CN107002284B - 13族元素氮化物层的分离方法及复合基板 - Google Patents

13族元素氮化物层的分离方法及复合基板 Download PDF

Info

Publication number
CN107002284B
CN107002284B CN201580064055.1A CN201580064055A CN107002284B CN 107002284 B CN107002284 B CN 107002284B CN 201580064055 A CN201580064055 A CN 201580064055A CN 107002284 B CN107002284 B CN 107002284B
Authority
CN
China
Prior art keywords
race
element nitride
composite substrate
thickness
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580064055.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107002284A (zh
Inventor
今井克宏
岩井真
下平孝直
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Publication of CN107002284A publication Critical patent/CN107002284A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107002284B publication Critical patent/CN107002284B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/01—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes on temporary substrates, e.g. substrates subsequently removed by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4418—Methods for making free-standing articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
    • C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02—Heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/06—Joining of crystals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
    • C30B9/04—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution
    • C30B9/08—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents by cooling of the solution using other solvents
    • C30B9/10—Metal solvents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02636—Selective deposition, e.g. simultaneous growth of mono- and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H01L21/02639—Preparation of substrate for selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板。13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。复合基板满足关系式(1)、(2)及(3)。通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)；0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)；1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。

Description

13族元素氮化物层的分离方法及复合基板
技术领域
本发明涉及将13族元素氮化物层与蓝宝石基板分离的方法及复合基板。
背景技术
已知：在蓝宝石基板、GaN模板(template)等蓝宝石基板上生长GaN结晶而得到复合基板后，通过激光剥离(laser lift off)等方法使GaN结晶与蓝宝石基板分离，由此得到自立型的GaN结晶。
