JP3519950B2 - 電極構造 - Google Patents
電極構造Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物系III-V族
化合物半導体の一つであるｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体に対
し、オーミック接触が得られる電極を有する電極構造に
関するものである。
化合物半導体の一つであるｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体に対
し、オーミック接触が得られる電極を有する電極構造に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、青色発光素子等の窒化物系II
I-V族化合物半導体装置には、ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-y
Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体が一
般的に用いられている。この半導体用の電極材料として
は種々のものが検討されており、Ａｕが最も一般的に用
いられている（”P-GaN/N-InGaN/N-GaN double-hetero
structure blue-light-emitting diodes",S.Nakamura e
t al.,Jpn.J.Appl.Phys.(1993)p.L8）。また、特開平５
−２９１６２１号公報には、Ａｕ以外の電極材料とし
て、Ｎｉ、ＰｔおよびＡｇが挙げられている。
I-V族化合物半導体装置には、ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-y
Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体が一
般的に用いられている。この半導体用の電極材料として
は種々のものが検討されており、Ａｕが最も一般的に用
いられている（”P-GaN/N-InGaN/N-GaN double-hetero
structure blue-light-emitting diodes",S.Nakamura e
t al.,Jpn.J.Appl.Phys.(1993)p.L8）。また、特開平５
−２９１６２１号公報には、Ａｕ以外の電極材料とし
て、Ｎｉ、ＰｔおよびＡｇが挙げられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極材
料にＡｕを用いた場合は、オーミック接触の接触抵抗が
相当高く、また、ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ
≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層との密着性が
悪いので物理的強度が弱いという問題があった。
料にＡｕを用いた場合は、オーミック接触の接触抵抗が
相当高く、また、ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ
≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層との密着性が
悪いので物理的強度が弱いという問題があった。
【０００４】また、電極材料にＮｉを用いた場合には、
密着性の点でＡｕよりも優れており、良好なオーミック
特性を示す。しかし、Ｎｉ電極を用いて発光ダイオード
を作製した場合、電流−電圧特性の電流値１０ｍＡにお
ける微分抵抗が十数Ωとなる。また、この電極金属を用
いてレーザ素子を作製した場合、レーザ素子の電極面積
が小さいことから接触抵抗が増大し、電流−電圧特性の
微分抵抗がさらに大きくなる。このため、素子動作電圧
の低減化が困難となる。以上のことは、Ｎｉ以外のＰｔ
やＡｇにおいても同様である。よって、接触抵抗をさら
に小さくして動作電圧を低減するためには、Ｎｉ、Ｐｔ
およびＡｇ以外の電極材料を必要とする。
密着性の点でＡｕよりも優れており、良好なオーミック
特性を示す。しかし、Ｎｉ電極を用いて発光ダイオード
を作製した場合、電流−電圧特性の電流値１０ｍＡにお
ける微分抵抗が十数Ωとなる。また、この電極金属を用
いてレーザ素子を作製した場合、レーザ素子の電極面積
が小さいことから接触抵抗が増大し、電流−電圧特性の
微分抵抗がさらに大きくなる。このため、素子動作電圧
の低減化が困難となる。以上のことは、Ｎｉ以外のＰｔ
やＡｇにおいても同様である。よって、接触抵抗をさら
に小さくして動作電圧を低減するためには、Ｎｉ、Ｐｔ
およびＡｇ以外の電極材料を必要とする。
【０００５】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導
体に対して良好なオーミック接触が得られる電極を有す
る電極構造およびその製造方法を提供することを目的と
する。
決すべくなされたものであり、ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導
体に対して良好なオーミック接触が得られる電極を有す
る電極構造およびその製造方法を提供することを目的と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 本発明の電極構造は、
Ｍｇを含むＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層上に、少なくとも１種類
