JP4976647B2 - 炭化珪素半導体基板の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体基板の製造方法 Download PDFInfo
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この図6に示す結晶成長装置100では、グラファイトのるつぼ101を用い、その内側上面に欠陥の著しく少ない高品質のSiC単結晶の種結晶102を配置するとともに、その底部に高純度SiCのパウダーソース103を配置する。るつぼ101は、この状態で密閉され、インダクションコイル104への高周波電力の印加により、断熱材105を介して誘導加熱される。その際は、種結晶102付近の温度T1を2200℃〜2300℃とし、パウダーソース103付近の温度T2を2300℃〜2400℃として、かつ、種結晶102とパウダーソース103との間が1℃/mm〜2℃/mmの緩やかな温度勾配となるようにする。それにより、温度の若干低い種結晶102に数百μm/h以上の成長レートでSiC単結晶を成長させることができる。なお、温度T1,T2は、それぞれ放射温度計を用いて測定される。このようにして形成されるSiC単結晶のインゴットを切り出し、それを研磨、エッチングすることにより、SiC単結晶ウェハを得ることができる。
積層欠陥とは、c軸に対する積層順序が、そのポリタイプのものと異なるときの欠陥である。六方晶SiCの結晶構成原子がとる格子位置はc軸方向から見て3つであり、それらをA,B,Cサイトとした場合、例えば4H−SiCではc軸方向に沿って、ABCB,ABCB,ABCB,・・・、と繰り返すのが理想の結晶構造であるが、この理想の結晶構造と積層順序が異なる場合に生じるのが積層欠陥である。
また、本発明では上記課題を解決するために、SiCのエピタキシャル層を含むSiC半導体基板の製造方法において、SiC単結晶からなる下地ウェハの表面に、空孔の割合が大きくSiCの密度が小さい構造を持った第1多孔質層と、前記第1多孔質層上に、前記第1多孔質層よりも空孔の割合が小さくSiCの密度が大きい構造を持った第2多孔質層とを形成する工程と、形成された前記第2多孔質層の空孔をアルゴンまたはアルゴンにシラン、ジボランを加えた雰囲気でシリコンの融点以上である1400℃以上の温度でアニール処理を行うことによって閉塞する工程と、空孔が閉塞された前記第2多孔質層の上にSiCのホモエピタキシャル層を形成する工程と、を有することを特徴とするSiC半導体基板の製造方法が提供される。
まず、SiC半導体基板の形成方法の概略について説明する。
図1はSiC半導体基板の形成フローの一例である。
図2は多孔質層形成工程の断面概略図、図3は表面層形成工程の断面概略図、図4はホモエピタキシャル層形成工程の断面概略図、図5はウェハ分離工程の断面概略図である。
下地ウェハ1の陽極化成では、まず、下地ウェハ1を例えば3vol%のHF水溶液中に浸漬した後、この下地ウェハ1に正バイアスを印加し、負バイアスの印加された電極をHF水溶液中に浸漬して電流を流す。このときの電流密度は5mA/cm2とする。この場合には、まず、下地ウェハ1上に、数nm径の微細孔が数十nm間隔で存在する構造を持つ多孔質層2aが形成される。このようにHFを用いて下地ウェハ1内のSiCをエッチングする際は、用いるHF溶液の種類(溶媒の種類)によっても異なるが、上記程度の電流密度であれば、一般には数時間のエッチングで厚さ10μm程度の多孔質層2aを得ることができる。
次いで、図4に示すように、表面層3の上にホモエピタキシャル成長を行って、SiCのホモエピタキシャル層4を形成する。その際の形成温度は、Siの融点による制約を受けないので、1400℃以上に設定することが可能である。このホモエピタキシャル層4の形成では、後述のようにウェハが空孔割合の大きな多孔質層2bの部分で切断されて分離されるのでその機械的強度を保持するために、1018cm-3オーダー以上の濃度で、その厚みが100μm以上である低抵抗ホモエピタキシャル層を形成する。
2,2a,2b 多孔質層
3 表面層
4 ホモエピタキシャル層
Claims (7)
- 炭化珪素のエピタキシャル層を含む炭化珪素半導体基板の製造方法において、炭化珪素単結晶からなる下地ウェハの表面に、空孔の割合が大きく炭化珪素の密度が小さい構造を持った第1多孔質層と、前記第1多孔質層上に、前記第1多孔質層よりも空孔の割合が小さく炭化珪素の密度が大きい構造を持った第2多孔質層とを形成する工程と、形成された前記第2多孔質層の空孔を珪素または炭素を含んだガスを用いてシリコンの融点以上であ る1400℃以上の温度でアニール処理を行うことによって閉塞する工程と、空孔が閉塞された前記第2多孔質層の上に炭化珪素のホモエピタキシャル層を形成する工程と、を有することを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 空孔が閉塞された前記第2多孔質層の上に炭化珪素の前記ホモエピタキシャル層を形成する工程の後に、前記第1多孔質層を切断して前記下地ウェハが含まれる側と前記ホモエピタキシャル層が含まれる側とに分離することによって前記ホモエピタキシャル層を含んだ炭化珪素半導体基板を得る工程を有することを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 形成された前記第2多孔質層の空孔を閉塞する工程においては、珪素の飽和蒸気圧雰囲気でアニール処理を行うことによって前記第2多孔質層の空孔を閉塞することを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記珪素の飽和蒸気圧雰囲気は、シランを含むガスまたは珪素単体を加熱して発生する珪素蒸気を含むガスを用いて形成されることを特徴とする請求項3記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 形成された前記第2多孔質層の空孔を閉塞する工程においては、炭素の飽和蒸気圧雰囲気でアニール処理を行うことによって前記第2多孔質層の空孔を閉塞することを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 前記炭素の飽和蒸気圧雰囲気は、プロパン、メタン、エチレン、アセチレンまたはブタンを含むガスを用いて形成されることを特徴とする請求項5記載の炭化珪素半導体基板の製造方法。
- 炭化珪素のエピタキシャル層を含む炭化珪素半導体基板の製造方法において、炭化珪素単結晶からなる下地ウェハの表面に、空孔の割合が大きく炭化珪素の密度が小さい構造を持った第1多孔質層と、前記第1多孔質層上に、前記第1多孔質層よりも空孔の割合が小さく炭化珪素の密度が大きい構造を持った第2多孔質層とを形成する工程と、形成された前記第2多孔質層の空孔をアルゴンまたはアルゴンにシラン、ジボランを加えた雰囲気でシリコンの融点以上である1400℃以上の温度でアニール処理を行うことによって閉塞する工程と、空孔が閉塞された前記第2多孔質層の上に炭化珪素のホモエピタキシャル層を形成する工程と、を有することを特徴とする炭化珪素半導体基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004221709A JP4976647B2 (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 炭化珪素半導体基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004221709A JP4976647B2 (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 炭化珪素半導体基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006036609A JP2006036609A (ja) | 2006-02-09 |
JP4976647B2 true JP4976647B2 (ja) | 2012-07-18 |
Family
ID=35901996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004221709A Expired - Fee Related JP4976647B2 (ja) | 2004-07-29 | 2004-07-29 | 炭化珪素半導体基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4976647B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9922838B2 (en) * | 2014-02-10 | 2018-03-20 | Rensselaer Polytechnic Institute | Selective, electrochemical etching of a semiconductor |
DE102019106124A1 (de) | 2018-03-22 | 2019-09-26 | Infineon Technologies Ag | Bilden von Halbleitervorrichtungen in Siliciumcarbid |
WO2020184059A1 (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 日本碍子株式会社 | SiC複合基板及び半導体デバイス |
US20240128080A1 (en) * | 2021-03-01 | 2024-04-18 | Umicore | Compound semiconductor layered structure and process for preparing the same |
WO2023058355A1 (ja) * | 2021-10-06 | 2023-04-13 | 信越半導体株式会社 | ヘテロエピタキシャル膜の作製方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4103184B2 (ja) * | 1998-07-17 | 2008-06-18 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP4716558B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2011-07-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素基板 |
JP2003045798A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Canon Inc | 多孔質膜を用いた半導体基板の作製法および半導体装置 |
JP2003095798A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Hoya Corp | 単結晶基板の製造方法 |
TW200307064A (en) * | 2002-03-19 | 2003-12-01 | Central Res Inst Elect | Method for preparing SiC crystal with reduced micro-pipes extended from substrate, SiC crystal, SiC monocrystalline film, SiC semiconductor component, SiC monocrystalline substrate and electronic device, and method for producing large SiC crystal |
-
2004
- 2004-07-29 JP JP2004221709A patent/JP4976647B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006036609A (ja) | 2006-02-09 |
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A621 | Written request for application examination |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090616 |
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A521 | Written amendment |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Written amendment |
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A521 | Written amendment |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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