JPS59186379A - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置の製造方法Info
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- JPS59186379A JPS59186379A JP58061154A JP6115483A JPS59186379A JP S59186379 A JPS59186379 A JP S59186379A JP 58061154 A JP58061154 A JP 58061154A JP 6115483 A JP6115483 A JP 6115483A JP S59186379 A JPS59186379 A JP S59186379A
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- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明り化合物半導体結晶を用い、初期％註並びに信頼
性に優れた半導体装置の製造方法に関するＯ 現在化合物半導体結晶ばＧａＡｓ、 ＧａＰ、 １ｎ８
ｂ等の■−■族系を、中心として、マイクロ彼素子、電
界効果トランジスタ、発光・受充素子等に広く用いられ
ており、今後さらに三元系以上の混晶全も含めてデバイ
スとしての応用範囲を拡大するものと思われる。これら
化合物半導体結晶を用いたデバイスは原理的に、少なく
とも動作に必要な活性領域と電極とを含み、しかもその
各々に対ししばしば要求されることは良好な結晶上と低
妥触抵抗である。この要請に％で全党素子（ＬＥＩＪ）
においては極めて順著であるのでこれ金側として以下に
具体的に説明する。
性に優れた半導体装置の製造方法に関するＯ 現在化合物半導体結晶ばＧａＡｓ、 ＧａＰ、 １ｎ８
ｂ等の■−■族系を、中心として、マイクロ彼素子、電
界効果トランジスタ、発光・受充素子等に広く用いられ
ており、今後さらに三元系以上の混晶全も含めてデバイ
スとしての応用範囲を拡大するものと思われる。これら
化合物半導体結晶を用いたデバイスは原理的に、少なく
とも動作に必要な活性領域と電極とを含み、しかもその
各々に対ししばしば要求されることは良好な結晶上と低
妥触抵抗である。この要請に％で全党素子（ＬＥＩＪ）
においては極めて順著であるのでこれ金側として以下に
具体的に説明する。
ＬＥＤのデバイスとして要求される主な％註げ■初期全
党効率（η）が高いこと、■通電寿命が長いこと、■順
万同電圧降下（■Ｆ）が小さく、バラツキも少ないこと
１等が挙げられる。■、及び■ぼＬＥＬ）としては極め
て当然の要求であるが最近乾電池等による低電圧駆動回
路が多く用いられるよう１Ｃなったこと、及び表示用素
子の如く多数個の素子（ベレット）が並列［使用される
場合が増加したこと等のため■の要求が極めて増大し、
従ってＶＦが太さいＴ、 Ｅ ＩＪぽ仮に一定電流での
全方効率が良くても、実用上げ必ずしも有効でないこと
かある。
党効率（η）が高いこと、■通電寿命が長いこと、■順
万同電圧降下（■Ｆ）が小さく、バラツキも少ないこと
１等が挙げられる。■、及び■ぼＬＥＬ）としては極め
て当然の要求であるが最近乾電池等による低電圧駆動回
路が多く用いられるよう１Ｃなったこと、及び表示用素
子の如く多数個の素子（ベレット）が並列［使用される
場合が増加したこと等のため■の要求が極めて増大し、
従ってＶＦが太さいＴ、 Ｅ ＩＪぽ仮に一定電流での
全方効率が良くても、実用上げ必ずしも有効でないこと
かある。
一万、ＬＥＤの素子（ペレット）全製造する側からみる
と、これまで前記１．Ｅｌ）ｒｃｉ求される主な％註■
、■と■げしばしばトレードオフの関係となり、■、■
