求項1所述的零部件，其中，該耐腐蝕塗層的厚度為：1微米~1000微米。
如請求項9所述的零部件，其中，該耐腐蝕塗層的厚度為10微米~500微米。
如請求項3所述的零部件，其中，該多個生長單元中，80%以上的該生長單元的邊界具有小於100微米的周長。
如請求項1所述的零部件，其中，該耐腐蝕塗層由一低熱應力塗覆方法形成在該零部件的表面，該低熱應力塗覆方法包括：放置該零部件在一個塗覆材料源裝置上方，使得材料源裝置中的塗覆材料分子向上運動到達該零部件的表面，該零部件的表面形成一第一厚度的塗層後，移動該零部件使得該零部件與該塗覆材料源裝置的距離增加，或者使得該零部件鍍面傾斜於該塗覆材料分子運動方向。
一種等離子體裝置，其中，包括：一等離子體處理腔，該等離子體處理內用於形成一等離子體環境；如請求項1至請求項11任一項所述之一零部件，位於該等離子體處理腔內，暴露於該等離子體環境中。
如請求項13所述的等離子體裝置，其中，當該等離子體裝置為一電感耦合等離子體裝置時，該零部件包括：陶瓷板、內襯套、氣體噴嘴、氣體分配板、氣管法蘭、靜電吸盤組件、覆蓋環、聚焦環、絕緣環、襯底固持框和等離子體約束環中的至少一種。
如請求項13所述的等離子體裝置，其中，當該等離子體裝置為一電容耦合等離子體裝置時，該零部件包括：噴淋頭、上接地環、移動環、氣體分配板、氣體緩衝板、靜電吸盤組件、下接地環、覆蓋環、聚焦環、絕緣環、襯底固持框和等離子體約束環中的至少一種。
一種在零部件本體上形成耐腐蝕塗層的裝置，其中，包括：一反應腔；一零部件本體，位於該反應腔內，其包括一待鍍面，該待鍍面與一靶材的相對設置，該待鍍面在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米或者平均粗糙度小於1微米；一材料源裝置，用於在該零部件本體的表面形成如請求項1至請求項11任一項所述的一耐腐蝕塗層。
如請求項16所述的在零部件本體上形成耐腐蝕塗層的裝置，其中，該反應腔內用於進行的製程為物理氣相沉積製程時，該材料源裝置包括：該靶材，位於該反應腔內；一激發裝置，用於激發該靶材形成氣相分子流，並在該零部件本體的該待鍍面沉積形成該耐腐蝕塗層；一驅動裝置，在形成該耐腐蝕塗層的過程中，用於驅動該零部件本體移動，形成該耐腐蝕塗層。
如請求項17所述的在零部件上形成耐腐蝕塗層的裝置，其中，該驅動裝置為一升降機構，用於改變該零部件本體與該靶材之間的距離。
如請求項17所述的在零部件上形成耐腐蝕塗層的裝置，其中，該驅動裝置為一擺角機構，用於改變該零部件本體的該待鍍面法線與豎直面之間的夾角。
一種在零部件本體的表面形成耐腐蝕塗層的方法，其中，包括：提供一如請求項16至請求項19任一項所述的在零部件本體上形成耐腐蝕塗層的裝置；將一零部件本體置於一反應腔內，該零部件本體包括一待鍍面，該待鍍面在任意水平距離為100微米範圍內局域高度偏差小於等於20微米或者平均粗糙度小於1微米；利用一材料源裝置，在該零部件本體的表面形成一耐腐蝕塗層。
如請求項20所述的零部件本體上形成耐腐蝕塗層的方法，其中，當該材料源裝置包括一靶材、一激發裝置和一驅動裝置時，該耐腐蝕塗層的形成方法包括：利用該激發裝置激發該靶材內的分子，在該零部件本體的該待鍍面上形成一初始耐腐蝕塗層，利用該驅動裝置移動該零部件本體，以降低形成的該初始耐腐蝕塗層中殘餘熱應力，形成一後續耐腐蝕塗層，該初始耐腐蝕塗層和該後續耐腐蝕塗層構成該耐腐蝕塗層。
如請求項21所述的零部件上耐腐蝕塗層的形成方法，其中，形成該初始耐腐蝕塗層和該後續耐腐蝕塗層過程中該零部件本體與該靶材之間的間距分別為一第一距離和一第二距離，且該第一距離小於該第二距離。
如請求項22所述的零部件上耐腐蝕塗層的形成方法，其中，形成該後續耐腐蝕塗層過程中該第二距離小於該反應腔內壓力所對應的平均分子自由程。
如請求項21所述的零部件上耐腐蝕塗層的形成方法，其中，該耐腐蝕塗層的形成方法包括：形成該初始耐腐蝕塗層過程中該靶材與該待鍍面的中心連線垂直於該待鍍面，且該零部件本體的該待鍍面法線與豎直方向之間為一第一夾角；形成該後續耐腐蝕塗層過程中該靶材與該待鍍面的中心連線偏離與該待鍍面的法線方向，且該零部件本體的該待鍍面法線與豎直方向之間為一第二夾角，該第二夾角大於該第一夾角。
如請求項24所述的零部件上耐腐蝕塗層的形成方法，其中，該第一夾角和該第二夾角的範圍為：0°~60°。
如請求項21所述的零部件上耐腐蝕塗層的形成方法，其中，該初始耐腐蝕塗層的厚度小於10微米。
如請求項21所述的零部件上耐腐蝕塗層的形成方法，其中，還包括：一增強源，用於增加該耐腐蝕塗層的緻密性；該增強源包括：等離子體增強、離子束增強、射頻源增強、微波增強中的至少一種。