JP2006036609A - 炭化珪素半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 SiC単結晶の下地ウェハ表面に多孔質層を形成し(ステップS1,S2)、アニール処理を行ってその多孔質層表面の空孔を閉塞した後に(ステップS3)、その上にSiCのホモエピタキシャル層を形成する(ステップS4)。最後に多孔質層の部分を切断して下地ウェハの側からホモエピタキシャル層の側を分離する(ステップS5)。多孔質層表面の空孔閉塞後にホモエピタキシャル層を形成することによりその欠陥密度が大幅に小さくなり、これを各種デバイスのSiC半導体基板として用いることによりその製造歩留まりを向上させることが可能になる。
【選択図】 図1
Description
この図6に示す結晶成長装置100では、グラファイトのるつぼ101を用い、その内側上面に欠陥の著しく少ない高品質のSiC単結晶の種結晶102を配置するとともに、その底部に高純度SiCのパウダーソース103を配置する。るつぼ101は、この状態で密閉され、インダクションコイル104への高周波電力の印加により、断熱材105を介して誘導加熱される。その際は、種結晶102付近の温度T1を2200℃〜2300℃とし、パウダーソース103付近の温度T2を2300℃〜2400℃として、かつ、種結晶102とパウダーソース103との間が1℃/mm〜2℃/mmの緩やかな温度勾配となるようにする。それにより、温度の若干低い種結晶102に数百μm/h以上の成長レートでSiC単結晶を成長させることができる。なお、温度T1,T2は、それぞれ放射温度計を用いて測定される。このようにして形成されるSiC単結晶のインゴットを切り出し、それを研磨、エッチングすることにより、SiC単結晶ウェハを得ることができる。
積層欠陥とは、c軸に対する積層順序が、そのポリタイプのものと異なるときの欠陥である。六方晶SiCの結晶構成原子がとる格子位置はc軸方向から見て3つであり、それらをA,B,Cサイトとした場合、例えば4H−SiCではc軸方向に沿って、ABCB,ABCB,ABCB,・・・、と繰り返すのが理想の結晶構造であるが、この理想の結晶構造と積層順序が異なる場合に生じるのが積層欠陥である。
まず、SiC半導体基板の形成方法の概略について説明する。
図1はSiC半導体基板の形成フローの一例である。
図2は多孔質層形成工程の断面概略図、図3は表面層形成工程の断面概略図、図4はホモエピタキシャル層形成工程の断面概略図、図5はウェハ分離工程の断面概略図である。
下地ウェハ1の陽極化成では、まず、下地ウェハ1を例えば3vol%のHF水溶液中に浸漬した後、この下地ウェハ1に正バイアスを印加し、負バイアスの印加された電極をHF水溶液中に浸漬して電流を流す。このときの電流密度は5mA/cm2とする。この場合には、まず、下地ウェハ1上に、数nm径の微細孔が数十nm間隔で存在する構造を持つ多孔質層2aが形成される。このようにHFを用いて下地ウェハ1内のSiCをエッチングする際は、用いるHF溶液の種類(溶媒の種類)によっても異なるが、上記程度の電流密度であれば、一般には数時間のエッチングで厚さ10μm程度の多孔質層2aを得ることができる。
次いで、図4に示すように、表面層3の上にホモエピタキシャル成長を行って、SiCのホモエピタキシャル層4を形成する。その際の形成温度は、Siの融点による制約を受けないので、1400℃以上に設定することが可能である。このホモエピタキシャル層4の形成では、後述のようにウェハが空孔割合の大きな多孔質層2bの部分で切断されて分離されるのでその機械的強度を保持するために、1018cm-3オーダー以上の濃度で、その厚みが100μm以上である低抵抗ホモエピタキシャル層を形成する。
2,2a,2b 多孔質層
3 表面層
4 ホモエピタキシャル層
Claims (7)
- 炭化珪素のエピタキシャル層を含む炭化珪素半導体基板の製造方法において、
炭化珪素単結晶からなる下地ウェハの表面に多孔質層を形成する工程と、
形成された前記多孔質層の表面の空孔を閉塞する工程と、
空孔が閉塞された前記多孔質層の上に炭化珪素のホモエピタキシャル層を形成する工程と、
を有することを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 空孔が閉塞された前記多孔質層の上に炭化珪素の前記ホモエピタキシャル層を形成する工程の後に、
前記多孔質層を切断して前記下地ウェハが含まれる側と前記ホモエピタキシャル層が含まれる側とに分離することによって前記ホモエピタキシャル層を含んだ炭化珪素半導体基板を得る工程を有することを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 形成された前記多孔質層の表面の空孔を閉塞する工程においては、
前記多孔質層に温度1400℃以上のアニール処理を行うことによって前記多孔質層の表面の空孔を閉塞することを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 形成された前記多孔質層の表面の空孔を閉塞する工程においては、
珪素の飽和蒸気圧雰囲気でアニール処理を行うことによって前記多孔質層の表面の空孔を閉塞することを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 前記珪素の飽和蒸気圧雰囲気は、シラン若しくはジボランを含むガスまたは珪素単体を加熱して発生する珪素蒸気を含むガスを用いて形成されることを特徴とする請求項4記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 形成された前記多孔質層の表面の空孔を閉塞する工程においては、
炭素の飽和蒸気圧雰囲気でアニール処理を行うことによって前記多孔質層の表面の空孔を閉塞することを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。 - 前記炭素の飽和蒸気圧雰囲気は、プロパン、メタン、エチレン、アセチレンまたはブタンを含むガスを用いて形成されることを特徴とする請求項6記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
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