以上の金属水素化物を含む層を有する電極構造であっ
て、前記半導体層は水素を含むｐ型であり、前記金属水
素化物を含む層を形成するための金属は、Y、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｈｆのうち少なくとも１
つからなるので、そのことにより上記目的が達成され
る。
Ｍｇを含むＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層上に、少なくとも１種類
以上の金属水素化物を含む層を有する電極構造であっ
て、前記半導体層は水素を含むｐ型であり、前記金属水
素化物を含む層を形成するための金属は、Y、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｈｆのうち少なくとも１
つからなるので、そのことにより上記目的が達成され
る。
【０００７】本発明の電極構造は、Ｍｇを含むＡｌxＧ
ａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦
１）半導体層上に、少なくとも１種類以上の金属水素化
物を含む層を有する電極構造であって、前記半導体層は
水素を含むｐ型であり、キャリア濃度は５×１０17〜１
×１０18ｃｍ-3であり、前記金属水素化物を含む層を形
成するための金属は、HfあるいはPdであるので、そのこ
とにより上記目的が達成される。
ａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦
１）半導体層上に、少なくとも１種類以上の金属水素化
物を含む層を有する電極構造であって、前記半導体層は
水素を含むｐ型であり、キャリア濃度は５×１０17〜１
×１０18ｃｍ-3であり、前記金属水素化物を含む層を形
成するための金属は、HfあるいはPdであるので、そのこ
とにより上記目的が達成される。
【０００８】また、本発明の電極構造は、前記半導体層
の前記金属水素化物を含む層との界面でMgの活性化が促
進されていることにより上記目的が達成される。
の前記金属水素化物を含む層との界面でMgの活性化が促
進されていることにより上記目的が達成される。
【０００９】
【００１０】本発明にあっては、図６に示すように、ｐ
型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、
ｘ＋ｙ≦１）半導体層６１の上に、金属性窒化物および
金属水素化物の混合した層構造、または金属性窒化物層
および金属水素化物層を含む層構造となっている電極６
２が形成された構成をとる。
型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、
ｘ＋ｙ≦１）半導体層６１の上に、金属性窒化物および
金属水素化物の混合した層構造、または金属性窒化物層
および金属水素化物層を含む層構造となっている電極６
２が形成された構成をとる。
【００１１】このような構成とする理由は、以下のとお
りである。半導体層６１の形成時、その構成元素である
窒素が半導体層の表面から離脱し易いことにより、化学
量論比を満足する結晶を作製することが困難となる。ま
た、窒素の離脱による窒素原子の空孔形成により半導体
層の伝導型がｎ型となり、ｐ型伝導を得る上で好ましく
ない。
りである。半導体層６１の形成時、その構成元素である
窒素が半導体層の表面から離脱し易いことにより、化学
量論比を満足する結晶を作製することが困難となる。ま
た、窒素の離脱による窒素原子の空孔形成により半導体
層の伝導型がｎ型となり、ｐ型伝導を得る上で好ましく
ない。
【００１２】そこで、本発明では、金属水素化物または
金属水素化物層を存在させている。この金属水素化物ま
たは金属水素化物層により、半導体層６１中に存在する
水素が引き寄せられて、Ｍｇ原子の活性化が助けられ
る。金属性窒化物または金属性窒化物層による化学量論
比を満足する結晶の形成、及び金属水素化物または金属
水素化物層によるＭｇ原子の活性化によって、半導体層
６１と電極６２との界面でのキャリア濃度をコンタクト
層として十分な高キャリア濃度層６３を形成することが
できる。よって、半導体層６１と電極６２との界面での
電位障壁の幅を著しく減少でき、トンネル電流の急増を
図れるからである。その結果、半導体層６１と電極６２
との間に接触抵抗の極めて小さいオーミック接触が実現
できることとなる。
金属水素化物層を存在させている。この金属水素化物ま
たは金属水素化物層により、半導体層６１中に存在する
水素が引き寄せられて、Ｍｇ原子の活性化が助けられ
る。金属性窒化物または金属性窒化物層による化学量論
比を満足する結晶の形成、及び金属水素化物または金属
水素化物層によるＭｇ原子の活性化によって、半導体層
６１と電極６２との界面でのキャリア濃度をコンタクト
層として十分な高キャリア濃度層６３を形成することが
できる。よって、半導体層６１と電極６２との界面での
電位障壁の幅を著しく減少でき、トンネル電流の急増を
図れるからである。その結果、半導体層６１と電極６２
との間に接触抵抗の極めて小さいオーミック接触が実現
できることとなる。
【００１３】このような電極構造は、半導体層６１上
に、窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌ以下である金属および水素貯蔵金属を順次あるいは同
時に堆積して電極６２を形成することにより得ることが
できる。または、半導体層６１上に、窒化物生成自由エ
ネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属およ
び水素貯蔵金属を含む金属間化合物を堆積して電極６２
を形成することにより得ることができる。
に、窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏ
ｌ以下である金属および水素貯蔵金属を順次あるいは同
時に堆積して電極６２を形成することにより得ることが
できる。または、半導体層６１上に、窒化物生成自由エ
ネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金属およ
び水素貯蔵金属を含む金属間化合物を堆積して電極６２
を形成することにより得ることができる。
【００１４】水素貯蔵金属を半導体層６１上に堆積する
と、半導体層６１の表面に水素原子と金属との反応によ
り金属水素化物層が形成される。更に、このような金属
および水素貯蔵金属を含む金属間化合物を半導体層６１
上に堆積しても、同様に金属性窒化物層や金属水素化物
層が形成される。尚、窒化物生成自由エネルギーが０ｋ
ｃａｌ／ｍｏｌ以下の金属を半導体層６１上に堆積する
と、半導体層６１の表面に半導体層６１中の窒素原子と
金属との反応により金属性窒化物層が形成される。
と、半導体層６１の表面に水素原子と金属との反応によ
り金属水素化物層が形成される。更に、このような金属
および水素貯蔵金属を含む金属間化合物を半導体層６１
上に堆積しても、同様に金属性窒化物層や金属水素化物
層が形成される。尚、窒化物生成自由エネルギーが０ｋ
ｃａｌ／ｍｏｌ以下の金属を半導体層６１上に堆積する
と、半導体層６１の表面に半導体層６１中の窒素原子と
金属との反応により金属性窒化物層が形成される。
【００１５】このようにして得られる電極構造は、半導
体層と金属層との反応による結合を有しているので、従
来用いられている電極よりもさらに強固で物理的にも化
学的にも優れた電極構造とすることができる。
体層と金属層との反応による結合を有しているので、従
来用いられている電極よりもさらに強固で物理的にも化
学的にも優れた電極構造とすることができる。
【００１６】また、上記金属および水素貯蔵金属、また
は金属間化合物を堆積した後に熱処理を行うと、界面で
の反応、Ｍｇの活性化を促進するため、オーミック特性
をさらに改善することができる。
は金属間化合物を堆積した後に熱処理を行うと、界面で
の反応、Ｍｇの活性化を促進するため、オーミック特性
をさらに改善することができる。
【００１７】また、本発明の詳細な説明では、金属性窒
化物または金属性窒化物層を存在させている。この金属
性窒化物または金属性窒化物層により、半導体層６１中
に存在する窒素原子が半導体層６１の金属窒化物層形成
側表面に引き寄せられる。このため、半導体層６１の形
成時に窒素原子空孔が形成されても、半導体層６１の表
面近傍では引き寄せられた窒素原子が空孔を埋めて化学
量論比を満足する結晶が半導体層６１と電極６２との間
にまず形成される。よって、半導体層６１の表面近傍
を、ｐ型伝導を得る上で好ましい結晶状態とすることが
できるからである。
化物または金属性窒化物層を存在させている。この金属
性窒化物または金属性窒化物層により、半導体層６１中
に存在する窒素原子が半導体層６１の金属窒化物層形成
側表面に引き寄せられる。このため、半導体層６１の形
成時に窒素原子空孔が形成されても、半導体層６１の表
面近傍では引き寄せられた窒素原子が空孔を埋めて化学
量論比を満足する結晶が半導体層６１と電極６２との間
にまず形成される。よって、半導体層６１の表面近傍
を、ｐ型伝導を得る上で好ましい結晶状態とすることが
できるからである。
【００１８】また、一般に、ｐ型伝導を得べく半導体層
にアクセプタ不純物であるＭｇ元素が添加される。とこ
ろが、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体を成長
させた場合、半導体層中に多量の水素が存在し、更に、
この水素原子の一部がアクセプタ不純物であるＭｇ原子
を結合しており、Ｍｇ原子が有効なアクセプタとして働
かなくなる。このため、このような半導体層に対し、電
子線照射を行うか、または窒素雰囲気中でアニールを施
し、Ｍｇ原子がアクセプタ不純物として活性になってい
るｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、ｘ＋ｙ≦１）半導体を得ている。しかし、得られた
半導体層は、そのキャリア濃度がコンタクト層として用
いるのに不十分であり、さらに高いキャリア濃度を必要
とする。
にアクセプタ不純物であるＭｇ元素が添加される。とこ
ろが、ＭＯＣＶＤ法によりｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ
（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体を成長
させた場合、半導体層中に多量の水素が存在し、更に、
この水素原子の一部がアクセプタ不純物であるＭｇ原子
を結合しており、Ｍｇ原子が有効なアクセプタとして働
かなくなる。このため、このような半導体層に対し、電
子線照射を行うか、または窒素雰囲気中でアニールを施
し、Ｍｇ原子がアクセプタ不純物として活性になってい
るｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦
１、ｘ＋ｙ≦１）半導体を得ている。しかし、得られた