该方法中，复合基板因蓝宝石基板与氮化镓膜之间的热膨胀率差而发生翘曲，在通过激光剥离法分离氮化镓膜时，发生翘曲或开裂。
因此，专利文献1中，在腔室内通过气相法(HVPE、MOCVD、MBE)在蓝宝石基板上形成氮化物单晶，并直接在相同的腔室(chamber)内于相同的温度连续地实施激光剥离法，由此，消除了复合基板的翘曲所带来的影响，防止了开裂的发生。
另外，本申请人通过在蓝宝石基板上设置氮化镓层时、在氮化镓层的培养初期设置含有夹杂物(inclusion)的层，成功抑制了在激光剥离时发生开裂(专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006－188409
专利文献2:WO 2013/021804 A
专利文献3:日本特开2009-111423
发明内容
但是，专利文献1中记载的方法中，在腔室内从红外线透射窗透射激光来实施激光剥离。因此，需要特别的设备，并且，激光剥离时的照射光的利用效率较低，照射时的对位、对焦也很困难，因此，生产率较低。另外，助熔剂法等液相法中，压力较高，无法使用这样的附带有红外线透射窗的腔室，所以适用范围狭窄。
专利文献2中记载的方法仅能够适用于具有特定的微结构的复合基板，因此，这也无法扩大适用范围。
本发明的课题是：在对蓝宝石基板照射激光而分离特定的13族元素氮化物层时，能够抑制13族元素氮化物层的开裂。
本发明的特征在于，准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板，此时，13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成，复合基板满足以下的关系式(1)、(2)及(3)，通过自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分解蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面的晶格键。
5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)
0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)
1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)
另外，本发明涉及一种复合基板，其是包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板，其特征在于，13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成，并且复合基板满足上述的关系式(1)、(2)及(3)。
本发明的发明人对自蓝宝石基板侧对复合基板照射激光来分离13族元素氮化物层时、13族元素氮化物层中发生开裂的原因详细地进行了研究，得到以下的见解。
即，在蓝宝石基板上形成13族元素氮化物层时，通常为800℃以上的高温。将这样得到的复合基板冷却后照射激光，但是，因在该冷却时的蓝宝石基板与13族元素氮化物的热膨胀差，导致复合基板发生翘曲，另外，残留很大的应力。
在蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面，构成蓝宝石基板的结晶的晶格和13族元素氮化物的晶格形成晶格键。通过将激光照射到蓝宝石基板侧，13族元素氮化物分解为13族元素金属和氮，晶格键被分解。
在照射激光而发生13族元素氮化物层与蓝宝石基板的界面中的晶格键分解时，从微观上观察发现13族元素氮化物与蓝宝石基板在空间上出现剥离，通过Twyman效果向相反方向瞬间翘曲。如果发生该瞬间翘曲，则可知容易发生开裂。
因此，本发明中，作为前提，使13族元素氮化物层的平均厚度相对于蓝宝石基板的直径的比率为一定范围，并且，复合基板的翘曲量相对于复合基板的直径的比率也落在一定范围内。而且，本发明中，想到使13族元素氮化物层的厚度不恒定而产生膜厚差。由此发现，在13族元素氮化物层发生微小变形时，在层内的应力容易分散，抑制了13族元素氮化物层的开裂，从而实现本发明。
附图说明
图1是用于对复合基板4的构成进行说明的示意图。
图2中，(a)表示在蓝宝石基板1上形成有13族元素氮化物层3的状态，(b)表示复合基板4。
图3中，(a)是用于对复合基板的翘曲量的测定法进行说明的示意图，给出了在使蓝宝石基板处于下侧时上侧翘曲为凸形状的情形。(b)是用于对复合基板的翘曲量的测定法进行说明的示意图，给出了在使蓝宝石基板处于下侧时上侧翘曲为凹形状的情形。
具体实施方式
(复合基板的构成)
本发明中，使用包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层且具有翘曲的复合基板。
例如图1所示，复合基板4包括蓝宝石基板1A和设置在蓝宝石基板1A的表面1a上的13族元素氮化物层3。
此处，可以在蓝宝石基板1A的表面1a上直接形成13族元素氮化物层3，但是，还可以在表面1a上形成包含13族元素氮化物的晶种膜、再在晶种膜上形成13族元素氮化物层。这种情况下，晶种膜和13族元素氮化物层3可以用相同材质一体化。
