JPH0454972B2 - - Google Patents
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- JPH0454972B2 JPH0454972B2 JP57138038A JP13803882A JPH0454972B2 JP H0454972 B2 JPH0454972 B2 JP H0454972B2 JP 57138038 A JP57138038 A JP 57138038A JP 13803882 A JP13803882 A JP 13803882A JP H0454972 B2 JPH0454972 B2 JP H0454972B2
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- electrostatic chuck
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は静電チヤツク用薄膜に関する。
従来、真空容器の中では物の搬送や、物と物を
密着させることがむずかしく、機械的なチヤツク
方法によらざるを得なかつた。一方最近の技術と
して第１図に示すような反応性イオンエツチング
（RIE）と呼ばれる方法がある。これは真空容器
１においてCF4のような反応性ガスが導入口２よ
り導入され、容器内の圧力が10-1〜10-2Torrに
なるように、３から排気され且つ容器からテフロ
ン４等で絶縁された陰極５に13.65MHzなどの高
周波６が印加されるとガスプラズマ７が生じ、該
陰極５は負電位にバイアスされ、プラズマ中の正
イオンが陰極上へ加速され、その衝撃により陰極
上のウエハ８をエツチングする。しかしこの方法
ではイオン衝撃によりウエハ上のレジストが熱損
傷を受け、高精度のエツチングが不可となること
が頻繁に起り、そこで充分に水９などで冷却され
た陰極とウエハの密着が要求される。この密着に
対し、陰極とウエハとの間を静電的に付着させる
ことが提案されている。その原理はSiウエハを電
極とみなし、それをポリイミドなどの有機膜や、
Al2O3やSiO2などの無機膜からなる誘電体を介し
て、該電極５との間に数百〜数Ｋボルトの電圧を
印加すると、両者の間の静電力による引力で、例
えばウエハが電極５に圧着されることになる。上
述ではSiウエハに直接高圧を印加しなければなら
ないが、第２図に示す構造ではウエハ１０は浮い
た状態になつている。すなわち、高周波電力１１
と結合した陰極１２の上に有機や無機の絶縁体１
３でカバーし、その上に第３図のａやｂのような
形状の金属電極１４を金属マスクを介して蒸着な
どの方法で堆積し、その上に有機、無機の絶縁体
１５でカバーする。そしてrf電極１２に設けた穴
１６の中のテフロン１７を通して電極１４からリ
ード線１８が引き出されＣ１９とＲ２０を介し
て、DC電圧２１が引吸される。しかし本構造の
静電チヤツクではウエハ１０と絶縁物１５へのイ
オン衝撃２２で、長時間の使用を経ると１５がエ
ツチングされて電極１４が露出し、静電チヤツク
の機能を果さなくなる。そして本構造のチヤツク
機構を再度作製するのに、上記の手順を経ると多
くの労力を必要とする。また作製が終了しても、
もし、絶縁物１５や１３にピンホールなどがある
と、プラズマ中の電子やイオンのため、高圧が印
加された電極１４とウエハ１０やrf電極１２と短
絡してしまい、静電破壊を生じる。
密着させることがむずかしく、機械的なチヤツク
方法によらざるを得なかつた。一方最近の技術と
して第１図に示すような反応性イオンエツチング
（RIE）と呼ばれる方法がある。これは真空容器
１においてCF4のような反応性ガスが導入口２よ
り導入され、容器内の圧力が10-1〜10-2Torrに
なるように、３から排気され且つ容器からテフロ
ン４等で絶縁された陰極５に13.65MHzなどの高
周波６が印加されるとガスプラズマ７が生じ、該
陰極５は負電位にバイアスされ、プラズマ中の正
イオンが陰極上へ加速され、その衝撃により陰極
上のウエハ８をエツチングする。しかしこの方法
ではイオン衝撃によりウエハ上のレジストが熱損
傷を受け、高精度のエツチングが不可となること
が頻繁に起り、そこで充分に水９などで冷却され
た陰極とウエハの密着が要求される。この密着に
対し、陰極とウエハとの間を静電的に付着させる
ことが提案されている。その原理はSiウエハを電
極とみなし、それをポリイミドなどの有機膜や、
Al2O3やSiO2などの無機膜からなる誘電体を介し
て、該電極５との間に数百〜数Ｋボルトの電圧を
印加すると、両者の間の静電力による引力で、例
えばウエハが電極５に圧着されることになる。上
述ではSiウエハに直接高圧を印加しなければなら
ないが、第２図に示す構造ではウエハ１０は浮い
た状態になつている。すなわち、高周波電力１１
と結合した陰極１２の上に有機や無機の絶縁体１
３でカバーし、その上に第３図のａやｂのような
形状の金属電極１４を金属マスクを介して蒸着な
どの方法で堆積し、その上に有機、無機の絶縁体
１５でカバーする。そしてrf電極１２に設けた穴
１６の中のテフロン１７を通して電極１４からリ
ード線１８が引き出されＣ１９とＲ２０を介し
て、DC電圧２１が引吸される。しかし本構造の
静電チヤツクではウエハ１０と絶縁物１５へのイ
オン衝撃２２で、長時間の使用を経ると１５がエ
ツチングされて電極１４が露出し、静電チヤツク
の機能を果さなくなる。そして本構造のチヤツク
機構を再度作製するのに、上記の手順を経ると多
くの労力を必要とする。また作製が終了しても、
もし、絶縁物１５や１３にピンホールなどがある
と、プラズマ中の電子やイオンのため、高圧が印
加された電極１４とウエハ１０やrf電極１２と短
絡してしまい、静電破壊を生じる。
本発明は上述した従来の静電チヤツクの構造を
改良したもので、極めて簡便な構造を有し、至る
所に付着可能な静電チヤツク用フイルムの構造を
提供することにある。
改良したもので、極めて簡便な構造を有し、至る
所に付着可能な静電チヤツク用フイルムの構造を
提供することにある。
本発明は静電チヤツク用電極を２枚の有機フイ
ルムでサンドウイツチ的にはさみ接着しておき、
このフイルムの他面には接着剤を塗布して、作製
される構造を特徴とする静電チヤツク用フイルム
である。
ルムでサンドウイツチ的にはさみ接着しておき、
このフイルムの他面には接着剤を塗布して、作製
される構造を特徴とする静電チヤツク用フイルム
である。
本発明によれば上述のRIE装置の陰極上に付着
して利用する場合でも静電チヤツク用フイルムの
前面がエツチングされて、機能の低下が予想され
ると、簡単に取りはずし、他の静電チヤツク用フ
イルムをはりつけて、また新たに静電チヤツク機
能を設けることが非常に早く達成される。
して利用する場合でも静電チヤツク用フイルムの
前面がエツチングされて、機能の低下が予想され
ると、簡単に取りはずし、他の静電チヤツク用フ
イルムをはりつけて、また新たに静電チヤツク機
能を設けることが非常に早く達成される。
第４図は本発明薄膜の一製造方法を示す断面図
である。すなわち、裏面に接着剤を有する絶縁有
機フイルム３１の接着面３２が滑めらかで平坦な
表面を有する板３３に付着される(a)。この場合の
有機フイルムとしてポリエステルフイルムよりは
耐熱性の点で優れているポリイミドフイルムが良
材料である。板３３を真空容器の中にいれ金属マ
スク３４を介して例えばクロム蒸着後に金３５を
連続的に蒸着する(b)。この構造では金が半田付け
でき、またクロムが始めに絶縁膜に付着されるこ
とにより金との機械はがれが少なくなる。これは
良く知られた効果である。ｂの効果ｃに示すよう
な構造が得られる。最終的に、クロム−金膜を２
枚の絶縁膜でサンドイツチ状にはさんだ構造の静
電チヤツク膜を当該のフラツトな面を有する板３
３から剥離して、ｄのような構造を得る。
である。すなわち、裏面に接着剤を有する絶縁有
機フイルム３１の接着面３２が滑めらかで平坦な
表面を有する板３３に付着される(a)。この場合の
有機フイルムとしてポリエステルフイルムよりは
耐熱性の点で優れているポリイミドフイルムが良
材料である。板３３を真空容器の中にいれ金属マ
スク３４を介して例えばクロム蒸着後に金３５を
連続的に蒸着する(b)。この構造では金が半田付け
でき、またクロムが始めに絶縁膜に付着されるこ
とにより金との機械はがれが少なくなる。これは
良く知られた効果である。ｂの効果ｃに示すよう
な構造が得られる。最終的に、クロム−金膜を２
枚の絶縁膜でサンドイツチ状にはさんだ構造の静
電チヤツク膜を当該のフラツトな面を有する板３
３から剥離して、ｄのような構造を得る。
第４図の場合でも満足なものが得られるが、ク
ロム−金膜と絶縁膜の接着強度を更に増すために
は蒸着中にフイルムを150℃前後に加熱して行う
とよい。第５図はその上程を示すものである。絶
縁フイルム５１と金属マスク５２とを合せて押え
付ける治具５３を真空容器の中に入れる(a)。ここ
で５４は治具５３とフイルム５１とマスク５２と
を押えるネジを表わす。この状態で、裏面から例
えばＷヒータ５５や赤外ランプで絶縁膜５１を加
熱する。そして例えばクロム−金５６を蒸着す
る。この膜厚は1μｍ程度で充分である。ｂでは
ａで得た絶縁膜５１上に蒸着した金属膜５６の上
に絶縁膜５７を接着する。５７の絶縁膜は５１と
同種のものでよい。最終的にｃでｂの状態のフイ
ルムの下面に接着剤を塗布して、静電チヤツクフ
イルムが完成する。
ロム−金膜と絶縁膜の接着強度を更に増すために
は蒸着中にフイルムを150℃前後に加熱して行う
とよい。第５図はその上程を示すものである。絶
縁フイルム５１と金属マスク５２とを合せて押え
付ける治具５３を真空容器の中に入れる(a)。ここ
で５４は治具５３とフイルム５１とマスク５２と
を押えるネジを表わす。この状態で、裏面から例
えばＷヒータ５５や赤外ランプで絶縁膜５１を加
熱する。そして例えばクロム−金５６を蒸着す
る。この膜厚は1μｍ程度で充分である。ｂでは
ａで得た絶縁膜５１上に蒸着した金属膜５６の上
に絶縁膜５７を接着する。５７の絶縁膜は５１と
同種のものでよい。最終的にｃでｂの状態のフイ
ルムの下面に接着剤を塗布して、静電チヤツクフ
イルムが完成する。
真空中の物体と物体を密着させる方法は今の所
機械的方法か、電気的な静電チヤツクに負う他な
い。そこで真空中内の物体の搬送に静電チヤツク
を用いると極めて装置構成が容易になる。第６図
は本発明の簡便な静電チヤツクフイルムをSiウエ
ハの搬送に用いた例である。すなわち、排気系６
１を備えた真空容器６２の中にゲートバルブ６３
を通してカセツト６に納つたウエハ６５をローダ
６６で挿入し、レシーバ６７で受ける。レシーバ
６９には本発明の静電チヤツクフイルムが接着さ
れこの高圧源は回転部分６８から導入される。こ
のようにチヤツクされたウエハは180°回転して図
示する位置に来る。ここで例えば電子ビーム６９
によりハース７０内のAl７１等をウエハに蒸着
する。ウエハのアンロードはこの逆のプロセスを
たどる。このように真空内の搬送には非常に便利
に用いることができる。
機械的方法か、電気的な静電チヤツクに負う他な
い。そこで真空中内の物体の搬送に静電チヤツク
を用いると極めて装置構成が容易になる。第６図
は本発明の簡便な静電チヤツクフイルムをSiウエ
ハの搬送に用いた例である。すなわち、排気系６
１を備えた真空容器６２の中にゲートバルブ６３
を通してカセツト６に納つたウエハ６５をローダ
６６で挿入し、レシーバ６７で受ける。レシーバ
６９には本発明の静電チヤツクフイルムが接着さ
れこの高圧源は回転部分６８から導入される。こ
のようにチヤツクされたウエハは180°回転して図
示する位置に来る。ここで例えば電子ビーム６９
によりハース７０内のAl７１等をウエハに蒸着
する。ウエハのアンロードはこの逆のプロセスを
たどる。このように真空内の搬送には非常に便利
に用いることができる。
第１図は反応性イオンエツチング（RIE）装置
の概略図、第２図はRIE装置の陰極（rf電極）上
への静電チヤツク構造を示す図、第３図ａ，ｂは
静電チヤツクの電極構造の種類を示す図、第４
図、第５図は本発明の静電チヤツクの製造工程を
示し金属蒸着の際第４図は無加熱の場合、第５図
は加熱する場合を示す図、第６図は本発明の静電
チヤツクを真空内のウエハ搬送に応用した例を示
す図。 １，６２……真空容器、２……ガス導入口、
３，６１……排気口、４，１７……テフロン、
５，１２……rf電極、６，１１……rf電源、７…
…プラズマ、８，１０，６５……ウエハ、９……
水冷パイプ、１３，１５，３１，５１，５７……
絶縁体、１４，３５，５６……金属電極、１６…
…貫通穴、１８……導線、１９……容量、２０…
…コイル、２１……DC電源、３４，５２……メ
タルマスク、５３……治具、５４……ネジ、５５
……ヒータ源、６３……ゲートバルブ、６４……
カセツト、６６……ローダー、６７……レシー
バ、６８……回転導入、６９……電子ビーム源、
７０……ハース、７１……メタル。
の概略図、第２図はRIE装置の陰極（rf電極）上
への静電チヤツク構造を示す図、第３図ａ，ｂは
静電チヤツクの電極構造の種類を示す図、第４
図、第５図は本発明の静電チヤツクの製造工程を
示し金属蒸着の際第４図は無加熱の場合、第５図
は加熱する場合を示す図、第６図は本発明の静電
チヤツクを真空内のウエハ搬送に応用した例を示
す図。 １，６２……真空容器、２……ガス導入口、
３，６１……排気口、４，１７……テフロン、
５，１２……rf電極、６，１１……rf電源、７…
…プラズマ、８，１０，６５……ウエハ、９……
水冷パイプ、１３，１５，３１，５１，５７……
絶縁体、１４，３５，５６……金属電極、１６…
…貫通穴、１８……導線、１９……容量、２０…
…コイル、２１……DC電源、３４，５２……メ
タルマスク、５３……治具、５４……ネジ、５５
……ヒータ源、６３……ゲートバルブ、６４……
カセツト、６６……ローダー、６７……レシー
バ、６８……回転導入、６９……電子ビーム源、
７０……ハース、７１……メタル。
Claims (1)
- １ 絶縁有機薄膜の一方の面に１個の金属電極が
付着され、該金属電極とそれ以外の露出したフイ
ルム面に、同種または異種の絶縁薄膜が接着剤を
介して接着され、他方の面に接着剤が付着される
ことを特徴とする静電チヤツク用薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13803882A JPS5928354A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 静電チヤツク用薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13803882A JPS5928354A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 静電チヤツク用薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928354A JPS5928354A (ja) | 1984-02-15 |
| JPH0454972B2 true JPH0454972B2 (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=15212575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13803882A Granted JPS5928354A (ja) | 1982-08-10 | 1982-08-10 | 静電チヤツク用薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928354A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6272136A (ja) * | 1985-09-25 | 1987-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック |
| JPS6278846A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 半導体ウエハ処理装置 |
| JPS6286837A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ処理装置 |
| JP2562578B2 (ja) * | 1986-01-17 | 1996-12-11 | 東京エレクトロン株式会社 | アッシング装置 |
| JP2919837B2 (ja) * | 1988-03-08 | 1999-07-19 | 富士通株式会社 | ウエーハ搬送具 |
| JPH0227748A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置及びその作成方法 |
| JP3238925B2 (ja) * | 1990-11-17 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | 静電チャック |
| JP2581627B2 (ja) * | 1991-10-04 | 1997-02-12 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置の電気的接合方法 |
| JP4057977B2 (ja) * | 2003-08-08 | 2008-03-05 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置用電極シート、静電チャック装置および吸着方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3983401A (en) * | 1975-03-13 | 1976-09-28 | Electron Beam Microfabrication Corporation | Method and apparatus for target support in electron projection systems |
| JPS55145351A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-12 | Zeiss Jena Veb Carl | Electrostatic chuck |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56171591U (ja) * | 1980-05-21 | 1981-12-18 |
-
1982
- 1982-08-10 JP JP13803882A patent/JPS5928354A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3983401A (en) * | 1975-03-13 | 1976-09-28 | Electron Beam Microfabrication Corporation | Method and apparatus for target support in electron projection systems |
| JPS55145351A (en) * | 1979-04-26 | 1980-11-12 | Zeiss Jena Veb Carl | Electrostatic chuck |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5928354A (ja) | 1984-02-15 |
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