JPH0454972B2 - - Google Patents
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- JPH0454972B2 JPH0454972B2 JP57138038A JP13803882A JPH0454972B2 JP H0454972 B2 JPH0454972 B2 JP H0454972B2 JP 57138038 A JP57138038 A JP 57138038A JP 13803882 A JP13803882 A JP 13803882A JP H0454972 B2 JPH0454972 B2 JP H0454972B2
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- electrostatic chuck
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は静電チヤツク用薄膜に関する。
従来、真空容器の中では物の搬送や、物と物を
密着させることがむずかしく、機械的なチヤツク
方法によらざるを得なかつた。一方最近の技術と
して第1図に示すような反応性イオンエツチング
(RIE)と呼ばれる方法がある。これは真空容器
1においてCF4のような反応性ガスが導入口2よ
り導入され、容器内の圧力が10-1〜10-2Torrに
なるように、3から排気され且つ容器からテフロ
ン4等で絶縁された陰極5に13.65MHzなどの高
周波6が印加されるとガスプラズマ7が生じ、該
陰極5は負電位にバイアスされ、プラズマ中の正
イオンが陰極上へ加速され、その衝撃により陰極
上のウエハ8をエツチングする。しかしこの方法
ではイオン衝撃によりウエハ上のレジストが熱損
傷を受け、高精度のエツチングが不可となること
が頻繁に起り、そこで充分に水9などで冷却され
た陰極とウエハの密着が要求される。この密着に
対し、陰極とウエハとの間を静電的に付着させる
ことが提案されている。その原理はSiウエハを電
極とみなし、それをポリイミドなどの有機膜や、
Al2O3やSiO2などの無機膜からなる誘電体を介し
て、該電極5との間に数百〜数Kボルトの電圧を
印加すると、両者の間の静電力による引力で、例
えばウエハが電極5に圧着されることになる。上
述ではSiウエハに直接高圧を印加しなければなら
ないが、第2図に示す構造ではウエハ10は浮い
た状態になつている。すなわち、高周波電力11
と結合した陰極12の上に有機や無機の絶縁体1
3でカバーし、その上に第3図のaやbのような
形状の金属電極14を金属マスクを介して蒸着な
どの方法で堆積し、その上に有機、無機の絶縁体
15でカバーする。そしてrf電極12に設けた穴
16の中のテフロン17を通して電極14からリ
ード線18が引き出されC19とR20を介し
て、DC電圧21が引吸される。しかし本構造の
静電チヤツクではウエハ10と絶縁物15へのイ
オン衝撃22で、長時間の使用を経ると15がエ
ツチングされて電極14が露出し、静電チヤツク
の機能を果さなくなる。そして本構造のチヤツク
機構を再度作製するのに、上記の手順を経ると多
くの労力を必要とする。また作製が終了しても、
もし、絶縁物15や13にピンホールなどがある
と、プラズマ中の電子やイオンのため、高圧が印
加された電極14とウエハ10やrf電極12と短
絡してしまい、静電破壊を生じる。
密着させることがむずかしく、機械的なチヤツク
方法によらざるを得なかつた。一方最近の技術と
して第1図に示すような反応性イオンエツチング
(RIE)と呼ばれる方法がある。これは真空容器
1においてCF4のような反応性ガスが導入口2よ
り導入され、容器内の圧力が10-1〜10-2Torrに
なるように、3から排気され且つ容器からテフロ
ン4等で絶縁された陰極5に13.65MHzなどの高
周波6が印加されるとガスプラズマ7が生じ、該
陰極5は負電位にバイアスされ、プラズマ中の正
イオンが陰極上へ加速され、その衝撃により陰極
上のウエハ8をエツチングする。しかしこの方法
ではイオン衝撃によりウエハ上のレジストが熱損
傷を受け、高精度のエツチングが不可となること
が頻繁に起り、そこで充分に水9などで冷却され
た陰極とウエハの密着が要求される。この密着に
対し、陰極とウエハとの間を静電的に付着させる
ことが提案されている。その原理はSiウエハを電
極とみなし、それをポリイミドなどの有機膜や、
Al2O3やSiO2などの無機膜からなる誘電体を介し
て、該電極5との間に数百〜数Kボルトの電圧を
印加すると、両者の間の静電力による引力で、例
えばウエハが電極5に圧着されることになる。上
述ではSiウエハに直接高圧を印加しなければなら
ないが、第2図に示す構造ではウエハ10は浮い
た状態になつている。すなわち、高周波電力11
と結合した陰極12の上に有機や無機の絶縁体1
3でカバーし、その上に第3図のaやbのような
形状の金属電極14を金属マスクを介して蒸着な