此处，复合基板满足式(1)～(3)。
首先，13族元素氮化物层的平均厚度(μm)/所述蓝宝石基板的直径(mm)为5.0～10.0(式(1))。
13族元素氮化物层的平均厚度(μm)相当于图1所示的Tav。即，13族元素氮化物层3的膜厚中包括相对较厚的部分和相对较薄的部分。13族元素氮化物层3的膜厚是指从蓝宝石基板1A的表面1a到13族元素氮化物层的表面3a的距离。V是表示与膜厚Tav相对应的表面位置的假想线。
此处，13族元素氮化物层3的平均厚度Tav(使单位为μm)/蓝宝石基板1A的直径D(使单位为mm)为5.0以上。即，在考虑蓝宝石基板的直径的基础上，使13族元素氮化物层的平均厚度增大某种程度以上，保持强度，由此，能够有效地防止开裂。从该观点考虑，13族元素氮化物层3的平均厚度Tav(μm)/蓝宝石基板1A的直径D(mm)更优选为6.0以上。
另外，在考虑蓝宝石基板的直径的基础上，如果13族元素氮化物层的平均厚度过大，则反倒容易发生开裂。因此，13族元素氮化物层3的平均厚度Tav(μm)/蓝宝石基板1A的直径D(mm)为10.0以下。从该观点考虑，13族元素氮化物层3的平均厚度Tav(μm)/蓝宝石基板1A的直径D(mm)更优选为9.0以下。
另外，式(2)中，复合基板的翘曲量W(R)(mm)×(50/复合基板的直径D(mm))2为0.1～0.6以下。
即，发现：在考虑复合基板的直径D而进行归一化的基础上，通过使复合基板的翘曲增大某种程度以上，不易发生如上所述的开裂。从该观点考虑，复合基板的翘曲量W(R)(mm)×(50/复合基板的直径D(mm))2为0.1以上，更优选为0.2以上。
另一方面，在考虑复合基板的直径D而进行归一化的基础上，如果复合基板的翘曲过大，则容易发生开裂。从该观点考虑，复合基板的翘曲量W(R)(mm)×(50/复合基板的直径D(mm))2为0.6以下，更优选为0.5以下。
并且，如式(3)所示，13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)为1.10以上。13族元素氮化物层的厚度的最大值为图1所示的Tmax，13族元素氮化物层的厚度的最小值为Tmin。像这样使13族元素氮化物层的厚度不恒定而产生膜厚差，由此抑制了13族元素氮化物层的开裂。
从该观点考虑，13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)更优选为1.14以上。另外，如果膜厚比过大，则反倒开裂容易增多，因此，13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)优选为1.6以下，更优选为1.5以下。
优选的实施方式中，如式(4)所示，13族元素氮化物层的平均厚度Tav(mm)/蓝宝石基板的厚度Tsub(mm)为1.0以下。通过使13族元素氮化物层的平均厚度为蓝宝石基板的厚度以下，容易抑制两者的界面中的过大的应力集中。从该观点考虑，13族元素氮化物层的平均厚度/蓝宝石基板的厚度Tsub更优选为0.9以下。
另外，如果与蓝宝石基板的厚度相比，13族元素氮化物层的平均厚度过小，则容易因13族元素氮化物层的强度不足而发生开裂。从防止这种现象的观点考虑，13族元素氮化物层的平均厚度Tav/蓝宝石基板的厚度Tsub为0.2以上，更优选为0.3以上。
为了得到复合基板，例如图2(a)所示，在蓝宝石基板1的主面1a上形成晶种层。接下来，通过助熔剂法在晶种层上形成13族元素氮化物层3。
这样得到的复合基板14因通过助熔剂法的成膜和冷却而发生翘曲。该翘曲一般如图3(a)示意性所示，在使蓝宝石基板处于下侧时，上侧成为凸形状。调整翘曲的大小的情况下，例如图2(b)所示，通过对蓝宝石基板1的底面1b充分地进行研磨，形成研磨过的支撑基板1A，由此，能够在支撑基板的组织中导入加工应变，减少翘曲。
(蓝宝石基板)
蓝宝石的纤锌矿结构具有c面、a面及m面。这些结晶面是从结晶学上定义的。基底层、晶种层及通过助熔剂法培养的13族元素氮化物层的培养方向可以为c面的法线方向，也可以为a面、m面各自的法线方向。
从本发明的观点考虑，为了抑制13族元素氮化物层的剥离，蓝宝石基板的厚度优选为300～1600μm，更优选为400～1300μm。
(晶种)
晶种优选由13族元素氮化物结晶形成。此处所称的13族元素是指IUPAC制定的元素周期表中的第13族元素。13族元素具体为镓、铝、铟、铊等。该13族元素氮化物特别优选为GaN、AlN、GaAlN。
晶种膜可以为一层或者也可以在蓝宝石基板侧包含缓冲层。
晶种膜的形成方法优选气相生长法，可以举出：有机金属化学气相生长(MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、氢化物气相生长(HVPE)法、脉冲激发堆积(PXD)法、MBE法、升华法。特别优选有机金属化学气相生长法。另外，生长温度优选950～1200℃。
(13族元素氮化物层)
13族元素氮化物层的制法没有特别限定，可以举出：有机金属化学气相生长(MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、氢化物气相生长(HVPE)法、脉冲激发堆积(PXD)法、MBE法、升华法等气相法；助熔剂法等液相法。