半導体層は、そのキャリア濃度がコンタクト層として用
いるのに不十分であり、さらに高いキャリア濃度を必要
とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について説
明する。本発明において形成される金属性窒化物として
は、例えばＳｃＮ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＣｒＮ、ＺｒＮ、Ｎ
ｂＮ、ＬａＮ、ＴａＮが挙げられる。また、金属水素化
物としては、例えばＳｃＨ2、ＹＨ2、ＬａＨ2、Ｃｅ
Ｈ2、ＰｒＨ2、ＮｄＨ2、ＳｍＨ2、ＥｕＨ2、ＹｂＨ2、
ＴｉＨ2、ＺｒＨ2、ＨｆＨ2、ＶＨ、ＮｂＨ、ＴａＨ、
ＰｄＨが挙げられる。
明する。本発明において形成される金属性窒化物として
は、例えばＳｃＮ、ＴｉＮ、ＶＮ、ＣｒＮ、ＺｒＮ、Ｎ
ｂＮ、ＬａＮ、ＴａＮが挙げられる。また、金属水素化
物としては、例えばＳｃＨ2、ＹＨ2、ＬａＨ2、Ｃｅ
Ｈ2、ＰｒＨ2、ＮｄＨ2、ＳｍＨ2、ＥｕＨ2、ＹｂＨ2、
ＴｉＨ2、ＺｒＨ2、ＨｆＨ2、ＶＨ、ＮｂＨ、ＴａＨ、
ＰｄＨが挙げられる。
【００２０】本発明に用いられる窒化物生成自由エネル
ギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下の金属としては、例
えばＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｔａが
挙げられる。また、水素貯蔵金属としては、例えばＳ
ｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｄが挙げられ
る。
ギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下の金属としては、例
えばＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、Ｔａが
挙げられる。また、水素貯蔵金属としては、例えばＳ
ｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｐｄが挙げられ
る。
【００２１】尚、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｌａ、
Ｔａは窒化物生成自由エネルギー変化ΔＧが０ｋｃａｌ
／ｍｏｌ以下である金属であり、かつ水素貯蔵金属であ
る。しかし、これらの金属を堆積しただけではｐ型Ａｌ
xＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ
≦１）半導体層に対する良好なオーミック接触を得るこ
とができない。これらの金属がｐ型ＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導
体層上に堆積された場合、膜中の窒素原子と、Ｍｇ原子
と結合している水素原子との絶対量が異なることから、
金属性窒化物のみが形成され、水素貯蔵金属としての役
割が果たされない。従って、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｌａ、Ｔａは金属性窒化物形成のために用いて、水
素貯蔵金属としてはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｙｂ、Ｈｆ、Ｐｄを用いるのが好ましい。
Ｔａは窒化物生成自由エネルギー変化ΔＧが０ｋｃａｌ
／ｍｏｌ以下である金属であり、かつ水素貯蔵金属であ
る。しかし、これらの金属を堆積しただけではｐ型Ａｌ
xＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ
≦１）半導体層に対する良好なオーミック接触を得るこ
とができない。これらの金属がｐ型ＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導
体層上に堆積された場合、膜中の窒素原子と、Ｍｇ原子
と結合している水素原子との絶対量が異なることから、
金属性窒化物のみが形成され、水素貯蔵金属としての役
割が果たされない。従って、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｌａ、Ｔａは金属性窒化物形成のために用いて、水
素貯蔵金属としてはＹ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅ
ｕ、Ｙｂ、Ｈｆ、Ｐｄを用いるのが好ましい。
【００２２】ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦
１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層の伝導型は、ｐ
型伝導とすることができるＭｇ等のアクセプタ不純物を
添加することにより制御することができる。
１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層の伝導型は、ｐ
型伝導とすることができるＭｇ等のアクセプタ不純物を
添加することにより制御することができる。
【００２３】電極構造は、図６に示すような高キャリア
濃度な半導体層（ｐ+−ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ）６３
が、金属性窒化物および金属水素化物の混合した層構
造、または金属性窒化物層および金属水素化物層を含む