及び■のすべで全最適化することは極めて困難であった
。即ち１発元効率（η）の改善手段が順万同邂圧降下（
ＶＦ）の増大ｖ′Ｃ直結し、また逆ｖＣＶｙの低減手段
がηの低下金もたらした〇−例として液相成長法Ｖ′Ｃ
よジ１１型′Ｊ？よびｐ型エピクキ／ヤル層を形成して
いるＧａＰ赤色赤色発子素子合を挙げる。ＧａＰ赤色Ｌ
ＥＤの全党機構足間しては既ＶＣ足脱化されている。即
ち１全党領域ばＺｎとＯが添加されたｐ型エピタキシャ
ル層及び空乏層内に限定されており、Ｚｎ（Ｇａｆイト
）と（Ｊ（Ｐブイト）の最近接原子対１’Ｃよジル−ｎ
駁合金順万同にバイアスした時ｖＣｐ型層内に注入され
る電子とクーロン力により吸引された正孔とが束縛エキ
シトン全形成し、その再結合時ｖＣ７（１００Ａ［ピー
クを持つ九を発する。従って高効率化のためにｔｎとＯ
の最近妥原子対濃度全結晶註を損なわない範囲で増加さ
せれば良く１通常それ全目的としてエビタキ／ヤル収長
後に４５０〜６００１度の低温で熱処理全行なうのが有
効な方法であった○しかしながらＬＥＩ）テバイス爬造
上げ前記■の要求によりｐ型エピタキ／ヤル層表凹に低
抵抗のオーム註を有する電極を形成することが不可欠で
あるがｐ型エピタキシャル層の不純物濃度げ通常ｌＸ１
Ｏ（ｍ程度でめっ、低抵抗オーミック電極が形成し難い
ため前記■の要求金酒足するための一方法として、６０
０〜７５０℃の温度で封管拡散法によりｐ型エピタキシ
ャル層表面よジ０．５〜１μｍの深ざ１ｃＺｎを拡散し
、ｐ型不純物の表面濃度？５〜１ＯＸＩＯＣＩｒＬに上
げた後電極を蒸着等により形成している。ところが上記
の工程を行うとＺｎ拡散前に比し、発光効率が５〜４０
％も低下し、しかも通電寿命も短くなることが比較試験
の結果明らかとなった。この原因は拡散時の熱処理の影
響のため前述のＺｎ−Ｕペアの解離がおこり、有効な発
光中心の濃度が減少したこと、及び伺らかの欠陥が同時
に活性領域に発生したことの２点によると考えられる。
と、これまで前記１．Ｅｌ）ｒｃｉ求される主な％註■
、■と■げしばしばトレードオフの関係となり、■、■
及び■のすべで全最適化することは極めて困難であった
。即ち１発元効率（η）の改善手段が順万同邂圧降下（
ＶＦ）の増大ｖ′Ｃ直結し、また逆ｖＣＶｙの低減手段
がηの低下金もたらした〇−例として液相成長法Ｖ′Ｃ
よジ１１型′Ｊ？よびｐ型エピクキ／ヤル層を形成して
いるＧａＰ赤色赤色発子素子合を挙げる。ＧａＰ赤色Ｌ
ＥＤの全党機構足間しては既ＶＣ足脱化されている。即
ち１全党領域ばＺｎとＯが添加されたｐ型エピタキシャ
ル層及び空乏層内に限定されており、Ｚｎ（Ｇａｆイト
）と（Ｊ（Ｐブイト）の最近接原子対１’Ｃよジル−ｎ
駁合金順万同にバイアスした時ｖＣｐ型層内に注入され
る電子とクーロン力により吸引された正孔とが束縛エキ
シトン全形成し、その再結合時ｖＣ７（１００Ａ［ピー
クを持つ九を発する。従って高効率化のためにｔｎとＯ
の最近妥原子対濃度全結晶註を損なわない範囲で増加さ
せれば良く１通常それ全目的としてエビタキ／ヤル収長
後に４５０〜６００１度の低温で熱処理全行なうのが有
効な方法であった○しかしながらＬＥＩ）テバイス爬造
上げ前記■の要求によりｐ型エピタキ／ヤル層表凹に低
抵抗のオーム註を有する電極を形成することが不可欠で
あるがｐ型エピタキシャル層の不純物濃度げ通常ｌＸ１
Ｏ（ｍ程度でめっ、低抵抗オーミック電極が形成し難い
ため前記■の要求金酒足するための一方法として、６０
０〜７５０℃の温度で封管拡散法によりｐ型エピタキシ
ャル層表面よジ０．５〜１μｍの深ざ１ｃＺｎを拡散し
、ｐ型不純物の表面濃度？５〜１ＯＸＩＯＣＩｒＬに上
げた後電極を蒸着等により形成している。ところが上記
の工程を行うとＺｎ拡散前に比し、発光効率が５〜４０
％も低下し、しかも通電寿命も短くなることが比較試験