构成该结晶层的13族元素氮化物由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成。另外，作为该13族元素氮化物中的添加剂，可以举出：碳、低熔点金属(锡、铋、银、金)、高熔点金属(铁、锰、锗、锌、钛、铬等过渡金属)。
优选的实施方式中通过助熔剂法培养13族元素氮化物结晶层。此时，助熔剂的种类只要可生成13族元素氮化物即可，没有特别限定。优选的实施方式中，使用包含碱金属和碱土金属中的至少一方的助熔剂，特别优选包含金属钠的助熔剂。
在助熔剂中混合13族元素的原料物质，进行使用。作为该原料物质，可使用金属单质、合金、化合物，从操作方面考虑，优选13族元素的金属单质。
从本发明的观点考虑，优选熔液中的13族元素/助熔剂(例如钠)的比率(mol比率)高，优选为13mol％以上，更优选为18mol％以上。但是，如果该比例变得过大，则结晶品质有下降的倾向，所以，优选为40mol％以下。
以助熔剂法生长的13族元素氮化物，在照射波长330～385nm的光(例如汞灯的光)时，发出在波长440～470nm处具有峰的较宽的荧光(蓝色的荧光)。与此相对，通过气相法制作的13族元素氮化物，在照射波长330～385nm的光时，发出在波长540～580nm处具有峰的较宽的荧光(黄色的荧光)。因此，能够通过照射波长330～385nm的光时发出的荧光的颜色来区分由助熔剂法得到的13族元素氮化物和由气相法得到的13族元素氮化物。
(复合基板的翘曲)
这样得到的复合基板因通过助熔剂法的成膜和冷却而发生翘曲。该翘曲一般如图3(a)示意性所示，在使蓝宝石基板处于下侧时，大多是上侧成为凸形状。
复合基板的翘曲量是通过专利文献3(日本特开2009－111423)中记载的方法测得的值。
参照图3，具体地进行说明。
此处，图3(a)所示的例子中，复合基板翘曲成：试样(复合基板)4的蓝宝石基板1A的底面1c成为凹状，13族元素氮化物层成为凸状。将该翘曲设为正(以符号+表示)。另外，图3(b)所示的例子中，复合基板翘曲成：试样(复合基板)4的蓝宝石基板1A的底面1c成为凸状，13族元素氮化物层成为凹状。将该翘曲设为负(以符号－表示)。将复合基板4的底面1c形成的曲面作为“翘曲曲面”。
另外，设想翘曲曲面与平面P的距离的平均值最小这样的平面，将该平面作为最佳平面P。然后，测定该翘曲曲面与最佳平面P的距离。即，在底面的长度2英寸(5.08cm)的区域内，将底面1c中处于最佳平面P上的点设为Zp。另外，将底面1c中距离最佳平面P最远的点设为Zv。将点Zv与最佳平面P的距离作为翘曲量W(R)。11是试样与平面P的间隙。
换言之，翘曲量W(R)是在底面1c中距离最佳平面P最近的点Zp与距离最佳平面P最远的点Zv的高低差。
复合基板的翘曲量可以通过激光位移计来测定。激光位移计是指：通过将激光照射到复合基板的底面来测定背面的位移的装置。使激光的波长为633nm，关于测定方式，可以与表面粗糙度相对应地使用激光聚焦(laser focus)方式、光干涉方式。
(激光的照射)
保持复合基板，并将激光照射到蓝宝石基板侧，分解13族元素氮化物层与蓝宝石基板的界面的晶格键。
激光的波长根据待剥离的13族元素氮化物的材质进行适当选择，一般为380nm以下，优选为150～380nm。另外，可以使用ArF准分子激光器(eximer laser)、KrF准分子激光器、XeCl准分子激光器、三次谐波Nd:YAG激光器等。
例如，为了使以下材质剥离，优选利用以下波长的激光。
GaN：200～360nm
AlN：150～200nm
GaAlN：200～250nm
进行激光剥离的方式也没有特别限定。例如，使由激光振荡器释放的激光束经由扩束器(beam expander)、柱状透镜或凸透镜、分色镜(dichroic mirror)及聚光透镜而成为聚焦激光束，并照射到XY工作台(stage)上的复合基板上。可以通过将柱状透镜和聚光透镜组合，使得焦点距离在x方向和y方向上不同，例如形成在x方向强烈聚焦而在y方向散焦的椭圆形激光。
另外，还可以利用采用了束流扫描仪的激光剥离装置。即，使由激光振荡器释放的激光束经由扩束器、柱状透镜或凸透镜、反射镜、Galvano扫描仪及fθ透镜而成为聚焦激光束，并照射到移动的XY工作台上的复合基板上。
可以边扫描复合基板的底面整面，边照射使用的激光。或者，还可以将激光器的位置固定、通过使保持复合基板的工作台移动来扫描复合基板的底面。
还可以使激光点在复合基板上纵横移动，进行扫描。另外，各点的直径优选为1～5mm。另外，点的移动速度还取决于脉冲激光的重复频率，优选为10～50mm/sec。
在使激光点在复合基板上移动时，优选邻接的点重合，由此能够消除未照射区域。
激光的功率依赖于加工对象、温度、以及激光振荡波长、脉冲宽度等，一般可以为0.1～0.5J/cm2。
另外，在保持复合基板时，对复合基板进行加热，由此，能够缓和翘曲，或者能够缓和翘曲的矫正所伴随的应力。作为该加热的温度，优选为100～500℃，更优选为200～300℃。但是，该加热并不是必须的，也可以在室温下实施。