層構造となっている電極６２とｐ型ＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導
体層６１との間に形成された構造となる。
濃度な半導体層（ｐ+−ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ）６３
が、金属性窒化物および金属水素化物の混合した層構
造、または金属性窒化物層および金属水素化物層を含む
層構造となっている電極６２とｐ型ＡｌxＧａyＩｎ
1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導
体層６１との間に形成された構造となる。
【００２４】なお、金属性窒化物層および金属水素化物
層は、どちらが半導体層側であってもよい。また、金属
性窒化物層および金属水素化物層は、一方が１層または
２層以上であり、他方が１層または２層以上である組合
せ層構造であってもよい。このような金属性窒化物層お
よび金属水素化物層は、半導体層６１表面に形成され、
窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以
下の金属を堆積すると金属性窒化物層が、水素貯蔵金属
を堆積すると金属水素化物層が各々形成される。また、
同時に堆積した場合や金属間化合物を堆積した場合には
金属性窒化物と金属水素化物との両方を含む層が形成さ
れる。
層は、どちらが半導体層側であってもよい。また、金属
性窒化物層および金属水素化物層は、一方が１層または
２層以上であり、他方が１層または２層以上である組合
せ層構造であってもよい。このような金属性窒化物層お
よび金属水素化物層は、半導体層６１表面に形成され、
窒化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以
下の金属を堆積すると金属性窒化物層が、水素貯蔵金属
を堆積すると金属水素化物層が各々形成される。また、
同時に堆積した場合や金属間化合物を堆積した場合には
金属性窒化物と金属水素化物との両方を含む層が形成さ
れる。
【００２５】本発明の電極構造においては、ｐ型Ａｌx
ＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦
１）半導体層の表面近傍では化学量論比の取れた結晶が
形成され、ｐ型伝導を得る上で好ましい結晶状態とな
る。また、高キャリア濃度な半導体層６３は、コンタク
ト層として十分なキャリア濃度となり、接触抵抗の極め
て小さいオーミック接触が実現できる。さらに、得られ
た電極構造は、半導体層と金属層との反応による結合を
有しているので、強固で物理的にも化学的にも優れたも
のとすることができる。
ＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦
１）半導体層の表面近傍では化学量論比の取れた結晶が
形成され、ｐ型伝導を得る上で好ましい結晶状態とな
る。また、高キャリア濃度な半導体層６３は、コンタク
ト層として十分なキャリア濃度となり、接触抵抗の極め
て小さいオーミック接触が実現できる。さらに、得られ
た電極構造は、半導体層と金属層との反応による結合を
有しているので、強固で物理的にも化学的にも優れたも
のとすることができる。
【００２６】（実施例１）図１は、本発明の一実施例で
ある電極構造を示す断面概要図である。この電極構造は
サファイア基板１上に作製され、膜厚５０ｎｍのＧａＮ
バッファ層２、膜厚３μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃ
ｍ-3のＭｇ添加ｐ型ＧａＮ層３、および電極４から構成
されている。
ある電極構造を示す断面概要図である。この電極構造は
サファイア基板１上に作製され、膜厚５０ｎｍのＧａＮ
バッファ層２、膜厚３μｍ、キャリア濃度１×１０18ｃ
ｍ-3のＭｇ添加ｐ型ＧａＮ層３、および電極４から構成
されている。
【００２７】電極４は、直径５００μｍ、電極中心間距
離１ｍｍの２つの円電極４、４となっており、図２に示
すように、Ｍｇ添加ｐ型ＧａＮ層３の上に、電子ビーム
蒸着法により到達真空度１×１０-7Ｔｏｒｒ以下、堆積
中真空度５×１０-7Ｔｏｒｒ以下でＰｄ層５とＴｉ層６
とを堆積して形成されている。Ｐｄ層５およびＴｉ層６
からなる電極とＧａＮ層３との界面、つまりＰｄ層５と
ＧａＮ層３との界面については、堆積中の反応により、
堆積されたＰｄ層５に含まれるＰｄと水素とが化合して
なる金属水素化物ＰｄＨ部分と、堆積されたＴｉ層６に
含まれるＴｉと窒素とが化合してなる金属性窒化物Ｔｉ
Ｎ部分とが混合する状態となる。または、Ｐｄ層５とＧ
ａＮ層３との間における全界面の一部または複数部分が
金属水素化物ＰｄＨ層からなり、その全界面の一部また
は複数部分が金属性窒化物ＴｉＮ層からなる状態や、も
しくは、Ｐｄ層５とＧａＮ層３との間に金属水素化物Ｐ
ｄＨ層と金属性窒化物ＴｉＮ層とが積層された状態にな
る。もしくは、Ｔｉと窒素とが化合してなる金属性窒化
物ＴｉＮと、Ｐｄと水素とが化合してなる金属水素化物
ＰｄＨとが、更に化合して層状になった状態となる。最
後に示した状態は、Ｐｄ層５とＴｉ層６とをタイミング
を別にして形成する場合よりも、後述するようにＰｄと
Ｔｉとを同一タイミングで形成する場合の方が起こり易
い。なお、以上説明した種々の状態は、堆積中の反応に
限らず、堆積後に行う熱処理によっても形成される。
離１ｍｍの２つの円電極４、４となっており、図２に示
すように、Ｍｇ添加ｐ型ＧａＮ層３の上に、電子ビーム
蒸着法により到達真空度１×１０-7Ｔｏｒｒ以下、堆積