の結果明らかとなった。この原因は拡散時の熱処理の影
響のため前述のＺｎ−Ｕペアの解離がおこり、有効な発
光中心の濃度が減少したこと、及び伺らかの欠陥が同時
に活性領域に発生したことの２点によると考えられる。
この対策として再び前記４５０〜６ ｏ ｏ℃の低温熱
処理？拡散終了後に引き続いて行なった場合１発元効率
、寿電寿命共に拡散前の水準以上に回復することが実験
の結果判明したが、ｐ型エピタキシャル層表面濃度がＺ
ｎの外方向拡散等により低下し、再び電極のオーミック
註を損なう結果となった。
処理？拡散終了後に引き続いて行なった場合１発元効率
、寿電寿命共に拡散前の水準以上に回復することが実験
の結果判明したが、ｐ型エピタキシャル層表面濃度がＺ
ｎの外方向拡散等により低下し、再び電極のオーミック
註を損なう結果となった。
以上、主１ｃＧａＰ赤色発元素子を例として説明したが
、これはもちろん他の発光素子１例えは拡散法（よりｐ
−ｎ接合を形成するＧａＡｓＰ発九素子全党場合におい
ても拡散時に導入される結晶欠陥分取り除くため、低温
での熱処理を施す場合オーミック抵抗の増大という同様
の不具合を生じるｅまた化合物半導体結晶音用いた他の
デバイスにおいても原理的にμ何ら変わることなく、デ
バイスに要求される規格と処理条件によって同様の困難
に直ｍ−ｒる。
、これはもちろん他の発光素子１例えは拡散法（よりｐ
−ｎ接合を形成するＧａＡｓＰ発九素子全党場合におい
ても拡散時に導入される結晶欠陥分取り除くため、低温
での熱処理を施す場合オーミック抵抗の増大という同様
の不具合を生じるｅまた化合物半導体結晶音用いた他の
デバイスにおいても原理的にμ何ら変わることなく、デ
バイスに要求される規格と処理条件によって同様の困難
に直ｍ−ｒる。
本発明は上述した従来方法の欠点（鑑みなされたもので
両立することが困難であった活性層の良好な結晶性及び
低咲触抵抗のオーム註電極を得るための新しい製造方法
の提供全目的とするものである。即ち１本発明は下記工
程全具備することケ特徴とする化合物半導体装置の製造
方法ＶＣ関する。
両立することが困難であった活性層の良好な結晶性及び
低咲触抵抗のオーム註電極を得るための新しい製造方法
の提供全目的とするものである。即ち１本発明は下記工
程全具備することケ特徴とする化合物半導体装置の製造
方法ＶＣ関する。
ｌ）熱拡散法又はイオン注入法により化合物半導体装置
内へ不純物全導入する工程、 ２）上記不純物が導入された化合物半導体結晶表圓の少
なくとも一部に金属材料を被着せしめる工程。
内へ不純物全導入する工程、 ２）上記不純物が導入された化合物半導体結晶表圓の少
なくとも一部に金属材料を被着せしめる工程。
３）上記金属材料が被着された化合物半導体結晶全封管
内で熱処理する工程。
内で熱処理する工程。
本発明の方法によれば電極の低吸触抵抗の％註を何ら損
なうことなく、拡散等ｌこよシネ純！ｌ！／１ヶ化合物
半導体結晶の活性領域（４人することがでさ。
なうことなく、拡散等ｌこよシネ純！ｌ！／１ヶ化合物
半導体結晶の活性領域（４人することがでさ。
テバイス％註上好ましくない結晶欠陥を実用上問題とな
らない水準まで低減することが容易であジ、化合物半導
体装置の初期特注及び信頼性？飛躍的に同上させること
ができる。
らない水準まで低減することが容易であジ、化合物半導
体装置の初期特注及び信頼性？飛躍的に同上させること
ができる。
本発明による化合物半導体装置の製造方法及びその効果
全実施例を用いてざら沼詳細（Ｃ説明する。
全実施例を用いてざら沼詳細（Ｃ説明する。
実施例１ ｒ’ｌ ＧａＰ赤色ＬＥＩ）の例である。第
１図な実施例１で用いられたＯａＰ赤色ＬＥＩ）ウェノ
１−スの断面図である。ｎ型ＧａＰ基板５上（公知の液
相エビタキンヤル戎長法ｒＪ：ｔ）Ｔｅドーグｎ型Ｇａ