(功能层及功能元件)
对这样得到的13族元素氮化物层的外周部进行坡口(beveling)加工，对两面进行研磨加工，制作自立晶片，通过气相法在该自立晶片上形成功能层。
该功能层可以为单层，也可以为多层。另外，作为功能，可用于高亮度·高彩色再现性的白色LED、高速高密度光存储器用蓝紫色激光光盘、混合动力汽车用逆变器中使用的大功率器件等。
实施例
按照图2所示的顺序，得到复合基板4。具体而言，通过有机金属化学气相生长法在直径50.8mm、75mm、100mm的蓝宝石基板1上形成包含氮化镓单晶的晶种膜，在该晶种膜上生长由氮化镓单晶形成的层3。接下来，对蓝宝石基板的底面1b进行研磨加工。
关于得到的复合基板，测定蓝宝石基板的直径(mm)、蓝宝石基板的厚度(mm)、复合基板的翘曲量、13族元素氮化物层的平均厚度(mm)、氮化物层的厚度的最大值、氮化物层的厚度的最小值，将测定结果示于表1。
各性质如下进行测定。
(蓝宝石基板的厚度(mm))
利用接触式千分尺测定蓝宝石基板的厚度。另外，还利用非接触式光学方式测定了蓝宝石基板的厚度。
(复合基板的翘曲量)
如上所述进行测定。
(13族元素氮化物层的平均厚度(μm)、最大值、最小值)
利用接触式千分尺及非接触式光学方式测定复合基板的厚度，减去预先测定的蓝宝石基板的厚度而求出13族元素氮化物层的厚度。
将复合基板4隔着缓冲(cushion)材料放置在基台上。基台是由不锈钢制成的，基台的表面为平坦面。在该状态下，将基台配置在驱动工作台上，一边自上方照射闪光灯(flash lamp)激发Q开关Nd:YAG激光的三次谐波(波长355nm的紫外激光)的脉冲(重复频率10Hz、脉冲宽度5ns)，一边使工作台移动，从复合基板的端部依次进行扫描。关于激光的光束大小，使用针孔和凸透镜进行整形、聚光，调整为在复合基板上成为直径3.0mm的圆形。1脉冲的能量为0.25mJ/cm2。以邻接的各脉冲的1个照射(shot)区域只有少量重叠的方式进行扫描。即，速度为27mm/sec。
激光扫描结束后，将复合基板浸渍在40℃的热水中，使蓝宝石基板与13族元素氮化物层的界面上产生的金属镓(熔点29℃)熔解，将蓝宝石和13族元素氮化物层分离。然后，对分离出的13族元素氮化物层的外周部进行坡口加工，对两面进行研磨加工，得到自立晶片。
此处，将蓝宝石基板和13族元素氮化物层分离后，通过肉眼观察来确认13族元素氮化物层有无开裂，将结果示于表中。其中，各例中，分别准备10个试样，数出每10个样品的裂纹总数。
表1
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
由以上结果可知：根据本发明，成功防止了在通过激光照射将蓝宝石基板和13族元素氮化物层分离时发生开裂。

Claims (10)

1.一种13族元素氮化物层的分离方法，其特征在于，
准备出包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板，此时，所述13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成，所述复合基板满足以下的关系式(1)、(2)及(3)，通过自所述蓝宝石基板侧对所述复合基板照射激光来分解所述蓝宝石基板与所述13族元素氮化物层的界面的晶格键，
5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)
0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)
1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述式(3)中，所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)为1.60以下。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述复合基板满足下式(4)，
0.2≤所述13族元素氮化物层的平均厚度(mm)/所述蓝宝石基板的厚度(mm)≤1.0····(4)。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
所述复合基板满足下式(4)，
0.2≤所述13族元素氮化物层的平均厚度(mm)/所述蓝宝石基板的厚度(mm)≤1.0……(4)。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的方法，其特征在于，
所述13族元素氮化物层的至少一部分是通过助熔剂法在含氮气氛下由熔液培养得到的。
6.一种复合基板，其是包括蓝宝石基板和设置在该蓝宝石基板上的13族元素氮化物层的复合基板，其特征在于，
所述13族元素氮化物层由氮化镓、氮化铝或氮化镓铝形成，并且所述复合基板满足以下的关系式(1)、(2)及(3)，
5.0≤(13族元素氮化物层的平均厚度(μm))/所述蓝宝石基板的直径(mm)≤10.0····(1)
0.1≤所述复合基板的翘曲量(mm)×(50/所述复合基板的直径(mm))2≤0.6····(2)
