JPS6016096B2 - 半導体装置の製造法 - Google Patents
半導体装置の製造法Info
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- JPS6016096B2 JPS6016096B2 JP50104166A JP10416675A JPS6016096B2 JP S6016096 B2 JPS6016096 B2 JP S6016096B2 JP 50104166 A JP50104166 A JP 50104166A JP 10416675 A JP10416675 A JP 10416675A JP S6016096 B2 JPS6016096 B2 JP S6016096B2
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Classifications
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
Description
【発明の詳細な説明】
本願は一般的にはｎ形ｍ−Ｖ族半導体上のオーム接触の
金属膜、特にＧａとＡｓを含む半導体上に形成された接
点に係る。
金属膜、特にＧａとＡｓを含む半導体上に形成された接
点に係る。
多大な駒○がｍ一Ｖ族半導体から成る集積回路及び装置
の形成に払われて釆た。
の形成に払われて釆た。
その注意は主にＦＥＴ、ＩＭＰＡＴＴダイオード、及び
レーザを形成するに有益なＧａＡｓに向けられてきた。
そのような応用には半導体表面への信頼性のある低抵抗
オーム接触が要求される。典型的には現在の方策はｏａ
母の表面上に金一ゲルマニウム共融合金又はスズ合金金
属膜を置き金属が溶けるに十分なだけ熱しそれにより半
導体を含む合金の金属膜をつくることである。そのよう
な処理は殆んどの目的に対する適当なオーム接触を生成
させるが、しかし、その溶融処理において本質的に重要
な欠点がある。即ち接触金属膜の寸法制御がうまくいか
ないことである。寸法制御のこの欠陥は、小さい領域の
みしか接触のために利用できないところでは重要さを増
す。それ故、良く規正された寸法を有するオーム接触を
形成させる金属隙及び処理法を提供することが望まれる
。この目的及びその他の目的がゲルマニウムとパラジウ
ムとを含む金属膜方式を利用する本発明により達成され
た。
レーザを形成するに有益なＧａＡｓに向けられてきた。
そのような応用には半導体表面への信頼性のある低抵抗
オーム接触が要求される。典型的には現在の方策はｏａ
母の表面上に金一ゲルマニウム共融合金又はスズ合金金
属膜を置き金属が溶けるに十分なだけ熱しそれにより半
導体を含む合金の金属膜をつくることである。そのよう
な処理は殆んどの目的に対する適当なオーム接触を生成
させるが、しかし、その溶融処理において本質的に重要
な欠点がある。即ち接触金属膜の寸法制御がうまくいか
ないことである。寸法制御のこの欠陥は、小さい領域の
みしか接触のために利用できないところでは重要さを増
す。それ故、良く規正された寸法を有するオーム接触を
形成させる金属隙及び処理法を提供することが望まれる
。この目的及びその他の目的がゲルマニウムとパラジウ
ムとを含む金属膜方式を利用する本発明により達成され
た。
金属膜は個々の層として又は合金として半導体上に形成
される。その膜はそれからオーム接触を形成するため金
属と半導体成分を相互拡散させるに十分なしかし金属が
溶けない程０度の温度迄加熱される。ある実施例におい
て、ＱとＰｄの連続層がＧａＡｓ半導体の表面上に漬か
れ、３５０−５００ｏｏの範囲内で加熱されると溶融の
如何なる痕跡もない従って良好な寸法制御を有するオー
ム特性の接触が得られる。本発明のこれらの及び他の特
徴は次の記述において詳細に述べられるであろう。本発
明の一実施態様が第１乃至３図において示された一連の
生成過程に例示されている。
される。その膜はそれからオーム接触を形成するため金
属と半導体成分を相互拡散させるに十分なしかし金属が
溶けない程０度の温度迄加熱される。ある実施例におい
て、ＱとＰｄの連続層がＧａＡｓ半導体の表面上に漬か
れ、３５０−５００ｏｏの範囲内で加熱されると溶融の
如何なる痕跡もない従って良好な寸法制御を有するオー
ム特性の接触が得られる。本発明のこれらの及び他の特
徴は次の記述において詳細に述べられるであろう。本発
明の一実施態様が第１乃至３図において示された一連の
生成過程に例示されている。
第１図に示されているように出発点となる物質は約１．
５×１び８伽‐３の濃度にＴｅ又はＳｉがドープされた
ｎ十形Ｇａ母の基板１０から成る。気相ェピタキシーに
より基板表面上に形成されているのは約１び８伽‐３の
濃度に硫黄がドープされたｎ形Ｃａふの層１ １である
。勿論このサンプルは本発明による接触を利用できる単
なる例示的な構造であることは理解されるべきである。
各々の厚さが約５００Ａであるゲルマニウム１２とパラ
ジウム１３の薄膜が第２図で例示されているような構造
のェピタキシャル表面上に順次付着される。この付着の
特別な手段は電子ビーム真空蒸発であったが、スパッタ
リングのような当業者には公知の他の標準的な付着技術
も又採用できる。パラジウム層をゲルマニウム層を透し
て基板へ拡散させるためのゲルマニウム層の好ましい厚
さの範囲は１００−１０００Ａ程度であった。パラジウ
ム層はより厚くすることができるが３００Ａ〜１ム程度
が好ましい範囲であった。金属膜の形状は標準的な写真
食刻法により規定された。即ち、膜が全表面に渡って付
着され、フオトレジストでその上を被い、それからマス
クを介してフオトレジストを露光し、次にフオトレジス
トにより保護されていない領域における金属をエッチン
グした。Ｐｄ層はＫ２Ｃｒ２０７が０．７５タ仇、日３
Ｐ０４が７５の‘、日２０が２５の‘、及びＨｃｌが５
泌から成る溶液内でエッチングされた。Ｑ層はＨＮ０３
が４５の‘、ＣＱＣＯＯＨが２７の‘、及びＨＦが２８
の【から成る溶液内でエッチングされた。サンプルは次
いで接点が良好なオーム特性を示すに至る迄約５００３
０の温度で真空中において暁結されるが、この場合はそ
の時間は約２時間であった。
５×１び８伽‐３の濃度にＴｅ又はＳｉがドープされた
ｎ十形Ｇａ母の基板１０から成る。気相ェピタキシーに
より基板表面上に形成されているのは約１び８伽‐３の
濃度に硫黄がドープされたｎ形Ｃａふの層１ １である
。勿論このサンプルは本発明による接触を利用できる単
なる例示的な構造であることは理解されるべきである。
各々の厚さが約５００Ａであるゲルマニウム１２とパラ
ジウム１３の薄膜が第２図で例示されているような構造
のェピタキシャル表面上に順次付着される。この付着の
特別な手段は電子ビーム真空蒸発であったが、スパッタ
リングのような当業者には公知の他の標準的な付着技術
も又採用できる。パラジウム層をゲルマニウム層を透し
て基板へ拡散させるためのゲルマニウム層の好ましい厚
さの範囲は１００−１０００Ａ程度であった。パラジウ
ム層はより厚くすることができるが３００Ａ〜１ム程度
が好ましい範囲であった。金属膜の形状は標準的な写真
食刻法により規定された。即ち、膜が全表面に渡って付
着され、フオトレジストでその上を被い、それからマス
クを介してフオトレジストを露光し、次にフオトレジス
トにより保護されていない領域における金属をエッチン
グした。Ｐｄ層はＫ２Ｃｒ２０７が０．７５タ仇、日３
Ｐ０４が７５の‘、日２０が２５の‘、及びＨｃｌが５
泌から成る溶液内でエッチングされた。Ｑ層はＨＮ０３
が４５の‘、ＣＱＣＯＯＨが２７の‘、及びＨＦが２８
の【から成る溶液内でエッチングされた。サンプルは次
いで接点が良好なオーム特性を示すに至る迄約５００３
０の温度で真空中において暁結されるが、この場合はそ
の時間は約２時間であった。
この結果もたらされた構造は第３図に示されている。接
点１４のＸ線回折の検討の結果ＰｄＧｅ、ＰｄＧａ及び
ＰｄＡｓ２の存在を示したが未反応のＰｄは痕跡さえな
かった。
点１４のＸ線回折の検討の結果ＰｄＧｅ、ＰｄＧａ及び
ＰｄＡｓ２の存在を示したが未反応のＰｄは痕跡さえな
かった。
もし過剰のＰｄがそのシステムに存在していたとすれば
Ｐｄ２ＱもしくはＰもＧａの如きＰｄの多い化合物が予
期されてはいた。この構造の顕微鏡的構造検査により熱
処理の結果として膜の溶融の如何なる証拠も示されてい
なかった。更に、接触領域の物理的寸法は良く規正され
ていた。上述の結果は従来技術の後触方法に優る本発明
の処理の相違点の１つ即ち、長所の１つを指摘している
ものである。
Ｐｄ２ＱもしくはＰもＧａの如きＰｄの多い化合物が予
期されてはいた。この構造の顕微鏡的構造検査により熱
処理の結果として膜の溶融の如何なる証拠も示されてい
なかった。更に、接触領域の物理的寸法は良く規正され
ていた。上述の結果は従来技術の後触方法に優る本発明
の処理の相違点の１つ即ち、長所の１つを指摘している
ものである。
即ち、金属膜は糠結されたのであって溶融されたのでは
ないから接触の形状の良好な制御が可能となる。この本
願に言う、「暁緒」とは半導体内部へ金属成分を金属内
部へ半導体成分を相互拡散させ溶融することないこ凝集
体を形成することである。ゲルマニウムだけ又はパラジ
ウムだけではｎ形Ｇａ偽に対してそれ等の組み合せのよ
うにはオーム接触を形成しないであろうことには充分注
意されたい。
ないから接触の形状の良好な制御が可能となる。この本
願に言う、「暁緒」とは半導体内部へ金属成分を金属内
部へ半導体成分を相互拡散させ溶融することないこ凝集
体を形成することである。ゲルマニウムだけ又はパラジ
ウムだけではｎ形Ｇａ偽に対してそれ等の組み合せのよ
うにはオーム接触を形成しないであろうことには充分注
意されたい。
この組み合せではＰ形物質上には良好なオーム接触は形
成されないようである。更にＧｅは半導体表面に最初に
置かれなければならないようである。それ故ドナーとし
ての働きをするＧｅによるＧａＡｓのドーピングはオー
ム接触のために明らかに必要であると見られる。一方Ｐ
ｄは運搬作用（Ｐｄが半導体表面に拡散して行く時に＆
を運搬して行き、Ｑが該表面に拡散するのを促進する作
用）によりＧａＡｓ内へのＱの拡散を加速し又於をドナ
−にするために電荷交換過程（Ｐｄが＆に電子を与えて
、蛇をドナ‐にする過程）における役割をなすために明
らかに必要であるように見られると理論付けされる。こ
の理論は処理機構の可能な説明として提案されたもので
、本発明の方法の限定として考えられるべきでない。上
述の如く処理された１．５×１び８弧‐３の表面ド−ピ
ング濃度を有するサンプル、並に同じように処理された
１．２×１び６弧‐３と１×１び７肌‐３のドーピング
濃度のｎ形サンプルに関する電気的データが得られた。
接触抵抗はドーピング濃度の関数であり、表面ドーピン
グ濃度１．５×１ぴ８伽‐３、１×１ぴ７肌‐３及び１
．２×１び６弧‐３のサンプルに対して夫々３．５×１
０‐５ｏｈｍ一塊、１．７×１０‐４ｏｈｍ−の及び３
×１０−もｈｍ−伽‐２であった。これらのことからよ
り高くドープされたサンプルに関して良好なオーム接触
を為すためには余り厳しくない熱処理でよいことがわか
る。例えば、約１び６肌‐３のドーピング濃度を有する
サンプルにおいて良好なオーム接触を得るためには一般
的に約２時間５００ｑｏで焼結することが望ましいが、
約２×１び８伽‐３の表面濃度を有するサンプル上に良
好オーム接触をつくるためには１５分間３５０ｑｏでの
処理でも十分であった。この点に関して、“良好な”オ
ーム接触とは一般的に１０のＡ迄は約直線的な１−Ｖ特
性を示すものであると考えられている。普通、接触抵抗
は殆んどの応用に対し１び３ｏｈｍ一の以下が適当であ
る。これらの及び他の実験に基いて、暁結は２００−７
００ｏｏの温度範囲で５分−２鮒時間で効果的に為され
るといえる。これより厳密でない温度処理では良好なオ
ーム接触をもたらさないだろうが、一方より過度な温度
処理は幾らか溶融を生じさせてしまうだろう。最適熱処
理は３００一５５０午○で１ぴ分乃至３時間であり、上
述の処理は良好な寸法制御を保持しつつ従来の合金技術
の電気的特性に比適するオーム接触をつくる。本発明の
方法はｎ形Ｇａふ半導体上にオーム接触を形成すること
を主眼として述べられてきたが、ＧａＡｓＰ及びＧａ山
Ａｓの如きＧａとＡｓを含む他の半導体においては又上
述の処理から恩恵をこうむるであろうことは反応の機構
に基いて明らかである。
成されないようである。更にＧｅは半導体表面に最初に
置かれなければならないようである。それ故ドナーとし
ての働きをするＧｅによるＧａＡｓのドーピングはオー
ム接触のために明らかに必要であると見られる。一方Ｐ
ｄは運搬作用（Ｐｄが半導体表面に拡散して行く時に＆
を運搬して行き、Ｑが該表面に拡散するのを促進する作
用）によりＧａＡｓ内へのＱの拡散を加速し又於をドナ
−にするために電荷交換過程（Ｐｄが＆に電子を与えて
、蛇をドナ‐にする過程）における役割をなすために明
らかに必要であるように見られると理論付けされる。こ
の理論は処理機構の可能な説明として提案されたもので
、本発明の方法の限定として考えられるべきでない。上
述の如く処理された１．５×１び８弧‐３の表面ド−ピ
ング濃度を有するサンプル、並に同じように処理された
１．２×１び６弧‐３と１×１び７肌‐３のドーピング
濃度のｎ形サンプルに関する電気的データが得られた。
接触抵抗はドーピング濃度の関数であり、表面ドーピン
グ濃度１．５×１ぴ８伽‐３、１×１ぴ７肌‐３及び１
．２×１び６弧‐３のサンプルに対して夫々３．５×１
０‐５ｏｈｍ一塊、１．７×１０‐４ｏｈｍ−の及び３
×１０−もｈｍ−伽‐２であった。これらのことからよ
り高くドープされたサンプルに関して良好なオーム接触
を為すためには余り厳しくない熱処理でよいことがわか
る。例えば、約１び６肌‐３のドーピング濃度を有する
サンプルにおいて良好なオーム接触を得るためには一般
的に約２時間５００ｑｏで焼結することが望ましいが、
約２×１び８伽‐３の表面濃度を有するサンプル上に良
好オーム接触をつくるためには１５分間３５０ｑｏでの
処理でも十分であった。この点に関して、“良好な”オ
ーム接触とは一般的に１０のＡ迄は約直線的な１−Ｖ特
性を示すものであると考えられている。普通、接触抵抗
は殆んどの応用に対し１び３ｏｈｍ一の以下が適当であ
る。これらの及び他の実験に基いて、暁結は２００−７
００ｏｏの温度範囲で５分−２鮒時間で効果的に為され
るといえる。これより厳密でない温度処理では良好なオ
ーム接触をもたらさないだろうが、一方より過度な温度
処理は幾らか溶融を生じさせてしまうだろう。最適熱処
理は３００一５５０午○で１ぴ分乃至３時間であり、上
述の処理は良好な寸法制御を保持しつつ従来の合金技術
の電気的特性に比適するオーム接触をつくる。本発明の
方法はｎ形Ｇａふ半導体上にオーム接触を形成すること
を主眼として述べられてきたが、ＧａＡｓＰ及びＧａ山
Ａｓの如きＧａとＡｓを含む他の半導体においては又上
述の処理から恩恵をこうむるであろうことは反応の機構
に基いて明らかである。
蛇とＰｄ金属が分離した層でなく合金として半導体上に
付着され得ることも予期されることである。典型的な実
施例において、合金は従とＰｄの約等しい量から成るこ
とができる。標準的な技術で表面上に合金を付着させた
後に前述したような焼結工程がオーム接触を得るために
行われる。加熱工程は真空中で行われるのが好ましいが
空気中におけると同様窒素又はアルゴンの如き不活性ガ
ス内で行い得ることも注意すべきである。
付着され得ることも予期されることである。典型的な実
施例において、合金は従とＰｄの約等しい量から成るこ
とができる。標準的な技術で表面上に合金を付着させた
後に前述したような焼結工程がオーム接触を得るために
行われる。加熱工程は真空中で行われるのが好ましいが
空気中におけると同様窒素又はアルゴンの如き不活性ガ
ス内で行い得ることも注意すべきである。
本発明の態様を要約すると次の通りである。○｝ ゲル
マニウムとパラジウムから成る金属膜を半導体表面に形
成する工程と、前述の金属膜を溶融することなく前述の
金属膜と前述の半導体とを反応させるに十分な温度と時
間で前記工程からなる機体を加熱する工程とから成り、
その結果オーム接触が半導体表面に形成される血−Ｖ族
ｎ形半導体物質上にオーム接触を形成する方法。‘２｝
金属化物は半導体表面上にゲルマニウムから成る金属
の第１の層を被着させること、該第１の層上にパラジウ
ムから成る金属の第２の層を被着させることにより形成
をされる第‘１｝項記載の方法。
マニウムとパラジウムから成る金属膜を半導体表面に形
成する工程と、前述の金属膜を溶融することなく前述の
金属膜と前述の半導体とを反応させるに十分な温度と時
間で前記工程からなる機体を加熱する工程とから成り、
その結果オーム接触が半導体表面に形成される血−Ｖ族
ｎ形半導体物質上にオーム接触を形成する方法。‘２｝
金属化物は半導体表面上にゲルマニウムから成る金属
の第１の層を被着させること、該第１の層上にパラジウ
ムから成る金属の第２の層を被着させることにより形成
をされる第‘１｝項記載の方法。
剛 第１の層の厚さは１００−１０００△の範囲内にあ
り、第２の層の厚さは３００Ａ−１りの範囲内にある第
２項記載の方法。
り、第２の層の厚さは３００Ａ−１りの範囲内にある第
２項記載の方法。
｛４）前記金属膜は半導体表面上にゲルマニウムとパラ
ジウムから成る合金を被看することより形成される第‘
１）頃記載の方法。
ジウムから成る合金を被看することより形成される第‘
１）頃記載の方法。
‘５｝ 機体は２００−７０ぴ０の範囲内の温度で５分
−２４時間以内加熱される轍１｝項記載の方法。
−２４時間以内加熱される轍１｝項記載の方法。
｛６） 機体は３００−５５０ｏｏの範囲内の温度でＩ
Ｑ分−３時間の範囲内加熱される第｛１１項記載の方法
。
Ｑ分−３時間の範囲内加熱される第｛１１項記載の方法
。
０【７１ 横体は金属化物が１０‐もｈｍ−の以下の接
触抵抗を示す迄加熱される第【１’項記載の方法。
触抵抗を示す迄加熱される第【１’項記載の方法。
脚 半導体物質はＧａとぶから成る第‘１ー項記載の方
法。脚 半導体物質は基本的にはＧａ船から成る第｛１
｝タ 項記載の方法。００ 半導体表面上にゲルマニウ
ムから成る金属の第１の層を形成する工程と、該第１の
層の上にパラジウムから成る金属の第２の層を形成する
工程と、２００−７００『０の範囲内の温度で５分一２
４０ 時間の範囲内の時間において前記工程からもたら
された機体を加熱する工程とから成り、その結果オーム
接触が半導体表面上に形成されるＧａとＡｓから成るｎ
形半導体物質上にオーム接触を形成する方法。
法。脚 半導体物質は基本的にはＧａ船から成る第｛１
｝タ 項記載の方法。００ 半導体表面上にゲルマニウ
ムから成る金属の第１の層を形成する工程と、該第１の
層の上にパラジウムから成る金属の第２の層を形成する
工程と、２００−７００『０の範囲内の温度で５分一２
４０ 時間の範囲内の時間において前記工程からもたら
された機体を加熱する工程とから成り、その結果オーム
接触が半導体表面上に形成されるＧａとＡｓから成るｎ
形半導体物質上にオーム接触を形成する方法。
（１１）横体は３００一５５０℃の範囲内の温度で１０
分−３時間の範囲内の時間加熱される第側項記載の方法
。
分−３時間の範囲内の時間加熱される第側項記載の方法
。
（１２）半導体物質は基本的にはＧａＡｓから成る第側
項記載の方法。
項記載の方法。
（１３）第１の層の厚さは１００−１０００人の範囲内
であり、第２の層の厚さは３００Ａ−１仏の範囲内であ
る第｛１０項記載の方法。
であり、第２の層の厚さは３００Ａ−１仏の範囲内であ
る第｛１０項記載の方法。
（１心 前記接触はＰｄ−Ｑ化合物、Ｐｄ−Ｇａ化合物
、及びＰｄＡｓ２との組合せから成るｎ形のｍ−Ｖ族半
導体物質の基体と該基体の１つの表面上に形成されたオ
ーム接触とから成る半導体装置。
、及びＰｄＡｓ２との組合せから成るｎ形のｍ−Ｖ族半
導体物質の基体と該基体の１つの表面上に形成されたオ
ーム接触とから成る半導体装置。
（１５）前記半導体物質はＧａとＡｓから成る第（１４
）頃記載の装置。
）頃記載の装置。
（１６）前記半導体物質は基本的にはＧａＡｓから成る
第（１４）項記載の装置。
第（１４）項記載の装置。
第１一３図は本発明の一実施例による製造の種々段階の
際の装置の断面図である。 これらの図は例示の目的のものであり必ずしも寸法どう
りではない。〔主要部分の符号の説明〕、半導体基体・
・・・・・Ｉ０、金属膜、ゲルマニウム膜・・…・１２
、金属膜、パラジウム膜・・・・・・１３、オーム接触
・・・・・・１４。 ‘′Ｃ．′「／Ｇ．Ｚ 〃Ｃ．３
際の装置の断面図である。 これらの図は例示の目的のものであり必ずしも寸法どう
りではない。〔主要部分の符号の説明〕、半導体基体・
・・・・・Ｉ０、金属膜、ゲルマニウム膜・・…・１２
、金属膜、パラジウム膜・・・・・・１３、オーム接触
・・・・・・１４。 ‘′Ｃ．′「／Ｇ．Ｚ 〃Ｃ．３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ｎ形のIII−V族半導体物質の基体の表面上にオーム
接触を形成することからなる半導体装置の製造法であつ
て、該半導体物質の表面は実質的にＧａＡｓからなつて
おり、 前記形成する方法が、 前記半導体基体の表面上にＧｅとＰｄからなる、合金
あるいは個別層の金属膜をつくる工程と、 オーム接触
が前記半導体表面に形成されるよう、該金属膜を溶融す
ることなく該金属膜と該半導体の表面とが反応するのに
充分なように２００ないし７００℃で５分ないし２４時
間にわたつて、前記工程でもたらされた構体を加熱する
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/502,451 US3965279A (en) | 1974-09-03 | 1974-09-03 | Ohmic contacts for group III-V n-type semiconductors |
| US502451 | 1974-09-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5150665A JPS5150665A (en) | 1976-05-04 |
| JPS6016096B2 true JPS6016096B2 (ja) | 1985-04-23 |
Family
ID=23997889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50104166A Expired JPS6016096B2 (ja) | 1974-09-03 | 1975-08-29 | 半導体装置の製造法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3965279A (ja) |
| JP (1) | JPS6016096B2 (ja) |
| BE (1) | BE832890A (ja) |
| CA (1) | CA1022690A (ja) |
| DE (1) | DE2538600C2 (ja) |
| FR (1) | FR2284191A1 (ja) |
| GB (1) | GB1514795A (ja) |
| IT (1) | IT1047152B (ja) |
| NL (1) | NL7510327A (ja) |
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| JPS59186379A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-10-23 | Nec Corp | 化合物半導体装置の製造方法 |
| CA1270931A (en) * | 1984-06-15 | 1990-06-26 | Jun Takada | Heat-resistant thin film photoelectric converter with diffusion blocking layer |
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| JPH03167877A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ｎ型立方晶窒化硼素のオーム性電極及びその形成方法 |
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| US6955978B1 (en) * | 2001-12-20 | 2005-10-18 | Fairchild Semiconductor Corporation | Uniform contact |
| TWI291232B (en) * | 2006-01-03 | 2007-12-11 | Univ Nat Chiao Tung | Copper metalized ohmic contact electrode of compound semiconductor device |
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| WO2009151979A2 (en) * | 2008-06-09 | 2009-12-17 | 4Power, Llc | High-efficiency solar cell structures and methods |
| US20110124146A1 (en) * | 2009-05-29 | 2011-05-26 | Pitera Arthur J | Methods of forming high-efficiency multi-junction solar cell structures |
| US8604330B1 (en) | 2010-12-06 | 2013-12-10 | 4Power, Llc | High-efficiency solar-cell arrays with integrated devices and methods for forming them |
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|---|---|---|---|---|
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| US3371255A (en) * | 1965-06-09 | 1968-02-27 | Texas Instruments Inc | Gallium arsenide semiconductor device and contact alloy therefor |
| US3523222A (en) * | 1966-09-15 | 1970-08-04 | Texas Instruments Inc | Semiconductive contacts |
| US3518749A (en) * | 1968-02-23 | 1970-07-07 | Rca Corp | Method of making gunn-effect devices |
| US3567508A (en) * | 1968-10-31 | 1971-03-02 | Gen Electric | Low temperature-high vacuum contact formation process |
| US3686539A (en) * | 1970-05-04 | 1972-08-22 | Rca Corp | Gallium arsenide semiconductor device with improved ohmic electrode |
| US3684930A (en) * | 1970-12-28 | 1972-08-15 | Gen Electric | Ohmic contact for group iii-v p-types semiconductors |
| US3728785A (en) * | 1971-04-15 | 1973-04-24 | Monsanto Co | Fabrication of semiconductor devices |
| US3890699A (en) * | 1974-06-04 | 1975-06-24 | Us Army | Method of making an ohmic contact to a semiconductor material |
-
1974
- 1974-09-03 US US05/502,451 patent/US3965279A/en not_active Expired - Lifetime
-
1975
- 1975-07-22 CA CA232,046A patent/CA1022690A/en not_active Expired
- 1975-08-29 DE DE2538600A patent/DE2538600C2/de not_active Expired
- 1975-08-29 BE BE159584A patent/BE832890A/xx unknown
- 1975-08-29 GB GB35662/75A patent/GB1514795A/en not_active Expired
- 1975-08-29 JP JP50104166A patent/JPS6016096B2/ja not_active Expired
- 1975-09-01 IT IT69178/75A patent/IT1047152B/it active
- 1975-09-02 NL NL7510327A patent/NL7510327A/xx not_active Application Discontinuation
- 1975-09-02 FR FR7526896A patent/FR2284191A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5150665A (en) | 1976-05-04 |
| FR2284191B1 (ja) | 1978-03-17 |
| DE2538600C2 (de) | 1984-09-13 |
| GB1514795A (en) | 1978-06-21 |
| IT1047152B (it) | 1980-09-10 |
| FR2284191A1 (fr) | 1976-04-02 |
| NL7510327A (nl) | 1976-03-05 |
| BE832890A (fr) | 1975-12-16 |
| US3965279A (en) | 1976-06-22 |
| CA1022690A (en) | 1977-12-13 |
| DE2538600A1 (de) | 1976-03-11 |
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