Ｐエビタキノヤル層４ 、 Ｚｎ及びＯ添加ｐ型（）ａ
Ｐエピタキ／ヤル鳩３を形成する。次にｐ側の低抵抗オ
ーミック電極２得るため、ｐ型エピタキソヤル層３表面
に封管法によｐＺｎ拡散層２ 全０．５〜１μｍ形波す
る。このときの拡散条件としてり拡散ソースの量ハ封管
容積Ｉ ＯＣ当りＺｎ ０．５ｍｇ 、 Ｐ４ Ｑ、
ｌ ｍｇであり。
１図な実施例１で用いられたＯａＰ赤色ＬＥＩ）ウェノ
１−スの断面図である。ｎ型ＧａＰ基板５上（公知の液
相エビタキンヤル戎長法ｒＪ：ｔ）Ｔｅドーグｎ型Ｇａ
Ｐエビタキノヤル層４ 、 Ｚｎ及びＯ添加ｐ型（）ａ
Ｐエピタキ／ヤル鳩３を形成する。次にｐ側の低抵抗オ
ーミック電極２得るため、ｐ型エピタキソヤル層３表面
に封管法によｐＺｎ拡散層２ 全０．５〜１μｍ形波す
る。このときの拡散条件としてり拡散ソースの量ハ封管
容積Ｉ ＯＣ当りＺｎ ０．５ｍｇ 、 Ｐ４ Ｑ、
ｌ ｍｇであり。
拡散は温度７（）０℃で１時間行なった。この後ｐ型エ
ピタキ／ヤルＪｖＩ３表面全滅に金属材料としてＭｌケ
真窒蒸着し、続いてこれを石英封管内ＶＣ入れ３ＸＩＱ
ｔＯｒｒ程度の真空度で封止し、昌度５０（１’ｃで１
０時間の封管熱処理全行なった。熱処理終了時において
は石英管全冷水で急冷ＴることＶＣ工りＧａＰ基板から
解離したＰ４等の物質がウェハースのＡ々ｅｍ／こ付着
すること全防止した０制管熱処理後は電極パターニング
、裏口研磨、裏面蒸Ｎヶ経てベレット化された。尚、本
発明（Ｃよる効果全確認するため第１表に比較のため設
定された他の条件（Ｂ−Ｚ）での実験結果をも本実施例
の条件（５）での結果と共に示す。
ピタキ／ヤルＪｖＩ３表面全滅に金属材料としてＭｌケ
真窒蒸着し、続いてこれを石英封管内ＶＣ入れ３ＸＩＱ
ｔＯｒｒ程度の真空度で封止し、昌度５０（１’ｃで１
０時間の封管熱処理全行なった。熱処理終了時において
は石英管全冷水で急冷ＴることＶＣ工りＧａＰ基板から
解離したＰ４等の物質がウェハースのＡ々ｅｍ／こ付着
すること全防止した０制管熱処理後は電極パターニング
、裏口研磨、裏面蒸Ｎヶ経てベレット化された。尚、本
発明（Ｃよる効果全確認するため第１表に比較のため設
定された他の条件（Ｂ−Ｚ）での実験結果をも本実施例
の条件（５）での結果と共に示す。
第１表
注） 各特性条件 明るさ、陸はＩｐ＝１０ｍＡでの値
。
。
通電寿命は室温ＩＰ＝１０ｍＡ通電にて初期筐のレラに
なる時間、この表においてＹ及びＺ ｕ Ｚｎｎ拡動ｌ
いために比較的低表面ａ度においてもオーム註電極が得
られるＡｕＢｅ ｆα極材料として用いている。この表
よジ明らかなように本発明による方法（よれば発光効率
（明るさに対応する〕９通電寿命、順方向電圧値いずれ
の特注も、デバイスとして要求される規格を充分に満足
しており、従来の問題点が解決された。熱処理を行なう
ことにより発光効率及び通電寿命が改善される理由ば、
前述のととく本実施例の’Ａ 合ｈ ｐ型エピタキシャ
ル層内のＺｎ−０ベア濃度の増大と、Ｇａ空格子等が関
与しｆｃ複合欠陥が減少することにより説明されるが１
％凹回復の速度に結晶の成長条件に依存する。本実施例
の場合、熱処理温度５０（ｌｔ＞こνいて１２：５時間
以上で同一の回復％註が得られた。ｉた。第１表ＢとＸ
と？比較して解るように熱処理後の順方向電圧降下（Ｖ
Ｐ）増加が無視できるほど小さい。これは蒸着金属（本
実施例の場合Ｍ）がＺｎの外方向拡散に対するバリヤと
して存在していることを示す０実際。
なる時間、この表においてＹ及びＺ ｕ Ｚｎｎ拡動ｌ
いために比較的低表面ａ度においてもオーム註電極が得
られるＡｕＢｅ ｆα極材料として用いている。この表
よジ明らかなように本発明による方法（よれば発光効率
（明るさに対応する〕９通電寿命、順方向電圧値いずれ
の特注も、デバイスとして要求される規格を充分に満足
