NL7510327A - Halfgeleiderinrichting met ohms kontakt en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Halfgeleiderinrichting met ohms kontakt en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.

Info

Publication number
NL7510327A
NL7510327A NL7510327A NL7510327A NL7510327A NL 7510327 A NL7510327 A NL 7510327A NL 7510327 A NL7510327 A NL 7510327A NL 7510327 A NL7510327 A NL 7510327A NL 7510327 A NL7510327 A NL 7510327A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
manufacturing
conductor device
ohms
contact
Prior art date
Application number
NL7510327A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Western Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Western Electric Co filed Critical Western Electric Co
Publication of NL7510327A publication Critical patent/NL7510327A/nl

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Led Devices (AREA)
NL7510327A 1974-09-03 1975-09-02 Halfgeleiderinrichting met ohms kontakt en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan. NL7510327A (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/502,451 US3965279A (en) 1974-09-03 1974-09-03 Ohmic contacts for group III-V n-type semiconductors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7510327A true NL7510327A (nl) 1976-03-05

Family

ID=23997889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7510327A NL7510327A (nl) 1974-09-03 1975-09-02 Halfgeleiderinrichting met ohms kontakt en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3965279A (nl)
JP (1) JPS6016096B2 (nl)
BE (1) BE832890A (nl)
CA (1) CA1022690A (nl)
DE (1) DE2538600C2 (nl)
FR (1) FR2284191A1 (nl)
GB (1) GB1514795A (nl)
IT (1) IT1047152B (nl)
NL (1) NL7510327A (nl)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2550512A1 (de) * 1975-11-11 1977-05-12 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur herstellung einer metallisierung auf einem substrat
JPS5928376A (ja) * 1982-08-09 1984-02-15 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JPS59186379A (ja) * 1983-04-07 1984-10-23 Nec Corp 化合物半導体装置の製造方法
AU576594B2 (en) * 1984-06-15 1988-09-01 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Heat-resistant thin film photoelectric converter
US4529619A (en) * 1984-07-16 1985-07-16 Xerox Corporation Ohmic contacts for hydrogenated amorphous silicon
US4766093A (en) * 1984-07-30 1988-08-23 International Business Machines Corp. Chemically formed self-aligned structure and wave guide
JP2893723B2 (ja) * 1988-06-13 1999-05-24 住友電気工業株式会社 オーミック電極の製造方法
JPH03167877A (ja) * 1989-11-28 1991-07-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ｎ型立方晶窒化硼素のオーム性電極及びその形成方法
US6555457B1 (en) * 2000-04-07 2003-04-29 Triquint Technology Holding Co. Method of forming a laser circuit having low penetration ohmic contact providing impurity gettering and the resultant laser circuit
US6955978B1 (en) * 2001-12-20 2005-10-18 Fairchild Semiconductor Corporation Uniform contact
TWI291232B (en) * 2006-01-03 2007-12-11 Univ Nat Chiao Tung Copper metalized ohmic contact electrode of compound semiconductor device
US20100012175A1 (en) 2008-07-16 2010-01-21 Emcore Solar Power, Inc. Ohmic n-contact formed at low temperature in inverted metamorphic multijunction solar cells
WO2009151979A2 (en) * 2008-06-09 2009-12-17 4Power, Llc High-efficiency solar cell structures and methods
US20110124146A1 (en) * 2009-05-29 2011-05-26 Pitera Arthur J Methods of forming high-efficiency multi-junction solar cell structures
US8604330B1 (en) 2010-12-06 2013-12-10 4Power, Llc High-efficiency solar-cell arrays with integrated devices and methods for forming them

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3239376A (en) * 1962-06-29 1966-03-08 Bell Telephone Labor Inc Electrodes to semiconductor wafers
BE634311A (nl) * 1962-06-29
US3371255A (en) * 1965-06-09 1968-02-27 Texas Instruments Inc Gallium arsenide semiconductor device and contact alloy therefor
US3523222A (en) * 1966-09-15 1970-08-04 Texas Instruments Inc Semiconductive contacts
US3518749A (en) * 1968-02-23 1970-07-07 Rca Corp Method of making gunn-effect devices
US3567508A (en) * 1968-10-31 1971-03-02 Gen Electric Low temperature-high vacuum contact formation process
US3686539A (en) * 1970-05-04 1972-08-22 Rca Corp Gallium arsenide semiconductor device with improved ohmic electrode
US3684930A (en) * 1970-12-28 1972-08-15 Gen Electric Ohmic contact for group iii-v p-types semiconductors
US3728785A (en) * 1971-04-15 1973-04-24 Monsanto Co Fabrication of semiconductor devices
US3890699A (en) * 1974-06-04 1975-06-24 Us Army Method of making an ohmic contact to a semiconductor material

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6016096B2 (ja) 1985-04-23
FR2284191B1 (nl) 1978-03-17
CA1022690A (en) 1977-12-13
US3965279A (en) 1976-06-22
JPS5150665A (en) 1976-05-04
DE2538600C2 (de) 1984-09-13
IT1047152B (it) 1980-09-10
FR2284191A1 (fr) 1976-04-02
BE832890A (fr) 1975-12-16
GB1514795A (en) 1978-06-21
DE2538600A1 (de) 1976-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7510336A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL7501529A (nl) Veldeffect halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7510328A (nl) Veldemissieinrichting en werkwijze voor het ver- vaardigen daarvan.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL7613464A (nl) Halfgeleiderinrichting, bestand tegen hoge spanningen, en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7613893A (nl) Halfgeleiderinrichting met gepassiveerd opper- vlak, en werkwijze voor het vervaardigen van de inrichting.
NL7509266A (nl) Verpakking en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7412121A (nl) Geheugenhalfgeleiderinrichting van het draad- vormige type alsmede werkwijze voor het ver- vaardigen van deze inrichting.
NL7610332A (nl) Scheidingsinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7611571A (nl) Elektrische verbindingsinrichting en werkwijze voor het vervaardigen hiervan.
NL7701119A (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de ver- vaardiging daarvan.
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7510327A (nl) Halfgeleiderinrichting met ohms kontakt en werk- wijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7507157A (nl) Elementairdraadje uit polyethyleentereftalaat en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL7506211A (nl) Werkwijze en inrichting voor het capitonneren.
NL7612883A (nl) Halfgeleiderinrichting, en werkwijze ter ver- vaardiging daarvan.
NL189327C (nl) Halfgeleiderinrichting met veldeffekt, geisoleerd stuurgebied en geheugenwerking en werkwijze voor de vervaardiging hiervan.
NL7710712A (nl) Elektrochemische inrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7608309A (nl) Half-geleiderinrichting voor een geintegreerde schakeling en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL7701519A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een elek- trische verbindingsinrichting en elektrische verbindingsinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL7902247A (nl) Metaal-isolator-halfgeleidertype halfgeleiderinrich- ting en werkwijze voor het vervaardigen ervan.
NL161301C (nl) Halfgeleiderinrichting en werkwijze voor de vervaar- diging daarvan.
NL177197B (nl) Verpakking voor eieren en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL7511259A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van microbedradingen voor het contacteren van halfgeleiderschakelkringen.

Legal Events

Date Code Title Description
BV The patent application has lapsed