どの方法で堆積し、その上に有機、無機の絶縁体
15でカバーする。そしてrf電極12に設けた穴
16の中のテフロン17を通して電極14からリ
ード線18が引き出されC19とR20を介し
て、DC電圧21が引吸される。しかし本構造の
静電チヤツクではウエハ10と絶縁物15へのイ
オン衝撃22で、長時間の使用を経ると15がエ
ツチングされて電極14が露出し、静電チヤツク
の機能を果さなくなる。そして本構造のチヤツク
機構を再度作製するのに、上記の手順を経ると多
くの労力を必要とする。また作製が終了しても、
もし、絶縁物15や13にピンホールなどがある
と、プラズマ中の電子やイオンのため、高圧が印
加された電極14とウエハ10やrf電極12と短
絡してしまい、静電破壊を生じる。
本発明は上述した従来の静電チヤツクの構造を
改良したもので、極めて簡便な構造を有し、至る
所に付着可能な静電チヤツク用フイルムの構造を
提供することにある。
改良したもので、極めて簡便な構造を有し、至る
所に付着可能な静電チヤツク用フイルムの構造を
提供することにある。
本発明は静電チヤツク用電極を2枚の有機フイ
ルムでサンドウイツチ的にはさみ接着しておき、
このフイルムの他面には接着剤を塗布して、作製
される構造を特徴とする静電チヤツク用フイルム
である。
ルムでサンドウイツチ的にはさみ接着しておき、
このフイルムの他面には接着剤を塗布して、作製
される構造を特徴とする静電チヤツク用フイルム
である。
本発明によれば上述のRIE装置の陰極上に付着
して利用する場合でも静電チヤツク用フイルムの
前面がエツチングされて、機能の低下が予想され
ると、簡単に取りはずし、他の静電チヤツク用フ
イルムをはりつけて、また新たに静電チヤツク機
能を設けることが非常に早く達成される。
して利用する場合でも静電チヤツク用フイルムの
前面がエツチングされて、機能の低下が予想され
ると、簡単に取りはずし、他の静電チヤツク用フ
イルムをはりつけて、また新たに静電チヤツク機
能を設けることが非常に早く達成される。
第4図は本発明薄膜の一製造方法を示す断面図
である。すなわち、裏面に接着剤を有する絶縁有
機フイルム31の接着面32が滑めらかで平坦な
表面を有する板33に付着される(a)。この場合の
有機フイルムとしてポリエステルフイルムよりは
耐熱性の点で優れているポリイミドフイルムが良
材料である。板33を真空容器の中にいれ金属マ
スク34を介して例えばクロム蒸着後に金35を
連続的に蒸着する(b)。この構造では金が半田付け
でき、またクロムが始めに絶縁膜に付着されるこ
とにより金との機械はがれが少なくなる。これは
良く知られた効果である。bの効果cに示すよう
な構造が得られる。最終的に、クロム−金膜を2
枚の絶縁膜でサンドイツチ状にはさんだ構造の静
電チヤツク膜を当該のフラツトな面を有する板3
3から剥離して、dのような構造を得る。
である。すなわち、裏面に接着剤を有する絶縁有
機フイルム31の接着面32が滑めらかで平坦な
表面を有する板33に付着される(a)。この場合の
有機フイルムとしてポリエステルフイルムよりは
耐熱性の点で優れているポリイミドフイルムが良
材料である。板33を真空容器の中にいれ金属マ
スク34を介して例えばクロム蒸着後に金35を
連続的に蒸着する(b)。この構造では金が半田付け
でき、またクロムが始めに絶縁膜に付着されるこ
とにより金との機械はがれが少なくなる。これは
良く知られた効果である。bの効果cに示すよう
な構造が得られる。最終的に、クロム−金膜を2
枚の絶縁膜でサンドイツチ状にはさんだ構造の静
電チヤツク膜を当該のフラツトな面を有する板3
3から剥離して、dのような構造を得る。
第4図の場合でも満足なものが得られるが、ク
ロム−金膜と絶縁膜の接着強度を更に増すために
は蒸着中にフイルムを150℃前後に加熱して行う
とよい。第5図はその上程を示すものである。絶
縁フイルム51と金属マスク52とを合せて押え
付ける治具53を真空容器の中に入れる(a)。ここ
で54は治具53とフイルム51とマスク52と
を押えるネジを表わす。この状態で、裏面から例
えばWヒータ55や赤外ランプで絶縁膜51を加
熱する。そして例えばクロム−金56を蒸着す
る。この膜厚は1μm程度で充分である。bでは
aで得た絶縁膜51上に蒸着した金属膜56の上
に絶縁膜57を接着する。57の絶縁膜は51と
同種のものでよい。最終的にcでbの状態のフイ
ルムの下面に接着剤を塗布して、静電チヤツクフ
イルムが完成する。
ロム−金膜と絶縁膜の接着強度を更に増すために
は蒸着中にフイルムを150℃前後に加熱して行う
とよい。第5図はその上程を示すものである。絶
縁フイルム51と金属マスク52とを合せて押え
付ける治具53を真空容器の中に入れる(a)。ここ
で54は治具53とフイルム51とマスク52と
を押えるネジを表わす。この状態で、裏面から例
えばWヒータ55や赤外ランプで絶縁膜51を加
熱する。そして例えばクロム−金56を蒸着す
る。この膜厚は1μm程度で充分である。bでは
aで得た絶縁膜51上に蒸着した金属膜56の上
に絶縁膜57を接着する。57の絶縁膜は51と
同種のものでよい。最終的にcでbの状態のフイ
ルムの下面に接着剤を塗布して、静電チヤツクフ
イルムが完成する。
真空中の物体と物体を密着させる方法は今の所
機械的方法か、電気的な静電チヤツクに負う他な
い。そこで真空中内の物体の搬送に静電チヤツク
を用いると極めて装置構成が容易になる。第6図
は本発明の簡便な静電チヤツクフイルムをSiウエ
ハの搬送に用いた例である。すなわち、排気系6
1を備えた真空容器62の中にゲートバルブ63
を通してカセツト6に納つたウエハ65をローダ
66で挿入し、レシーバ67で受ける。レシーバ
69には本発明の静電チヤツクフイルムが接着さ
れこの高圧源は回転部分68から導入される。こ
のようにチヤツクされたウエハは180°回転して図
示する位置に来る。ここで例えば電子ビーム69
によりハース70内のAl71等をウエハに蒸着
する。ウエハのアンロードはこの逆のプロセスを
たどる。このように真空内の搬送には非常に便利
に用いることができる。
機械的方法か、電気的な静電チヤツクに負う他な
い。そこで真空中内の物体の搬送に静電チヤツク
を用いると極めて装置構成が容易になる。第6図
は本発明の簡便な静電チヤツクフイルムをSiウエ
ハの搬送に用いた例である。すなわち、排気系6
1を備えた真空容器62の中にゲートバルブ63
を通してカセツト6に納つたウエハ65をローダ
66で挿入し、レシーバ67で受ける。レシーバ
69には本発明の静電チヤツクフイルムが接着さ
れこの高圧源は回転部分68から導入される。こ
のようにチヤツクされたウエハは180°回転して図
示する位置に来る。ここで例えば電子ビーム69
によりハース70内のAl71等をウエハに蒸着
する。ウエハのアンロードはこの逆のプロセスを
たどる。このように真空内の搬送には非常に便利
に用いることができる。
第1図は反応性イオンエツチング(RIE)装置
の概略図、第2図はRIE装置の陰極(rf電極)上
への静電チヤツク構造を示す図、第3図a,bは
静電チヤツクの電極構造の種類を示す図、第4
図、第5図は本発明の静電チヤツクの製造工程を
示し金属蒸着の際第4図は無加熱の場合、第5図
は加熱する場合を示す図、第6図は本発明の静電
チヤツクを真空内のウエハ搬送に応用した例を示
す図。 1,62……真空容器、2……ガス導入口、
3,61……排気口、4,17……テフロン、
5,12……rf電極、6,11……rf電源、7…
…プラズマ、8,10,65……ウエハ、9……
水冷パイプ、13,15,31,51,57……
絶縁体、14,35,56……金属電極、16…
…貫通穴、18……導線、19……容量、20…
…コイル、21……DC電源、34,52……メ
タルマスク、53……治具、54……ネジ、55
……ヒータ源、63……ゲートバルブ、64……
カセツト、66……ローダー、67……レシー
バ、68……回転導入、69……電子ビーム源、
70……ハース、71……メタル。
の概略図、第2図はRIE装置の陰極(rf電極)上
への静電チヤツク構造を示す図、第3図a,bは
静電チヤツクの電極構造の種類を示す図、第4
図、第5図は本発明の静電チヤツクの製造工程を
示し金属蒸着の際第4図は無加熱の場合、第5図
は加熱する場合を示す図、第6図は本発明の静電
チヤツクを真空内のウエハ搬送に応用した例を示
す図。 1,62……真空容器、2……ガス導入口、
3,61……排気口、4,17……テフロン、
5,12……rf電極、6,11……rf電源、7…
…プラズマ、8,10,65……ウエハ、9……
水冷パイプ、13,15,31,51,57……
絶縁体、14,35,56……金属電極、16…
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…コイル、21……DC電源、34,52……メ
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カセツト、66……ローダー、67……レシー
バ、68……回転導入、69……電子ビーム源、
70……ハース、71……メタル。
Claims (1)
- 1 絶縁有機薄膜の一方の面に1個の金属電極が
付着され、該金属電極とそれ以外の露出したフイ
ルム面に、同種または異種の絶縁薄膜が接着剤を
介して接着され、他方の面に接着剤が付着される
ことを特徴とする静電チヤツク用薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13803882A JPS5928354A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 静電チヤツク用薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13803882A JPS5928354A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 静電チヤツク用薄膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5928354A JPS5928354A (ja) | 1984-02-15 |