中真空度５×１０-7Ｔｏｒｒ以下でＰｄ層５とＴｉ層６
とを堆積して形成されている。Ｐｄ層５およびＴｉ層６
からなる電極とＧａＮ層３との界面、つまりＰｄ層５と
ＧａＮ層３との界面については、堆積中の反応により、
堆積されたＰｄ層５に含まれるＰｄと水素とが化合して
なる金属水素化物ＰｄＨ部分と、堆積されたＴｉ層６に
含まれるＴｉと窒素とが化合してなる金属性窒化物Ｔｉ
Ｎ部分とが混合する状態となる。または、Ｐｄ層５とＧ
ａＮ層３との間における全界面の一部または複数部分が
金属水素化物ＰｄＨ層からなり、その全界面の一部また
は複数部分が金属性窒化物ＴｉＮ層からなる状態や、も
しくは、Ｐｄ層５とＧａＮ層３との間に金属水素化物Ｐ
ｄＨ層と金属性窒化物ＴｉＮ層とが積層された状態にな
る。もしくは、Ｔｉと窒素とが化合してなる金属性窒化
物ＴｉＮと、Ｐｄと水素とが化合してなる金属水素化物
ＰｄＨとが、更に化合して層状になった状態となる。最
後に示した状態は、Ｐｄ層５とＴｉ層６とをタイミング
を別にして形成する場合よりも、後述するようにＰｄと
Ｔｉとを同一タイミングで形成する場合の方が起こり易
い。なお、以上説明した種々の状態は、堆積中の反応に
限らず、堆積後に行う熱処理によっても形成される。
【００２８】図３に、２つの円電極４、４間の電流−電
圧特性を示す。また、比較のために電極金属としてＮｉ
を用いた場合の電流−電圧特性も併せて示す。この図か
ら理解されるように、ＰｄおよびＴｉを堆積して電極４
を形成した本実施例の電極構造は、特開平５−２９１６
２１号公報において最も良好なオーミック特性を示した
Ｎｉを用いた場合よりも良好なオーミック特性を示して
いる。
圧特性を示す。また、比較のために電極金属としてＮｉ
を用いた場合の電流−電圧特性も併せて示す。この図か
ら理解されるように、ＰｄおよびＴｉを堆積して電極４
を形成した本実施例の電極構造は、特開平５−２９１６
２１号公報において最も良好なオーミック特性を示した
Ｎｉを用いた場合よりも良好なオーミック特性を示して
いる。
【００２９】さらに、この電極構造に対して、電気炉ア
ニールを用いてアニール温度１００℃〜５００℃でアニ
ールを１０分間行った。図４に、その場合における電極
構造の電流−電圧特性のアニール温度依存性を示す。ま
た、室温（Ｒ．Ｔ．）で放置してアニールを行わなかっ
た電極層の電流−電圧も併せて示す。
ニールを用いてアニール温度１００℃〜５００℃でアニ
ールを１０分間行った。図４に、その場合における電極
構造の電流−電圧特性のアニール温度依存性を示す。ま
た、室温（Ｒ．Ｔ．）で放置してアニールを行わなかっ
た電極層の電流−電圧も併せて示す。
【００３０】この図から理解されるように、３００℃以
上のアニールにより急激にオーミック特性が改善されて
いる。また、得られた電極構造は、半導体層と金属（窒
化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下
の金属および水素貯蔵金属）との反応による結合を有し
ているので、強固で物理的にも化学的にも優れたもので
あった。
上のアニールにより急激にオーミック特性が改善されて
いる。また、得られた電極構造は、半導体層と金属（窒
化物生成自由エネルギー変化が０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下
の金属および水素貯蔵金属）との反応による結合を有し
ているので、強固で物理的にも化学的にも優れたもので
あった。
【００３１】（実施例２）この実施例では、ｐ型半導体
層としてＧａＮ層３の代わりにキャリア濃度５×１０17
ｃｍ-3のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎまたはキャリア濃度５×１０
17ｃｍ-3のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎを形成し、Ｐｄ層５および
Ｔｉ層６の代わりにＨｆとＮｂとの金属間化合物を堆積
した以外は実施例１と同様の電極構造を作製した。ま
た、この金属間化合物の堆積中の反応あるいは堆積後の
熱処理により、半導体層の上には金属水素化物ＨｆＨ2
層および金属性窒化物ＮｂＮ層が形成される。
層としてＧａＮ層３の代わりにキャリア濃度５×１０17
ｃｍ-3のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎまたはキャリア濃度５×１０
17ｃｍ-3のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎを形成し、Ｐｄ層５および
Ｔｉ層６の代わりにＨｆとＮｂとの金属間化合物を堆積
した以外は実施例１と同様の電極構造を作製した。ま
た、この金属間化合物の堆積中の反応あるいは堆積後の
熱処理により、半導体層の上には金属水素化物ＨｆＨ2
層および金属性窒化物ＮｂＮ層が形成される。
【００３２】図５に、２つの円電極間の電流−電圧特性
を示す。この図から理解されるように、ＨｆとＮｂとの
金属間化合物を堆積して電極を形成した本実施例の電極
構造は、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ半導体層およびＩｎ0.2Ｇａ
0.8Ｎ半導体層のいずれ場合でも良好なオーミック特性
を示している。
を示す。この図から理解されるように、ＨｆとＮｂとの
金属間化合物を堆積して電極を形成した本実施例の電極
構造は、Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ半導体層およびＩｎ0.2Ｇａ
0.8Ｎ半導体層のいずれ場合でも良好なオーミック特性
を示している。
【００３３】上記実施例においては、電子ビーム蒸着法
により窒化物生成自由エネルギー変化ΔＧが０ｋｃａｌ
／ｍｏｌ以下である金属と水素貯蔵金属とを堆積した
が、スパッタ法を用いてもよい。また、窒化物生成自由
エネルギー変化ΔＧが０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金
属と、水素貯蔵金属とは、同時に蒸着してもよく、交互
に積層して堆積してもよい。
により窒化物生成自由エネルギー変化ΔＧが０ｋｃａｌ
／ｍｏｌ以下である金属と水素貯蔵金属とを堆積した
が、スパッタ法を用いてもよい。また、窒化物生成自由
エネルギー変化ΔＧが０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下である金
属と、水素貯蔵金属とは、同時に蒸着してもよく、交互
に積層して堆積してもよい。
【００３４】半導体層および金属を熱処理する工程は、
電気炉アニールによる以外にＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）法を用いてもよい。アニー
ルは１００℃〜５００℃まで行ったが、室温以上であれ
ばよい。好ましくは、Ｍｇ原子と水素原子との結合が切
断され易くなる３００℃以上である。また、熱処理温度
の上限は、水素貯蔵金属の融点に依存するが、８００℃
〜１０００℃程度である。
電気炉アニールによる以外にＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈ
ｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）法を用いてもよい。アニー
ルは１００℃〜５００℃まで行ったが、室温以上であれ
ばよい。好ましくは、Ｍｇ原子と水素原子との結合が切
断され易くなる３００℃以上である。また、熱処理温度
の上限は、水素貯蔵金属の融点に依存するが、８００℃
〜１０００℃程度である。
【００３５】半導体層の混晶比は適宜変更することがで
き、半導体層と金属との組み合わせも上記実施例に示し
たものに限られない。
き、半導体層と金属との組み合わせも上記実施例に示し
たものに限られない。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、化学量論比を満足する結晶を作製することがで
き、ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ
≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層の表面をｐ型伝導を得る上
で好ましい結晶状態とすることができる。また、半導体
層と電極との界面でのキャリア濃度をコンタクト層とし
て十分な高キャリア濃度とすることができ、ｐ型Ａｌx
ＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦
１）半導体層と電極との間に接触抵抗の極めて小さいオ
ーミック接触が得られる。よって、本発明の電極構造を
用いることにより、従来の電極構造を用いた素子よりも
低い動作電圧を有する青色発光素子を実現することがで
きる。
よれば、化学量論比を満足する結晶を作製することがで
き、ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ
≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層の表面をｐ型伝導を得る上
で好ましい結晶状態とすることができる。また、半導体
層と電極との界面でのキャリア濃度をコンタクト層とし
て十分な高キャリア濃度とすることができ、ｐ型Ａｌx
ＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦
１）半導体層と電極との間に接触抵抗の極めて小さいオ
ーミック接触が得られる。よって、本発明の電極構造を
用いることにより、従来の電極構造を用いた素子よりも
低い動作電圧を有する青色発光素子を実現することがで
きる。
【図１】本発明の一実施例である電極構造の断面概要図
である。
である。
【図２】実施例１の電極の断面図である。
【図３】実施例１および比較例の電極構造の電流−電圧
特性を示す図である。
特性を示す図である。
【図４】実施例１の電極構造の電流−電圧特性のアニー
ル温度依存性を示す図である。
ル温度依存性を示す図である。
【図５】実施例２の電極構造の電流−電圧特性を示す図
である。
である。
【図６】本発明の電極構造を示す図である。
１ サファイア基板
２ ＧａＮバッファ層
３ Ｍｇ添加ｐ型ＧａＮ層
４ 電極
５ Ｐｄ層
６ Ｔｉ層
６１ ｐ型ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層 ６２ 電極 ６３ 半導体層（ｐ+−ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ）
ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層 ６２ 電極 ６３ 半導体層（ｐ+−ＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ）
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(56)参考文献 特開 平５−315647（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−335622（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−69546（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−77537（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−152072（ＪＰ，Ａ)
特開 昭59−144124（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 33/00
H01L 21/28 - 21/288
H01L 29/40 - 29/51
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｍｇを含むＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層上に、少
なくとも１種類以上の金属水素化物を含む層を有する電
極構造であって、前記半導体層は水素を含むｐ型であ
り、前記金属水素化物を含む層を形成するための金属
は、 Y 、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｈｆの
うち少なくとも１つからなることを特徴とする電極構
造。 - 【請求項２】 Ｍｇを含むＡｌxＧａyＩｎ1-x-yＮ（０
≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）半導体層上に、少
なくとも１種類以上の金属水素化物を含む層を有する電
極構造であって、前記半導体層は水素を含むｐ型であ
り、キャリア濃度は５×１０ 17 〜１×１０ 18 ｃｍ -3 であ
り、前記金属水素化物を含む層を形成するための金属
は、 Hf あるいは Pd であることを特徴とする電極構造。 - 【請求項３】 前記半導体層は、前記金属水素化物を含
む層との界面で Mg の活性化が促進されていることを特徴
とする請求項２に記載の電極構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20904498A JP3519950B2 (ja) | 1994-07-19 | 1998-07-24 | 電極構造 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16712494A JPH0832115A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 電極構造およびその製造方法 |
| JP20904498A JP3519950B2 (ja) | 1994-07-19 | 1998-07-24 | 電極構造 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16712494A Division JPH0832115A (ja) | 1994-07-19 | 1994-07-19 | 電極構造およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197744A JPH1197744A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3519950B2 true JP3519950B2 (ja) | 2004-04-19 |
Family
ID=32396130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20904498A Expired - Fee Related JP3519950B2 (ja) | 1994-07-19 | 1998-07-24 | 電極構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3519950B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101872822B (zh) | 2002-11-16 | 2013-12-18 | Lg伊诺特有限公司 | 光器件及其制造方法 |
| KR100550735B1 (ko) * | 2002-11-16 | 2006-02-08 | 엘지이노텍 주식회사 | Ｐ형 질화갈륨계 화합물 반도체의 전극 구조 및 전극구조의 형성 방법 |
| KR101081158B1 (ko) | 2004-07-08 | 2011-11-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 제조방법 |
| JP4952534B2 (ja) | 2007-11-20 | 2012-06-13 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
-
1998
- 1998-07-24 JP JP20904498A patent/JP3519950B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1197744A (ja) | 1999-04-09 |
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