JP4924289B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかるSiC単結晶の製造装置を用いてSiC単結晶を成長させている様子を示した断面図である。
上記第1、第2実施形態では、SiC単結晶の製造装置の容器の一例として円筒状の黒鉛製るつぼ1を例に挙げたが、これは単なる一例であり、黒鉛製るつぼ1の形状は必ずしも円筒状でなくても良いし、すべてが黒鉛製でなくても構わない。例えば、容器の外形が正多角柱形状であっても良い。また、容器の金属不純物含有度も10ppm以下であることが好ましい。
2a…超高純度原料、2b…高純度原料、3…単結晶基板、4…SiC単結晶
Claims (3)
- 容器(1)内に、炭化珪素原料(2)と種結晶となる炭化珪素単結晶基板(3)を配置し、前記炭化珪素原料(2)を加熱昇華させて前記炭化珪素単結晶基板(3)上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
前記炭化珪素原料(2)として、金属不純物の含有度が異なる2つの原料(2a、2b)を用意し、前記原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が高いもの(2b)の表面が前記金属不純物の含有度が低いもの(2a)で覆われるように前記炭化珪素原料(2)を前記容器(1)内に配置し、前記炭化珪素単結晶基板(3)の表面に前記炭化珪素単結晶(4)を成長させる際の成長初期には前記原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が低いもの(2a)の昇華ガスにて成長させ、前記炭化珪素単結晶(4)が成長し始めてから前記原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が高いもの(2b)の昇華ガスにても成長を続けるようにし、
前記原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が低いもの(2a)として前記金属不純物の含有度が10ppm以下のものを用いると共に、原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が高いもの(2b)として前記金属不純物の含有度が100ppm〜4000ppmのものを用い、
前記原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が低いもの(2a)の質量を該原料全質量のうちの5〜50%とし、前記金属不純物の含有度が高いもの(2b)を残部とすることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記容器として一面が開口する有底円筒状のるつぼ本体(1a)と該るつぼ本体(1a)の開口する面を蓋閉めする蓋材(1b)とを有するるつぼ(1)を用い、該るつぼ(1)における前記蓋材(1b)に前記炭化珪素単結晶基板(3)を貼り付けると共に、前記るつぼ本体(1a)の底面に前記原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が高いもの(2b)を配置し、該原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が高いもの(2b)よりも前記炭化珪素単結晶基板(3)側に前記原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が低いもの(2a)を配置することを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
- 前記原料(2a、2b)のうち前記金属不純物の含有度が低いもの(2a)の質量を該原料全質量のうちの30%とし、前記金属不純物の含有度が高いもの(2b)を70%とすることを特徴とする請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。
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