1.10≤所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)····(3)。
7.根据权利要求6所述的复合基板，其特征在于，
所述式(3)中，所述13族元素氮化物层的厚度的最大值(μm)/所述13族元素氮化物层的厚度的最小值(μm)为1.60以下。
8.根据权利要求6所述的复合基板，其特征在于，
所述复合基板满足下式(4)，
0.2≤所述13族元素氮化物层的平均厚度(mm)/所述蓝宝石基板的厚度(mm)≤1.0····(4)。
9.根据权利要求7所述的复合基板，其特征在于，
所述复合基板满足下式(4)，
0.2≤所述13族元素氮化物层的平均厚度(mm)/所述蓝宝石基板的厚度(mm)≤1.0····(4)。
10.根据权利要求6～9中的任意一项所述的复合基板，其特征在于，
所述13族元素氮化物层的至少一部分是通过助熔剂法在含氮气氛下由熔液培养得到的。
CN201580064055.1A 2014-12-03 2015-11-25 13族元素氮化物层的分离方法及复合基板 Active CN107002284B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014244648 2014-12-03
JP2014-244648 2014-12-03
PCT/JP2015/083089 WO2016088624A1 (ja) 2014-12-03 2015-11-25 １３族元素窒化物層の分離方法および複合基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107002284A CN107002284A (zh) 2017-08-01
CN107002284B true CN107002284B (zh) 2019-07-09

Family

ID=56091571

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580064055.1A Active CN107002284B (zh) 2014-12-03 2015-11-25 13族元素氮化物层的分离方法及复合基板

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9960316B2 (zh)
JP (1) JP5986702B1 (zh)
CN (1) CN107002284B (zh)
WO (1) WO2016088624A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6785176B2 (ja) * 2017-03-28 2020-11-18 日本碍子株式会社 窒化ガリウム結晶からなる自立基板の製造方法
JP7117690B2 (ja) * 2017-09-21 2022-08-15 国立大学法人大阪大学 Ｉｉｉ－ｖ族化合物結晶の製造方法および半導体装置の製造方法
JP2019112261A (ja) 2017-12-22 2019-07-11 昭和電工株式会社 ＳｉＣ単結晶の加工方法及びＳｉＣインゴットの製造方法
US20210381125A1 (en) * 2019-03-08 2021-12-09 Seagate Technology Llc Epitaxial directed ald crystal growth
DE102022122315A1 (de) 2022-09-02 2024-03-07 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer tragstruktur, tragstruktur und optisches gerät mit einer tragstruktur

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009167057A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Hitachi Cable Ltd 窒化物半導体基板の製造方法
CN102753737A (zh) * 2010-03-05 2012-10-24 并木精密宝石株式会社 外延生长用内部改性衬底、带多层膜的内部改性衬底、半导体器件、半导体块状衬底以及它们的制造方法
CN102763192A (zh) * 2010-03-05 2012-10-31 并木精密宝石株式会社 结晶性膜、器件、以及结晶性膜或器件的制造方法
CN103732809A (zh) * 2011-08-10 2014-04-16 日本碍子株式会社 13族元素氮化物膜的剥离方法
WO2014123171A1 (ja) * 2013-02-08 2014-08-14 並木精密宝石株式会社 ＧａＮ基板及びＧａＮ基板の製造方法
