JP5440260B2 - 炭化珪素結晶の製造方法およびその製造装置 - Google Patents
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Description
まず、図1を参照して、本発明の一実施の形態におけるSiC結晶10について説明する。SiC結晶10は、結晶性が良好である。SiC結晶10のポリタイプは特に限定されないが、4H−SiCであることが好ましい。
図3を参照して、本実施の形態におけるSiC結晶の製造装置100の変形例1について説明する。図3に示す変形例1の製造装置は、基本的には図2に示す製造装置100と同様の構成を備えているが、本体部102の原料17側の外表面102bと、断熱材121との間に、空間部133がさらに形成されている点、および断熱材121に測温孔121cが形成されていない点において異なる。
図4を参照して、本実施の形態におけるSiC結晶の製造装置100の変形例1について説明する。図4に示す変形例2の製造装置は、基本的には図3に示す変形例1の製造装置と同様の構成を備えているが、本体部102の種結晶11側の外表面102aと、放熱部131との間に、空間部132が配置されている点において異なる。つまり、空間部132は、本体部102において種結晶11が配置される内表面と対向する外表面102a(種結晶11が配置される面の裏側の外表面102a)に接するように形成される。さらに言い換えると、空間部132は、本体部102と、本体部102の種結晶11側の外表面102aを覆う放熱部131との間に形成された空間部である。
図5を参照して、本実施の形態におけるSiC結晶の製造装置100の変形例3について説明する。図5に示す変形例3の製造装置は、基本的には図2に示す製造装置100と同様の構成を備えているが、断熱材121に測温孔121cが形成されていない点において異なる。
図6を参照して、本実施の形態における坩堝101について説明する。本実施の形態における坩堝101は、SiC結晶の製造に用いられる。
図8を参照して、本実施の形態におけるSiC結晶の製造装置の変形例1について説明する。図8に示す変形例1の製造装置は、基本的には図7に示す製造装置と同様の構成を備えているが、坩堝101の外表面全体を断熱材121で覆っている点、本体部102の原料17側の外表面102bと、断熱材121との間に、空間部133がさらに形成されている点、および断熱材121に測温孔121cが形成されていない点において異なる。
図9を参照して、本実施の形態におけるSiC結晶の製造装置の変形例2について説明する。図9に示す変形例2の製造装置は、基本的には図7に示す製造装置と同様の構成を備えているが、突起部103上に放熱部131がさらに配置されている点、本体部102の原料17側の外表面102bと、断熱材121との間に、空間部133がさらに形成されている点、および断熱材121に測温孔121cが形成されていない点において異なる。放熱部131は、実施の形態1の放熱部131と同様であるので、その説明は繰り返さない。
本発明例1〜3では、図2に示す上述した実施の形態1の製造装置100を用いて、上述した実施の形態1の製造方法にしたがって、SiC結晶を製造した。
比較例1のSiC結晶の製造装置および製造方法は、基本的には本発明例1〜3と同様であったが、断熱シートに開口部を設けずに、坩堝上に配置した点において異なっていた。つまり、比較例1では、図10に示すように、放熱部は配置されなかった。
比較例2のSiC結晶の製造装置および製造方法は、基本的には本発明例1
〜3と同様であったが、断熱シートに形成した開口部に放熱部を配置しなかった点において異なる。つまり、図11に示すように、断熱材121を貫通する開口部を設けた(坩堝101における種結晶11側の外表面102aに空洞を形成した)。
比較例2について、SiC結晶を成長する前の放熱部(開口部)の面積に対して、SiC結晶を成長した後の閉塞した放熱部(開口部)の面積の割合を求めた。その結果を下記の表1に記載する。
表1に示すように、坩堝101の種結晶11側の外表面102aに断熱材121よりも熱伝導率が高い放熱部131を配置して、坩堝101の本体部102の外表面102aを放熱部131および断熱材121で覆った本発明例1〜3の製造装置100および製造方法では、50時間のSiC結晶の成長の間、放熱部131と断熱材121との間、放熱部131と坩堝101との間に、結晶が付着しなかった。放熱部131は断熱材121よりも熱伝導率が高いため、種結晶11側の熱を外部に効果的に放出できたので、SiC結晶の成長中に成長条件が変化することを抑制できた。このため、成長したSiC結晶から切り出したSiC結晶基板には、ポリタイプ異常のものが1枚も含まれていなかった。
Claims (10)
- 本体部を含む坩堝と、前記本体部を覆う断熱材とを含む製造装置を準備する工程と、
前記本体部内に原料を配置する工程と、
前記本体部内において、前記原料と対向するように種結晶を配置する工程と、
前記本体部内において、前記原料を加熱することにより昇華させて、前記種結晶に原料ガスを析出することにより炭化珪素結晶を成長する工程とを備え、
前記製造装置を準備する工程は、前記本体部における前記種結晶側の外表面側に、前記断熱材よりも熱伝導率の高い放熱部を配置するとともに、前記放熱部で、または、前記放熱部と前記断熱材とで、前記本体部における前記種結晶側の前記外表面全体を覆う工程を含み、
前記製造設備を準備する工程では、金属を主成分とする前記放熱部を準備する炭化珪素結晶の製造方法。 - 前記製造装置を準備する工程では、前記本体部の前記種結晶側の前記外表面に接するように前記放熱部を配置する、請求項1に記載の炭化珪素結晶の製造方法。
- 前記製造装置を準備する工程では、前記放熱部の外周と前記断熱材の外周とを同一平面上に位置付けるように前記放熱部を配置する、請求項1または2に記載の炭化珪素結晶の製造方法。
- 前記金属が合金である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素結晶の製造方法。
- 前記放熱部の融点が1800℃以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の炭化珪素結晶の製造方法。
- 炭化珪素を含む原料を昇華させ、昇華させた原料ガスを種結晶に析出させることにより炭化珪素結晶を成長させる装置であって、
前記原料および前記種結晶を内部に配置するための本体部を含む坩堝と、
前記本体部を覆う断熱材と、
前記本体部における前記種結晶側の外表面側に配置され、前記断熱材よりも熱伝導率の高い放熱部と、
前記本体部の内部を加熱するための加熱部とを備え、
前記放熱部で、または、前記断熱材と前記放熱部とで、前記本体部の前記種結晶側の前記外表面全体を覆い、
前記放熱部は、金属を主成分とする、炭化珪素結晶の製造装置。 - 前記放熱部は、前記本体部の前記種結晶側の前記外表面に接するように配置される、請求項6に記載の炭化珪素結晶の製造装置。
- 前記放熱部の外周と前記断熱材の外周とは同一平面上に位置付けられる、請求項6または7に記載の炭化珪素結晶の製造装置。
- 前記金属が合金である、請求項6〜8のいずれか1項に記載の炭化珪素結晶の製造装置。
- 前記放熱部の融点が1800℃以上である、請求項6〜9のいずれか1項に記載の炭化珪素結晶の製造装置。
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