しており、従来の問題点が解決された。熱処理を行なう
ことにより発光効率及び通電寿命が改善される理由ば、
前述のととく本実施例の’Ａ 合ｈ ｐ型エピタキシャ
ル層内のＺｎ−０ベア濃度の増大と、Ｇａ空格子等が関
与しｆｃ複合欠陥が減少することにより説明されるが１
％凹回復の速度に結晶の成長条件に依存する。本実施例
の場合、熱処理温度５０（ｌｔ＞こνいて１２：５時間
以上で同一の回復％註が得られた。ｉた。第１表ＢとＸ
と？比較して解るように熱処理後の順方向電圧降下（Ｖ
Ｐ）増加が無視できるほど小さい。これは蒸着金属（本
実施例の場合Ｍ）がＺｎの外方向拡散に対するバリヤと
して存在していることを示す０実際。
電極の固有接触抵抗値の熱処理時間依存性を調べたとこ
ろ、熱処理温度５００℃の場合、１０時間後において最
小値の１．１０程度であジ、この値ｒＸ、笑用的１ｃＵ
光分満足できる値である。これが本発明（おいて極めて
重要、かつ本質的な点である。また、電極形成後の熱処
理は本発明において明らかに記されている通り封管内で
行なうことが必要である。その理由豆開管で熱処理？施
す場合、電極表面の酸化及び汚れ付着の可能性が大さく
、それは第１表ＡとＷとのボンティング件の比較におい
て明らかである。尚、ＡとＢとの比較に見られるように
１本発明の方法を用いる場合１通常行なわれている液相
成長後の熱処理は必ずしも必要でないＯ 次に実施例２として（）ａＰ緑色１．Ｅｌ）の例を説明
する。第２図′ｒＸ実施例２で用いられたＯａＰ緑色Ｌ
ＥＤウェハースの断面図であるＯｎ型ＩＪａｌ’基板１
１上に液相エピタキノヤル成長法九よジＴｅドープｎ型
ＧａＰエピタキノヤル層１０’に成長し、成長途中ＴＺ
ｎｉ気相よ！１ｌＧａ溶液中へ添加することによりエビ
メキゾヤルＮ全ｐ型へ反転させる。葦たｎ型。
ろ、熱処理温度５００℃の場合、１０時間後において最
小値の１．１０程度であジ、この値ｒＸ、笑用的１ｃＵ
光分満足できる値である。これが本発明（おいて極めて
重要、かつ本質的な点である。また、電極形成後の熱処
理は本発明において明らかに記されている通り封管内で
行なうことが必要である。その理由豆開管で熱処理？施
す場合、電極表面の酸化及び汚れ付着の可能性が大さく
、それは第１表ＡとＷとのボンティング件の比較におい
て明らかである。尚、ＡとＢとの比較に見られるように
１本発明の方法を用いる場合１通常行なわれている液相
成長後の熱処理は必ずしも必要でないＯ 次に実施例２として（）ａＰ緑色１．Ｅｌ）の例を説明
する。第２図′ｒＸ実施例２で用いられたＯａＰ緑色Ｌ
ＥＤウェハースの断面図であるＯｎ型ＩＪａｌ’基板１
１上に液相エピタキノヤル成長法九よジＴｅドープｎ型
ＧａＰエピタキノヤル層１０’に成長し、成長途中ＴＺ
ｎｉ気相よ！１ｌＧａ溶液中へ添加することによりエビ
メキゾヤルＮ全ｐ型へ反転させる。葦たｎ型。
ｐ型エピタキシャル層ｃＨ全党中心として窒素をドープ
する。以下実施例１と全く同様にして封管拡散、電極形
成、封管熱処理を経てテバイス化する。ＧａＰ緑色ＬＥ
ＩＪの場合は発光中心が窒素であるためＧａＰ赤色Ｌ
Ｅ Ｉ）の場合のように、拡散等により発光中心が解離
減少することはないが、活性領域の結晶注げ同様に劣化
すると考えられ、全党効率及び通電寿命に影響する。実
際１本笑施例２においては拡散、電極形成後の封管熱処
理を施すことにより発光効率で約１．１倍、通電寿命で
も約２倍の改善が見られた。通電寿命の回復率が（Ｊａ
Ｐ赤色Ｌ Ｉ’、 Ｄの場合ニジ小さい理由ばＣ＋ａＰ
緑色ＬＥＬ）の場合ｉ ｐ ”睦合が成長中九形収ざ
ノするため。
する。以下実施例１と全く同様にして封管拡散、電極形
成、封管熱処理を経てテバイス化する。ＧａＰ緑色ＬＥ
ＩＪの場合は発光中心が窒素であるためＧａＰ赤色Ｌ
Ｅ Ｉ）の場合のように、拡散等により発光中心が解離