JP2014162713A (ja) * 2013-02-28 2014-09-08 Sharp Corp 窒化物半導体基板の製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100616656B1 (ko) 2005-01-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 질화갈륨계 단결정 기판의 제조방법 및 제조장치
JP5317521B2 (ja) 2007-04-24 2013-10-16 パナソニック株式会社 光学ガラス組成物、プリフォーム及び光学素子
JP4380791B2 (ja) 2009-01-23 2009-12-09 住友電気工業株式会社 ＧａＮ結晶基板およびその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009167057A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Hitachi Cable Ltd 窒化物半導体基板の製造方法
CN102753737A (zh) * 2010-03-05 2012-10-24 并木精密宝石株式会社 外延生长用内部改性衬底、带多层膜的内部改性衬底、半导体器件、半导体块状衬底以及它们的制造方法
CN102763192A (zh) * 2010-03-05 2012-10-31 并木精密宝石株式会社 结晶性膜、器件、以及结晶性膜或器件的制造方法
CN103732809A (zh) * 2011-08-10 2014-04-16 日本碍子株式会社 13族元素氮化物膜的剥离方法
WO2014123171A1 (ja) * 2013-02-08 2014-08-14 並木精密宝石株式会社 ＧａＮ基板及びＧａＮ基板の製造方法
JP2014162713A (ja) * 2013-02-28 2014-09-08 Sharp Corp 窒化物半導体基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2016088624A1 (ja) 2017-04-27
US9960316B2 (en) 2018-05-01
JP5986702B1 (ja) 2016-09-06
WO2016088624A1 (ja) 2016-06-09
CN107002284A (zh) 2017-08-01
US20170263810A1 (en) 2017-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107002284B (zh) 13族元素氮化物层的分离方法及复合基板
CN107407008B (zh) 第iii族氮化物半导体晶体衬底的制造方法
TWI600809B (zh) Composite substrate, method of manufacturing the same, method of manufacturing the functional layer made of Group 13 nitride, and functional device
US10910511B2 (en) Manufacturing method of III-V compound crystal and manufacturing method of semiconductor device
US10192738B2 (en) Methods of producing seed crystal substrates and group 13 element nitride crystals, and seed crystal substrates
US11437233B2 (en) Base substrate, functional element, and method for manufacturing base substrate
US11383328B2 (en) Method for manufacturing peeled substrate
JP2009012986A (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法およびｉｉｉ族窒化物結晶基板
JP2016060675A (ja) １３族元素窒化物層の分離方法
US11245054B2 (en) Base substrate, functional element, and production method for base substrate
JP2021015987A (ja) 剥離基板製造方法
US20210017667A1 (en) Single crystal, die for efg apparatus, efg apparatus, method for manufacturing single crystal, and method for manufacturing single crystal member
JP2018188363A (ja) １３族元素窒化物層の分離方法
KR20090072183A (ko) 질화갈륨 웨이퍼의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant