KR102359161B1 - 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징 - Google Patents

플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징 Download PDF

Info

Publication number
KR102359161B1
KR102359161B1 KR1020210114799A KR20210114799A KR102359161B1 KR 102359161 B1 KR102359161 B1 KR 102359161B1 KR 1020210114799 A KR1020210114799 A KR 1020210114799A KR 20210114799 A KR20210114799 A KR 20210114799A KR 102359161 B1 KR102359161 B1 KR 102359161B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum chamber
weight
chamber housing
mold
body part
Prior art date
Application number
KR1020210114799A
Other languages
English (en)
Inventor
서정권
이석희
나재흠
서용주
강민석
서병우
은성수
Original Assignee
주식회사 구비테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 구비테크 filed Critical 주식회사 구비테크
Priority to KR1020210114799A priority Critical patent/KR102359161B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102359161B1 publication Critical patent/KR102359161B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
    • B22D21/00—Casting non-ferrous metals or metallic compounds so far as their metallurgical properties are of importance for the casting procedure; Selection of compositions therefor
    • B22D21/002—Castings of light metals
    • B22D21/007—Castings of light metals with low melting point, e.g. Al 659 degrees C, Mg 650 degrees C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C21/00—Alloys based on aluminium
    • C22C21/12—Alloys based on aluminium with copper as the next major constituent
    • C22C21/14—Alloys based on aluminium with copper as the next major constituent with silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32467—Material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼를 내부에 수납하는 진공챔버의 일측에 결합되어 플라즈마 생성부를 지지하는 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징에 있어서, 상기 진공챔버의 일측 면에 접하도록 결합되는 바디부; 및 상기 바디부의 중심부에 양측면으로 관통되어 상기 플라즈마 생성부가 배치되는 삽입홀;을 포함하고, 상기 바디부가 주물로 이루어지도록 성형됨에 따라, 원재료의 낭비를 방지하여 생산 원가를 낮추면서 제품의 제작시간을 대폭 감소시킬 수 있는 진공챔버 하우징에 관한 것이다.

Description

플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징{VACUUM CHAMBER HOUSING OF PLASMA ETCHIMG EQUIPMENT}
본 발명은 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징에 관한 것으로, 보다 상세히는 반도체 공정에서 웨이퍼를 진공상태로 수납하는 진공챔버에 결합되는 진공챔버 하우징에 관한 것이다.
반도체 공정은 일반적으로 전공정과 후공정으로 나뉘며, 전공정은 웨이퍼 제조공정, 산화공정, 에칭공정 및 증착공정 등을 포함하고, 후공정은 금속배선공정, 검사공정, 패킹공정 등을 포함하여 구성된다. 이때 상기 반도체 공정의 에칭공정은 웨이퍼에 액체 또는 기체 상태의 부식액을 이용하여 불필요한 부분을 선택적으로 제거함에 따라 반도체 회로 패턴을 만든 공정을 의미한다.
상기 에칭공정에서는 웨이퍼를 진공상태에서 작업하도록 진공챔버를 포함할 수 있다. 대한민국 공개특허공보 제10-2016-0135687호("플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치의 제어 방법", 2016.11.28. 공고, 이하 '선행기술'이라 함.)에서는 VHF 플라즈마를 이용한 에칭 장치가 개시되어 있으며, 도 1을 참조하여 위 선행기술의 플라즈마 에칭 장치에 대해서 간략히 설명하자면 다음과 같다. 상기 플라즈마 에칭 장치는, 웨이퍼(1), 상기 웨이퍼(1)를 내부에 배치하여 진공상태를 유지하는 진공챔버(2), 플라즈마를 발생시키도록 상기 진공챔버(2)의 일면 측에 배치되는 플라즈마 생성부(3) 및 상기 플라즈마 생성부(3)를 고정하면서 상기 진공챔버(2)의 내부가 진공상태를 유지하도록 상기 진공챔버(2)와 결합되는 어퍼하우징 등의 진공챔버 하우징(4)을 포함할 수 있다. 이때 상기 플라즈마 생성부(3)는 전자석, 코일, 안테나 또는 전극 등이 포함될 수 있다.