JPH0454972B2 true JPH0454972B2 (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=15212575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13803882A Granted JPS5928354A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 静電チヤツク用薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5928354A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6272136A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック |
JPS6286837A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ処理装置 |
JPS6278846A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ処理装置 |
JP2562578B2 (ja) * | 1986-01-17 | 1996-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | アッシング装置 |
JP2919837B2 (ja) * | 1988-03-08 | 1999-07-19 | 富士通株式会社 | ウエーハ搬送具 |
JPH0227748A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置及びその作成方法 |
JP3238925B2 (ja) * | 1990-11-17 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | 静電チャック |
JP2581627B2 (ja) * | 1991-10-04 | 1997-02-12 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置の電気的接合方法 |
JP4057977B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2008-03-05 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置用電極シート、静電チャック装置および吸着方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3983401A (en) * | 1975-03-13 | 1976-09-28 | Electron Beam Microfabrication Corporation | Method and apparatus for target support in electron projection systems |
JPS55145351A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-12 | Zeiss Jena Veb Carl | Electrostatic chuck |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56171591U (ja) * | 1980-05-21 | 1981-12-18 |
-
1982
- 1982-08-10 JP JP13803882A patent/JPS5928354A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3983401A (en) * | 1975-03-13 | 1976-09-28 | Electron Beam Microfabrication Corporation | Method and apparatus for target support in electron projection systems |
JPS55145351A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-12 | Zeiss Jena Veb Carl | Electrostatic chuck |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5928354A (ja) | 1984-02-15 |
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