減少することはないが、活性領域の結晶注げ同様に劣化
すると考えられ、全党効率及び通電寿命に影響する。実
際１本笑施例２においては拡散、電極形成後の封管熱処
理を施すことにより発光効率で約１．１倍、通電寿命で
も約２倍の改善が見られた。通電寿命の回復率が（Ｊａ
Ｐ赤色Ｌ Ｉ’、 Ｄの場合ニジ小さい理由ばＣ＋ａＰ
緑色ＬＥＬ）の場合ｉ ｐ ”睦合が成長中九形収ざ
ノするため。
結晶注が元来良好であり、拡散等の熱的損傷全党けにく
いと考えられる。本実施例（おいても累子の順万同′嘱
圧降下値（ＶＦ）ｒｌ：実施例１の場合と全く同様であ
った○ 以上、実施例全相いて詳細に説明した如く、不発明によ
る化合物半導体装置の製造方法ｆｌ−，［：れは従来ト
レードオフの関係【あジ、両立が困難と考えられていた
活性領域の結晶注の同上と、低抵抗オーミック電極の形
成が容易九実現でさ、化合物半導体装置の茜品質化及び
高信頼度化を実現できることか確認された。
いと考えられる。本実施例（おいても累子の順万同′嘱
圧降下値（ＶＦ）ｒｌ：実施例１の場合と全く同様であ
った○ 以上、実施例全相いて詳細に説明した如く、不発明によ
る化合物半導体装置の製造方法ｆｌ−，［：れは従来ト
レードオフの関係【あジ、両立が困難と考えられていた
活性領域の結晶注の同上と、低抵抗オーミック電極の形
成が容易九実現でさ、化合物半導体装置の茜品質化及び
高信頼度化を実現できることか確認された。
尚、実施例においてげＧａＰＬＥＤの場合を示したが、
前述の通ジ必ずしも全党素千屹限足されず、広く化合物
半導体結晶を用いた装置の製造法全般で適用できること
げ言う寸でもない。
前述の通ジ必ずしも全党素千屹限足されず、広く化合物
半導体結晶を用いた装置の製造法全般で適用できること
げ言う寸でもない。
第１図は実施例１で用いられたＧａＰ赤色ＬＥＩ）ウェ
ハースの断面図、第１表はＧａＰ赤色ＬＥＬＩの製造方
法及び特注結果、第２図な実施例２で用いらｆｉたＯａ
Ｐ緑色Ｌ Ｅ １）ウェハースの断面図である。 １・・・Ａｔ’ｍ、 ２・・・亜鉛拡散層、３・・・
ｐ型ＧａＰエピタキシャル層（Ｚｎ、（Ｊ添加）、４・
・・ｎ型ＯａＰエピタキシャル層（Ｔｅ添加ハ ５・・
・ｎ型ＧａＰ基板、６・・・ＡｕＳｉ’ｌ極、７・・・
Ａ−１’ｆｔＦｊ、、 ８−・・亜鉛拡散層、９・・
・ｐ型ＯａＰエピタキシャル層（Ｚｎ、Ｎ添加ハ１゜・
・・ｎ型ＧａＰエピタキ７ヤル層（Ｔｅ添加）、１１・
・・ｎ型ＧａＰ基板、Ｌ ２− ＡＬＩＳ ｉ％ｉｉ代
理人弁理士内原 晋、／：パ 躬１ 図 筋２図
ハースの断面図、第１表はＧａＰ赤色ＬＥＬＩの製造方
法及び特注結果、第２図な実施例２で用いらｆｉたＯａ
Ｐ緑色Ｌ Ｅ １）ウェハースの断面図である。 １・・・Ａｔ’ｍ、 ２・・・亜鉛拡散層、３・・・
ｐ型ＧａＰエピタキシャル層（Ｚｎ、（Ｊ添加）、４・
・・ｎ型ＯａＰエピタキシャル層（Ｔｅ添加ハ ５・・
・ｎ型ＧａＰ基板、６・・・ＡｕＳｉ’ｌ極、７・・・
Ａ−１’ｆｔＦｊ、、 ８−・・亜鉛拡散層、９・・
・ｐ型ＯａＰエピタキシャル層（Ｚｎ、Ｎ添加ハ１゜・
・・ｎ型ＧａＰエピタキ７ヤル層（Ｔｅ添加）、１１・
・・ｎ型ＧａＰ基板、Ｌ ２− ＡＬＩＳ ｉ％ｉｉ代
理人弁理士内原 晋、／：パ 躬１ 図 筋２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下記工程葡具備することを特徴とする化合物半導体装置
の製造方法。 １） 熱拡散法又にイオン注入法により化合物半導体
結晶内へ不純物を導入する工程。 ２）上記の不純物が導入された化合物半導体結晶表面の
少なくとも一部に金属材料を被着せしめる工程。 ３）上記金属材料が被着された化合物半導体結晶を封管
内で熱処理する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58061154A JPS59186379A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58061154A JPS59186379A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59186379A true JPS59186379A (ja) | 1984-10-23 |
Family
ID=13162921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58061154A Pending JPS59186379A (ja) | 1983-04-07 | 1983-04-07 | 化合物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59186379A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617757A (en) * | 1984-11-02 | 1986-10-21 | Ohi Seisakusho Co., Ltd. | Sliding door opening-closing mechanism |
| US6577005B1 (en) * | 1997-11-27 | 2003-06-10 | Kabushiki Kaishia Toshiba | Fine protuberance structure and method of production thereof |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150665A (en) * | 1974-09-03 | 1976-05-04 | Western Electric Co | Handotaisochito sonoseizoho |
| JPS5596633A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-23 | Nec Corp | Method of forming electrode of semiconductor device |
-
1983
- 1983-04-07 JP JP58061154A patent/JPS59186379A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5150665A (en) * | 1974-09-03 | 1976-05-04 | Western Electric Co | Handotaisochito sonoseizoho |
| JPS5596633A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-23 | Nec Corp | Method of forming electrode of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4617757A (en) * | 1984-11-02 | 1986-10-21 | Ohi Seisakusho Co., Ltd. | Sliding door opening-closing mechanism |
| US6577005B1 (en) * | 1997-11-27 | 2003-06-10 | Kabushiki Kaishia Toshiba | Fine protuberance structure and method of production thereof |
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