현재 상술한 진공챔버 하우징을 생산하기 위해서는 압연된 원재료를 절단한 후에 전면 절삭하여 요구되는 치수로 가공하는 것이 일반적이다. 이때 상기 진공챔버 하우징은 절단 및 절삭 가공을 통해 제작되므로 기존 원재료를 기준으로 낭비되는 부분이 많아 개당 생산 원가가 다소 높은 문제점이 있다. 이와 더불어 다수의 진공챔버 하우징을 생산하기 위해서는 각각에 대한 정밀 가공작업이 수반되므로, 작업시간이 과도하게 요구되는 문제점이 있다.
KR 10-2016-0135687 A (2016.11.28 공고)
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 절삭 가공량을 감소시켜 소재비를 절감하도록 알루미늄 주물을 소재로 성형된 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 웨이퍼(W)를 내부에 수납하는 진공챔버의 일측에 결합되어 플라즈마 생성부를 지지하는 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징에 있어서, 상기 진공챔버의 일측 면에 접하도록 결합되는 바디부; 및 상기 바디부의 중심부에 양측면으로 관통되어 상기 플라즈마 생성부가 배치되는 삽입홀;을 포함하고, 상기 바디부가 주물로 이루어지도록 성형될 수 있다.
또한, 상기 바디부의 재질은 알루미늄(Al)을 포함하는 합금으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 합금은, 구리(Cu), 규소(Si), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 철(Fe), 망간(Mn) 및 티타늄(Ti)을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 합금은, 구리 0.001 내지 0.025 중량%, 규소 6.5 내지 7.5 중량%, 마그네슘 0.2 내지 0.45 중량%, 아연 0.001 내지 0.1 중량%, 철 0.001 내지 0.12 중량%, 망간 0.001 내지 0.1 중량%, 티타늄 0.001 내지 0.02 중량% 및 잔량의 알루미늄을 포함할 수 있다.
또한, 상기 합금은, 니켈(Ni), 납(Pb), 주석(Sn) 및 크롬(Cr)을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 합금은, 구리 0.001 내지 0.025 중량%, 규소 6.5 내지 7.5 중량%, 마그네슘 0.2 내지 0.45 중량%, 아연 0.001 내지 0.35 중량%, 철 0.001 내지 0.55 중량%, 망간 0.001 내지 0.35 중량%, 니켈 0.001 내지 0.1 중량%, 티타늄 0.001 내지 0.02 중량%, 납 0.001 내지 0.1 중량%, 주석 0.001 내지 0.05 중량%, 크롬 0.001 내지 0.1 중량% 및 잔량의 알루미늄을 포함할 수도 있다.
아울러 상술한 진공챔버 하우징을 성형하기 위한 본 발명에 따른 진공챔버 하우징용 금형은, 상기 바디부의 상부 형상과 대응하는 캐비티가 하면에 형성된 상형판; 및 상기 바디부의 하부 형상과 대응하는 캐비티가 상면에 형성된 하형판;을 포함하고, 상기 상형판 및 하형판은, 상기 삽입홀이 형성되는 위치에 제1압탕이 배치될 수 있다.
또한, 상기 제1압탕은 복수로 이루어져, 상기 삽입홀의 원주 방향을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다.
또한, 상기 진공챔버 하우징용 금형은, 상기 하형판의 일측에 배치되어 용탕이 주입되는 용탕컵; 및 상기 용탕컵으로 주입된 용탕을 상기 하형판으로 가이드하는 게이트;를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 게이트는 상기 용탕컵이 상기 하형판 보다 상측에 위치하여 상기 게이트가 경사지도록 형성되며, 지면을 기준으로 상기 게이트가 20° 내지 40° 사이로 경사질 수 있다.
또한, 상기 하형판은, 상기 게이트와 연결되는 위치에 배치되어 상기 게이트로부터 유입된 용탕을 캐비티로 주입하는 주입구; 및 상기 주입구와 인접하도록 배치되는 제2압탕;을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2압탕을 중심으로 한 쌍의 주입구가 서로 이격되어 배치될 수도 있다.
상기와 같은 구성에 의한 본 발명에 따른 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징은, 금형 주조를 통해 주물로 생산됨에 따라 가공 로스(Loss)가 적고 가공 시간이 줄어들어 생산성이 향상되는 장점이 있다.
아울러 상기 진공챔버 하우징은 철 함유량이 적으면서도 인장강도와 경도가 높은 소재로 구성된 합금으로 형성됨에 따라, 용탕의 드로스(Dross) 산화물을 감소시키고 수소가스 발생을 억제할 수 있어 보다 품질이 향상되는 장점이 있다.
도 1은 종래기술에 따른 플라즈마 에칭장비의 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체 전공정 설비를 개략적으로 도시한 사시도.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 에칭장비를 개략적으로 도시한 절개도.
도 4는 본 발명에 따른 진공챔버 하우징의 사시도.
도 5는 종래기술에 따른 진공챔버 하우징과 본 발명에 따른 진공챔버 하우징의 제조비용을 비교한 표.
도 6은 종래기술에 따른 진공챔버 하우징의 소재와 본 발명에 따른 진공챔버 하우징의 소재 간의 물성치를 비교한 표.
도 7은 본 발명에 따른 진공챔버 하우징용 금형의 사시도.
도 8은 본 발명에 따른 진공챔버 하우징용 금형의 분해 사시도.
도 9는 본 발명에 따른 진공챔버 하우징용 금형의 분해된 정면도.
도 10은 본 발명에 따른 하형판의 평면도.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 도면들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 제시되는 도면들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 또한 명세서 전반에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
이때 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 에칭장비에 관한 것으로, 도 2는 반도체 전공정 설비를 개략적으로 도시한 사시도를, 도 3은 플라즈마 에칭장비를 개략적으로 도시한 절개도를 각각 나타낸다.
도 2를 참조하면, 반도체 전공정 설비는 프로세스 챔버(10, Process Chamber), 트랜스퍼 챔버(20, Transfer Chamber) 및 로드락 챔버(30, Load-Lock Chamber)를 포함할 수 있다. 이때 상기 프로세스 챔버(10)는 에칭공정 등의 실제 공정이 이루어지는 모듈로 상기 트랜스퍼 챔버(20)를 중심으로 제1프로세스 챔버(10a) 및 제2프로세스 챔버(10b)를 포함하는 복수의 상기 프로세스 챔버(10)가 트랜스퍼 밸브(21, Transfer Valve)를 통해 연결될 수 있다. 그리고 상기 트랜스퍼 챔버(20)에는 상기 로드락챔버(30)가 트랜스퍼 밸브(21)를 통해 연결될 수 있으며, 상기 로드락챔버(30)에는 EFEM(Equipment Front End Module) 등과 도어밸브(31, Door Valve)를 통해 연결될 수 있다. 그리고 상기 EFEM를 이용하여 웨이퍼가 수납된 FOUP(Front Opening Universal Pod) 등의 캐리어가 반송될 수 있다. 이때 상기 프로세스 챔버(10), 트랜스퍼 챔버(20) 및 로드락 챔버(30)에는 펌프(40)가 연결될 수도 있다.
도 3을 참조하면 상기 프로세스 챔버(10)에서 플라즈마를 통해 에칭공정이 실시되는 경우, 상기 프로세스 챔버(10)는 웨이퍼(W)가 내부에 수납되는 진공챔버(11), 플라즈마를 통해 에칭되도록 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부(12)를 포함할 수 있다. 이때 상기 플라즈마 생성부(12)는 고주파코일, 안테나 또는 전극 등을 포함할 수 있다. 그리고 상기 플라즈마 생성부(12)는 상기 진공챔버(11)의 일측에 배치될 수 있으며, 본 발명에 따른 플라즈마 에칭장비는 상기 플라즈마 생성부(12)를 지지하면서 상기 진공챔버(11)의 일측을 밀폐하도록 진공챔버 하우징(100)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 상기 플라즈마 생성부(12)의 일측에는 커버부(13)가 배치되어 플라즈마를 생성하기 위한 다른 부속품들을 수납하고 상기 플라즈마 생성부(12)의 동작을 제어할 수도 있다.
도 4 내지 도 6은 본 발명에 따른 진공챔버 하우징에 관한 것으로, 도 4는 진공챔버 하우징의 사시도를, 도 5는 종래기술에 따른 진공챔버 하우징과 본 발명에 따른 진공챔버 하우징의 제조비용을 비교한 표를, 도 6은 종래기술에 따른 진공챔버 하우징의 소재와 본 발명에 따른 진공챔버 하우징의 소재 간의 물성치를 비교한 표를 각각 나타낸다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 진공챔버 하우징(100)은, 상기 진공챔버(11)의 일측 면에 접하도록 결합되는 바디부(110) 및 상기 바디부(110)의 중심부에 양측면으로 관통되어 상기 플라즈마 생성부(12)가 배치되는 삽입홀(120)을 포함할 수 있다. 이때 본 발명에 따른 진공챔버 하우징(100)은 상기 바디부(110)가 금형을 통해 성형된 주물로 이루어진 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 바디부(110)는 알루미늄(Al)을 포함하는 합금으로 구성될 수 있으며, 구리(Cu), 규소(Si), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 철(Fe), 망간(Mn) 및 티타늄(Ti)을 더 포함할 수 있다. 이때 상기 바디부(110)의 합금은 구리 0.001 내지 0.025 중량%, 규소 6.5 내지 7.5 중량%, 마그네슘 0.2 내지 0.45 중량%, 아연 0.001 내지 0.1 중량%, 철 0.001 내지 0.12 중량%, 망간 0.001 내지 0.1 중량%, 티타늄 0.001 내지 0.02 중량% 및 잔량의 알루미늄을 포함하는 제1소재(M1)로 구성될 수 있다.
종래기술에 따른 압연방식을 통해 제조된 압연소재(M0)와 금형으로 성형된 제1소재(M1)로 구성된 본 발명에 따른 상기 진공챔버 하우징(100)은 도 5에서 도시된 바와 같이 개당 제조단가에서 확연한 차이가 나타난다. 특히, 압력소재(M0)로 구성된 경우에는 최종물보다 많은 양의 원자재가 요구됨에 따라 절삭되어 버려지는 재료가 많은 문제가 있으며, 본 발명에 따른 상기 진공챔버 하우징(100)은 금형주조를 통해 낭비되는 재료를 최소화할 수 있는 장점이 있다.
상기 바디부(110)는 알루미늄(Al)을 포함하는 합금으로 구성될 수 있으며, 구리(Cu), 규소(Si), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 철(Fe), 망간(Mn), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 납(Pb), 주석(Sn) 및 크롬(Cr)을 더 포함할 수 있다. 이때 상기 바디부(110)의 합금은 구리 0.001 내지 0.025 중량%, 규소 6.5 내지 7.5 중량%, 마그네슘 0.2 내지 0.45 중량%, 아연 0.001 내지 0.35 중량%, 철 0.001 내지 0.55 중량%, 망간 0.001 내지 0.35 중량%, 니켈 0.001 내지 0.1 중량%, 티타늄 0.001 내지 0.02 중량%, 납 0.001 내지 0.1 중량%, 주석 0.001 내지 0.05 중량%, 크롬 0.001 내지 0.1 중량% 및 잔량의 알루미늄을 포함하는 제2소재(M2)로 구성될 수도 있다. 도 6을 참조하여 상기 압연소재(M0), 제1소재(M1) 및 제2소재(M2)를 비교하면 다음과 같다.
금형주조된 상기 제1소재(M1) 및 제2소재(M2)는 상기 압연소재(M0)와 유사한 물성치를 나타내며, 인장강도, 연신율 및 경도가 높아서 진공압에 대한 내구성 또한 향상되는 장점이 있다. 이에 상기 압연소재(M0)에서 나타난 원자재의 가공로스 문제를 해결함과 더불어 가공 시간이 줄어들어 생산성이 향상되는 장점이 있다. 아울러 상기 제1소재(M1)는 상기 제2소재(M2)에 대비하여 철 함량이 낮음에도 불구하고 인장강도, 연신율 및 경도가 유지될 수 있음에 따라, 알루미늄 주조공정에서 미량의 수소가 용해되어 수소 기공을 야기하여 강도가 낮아지고 진동도를 떨어지게 하는 문제점이 발생되는 것을 억제할 수 있다. 그리고 상기 제1소재(M1) 및 제2소재(M2)는 알루미늄 용탕의 드로스 산화물을 증가시키고 수소가스의 원인이 되는 철 함량이 낮은 알루미늄 합금을 적용하여 조성비를 개선하여 치밀한 조직을 얻어 진공압을 개선할 수 있는 장점이 있다.
도 7 내지 도 10은 본 발명에 따른 진공챔버 하우징용 금형에 관한 것으로, 도 7은 진공챔버 하우징용 금형의 사시도를, 도 8은 진공챔버 하우징용 금형의 분해 사시도를, 도 9는 진공챔버 하우징용 금형의 분해된 정면도를, 도 10은 하형판의 평면도를 각각 나타낸다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 진공챔버 하우징용 금형(200)은, 상기 진공챔버 하우징(100)을 성형하도록 상기 바디부(110)의 상부 형상과 대응하는 캐비티가 하면에 형성된 상형판(210) 및 상기 바디부(110)의 하부 형상과 대응하는 캐비티가 상면에 형성된 하형판(220)을 포함할 수 있다. 이때 상기 진공챔버 하우징용 금형(200)은 상기 하형판(220)의 하측에 배치되어 지면 또는 선반 상에서 상기 하형판(220)을 지지하는 베이스(230)를 더 포함할 수 있다. 여기서 상기 상형판(210)은 진공챔버 하우징(100)의 삽입홀(120)과 대향하는 위치에 관통된 관통홀(211) 또는 제1압탕(212)을 더 포함할 수 있다. 그리고 상기 제1압탕(212)은 주입된 용탕의 압력을 증가하기 위해서 용탕이 채워지는 공간일 수 있으며, 상기 제1압탕(212)이 복수로 이루어져 상기 삽입홀(120)의 내주면을 따라 서로 이격 배치될 수도 있다.
상기 진공챔버 하우징용 금형(200)은 상기 하형판(220)의 일측에 배치되는 용탕컵(240)과 게이트(250)를 더 포함할 수 있으며, 상기 용탕컵(240)으로 용융된 알루미늄 합금이 주입되면, 상기 게이트(250)를 통해 상기 상형판(210) 및 하형판(220)의 캐비티로 주입될 수 있다. 이때 상기 게이트(250)는 상하로 이격되는 제1게이트바디(251) 및 제2게이트바디(252)를 포함하되, 상기 제1게이트바디(251) 및 제2게이트바디(252) 사이에 용탕이 유동되어 상기 캐비티로 주입될 수도 있다.
