JP2000091243A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP2000091243A JP2000091243A JP10262595A JP26259598A JP2000091243A JP 2000091243 A JP2000091243 A JP 2000091243A JP 10262595 A JP10262595 A JP 10262595A JP 26259598 A JP26259598 A JP 26259598A JP 2000091243 A JP2000091243 A JP 2000091243A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- cvd apparatus
- electrode
- plasma cvd
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ装置における電極間隔をリア
ルタイムで正確に測定することができる構成を得る。 【解決手段】 下電極２の端部をテーパ状に形成すると
共に、端部に光を照射するレーザ発振器７と、レーザ発
振器７により照射され、前記端部により反射された反射
光を受光する長方形フォトダイオード８を設け、長方形
フォトダイオード８による受光位置に基づいて平行平板
電極間の距離を算出する。
ルタイムで正確に測定することができる構成を得る。 【解決手段】 下電極２の端部をテーパ状に形成すると
共に、端部に光を照射するレーザ発振器７と、レーザ発
振器７により照射され、前記端部により反射された反射
光を受光する長方形フォトダイオード８を設け、長方形
フォトダイオード８による受光位置に基づいて平行平板
電極間の距離を算出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、平行平板電極間
にプラズマを発生させて基板に成膜処理を行うようにし
たプラズマＣＶＤ装置に関し、特に平行平板電極間の距
離を反射光の受光位置に基づいて検出するようにしたプ
ラズマＣＶＤ装置に関するものである。
にプラズマを発生させて基板に成膜処理を行うようにし
たプラズマＣＶＤ装置に関し、特に平行平板電極間の距
離を反射光の受光位置に基づいて検出するようにしたプ
ラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置においては、プラズ
マ発生による基板の最適な処理のため、炉内に設けられ
た平行平板電極間の距離を測定する必要がある。従来よ
り、プラズマＣＶＤ装置の平行平板電極の距離の測定技
術としては、図５に示すように、電極間隔変更用のモー
タの駆動をエンコーダ等の検出情報に基づいて行うよう
にしたものが知られている。
マ発生による基板の最適な処理のため、炉内に設けられ
た平行平板電極間の距離を測定する必要がある。従来よ
り、プラズマＣＶＤ装置の平行平板電極の距離の測定技
術としては、図５に示すように、電極間隔変更用のモー
タの駆動をエンコーダ等の検出情報に基づいて行うよう
にしたものが知られている。
【０００３】図５において、１，２は平行平板電極であ
り、１は上電極、２は下電極である。下電極２はモータ
３により上下動可能とされ、電極間の距離がモータ３に
より調整される。このモータ３の駆動量がエンコーダ４
により検出され、このエンコーダ４の検出値に基づいて
電極間の距離が測定される。
り、１は上電極、２は下電極である。下電極２はモータ
３により上下動可能とされ、電極間の距離がモータ３に
より調整される。このモータ３の駆動量がエンコーダ４
により検出され、このエンコーダ４の検出値に基づいて
電極間の距離が測定される。
【０００４】また、他の測定技術として、平行平板電極
間に塑性変形可能な物体を設けてプラズマを発生させた
後に変形した物体を電極間より取り出して、該物体の厚
さをノギス等で測定することにより、電極間の距離を測
定するようにしたものも知られている。
間に塑性変形可能な物体を設けてプラズマを発生させた
後に変形した物体を電極間より取り出して、該物体の厚
さをノギス等で測定することにより、電極間の距離を測
定するようにしたものも知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前者の
技術では、プラズマ発生時の真空加熱時における正確な
電極間隔を測定することができない。また、再現性も悪
いという問題点もある。一方、後者の技術では、手間が
かかると共に、やはりプラズマ発生時の真空加熱時にお
ける測定が困難となり、また、電極間隔をリアルタイム
で測定することができないという問題点もある。
技術では、プラズマ発生時の真空加熱時における正確な
電極間隔を測定することができない。また、再現性も悪
いという問題点もある。一方、後者の技術では、手間が
かかると共に、やはりプラズマ発生時の真空加熱時にお
ける測定が困難となり、また、電極間隔をリアルタイム
で測定することができないという問題点もある。
【０００６】そこで、この発明は、上述した従来の課題
を解決するために、電極間隔をリアルタイムで正確に測
定することができるプラズマＣＶＤ装置を得ることを目
的としている。
を解決するために、電極間隔をリアルタイムで正確に測
定することができるプラズマＣＶＤ装置を得ることを目
的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明は、平行平板電極間にプラズマを発生さ
せて基板に成膜処理を行うようにしたプラズマＣＶＤ装
置において、前記平行平板電極の少なくとも一方の端部
をテーパ状に形成すると共に、前記端部に光を照射する
投光手段と、該投光手段により照射され、前記端部によ
り反射された反射光を受光する受光手段を設け、前記受
光手段による受光位置に基づいて前記平行平板電極間の
距離を算出するようにしたことを特徴とするものであ
る。
ため、この発明は、平行平板電極間にプラズマを発生さ
せて基板に成膜処理を行うようにしたプラズマＣＶＤ装
置において、前記平行平板電極の少なくとも一方の端部
をテーパ状に形成すると共に、前記端部に光を照射する
投光手段と、該投光手段により照射され、前記端部によ
り反射された反射光を受光する受光手段を設け、前記受
光手段による受光位置に基づいて前記平行平板電極間の
距離を算出するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【０００８】この発明の実施の形態においては、前記平
行平板電極１，２の少なくとも一方の電極（下電極）２
の端部は対向する他方の電極（上電極）１の電極面に対
して所定角度に傾斜する傾斜面２ｂを有するようなテー
パ状に形成されている。また、前記投光手段はレーザ発
振器７で構成され、また前記受光手段は少なくとも上下
一次元方向に並設された複数のフォトダイオードで構成
されている。そして、投光手段により電極端部に光を照
射すると、その反射位置が電極板位置（高さ）に応じて
変位するので、その変位を受光手段の受光位置を検出す
ることにより検出して、電極板位置に対応する電極間の
距離（電極間隔）を測定する。
行平板電極１，２の少なくとも一方の電極（下電極）２
の端部は対向する他方の電極（上電極）１の電極面に対
して所定角度に傾斜する傾斜面２ｂを有するようなテー
パ状に形成されている。また、前記投光手段はレーザ発
振器７で構成され、また前記受光手段は少なくとも上下
一次元方向に並設された複数のフォトダイオードで構成
されている。そして、投光手段により電極端部に光を照
射すると、その反射位置が電極板位置（高さ）に応じて
変位するので、その変位を受光手段の受光位置を検出す
ることにより検出して、電極板位置に対応する電極間の
距離（電極間隔）を測定する。
【０００９】なお、実施の形態において、前記傾斜面
（テーパ面）２ｂは下電極２端部に設けられ、前記レー
ザ発振器７は下電極２と平行にレーザ光６を照射するよ
うに設けられ、更に前記フォトダイオードは縦に長い長
方形状に構成された長方形フォトダイオード［一次元位
置検出素子（ＰＳＤ）］８で構成され、該長方形面が電
極面に対して垂直となるように設けられる。そして、両
端部からの電流比により受光位置が測定される。前記傾
斜面２ｂと電極面２ａの垂線Ｖとなすテーパ角度θは３
０°以上で４５°より小さく設けられる。
（テーパ面）２ｂは下電極２端部に設けられ、前記レー
ザ発振器７は下電極２と平行にレーザ光６を照射するよ
うに設けられ、更に前記フォトダイオードは縦に長い長
方形状に構成された長方形フォトダイオード［一次元位
置検出素子（ＰＳＤ）］８で構成され、該長方形面が電
極面に対して垂直となるように設けられる。そして、両
端部からの電流比により受光位置が測定される。前記傾
斜面２ｂと電極面２ａの垂線Ｖとなすテーパ角度θは３
０°以上で４５°より小さく設けられる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を用いて説明する。図１は実施の形態における概略構
成図、図２は測定原理を示す説明図である。図１におい
て、上電極１に対して、下電極２が下方へ移動可能に設
けられている。下電極２の端部には下電極２の電極面２
ａに対する垂線Ｖと角度θを有する傾斜面２ｂがテーパ
状に設けられている。
面を用いて説明する。図１は実施の形態における概略構
成図、図２は測定原理を示す説明図である。図１におい
て、上電極１に対して、下電極２が下方へ移動可能に設
けられている。下電極２の端部には下電極２の電極面２
ａに対する垂線Ｖと角度θを有する傾斜面２ｂがテーパ
状に設けられている。
【００１１】下電極２の傾斜面２ｂには電極面２ａと平
行にレーザ光６を照射するレーザ発振器７が設けられ、
レーザ発振器７の上方にレーザ光６の傾斜面２ｂおける
反射光を受光する長方形フォトダイオード８が設けられ
る。この長方形フォトダイオード８はフォトダイオード
を長方形面上に配列して構成され、その両端から出力さ
れる電流値をＩ1 ，Ｉ2 とした場合に受光位置が（１）
式、
行にレーザ光６を照射するレーザ発振器７が設けられ、
レーザ発振器７の上方にレーザ光６の傾斜面２ｂおける
反射光を受光する長方形フォトダイオード８が設けられ
る。この長方形フォトダイオード８はフォトダイオード
を長方形面上に配列して構成され、その両端から出力さ
れる電流値をＩ1 ，Ｉ2 とした場合に受光位置が（１）
式、
【００１２】
【数１】 （Ｉ1 −Ｉ2 ）／（Ｉ1 ＋Ｉ2 ） （１）
【００１３】で表される。長方形フォトダイオード８の
受光面８ａは電極面２ａに垂直となるように設けられて
いる。
受光面８ａは電極面２ａに垂直となるように設けられて
いる。
【００１４】図２に示されるように、入射角はθで表さ
れるので、レーザ光６の傾斜面２ｂに対する入射光線６
ａと反射光線６ｂとのなす角度は２θで表される。した
がって、下電極２が点線で示されるようにＬだけ上動し
た場合は、長方形フォトダイオード８の受光位置はＬ・
ｔａｎ２θ・ｔａｎθだけ変位するので、この値を両端
の電流値から（１）式を用いて算出する（変動前の値と
変動後の値の差が上記（１）式で与えられる受光位置の
変位に等しい）ことによりＬを求めることができる。よ
って下電極２に対する上電極１の変位前の既知の基準位
置に対して、上記変位量を算出することにより上電極１
と下電極２との間隔を測定することができる。
れるので、レーザ光６の傾斜面２ｂに対する入射光線６
ａと反射光線６ｂとのなす角度は２θで表される。した
がって、下電極２が点線で示されるようにＬだけ上動し
た場合は、長方形フォトダイオード８の受光位置はＬ・
ｔａｎ２θ・ｔａｎθだけ変位するので、この値を両端
の電流値から（１）式を用いて算出する（変動前の値と
変動後の値の差が上記（１）式で与えられる受光位置の
変位に等しい）ことによりＬを求めることができる。よ
って下電極２に対する上電極１の変位前の既知の基準位
置に対して、上記変位量を算出することにより上電極１
と下電極２との間隔を測定することができる。
【００１５】図３は全体構成を示すもので、チャンバ
（反応室）１０の下電極１の側部にガラス窓１１を設
け、この窓１１を通してレーザ光６を照射すると共に、
この窓１１を通して反射された光を受光するようにして
いる。この場合レーザ発振器と長方形フォトダイオード
は炉外の適所（大気中）に設けることができるが、図４
に示すようにガラス窓１１に埋め込むことにより取り付
けるようにすることもできる。
（反応室）１０の下電極１の側部にガラス窓１１を設
け、この窓１１を通してレーザ光６を照射すると共に、
この窓１１を通して反射された光を受光するようにして
いる。この場合レーザ発振器と長方形フォトダイオード
は炉外の適所（大気中）に設けることができるが、図４
に示すようにガラス窓１１に埋め込むことにより取り付
けるようにすることもできる。
【００１６】なお、以上の実施の形態においては、レー
ザ光を下電極２の端部に照射するようにしたが、上電極
１の端部に照射するようにしても良いことは、明白であ
る。この場合は、上電極１の端部に傾斜面を形成してテ
ーパ状としておく。また、実施の形態においては、レー
ザ発振器はテーパ状とされた電極端部の横方向であっ
て、電極面と平行に光を照射するように配置したが、こ
の発明の作用、効果を生じ得る範囲において適宜にその
位置、照射方向を変更できることは言うまでもない。
ザ光を下電極２の端部に照射するようにしたが、上電極
１の端部に照射するようにしても良いことは、明白であ
る。この場合は、上電極１の端部に傾斜面を形成してテ
ーパ状としておく。また、実施の形態においては、レー
ザ発振器はテーパ状とされた電極端部の横方向であっ
て、電極面と平行に光を照射するように配置したが、こ
の発明の作用、効果を生じ得る範囲において適宜にその
位置、照射方向を変更できることは言うまでもない。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明は、平行平板電極間にプラズマを発生させて基板に成
膜処理を行うようにしたプラズマＣＶＤ装置において、
前記平行平板電極の少なくとも一方の端部をテーパ状に
形成すると共に、前記端部に光を照射する投光手段と、
該投光手段により照射され、前記端部により反射された
反射光を受光する受光手段を設け、前記受光手段による
受光位置に基づいて前記平行平板電極間の距離を算出す
るようにしたため、電極間隔をリアルタイムで正確に測
定することができるプラズマＣＶＤ装置を得ることがで
きるという効果を奏する。
明は、平行平板電極間にプラズマを発生させて基板に成
膜処理を行うようにしたプラズマＣＶＤ装置において、
前記平行平板電極の少なくとも一方の端部をテーパ状に
形成すると共に、前記端部に光を照射する投光手段と、
該投光手段により照射され、前記端部により反射された
反射光を受光する受光手段を設け、前記受光手段による
受光位置に基づいて前記平行平板電極間の距離を算出す
るようにしたため、電極間隔をリアルタイムで正確に測
定することができるプラズマＣＶＤ装置を得ることがで
きるという効果を奏する。
【図１】この発明の実施の形態を示す概略構成図であ
る。
る。
【図２】この発明の実施の形態における測定原理を示す
説明図である。
説明図である。
【図３】この発明の実施の形態における全体構成を示す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図４】光学系の取り付け位置を示す側面図である。
【図５】従来のプラズマＣＶＤ装置における平行平板電
極間の測定技術を示す図である。
極間の測定技術を示す図である。
１ 上電極 ２ 下電極 ２ａ 下電極面 ２ｂ 傾斜面 ６ レーザ光 ７ レーザ発振器 ８ 長方形フォトダイオード
Claims (1)
- 【請求項１】 平行平板電極間にプラズマを発生させて
基板に成膜処理を行うようにしたプラズマＣＶＤ装置に
おいて、 前記平行平板電極の少なくとも一方の端部をテーパ状に
形成すると共に、前記端部に光を照射する投光手段と、
該投光手段により照射され、前記端部により反射された
反射光を受光する受光手段を設け、 前記受光手段による受光位置に基づいて前記平行平板電
極間の距離を算出するようにしたことを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262595A JP2000091243A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262595A JP2000091243A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091243A true JP2000091243A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17377992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10262595A Withdrawn JP2000091243A (ja) | 1998-09-17 | 1998-09-17 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091243A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210621A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1998
- 1998-09-17 JP JP10262595A patent/JP2000091243A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001210621A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |