KR100899292B1 - 수명을 연장시키는 절연막을 갖는 반도체 장비용 정전척 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치 중 웨이퍼의 정밀한 위치 고정이 필요한 장비에 사용되는 정전척 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 화학적으로 또는 물리적으로 정전척에 나쁜 영향을 줄 수 있는 요소에 대한 충격 완화를 하기에 적합한 절연막을 갖는 정전척 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 구제척으로 말하면, 본 발명에 따른 정전척은, 유전체 즉, 절연부분이 플라즈마 또는 가스에 노출됨으로 인하여 생기는 부식을 줄이는 수단을 제공함으로써 장기간 정전척을 사용할 수 있도록 한 것과 그의 제조 방법에 관한 것이다

정전척, 유전층, 폴리이미드.

Description

수명을 연장시키는 절연막을 갖는 반도체 장비용 정전척{Electro Static Chuck for semiconductor equipment extending lifetime}

도 1은 일 예의 종래의 정전척 구조를 도시하는 단면도.

도 2a는 다른 일 예의 종래의 정전척 구조를 도시하는 단면도.

도 2b는 도 2a의 A부분을 확대한 도면.

도 3은 종래의 진공흡착 장치의 단면도.

도 4는 종래의 클램프링 흡착 장치의 단면도.

도 5는 본 발명에 따른 일 실시예의 정전척 구조를 도시하는 단면도.

도 6은 본 발명에 따른 다른 일 실시예의 정전척 구조를 도시하는 단면도.

도 7a 및 도 7b는 폴리이미드 포밍 장치를 도시하는 도면.

* 도면에 대한 부호의 간단한 설명 *

1: 하부전극 2: 웨이퍼

3: 상부 유전층 4: 상부 접착 필름

5: 도전성 전극 6: 하부 접착 필름

7: 하부 유전층 8: 측면 보호 절연층

9: 절연 포커스 링 11: 측면 상부

12: 측면 하부 14: 정전척 시트

17: 히터 18: 테두리 링

19: 원형 지그 20: 진공 펌프

21: 폴리이미드 필름 23: 진공 흡착용 구멍

30: 애노다이징 코팅막 40: 하부전극의 측면

본 발명은 반도체 제조 장치 중 웨이퍼의 정밀한 위치 고정이 필요한 장비에 사용되는 정전척 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 화학적으로 또는 물리적으로 정전척에 나쁜 영향을 줄 수 있는 요소에 대한 충격 완화를 하기에 적합한 절연막을 갖는 정전척 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

구제척으로 말하면, 본 발명에 따른 정전척은, 유전체 즉, 절연부분이 플라즈마 또는 가스에 노출됨으로 인하여 생기는 부식을 줄이는 수단을 제공함으로써 장기간 정전척을 사용할 수 있도록 한 것과 그의 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제조 장비는 포토 공정 및 웨트(Wet) 공정을 제외하면 오염문제, 플라즈마 이그니션(Plasma ignition), 열분해 공정 등의 재현성을 위해 진공 프로세스를 사용하고 있으며, 여러장이 동시에 처리되는 배치 타입(Batch type) 장비와 웨이퍼가 한장씩 개별적으로 처리되는 단일 타입 장비로 크게 분류되 며 반도체 디바이스의 집적도가 점점 높아짐에 의해 단일 타입 방식으로 그 흐름이 전환되어 가고 있다. 그리고 웨이퍼의 대구경화가 진행됨에 따라 웨이퍼 반송 시스템의 정밀도 향상 뿐만 아니라 프로세스 챔버에서의 웨이퍼의 정확하고 재현성 있는 정렬이 무엇보다 중요하게 인식되고 있다.

싱글 타입(Single type) 반도체 공정 절차를 개략적으로 언급하면, 진공 펌프에 의해 챔버 내부가 가스가 없는 진공상태가 되고, 반송시스템을 통해 처리하고자 하는 웨이퍼를 처리 스테이지 위에 위치시킨다. 정전척에 있어서 싱글 웨이퍼를 지지하는 정전척의 하부에 있는 스테이지를 본원에서는 하부전극이라 칭한다. 웨이퍼 공정 처리가 끝날 때까지 하부전극에 웨이퍼를 고정시키는 기술에는 여러가지가 적용되고 있다. 가장 일반적인 것은 하부전극(1) 내부에 구멍(23)을 뚫고 이 구멍(23)을 통해 웨이퍼를 진공 흡착하는 방식(도 3 참조)과, 클램프링(16)을 이용하여 웨이퍼(2) 상측을 기계적으로 눌러 지지하는 클램프링 방식(도 4 참조)과, 웨이퍼에 어떠한 물리적 힘을 가하지 않고 정전기력만으로 클램핑하는 정전척 방식이다.

현재의 기술적 흐름으로는 웨이퍼에 대한 오염 가능성이 적고 웨이퍼에 물리적인 힘이 가해지지 않으면서 온도 제어 및 위치 제어를 할 수 있는 정전척 방식이 선호되고 있으며 적용되는 분야는 진공을 적용하는 식각 공정, 이온주입 공정 및 도포 공정 등에 광범위하게 적용되고 있다.

도 3에 도시된 바와 같이, 진공 흡착 방식은 웨이퍼를 잡는 공정에는 어느 정도 유효하나 정밀한 웨이퍼 온도 제어가 필요한 공정에는 적합하지 않으며, 진공 압의 변화에 따라 척킹력(Chucking force)이 심하게 변화하는 단점이 있고, 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 측면을 기계적으로 잡아주는 세라믹 클램핑 방식은 기계적 클램핑에 의해 웨이퍼 주변부의 공정 특성이 변할 가능성이 있고 클램프링(16)의 마모에 의한 파티클 발생 및 파손의 우려가 있다.

그와는 달리, 정전척 방식은 오염 문제 최소화, 웨이퍼 주변부 공정 변화 감소 및 정밀한 온도 제어에도 적용이 가능한 장점이 있지만 웨이퍼에 대한 전기적 손상, 탈/부착의 기술적 어려움 및 절연층의 선택에 따른 짧은 수명의 문제등의 이슈(issue)가 존재한다.

본원에서는 진공흡착 방식과 세라믹 클랭핑 방식은 생략하고 정전흡착 방식에 대해 설명하고자 한다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 종래 기술에서는, 웨이퍼(2)가 프로세스 챔버에 반송되면 정전척 시트(14)와 웨이퍼(2)는 접촉이 이루어지므로 직류전원이 인가되면 유전층의 분극이 일어나 정전력이 꾸준히 유지된다. 하부전극(1)은 반도체에서는 통상적으로 알루미늄 계통의 재질을 사용하며 순수 알루미늄보다는 오염문제 및 전기적 절연성 등을 고려하여 표면을 애노다이징(anodizing) 처리된 코팅막을 사용하고, 하부전극 표면 상부에는 웨이퍼를 흡착하기 위한 정전척(14)이 설치되어 있다. 본원에서는 상기 정전척 시트(14)와 하부전극(1)을 통칭하여 정전척이라 칭한다.

계속해서 도 1및 도2a를 참조하면, 유전층(3,7) 재질로는 유전상수, 절연 파괴강도 및 열전도도 등의 물리적 특성 및 내산화성, 내식성 등의 화학적 특성을 고려하여 선택하며, 일반적으로는 고분자 중합체인 폴리이미드 계통의 필름과 세라믹 계통의 물질이 적용된다. 본원에서는 폴리이미드 계통의 필름을 유전층으로 사용하는 정전척에 대해 설명한다. 정전력을 발생시키기 위해서는 유전층과 전극이 필요하며 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 도전성 전극(5) 위아래로 상부 유전층(3)과 하부 유전층(7)을 붙이는 것이 필요하며 이 물질들을 붙이기 위해 중간에 열경화성의 접착 필름(4,6)을 사용하여 밀봉한다. 도면의 간략화를 위해 도시하지 않았지만 하부전극(1)과 하부 유전층(7)의 접합에도 열경화성 접착 필름이 적용되며 적층 구조가 많아지면 그에 상응하여 접착 필름이 각각의 중간에 삽입된다.

폴리이미드 필름을 적용할 때에는 웨이퍼 주변부가 웨이퍼에 대해 평탄하지 못하고 웨이퍼 밑의 부분(10)에 공간이 생기게 되는데 이것은 전도성 전극(5)이 플라즈마나 진공 중에 노출되면 정전척으로서의 기능을 잃게 되지만 플라즈마나 진공과 전기적으로 절연시키기 위해서는 어쩔 수 없는 구조가 된다. 따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 측면을 보호하기 위해 필름을 부착하거나 코팅 방법으로 측면을 보호하는 측면보호 절연층(8)을 씌우는 방법이 거론되고 있으나 정전척 시트(14)의 두께가 보통 50~500um 정도이기 때문에 기술적 및 현실적으로 상용화하는데 어려움이 많다.

플라즈마 내의 이온이나 래디칼(radical)들이 웨이퍼(2)로 집중되도록 하기 위해 정전척 주변에는 절연성 재질의 동그란 링(9)이 일반적으로 삽입되는데 삽입 목적은 플라즈마가 전기적으로 웨이퍼에 집중되도록 전기적 절연 기능 및 웨이퍼 주변부에 몰리는 과잉의 이온 및 래디칼을 소진하기 위한 희생물질로 사용된다. 이 희생물질로는 통상적으로, 석영, 수정 등 퀄츠 계통과 결정질의 세라믹 계통이 사용되고 있으나 세라믹 계통은 장시간 사용 시 이온과 래디칼에 의해 입자가 깨져나와 이물화되는 치명적인 결함이 있어 식각공정에서는 사용이 감소되는 추세이며 비정질의 퀄츠는 이러한 문제는 없으나 플르오르화 탄소가스 계통에는 빠르게 식각되어 도 1의 참조번호 13의 점선 모양처럼 공정이 진행됨에 따라 그 형태가 변형되어 간다.

이렇게 되면 하부전극(1)의 측면 상부(11) 및 측면 하부(12)까지 플라즈마가 치고 들어오게 되고 그 표면이 애노다이징 처리된 하부전극(1)의 측면이 빠르게 부식이 일어난다. 정전척 시트(14) 그 자체에는 기능상 이상이 없을 지라도 하부전극(1)이 손상되면 하부전극(1)이 플라즈마와 전기적으로 직접 연결되는 상태가 되어 아아크(Arc) 등의 문제가 발생할 수 있다.

상술한 바와 같이 종래 기술은 다수의 문제점을 내포하고 있다. 이러한 문제점을 이하, 정리하면 다음과 같다.

1. 플루오르화 탄소 가스를 적용하는 산화막 공정에서는 절연 포커스링의 식각은 필연적이고 치명적이라 하부전극의 측면이 부식되는 것은 공정 진행 누적의 문제일 뿐 근본적으로 해결이 어렵다.

2. 정전척 측면을 보호하는 측면보호 절연층(8) 생성 방법은, 플라즈마 용사 코팅 방법은 적어도 정전척의 측면 두께가 1mm 이상은 되어야 유효하므로 600um이하에서는 정밀하게 가공하기 어렵다.

3. 폴리이미드 필름을 적용하는 정전척에서는 고온을 사용하는 플라즈마 용 사법으로는 측면 코팅이 현실적으로 어려운데, 그 이유는 폴리이미드 필름은 300℃이상에서는 물성의 변화 가능성이 크기 때문이다.

4. 하부전극의 측면 상하부(11,12)의 식각에 의해 정전척 시트(14)가 기능상 이상이 없을지라도 전체 정전척을 교체해 주어야하므로 비용증가를 야기할 수 있다.

5. 유전층과 전극, 유전층과 하부전극 등 열경화성 필름으로 접착하는 주변부분은 플라즈마에 노출되거나 세정 시 알코올 등의 화학약품에 노출되면 접착력이 현저히 떨어져 기능을 상실하는 경우가 많다.

6. 종래 정전척을 적용 시 고려해야 되는 부분은 정전척 측면 접착필름의 접착력 저하, 정전척 시트의 측면 부식정도 및 하부전극의 애노다이징 식각 정도 그리고 절연 포커스 링의 함몰 여부 등 다양하여 관리의 어려움이 있고 상기 언급한 어느 것이라도 문제가 발생하면 정전척을 교체해 주어야 하는 문제가 발생하여 비용 증가, 생산량 저하 및 노동력 증가 등의 문제를 일으킨다.

7. 측면 보호용 필름을 별도도 부착하면 유전층 필름과 측면보호 필름 사이에는 틈새가 발생되어 원하는 목적을 달성할 수 없다(도 2b의 화살표 부분의 접착이 취약함).

8. 상기 문제 발생 시는 정전척 자체 뿐만 아니라 웨이퍼에도 심각한 영향을 미칠 수 있으며 이것은 대량 생산의 정도에 따라 막대한 피해의 원인 될 수도 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결 또는 경감시키고자 하는 것으로, 반도체 제조 장치 중 웨이퍼의 정말한 위치 고정이 필요한 장비에 사용되는 정전척 및 그 제조 방법을 제공하는 것이며, 특히 화학적으로 또는 물리적으로 정전척에 나쁜 영향을 줄 수 있는 요소에 대한 충격 완화를 하기에 적합하도록 고안된 절연막층을 갖는 정전척 및 그 제조 기술을 제공하고자 하는 것이다.

이하, 본 발명의 일 실시예를 도면을 참조하여 구체적으로 설명하고자 한다.

먼저, 도 5를 참조하면, 통상적인 정전척의 정전력을 발생시키기 위해서는, 하나의 전극으로 작용하는 반도체 웨이퍼(2)와 정전척을 전기적으로 상호 부착시키기 위한 적어도 하나의 유전층(3)과 또 다른 전극으로써 작용하는 전도성 전극(5)이 있어야 한다. 본 발명에 따른 정전척 시트(14)의 구조는 적층형태로 제작하며 상기 전도성 전극(5)의 상하부에 유전층들(3,7)을 열경화성 필름들(4,6)을 열압착하여 적층한다. 하부 유전층(7;제1 절연층)은 하부전극(1)에 열경화성 필름(도시하지 않음)에 의해 부착되고 상부 유전층(3;제2 절연층)은 전도성 전극(5)위에 부착되며 상부 유전층(3)이 반도체 웨이퍼(2)의 밑면과 접촉하여 정전력의 특성을 결정 짓는다.

정전척의 측면 및 하부전극(1)의 애노다이징된 측면 부분을 보호하기 위해 도 5에서 처럼, 하부 유전층(7)을 웨이퍼 크기 이상으로 절단없이 연속으로 확장하 여 구부려서 하부전극(1)까지 덮거나, 도 6에 도시된 바와 같이, 상부 유전층(3)을 절단없이 구부려서 연속적으로 하부전극(1)까지 확장하여 하부전극(1)의 굴곡부분(24,25)을 감싸는 구조로 되어 있다. 상기와 같은 구성으로 인해, 전도성 전극(5)은 플라즈마에 노출되는 것 없이 웨이퍼(2) 전체 영역까지 확장이 가능하여 웨이퍼(2)와 전도성 전극(5) 사이의 대향면적을 증가시킬 수 있어 정전력을 증가시킬 수 있고 웨이퍼(2) 최주변까지 온도 특성을 균일하게 유지하는 것이 가능하다.

반도체용 기판은 일반적으로 디스크 형태나 TFT-LCD 등과 같이 사각형 구조에도 이러한 연속 확장된 필름 구조를 구현할 수도 있다. 하부전극(1)의 굴곡 부분(24,25)은 완만하거나 90도로 각이 져 있더라도 폴리이미드 필름(예컨대, 유전층(3,7))을 구부리는 것이 가능하다.

필름을 구부리는 방법은 여러가지가 있으나 열 및 압력 차이를 이용해서 구부릴 수 있으며, 구부릴 경우 각진 부분은 완만한 라운딩의 모양이 나와야 된다.

이렇게 함으로써 하부전극(1) 모서리 부분 및 정전척이 어느 정도 외부적인 힘에 의해 파손되는 것을 방지할 수 있다. 완만한 굴곡을 유지하기 위해서는 필름(예컨대, 유전체)의 물리적 특성이 중요한데 보통은 인장강도가 300~400Mpa 정도이고 절연 파괴강도는 140V/um이상이 필요하고 선팽창율은 2＊10^-5/℃~5＊10^-5/℃ 범위이며, 유전층(3,7)의 연장부를 구부리기 위해 200~400℃에서 1＊10^-2Torr의 진공압을 사용하는 것이 바람직하다. 이외에도 필름의 두께 등 많은 변수가 있을 수 있으므로 제조하는 정전척에 가장 적합한 것을 선택할 필요가 있다. 상기 폴리이미드 필름(예컨대, 열경화성 접착 필름)으로는 아크릴 계통(acrylic adhesive) 또는 페놀브티르산염(phenolic butyral adhesive) 계통이 일반적으로 선호된다.

도 7a을 참조하면, 필름을 구부리는 장비에 대한 구성을 볼 수 있다. 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 장비는 상부에는 열을 발생시키기 위한 히터(17)가 있고 하부에는 필름(21)을 단단하게 잡기 위한 테두리 링(18) 및 중앙에는 만들려는 형상에 맞는 원형 지그(19)가 있다. 또한, 이 장비의 하부 밑 측면에는 진공압을 만들기 위한 배기 라인(22)이 띠 형태로 진공 펌프(20)와 연결되어 있다.

도 7b에 도시된 바와 같이, 구부리려는 폴리이미드 필름(21)을 테두리 링(18)에 판판하게 고정시키고 포밍 장치에 고정시킨다. 그 뒤, 히터(17)를 가열하여 폴리이미드 필름(21)이 신장율이나 팽창율이 증가할 때까지 진행시키며 온도는 보통 200~400℃ 범위를 사용한다.

도 7a 및 7b를 참조하면, A 부분과 B 부분이 대기압 상태에서, 진공 펌프를 작동시키면 B 부분이 진공이 되면서 폴리이미드 필름(21)이 그림과 같이 밑으로 수축하면서 원하는 형상이 만들어진다. 열에 의한 에너지와 진공에 의한 물리적 힘에 의해 폴리이미드 필름(21)은 변형이 생기고 필요한 크기에 맞게 절단하여 사용한다.

도 5를 다시 참조하면, 본 발명에 따른 정전척 시트(14)에서, 상부 유전층(3)과 하부 유전층(7)을 폴리이미드 필름으로 제작하고 하부 유전층(7)을 디스크형의 하부전극(1)의 측면 상부, 측면, 측면 하부(11,40,12; 이하, 주변부라 칭함)로 연장하여 부착시키며 이렇게 함으로써 하부전극(1)의 애노다이징 부분(30)도 보호되고 정전척의 측면 부분도 플라즈마나 부식성 가스로부터 보호된다. 하부 유전층(7)을 절단하는 것 없이 연장함에 의해 주변부(11,40,12)에서의 크랙이나 취약성이 보완된다.

도 6을 참조하면, 경우에 따라서는 상부 유전층(3)을 연장하여 하부전극(1)을 보호할 수도 있다. 어느 방법을 적용하더라도 유전층의 절단없이 연속으로 연장되어 구부림이 진행되어야 하며 폴리이미드 유전층을 구부리는 방법은 도 7a 및 7b에 도시된 바와 같이, 온도 등에 의한 열과 압력 차이에 의한 힘을 바탕으로 상기 모양의 형상을 뜰 수 있다. 또한 전도성 전극(5)도 플라즈마에 노출됨이 없이 웨이퍼(2) 끝단 까지 확장이 가능하여 정전력을 증가시킬 수 있어 웨이퍼(2) 주변 부분에서의 온도 특성도 향상이 가능하다.

하부전극의 굴곡부들(24,25)이 90도로 직각이거나 완만한 경사를 갖더라도 본 발명에서 언급된 제조장치를 활용하여 언급된 특성의 폴리이미드 필름을 사용하면 상술한 바와 같이, 폴리이미드 필름의 성형이 가능하다. 유전층(3,7)의 굴곡된 연장부분은 에폭시나 실리콘 계통의 접착제를 사용하여 하부전극(1) 및 정전척 시트(14)와 밀착되도록 처리한다.

본 발명은 재생이 가능한 폴리이미드 필름을 연장하여 하부전극(1)을 보호함으로써 하부전극(1)의 애노다이징이 식각되기 전에 폴리이미드 필름만을 교체함으로써 여러 번 하부전극(1)을 사용할 수 있는 장점이 있다. 특히, 산화막 식각장비에서는 불화탄소(C-F계열 화학물) 계통의 가스를 적용하여 석영 계통의 포커스 링은 쉽게 식각되어 참조번호 13번의 점선 부분처럼 식각이 진행되지만 폴리이미드 필름 같은 고분자 중합체는 산소에는 약하지만 불화탄소 계통의 가스에는 석영보다는 내식성이 강하여 사용에 유리한 점이 많다. 하지만 이 구조는 산소 플라즈마를 많이 쓰는 공정에는 매우 취약한 점을 가지고 있다.

상술한 본 발명에 따른 정전척에 의하면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.

1. 설명된 장비를 통해 원하는 형상의 폴리이미드 필름을 성형할 수 있고 두께도 쉽게 조절 가능하다.

2. 상부 유전층이나 하부 유전층을 연장하여 구부림에 의해 정전척 조립체의 주변부의 부식의 정도를 감소시킬 수 있다.

3. 하부전극의 애노다이징된 부분의 식각을 완화함으로써 이 부분에서 생길 수 있는 플라즈마 쏠림에 의한 아크를 사전에 방지할 수 있다.

4. 플라즈마 아크 발생 전 정전척을 재생할 수 있으므로 비용 측면에서 장점이 있다.

5. 하부전극의 애노다이징의 훼손에 의한 전체 정전척 조립체를 교체할 필요가 없다.

6. 유전체층을 일체형으로 확장하여 구부림으로써 각진 부분의 문제점이 노출되지 않으며 전도성 전극이 유전체에 의해 보호 받으므로 웨이퍼 끝부분까지 확장 설치가 가능함에 따라 웨이퍼 주변부의 정전력이 향상되어 온도 특성이 좋아진다.

7. 불화수소나 염소 및 브롬계통의 가스를 사용하는 공정에는 고분자 중합체 인 폴리이미드 필름의 식각이 미미하므로 장시간 사용이 가능하다.

Claims (9)

1. 삭제
2. 굴곡부들(24,25)이 형성된 주변부와 상기 굴곡부들(24,25)에 의해 돌출된 중앙 부위를 갖고, 표면(30)이 애노다이징 처리된 하부 전극(1) 상에 배치되며, 반도체 웨이퍼(2)를 클램핑하기 위한 정전척에 있어서,

   상기 하부 전극(1)의 중앙 부위 상에 형성된 제1 절연층(7);

   상기 제1 절연층(7) 상에 형성된 전극(5); 및

   상기 전극(5)과 상기 제1 절연층(7) 및 상기 굴곡부들(24,25)을 포함하는 상기 하부 전극(1)의 주변부의 표면들을 따라 구부려지도록 연속적으로 성형되어 상기 전극(5)과 상기 제1 절연층(7) 및 상기 굴곡부들(24,25)을 포함하는 상기 하부 전극(1)의 주변부를 전체적으로 감싸는 제2 절연층(3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척.
3. 제2항에 있어서,

   상기 제1 절연층(7) 및 제2 절연층(3)은 폴리이미드 필름으로 이루어진 것을 특징으로 하는 정전척.
4. 제2항에 있어서,

   상기 제1 절연층(7) 및 제2 절연층(3)의 인장강도는 300~400Mpa이고, 절연 파괴강도는 140V/um 이상인 것을 특징으로 하는 정전척.
5. 제2항에 있어서,

   상기 제1 절연층(7) 및 제2 절연층(3)의 선팽창율은 2＊10^-5/℃~5＊10^-5/℃ 의 범위인 것을 특징으로 하는 정전척.
6. 제2항에 있어서,

   상기 전극(5)은 상기 제2 절연층(3) 상에 재치되는 반도체 웨이퍼(2)의 크기와 같거나 또는 그 보다 더 큰 것을 특징으로 하는 정전척.
7. 제2항에 있어서,

   상기 하부전극(1)의 굴곡부들(24,25)의 각도는 직각이거나 그 보다 큰 것을 특징으로 하는 정전척.
8. 제2항에 있어서,

   상기 하부 전극(1)의 주변부 상으로 연장된 상기 제2 절연층(3)의 연장부를 구부리기 위해 200~400℃에서 1＊10^-2Torr 진공압을 사용하는 것을 특징으로 하는 정전척.
9. 제2항에 있어서,

   상기 제1 절연층(7), 전극(5) 및 제2 절연층(3)은 상호간에 접착제를 사용하여 접착되며, 상기 접착제로는 아크릴 계통이나 페놀브티르산 염 계통 등의 열경화성 접착 필름을 사용하는 것을 특징으로 하는 정전척.

Images