도 9를 참조하면, 상기 게이트(250)는 용탕(C)이 흐르는 경로가 경사지도록 형성될 수 있으며, 보다 상세히는 상기 용탕컵(240)이 상기 하형판(220)의 상측에 위치하여 상기 게이트(250)의 유동경로의 양단이 경사지도록 형성될 수 있다. 이때 상기 하형판(220) 또는 베이스(230)가 지면과 나란하도록 안착되면, 상기 게이트(250)의 유동경로는 지면을 기준으로 소정각도(α) 경사질 수 있다. 이때 상기 소정각도(α)는 0° 내지 90° 사이로 형성될 수 있으며, 보다 바람직하게는 20° 내지 40° 사이로 형성될 수 있다. 이때 본 발명에 따른 게이트(250)는 경사진 형태 뿐만 아니라 지면과 나란하거나 지면 대비 둔각 또는 상기 상형판(210)을 관통하도록 배치되는 등 다양한 형태로 변형될 수도 있다.
이때 본 발명에 따른 진공챔버 하우징용 금형(200)을 이용한 상기 진공챔버 하우징(100)을 제조하는 방법은 다음과 같은 과정을 포함할 수 있다. 먼저 상기 진공챔버 하우징용 금형(200)을 상기 게이트(250)의 경사진 소정각도만큼 일방향으로 회전시켜 상기 게이트(250)로의 유동을 차단할 수 있으며, 상기 상형판(210)과 하형판(220)을 형폐하고 상기 용탕컵(240)에 용탕을 주입할 수 있다. 그리고 상기 진공챔버 하우징용 금형(200)을 타방향으로 소정각도만큼 회전시켜 상기 게이트(250)로 용탕이 중력을 통해 유동될 수 있도록 유도할 수 있으며, 상기 상형판(210)과 하형판(220)의 사이에 형성된 캐비티에 용탕이 주입될 수 있다. 아울러 상기 주입된 용탕이 응고되면 상기 상형판(210)과 하형판(220)이 형개하여 성형된 진공챔버 하우징(100)을 분리될 수 있다. 이때 다수의 제품을 제조하기 위해서는 위와 같은 과정이 반복될 수 있으며, 성형된 진공챔버 하우징(100)이 분리된 후에 캐비티의 클리닝 및 도형제를 도포하는 과정이 더 포함될 수도 있다.
도 10을 참조하면, 상기 하형판(220)은 상면의 일측에 제2압탕(221)과 주입구(222)가 형성될 수 있다. 이때 상기 제2압탕(221)은 주입된 용탕의 압력을 증가하기 위해서 용탕이 채워지는 공간일 수 있으며, 이때 상기 주입구(222)는 상기 게이트(250)와 연결되어 상기 게이트(250)로부터 유입된 용탕을 캐비티로 주입하는 경로일 수 있다. 여기서 상기 주입구(222)는 제1주입구(222a) 및 제2주입구(222b)를 포함하여 한 쌍으로 이루어지되, 상기 제1주입구(222a) 및 제2주입구(222b)가 상기 제2압탕(221)을 기준으로 서로 이격 배치될 수도 있다.
이상과 같이 본 발명에서는 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 일 실시예에 한정되는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술되는 특허 청구 범위뿐 아니라 이 특허 청구 범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
W : 웨이퍼
10 : 프로세스 챔버(Process Chamber)
10a : 제1프로세스 챔버 10b : 제2프로세스 챔버
11 : 진공챔버 12 : 플라즈마 생성부
13 : 커버부
20 : 트랜스퍼 챔버(Transfer Chamber)
21 : 트랜스퍼 밸브(Transfer Valve)
30 : 로드락 챔버(Load-Lock Chamber)
31 : 도어밸브(Door Valve)
40 : 펌프
100 : 진공챔버 하우징
110 : 바디부 120 : 삽입홀
200 : 진공챔버 하우징용 금형
210 : 상형판
211 : 관통홀 212 : 제1압탕
220 : 하형판
221 : 제2압탕 222 : 주입구
222a : 제1주입구 222b : 제2주입구
230 : 베이스 240 : 용탕컵
250 : 게이트
251 : 제1게이트바디 252 : 제2게이트바디

Claims (12)

  1. 웨이퍼를 내부에 수납하는 진공챔버의 일측에 결합되어 플라즈마 생성부를 지지하는 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징에 있어서,
    상기 진공챔버의 일측 면에 접하도록 결합되는 바디부; 및
    상기 바디부의 중심부에 양측면으로 관통되어 상기 플라즈마 생성부가 배치되는 삽입홀;
    을 포함하고,
    상기 바디부가 주물로 이루어지도록 성형되되,
    상기 바디부의 재질은 알루미늄(AI)을 포함하는 합금으로 이루어지며,
    상기 합금은,
    구리(Cu), 규소(Si), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 철(Fe), 망간(Mn) 및 티타늄(Ti)을 더 포함하되,
    상기 합금은,
    구리 0.001 내지 0.025 중량%, 규소 6.5 내지 7.5 중량%, 마그네슘 0.2 내지 0.45 중량%, 아연 0.001 내지 0.1 중량%, 철 0.001 내지 0.12 중량%, 망간 0.001 내지 0.1 중량%, 티타늄 0.001 내지 0.02 중량% 및 잔량의 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공챔버 하우징.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 웨이퍼를 내부에 수납하는 진공챔버의 일측에 결합되어 플라즈마 생성부를 지지하는 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징에 있어서,
    상기 진공챔버의 일측 면에 접하도록 결합되는 바디부; 및
    상기 바디부의 중심부에 양측면으로 관통되어 상기 플라즈마 생성부가 배치되는 삽입홀;
    을 포함하고,
    상기 바디부가 주물로 이루어지도록 성형되되,
    상기 바디부의 재질은 알루미늄(AI)을 포함하는 합금으로 이루어지며,
    상기 합금은,
    구리(Cu), 규소(Si), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 철(Fe), 망간(Mn) 및 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 납(Pb), 주석(Sn) 및 크롬(Cr)을 더 포함하되,
    상기 합금은,
    구리 0.001 내지 0.025 중량%, 규소 6.5 내지 7.5 중량%, 마그네슘 0.2 내지 0.45 중량%, 아연 0.001 내지 0.35 중량%, 철 0.001 내지 0.55 중량%, 망간 0.001 내지 0.35 중량%, 니켈 0.001 내지 0.1 중량%, 티타늄 0.001 내지 0.02 중량%, 납 0.001 내지 0.1 중량%, 주석 0.001 내지 0.05 중량%, 크롬 0.001 내지 0.1 중량% 및 잔량의 알루미늄을 포함하는 을 특징으로 하는 진공챔버 하우징.
  6. 삭제
  7. 제1항 또는 제5항의 진공챔버 하우징을 성형하기 위한 진공챔버 하우징용 금형에 있어서,
    상기 바디부의 상부 형상과 대응하는 캐비티가 하면에 형성된 상형판; 및
    상기 바디부의 하부 형상과 대응하는 캐비티가 상면에 형성된 하형판;
    을 포함하고,
    상기 상형판 및 하형판은,
    상기 삽입홀이 형성되는 위치에 제1압탕이 배치되는 것을 특징으로 하는 진공챔버 하우징용 금형.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1압탕은 복수로 이루어져,
    상기 삽입홀의 원주 방향을 따라 서로 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 진공챔버 하우징용 금형.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 하형판의 일측에 배치되어 용탕이 주입되는 용탕컵; 및
    상기 용탕컵으로 주입된 용탕을 상기 하형판으로 가이드하는 게이트;
    를 더 포함하는 진공챔버 하우징용 금형.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 게이트는 상기 용탕컵이 상기 하형판 보다 상측에 위치하여 상기 게이트가 경사지도록 형성되며,
    지면을 기준으로 상기 게이트가 20° 내지 40° 사이로 경사진 것을 특징으로 하는 진공챔버 하우징용 금형.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 하형판은,
    상기 게이트와 연결되는 위치에 배치되어 상기 게이트로부터 유입된 용탕을 캐비티로 주입하는 주입구;
    상기 주입구와 인접하도록 배치되는 제2압탕;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 진공챔버 하우징용 금형.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2압탕을 중심으로 한 쌍의 주입구가 서로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 진공챔버 하우징용 금형.
KR1020210114799A 2021-08-30 2021-08-30 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징 KR102359161B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210114799A KR102359161B1 (ko) 2021-08-30 2021-08-30 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210114799A KR102359161B1 (ko) 2021-08-30 2021-08-30 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102359161B1 true KR102359161B1 (ko) 2022-02-08

Family

ID=80251499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210114799A KR102359161B1 (ko) 2021-08-30 2021-08-30 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102359161B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10149899A (ja) * 1996-10-18 1998-06-02 Applied Materials Inc 円錐形ドームを有する誘電結合平行平板型プラズマリアクター
KR20060132854A (ko) * 2004-01-28 2006-12-22 동경 엘렉트론 주식회사 대규모 유도 결합 플라즈마 소스용 유도 소자
KR20090032764A (ko) * 2007-09-28 2009-04-01 에이씨케이주식회사 금형 순환식 다중 주조방법 및 그 장치
JP2011508419A (ja) * 2007-12-19 2011-03-10 ラム リサーチ コーポレーション 半導体真空処理装置用のフィルム接着剤
KR20160135687A (ko) 2013-02-12 2016-11-28 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치의 제어 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10149899A (ja) * 1996-10-18 1998-06-02 Applied Materials Inc 円錐形ドームを有する誘電結合平行平板型プラズマリアクター
KR20060132854A (ko) * 2004-01-28 2006-12-22 동경 엘렉트론 주식회사 대규모 유도 결합 플라즈마 소스용 유도 소자
KR20090032764A (ko) * 2007-09-28 2009-04-01 에이씨케이주식회사 금형 순환식 다중 주조방법 및 그 장치
JP2011508419A (ja) * 2007-12-19 2011-03-10 ラム リサーチ コーポレーション 半導体真空処理装置用のフィルム接着剤
KR20160135687A (ko) 2013-02-12 2016-11-28 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치의 제어 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20120273097A1 (en) Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles
US7845540B2 (en) Systems and methods for depositing conductive material into openings in microfeature workpieces
KR20200103850A (ko) 고압 어닐링을 사용한 심 힐링
WO2011142479A1 (en) A method for surface treatment of a die-casting die
US20210101819A1 (en) Curved glass manufacturing method
KR102359161B1 (ko) 플라즈마 에칭장비의 진공챔버 하우징
JP4729951B2 (ja) 鋳型装置及び鋳物の製造方法
JP4224024B2 (ja) アルミニウム合金の真空ダイカスト鋳造方法および鋳造装置並びにアルミニウム合金製品
US7130174B2 (en) Integral-type ceramic circuit board and method of producing same
US20030070918A1 (en) Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces
CN108746558A (zh) 金属中框加工方法、金属中框和移动终端
US20210129213A1 (en) Vaccum die casting method and a die for vaccum die casting
CN112142304A (zh) 压铸模具、壳体压铸系统、制作方法、壳体和电子设备
EP4151766A1 (en) High-entropy alloy and method for manufacturing same
KR101840986B1 (ko) 금형장치
JP3548317B2 (ja) 多孔質金型の製造方法
CN107900228A (zh) 一种冲压模具表面耐磨处理工艺
JP2004237301A (ja) 有層鋼材製部材およびその製造方法
KR102435421B1 (ko) 블리스터 발생 방지가 가능한 알루미늄 합금 부품의 다이캐스팅 제조 방법
US10483091B1 (en) Selective ion filtering in a multipurpose chamber
KR100418513B1 (ko) 리드프레임 도금시 사용되는 도금 방지용 실리콘패드 제조장치
US7497243B2 (en) Mold for casting and method for manufacture thereof
JPH08258018A (ja) 粉末成形金型
JPH03254349A (ja) かご型ロータ用金型
JP4121336B2 (ja) 鋳造用金型および有層鋼材製部材の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant