JP2009012986A - Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、溶液3中でIII族元素と窒素とを反応させてIII族窒化物結晶20を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法であって、少なくとも表面層10aおよび表面層10aに隣接する表面側部分10bがIII族窒化物種結晶で形成されている下地基板10の表面層10aをメルトバックする工程と、メルトバックされた下地基板10上にIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、III族窒化物結晶20の表面層20aのメルトバックおよびIII族窒化物結晶20の成長を1サイクルとする結晶メルトバック成長サイクルを1サイクル以上含む。
【選択図】図1
Description
本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の一実施形態は、図1および図2を参照して、溶液3中でIII族元素と窒素とを反応させてIII族窒化物結晶20を成長させるIII族窒化物結晶20の製造方法であって、少なくとも表面層10aおよび表面層10aに隣接する表面側部分10bがIII族窒化物種結晶で形成されている下地基板10の表面層10aをメルトバックする工程(図1(b)、図2の下地基板の表面層のメルトバック工程S11)と、メルトバックされた下地基板10上にIII族窒化物結晶20を成長させる工程(図1(c)、図2の下地基板上へのIII族窒化物結晶の成長工程S12)とを含む。ここで、下地基板10の表面層10aのメルトバックとは、下地基板10の表面層10aが溶液3に溶解して除去されることをいう。かかる方法により、下地基板の表面における転位密度が低減し、転位密度が低く結晶性の高いIII族窒化物結晶が得られる。
本発明にかかるIII族窒化物結晶の製造方法の他の一実施形態は、図1および図2を参照して、上記実施形態1の製造方法の工程に、さらに、III族窒化物結晶20の表面層をメルトバックする工程(図1(d)、図2のIII族窒化物結晶の表面層のメルトバック工程S21)と、メルトバックされたIII族窒化物結晶をさらに成長させる工程(図1(e)、図2のIII族窒化物結晶のさらなる成長工程S22)とを1サイクルとする結晶メルトバック成長サイクルCを1サイクル以上含む。ここで、III族窒化物結晶20の表面層20aのメルトバックとは、III族窒化物結晶20の表面層20aが溶液3に溶解して除去されることをいう。
本発明にかかるIII族窒化物結晶基板の一実施形態は、図3および図4を参照して、実施形態1または実施形態2の製造方法により製造されたIII族窒化物結晶を加工して得られる、転位密度が1×107cm-2未満のIII族窒化物結晶基板20sである。実施形態1または実施形態2の製造方法により、転位密度が1×107cm-2未満と低く結晶性の高いIII族窒化物結晶が得られるため、かかるIII族窒化物結晶を加工することにより転位密度が1×107cm-2未満と低く結晶性の高いIII族窒化物結晶基板が得られる。
1.下地基板の準備工程
下地基板として、特許第3139445号に開示されている方法に基づいて自立性のあるGaN種結晶基板を準備した。具体的には、以下の通りである。直径2インチ(50.8mm)で厚さ300μmのサファイア基板の(0001)主面上に、MOCVD(有機金属化学気相堆積)法により、厚さ1μmのGaN膜を形成した。このGaN膜上に、CVD(化学気相堆積)法により、SiO2膜からなるマスクを形成した。フォトリソグラフィーとウエットエッチングにより、マスクがストライプ状になるように、マスクを部分的に除去した。残されたストライプ状マスクの長手方向は、GaN膜を形成するGaN結晶の<11−20>方向であり、マスクのピッチは7μm、マスクの幅は5μmとなるようにした。
図1(b)を参照して、下地基板10である上記GaN自立下地基板の表面層10aを、アルカリ金属元素を含む溶液3中でメルトバックした。具体的には、以下の通りである。
メルトバック後のGaN自立下地基板(下地基板10)をアセトンおよびイソプロパノール中で超音波洗浄し、図1(c)を参照して、フラックス法によりGaN自立下地基板(下地基板10)上にGaN結晶(III族窒化物結晶20)を成長させた。具体的には、以下の通りである。
1.下地基板の準備工程
下地基板として、実施例1と同様の手順で気相法による直径2インチ(50.8mm)で厚さ350μmのGaN自立下地基板を準備した。
上記GaN自立下地基板をメルトバックすることなく、フラックス法により実施例1と同様の条件で、GaN自立下地基板上にGaN結晶(III族窒化物結晶)を成長させた。具体的には、融液(溶液)温度850℃でN2ガス圧力3MPaの条件で120時間結晶成長を行ない、厚さ350μmのGaN結晶が得られた。このGaN結晶の転位密度は5×107cm-2〜1×108cm-2であり、下地基板に比べて同程度または増加していることが確認された。
1.下地基板の準備工程
下地基板として、実施例1と同様の手順で気相法による直径2インチ(50.8mm)で厚さ350μmのGaN自立下地基板を準備した。
上記GaN自立下地基板の表面層を、実施例1と同様の条件で、メルトバックした。
メルトバック後のGaN自立下地基板を反応容器から取り出すことなく、実施例1と同様の条件で、GaN自立下地基板上にGaN結晶(III族窒化物結晶)を成長させた。具体的には、実施例1のメルトバック条件である温度850℃、N2ガス圧力1.5MPaで1時間保持し、その後連続して温度を850℃で保持したままで、圧力を実施例1の結晶成長条件である3MPaに変えた後、GaN結晶を成長させた。その結果、実施例1と同様に、120時間で厚さ350μmのGaN結晶がGaN自立下地基板上に成長した。このGaN結晶の転位密度は5×106cm-2であり、下地基板の転位密度に比べて低減していることが確認された。
上記GaN結晶を反応容器から取り出して洗浄した後、このGaN結晶に対して、実施例1と同様の条件で、III族窒化物結晶の表面層をメルトバックする工程およびIII族窒化物結晶をさらに成長させる工程とを1サイクルとするIII族窒化物結晶のメルトバック成長サイクルを4サイクル繰り返した。この結果、成長したGaN結晶の厚さは1.75mmとなり、そのGaN結晶の表面の転位密度は1×106cm-2と大きく低減した。
この下地基板と一体化したGaN結晶を、内周刃スライサーを用いて、下地基板の主面に平行な面でスライスし、スライス後の表面を研磨することで、厚さ300μmのGaN基板を5枚得ることができた。これらのIII族窒化物結晶基板の転位密度は、1×106cm-2〜5×106cm-2であり、一層低減していることが確認された。
1.下地基板の準備工程
下地基板として、実施例1と同様の手順で気相法による直径2インチ(50.8mm)で厚さ350μmのGaN自立下地基板を準備した。
上記GaN自立下地基板の表面層を、溶液としてGa−Na−Li融液を用いたこと以外は、実施例1と同様の条件で、メルトバックした。具体的には、内径52mmで高さ40mmのアルミナ製の坩堝(反応容器)内の底に上記GaN自立下地基板を配置し、さらに、60gの金属Gaと52.8gの金属Naと0.49gの金属Liを入れて、1.5MPaのN2ガス(窒素含有ガス)を坩堝内に供給して、この坩堝を室温(たとえば25℃)から850℃まで5時間かけて加熱し、その後850℃で10時間保持することにより、GaN自立下地基板をGa−Na−Li融液中でメルトバックした。
メルトバック後のGaN自立下地基板を実施例1と同様にして洗浄し、溶液としてGa−Na−Li融液を用いたこと以外は実施例1と同様にしてGaN自立下地基板上にGaN結晶(III族窒化物結晶)を成長させた。具体的には、以下の通りである。
1.下地基板の準備工程
下地基板として、実施例1と同様の手順で気相法による直径2インチ(50.8mm)で厚さ350μmのGaN自立下地基板を準備した。
上記GaN自立下地基板の表面層を、融液(溶液)温度を875℃としN2ガス(窒素含有ガス)の圧力を3MPaとしたこと以外は、実施例1と同様にしてメルトバックした。具体的には、内径52mmで高さ40mmのアルミナ製の坩堝(反応容器)内の底に上記GaN自立下地基板を配置し、さらに、60gの金属Gaと52.8gの金属Naを入れて、3.0MPaのN2ガス(窒素含有ガス)を坩堝内に供給して、この坩堝を室温(たとえば25℃)から875℃まで5時間かけて加熱し、その後875℃で10時間保持することにより、GaN自立下地基板をGa−Na融液(溶液)中でメルトバックした。このメルトバックの条件は、GaN結晶の成長条件に比べて、N2ガス(窒素含有ガス)の圧力が同じで融液(溶液)温度が25℃高い条件であった。
メルトバック後のGaN自立下地基板を実施例1と同様にして洗浄し、実施例1と同様にして融液(液体)温度850℃、N2ガス(窒素含有ガス)圧力3MPaの条件でGaN自立下地基板上にGaN結晶(III族窒化物結晶)を成長させた。その結果、120時間で厚さ350μmのGaN結晶がGaN自立下地基板上に成長した。このGaN結晶の転位密度は5×106cm-2であり、下地基板に比べて低減していることが確認された。
1.下地基板の準備工程
下地基板として、実施例1と同様の手順で気相法による直径2インチ(50.8mm)で厚さ350μmのGaN自立下地基板を準備した。
上記GaN自立下地基板の表面層を、融液(溶液)温度を900℃としN2ガス(窒素含有ガス)の圧力を3MPaとしたこと以外は、実施例1と同様にしてメルトバックした。具体的には、内径52mmで高さ40mmのアルミナ製の坩堝(反応容器)内の底に上記GaN自立下地基板を配置し、さらに、60gの金属Gaと52.8gの金属Naを入れて、3.0MPaのN2ガス(窒素含有ガス)を坩堝内に供給して、この坩堝を室温(たとえば25℃)から900℃まで5時間かけて加熱し、その後900℃で10時間保持することにより、GaN自立下地基板をGa−Na融液(溶液)中でメルトバックした。このメルトバックの条件は、GaN結晶の成長条件に比べて、N2ガス(窒素含有ガス)の圧力が同じで融液(溶液)温度が50℃高い条件であった。
メルトバック後のGaN自立下地基板を実施例1と同様にして洗浄し、実施例1と同様にして融液(液体)温度850℃、N2ガス(窒素含有ガス)圧力3MPaの条件でGaN自立下地基板上にGaN結晶(III族窒化物結晶)を成長させた。その結果、120時間で厚さ350μmのGaN結晶がGaN自立下地基板上に成長した。このGaN結晶の転位密度は2×106cm-2であり、下地基板に比べて低減していることが確認された。
1.下地基板の準備工程
下地基板として、実施例1と同様の手順で気相法による直径2インチ(50.8mm)で厚さ350μmのGaN自立下地基板を準備した。
上記GaN自立下地基板の表面層を、融液(溶液)温度850℃N2ガス(窒素含有ガス)圧力3MPaにおいて融液(溶液)温度850℃まで急速に昇温することによりメルトバックした。具体的には、内径52mmで高さ40mmのアルミナ製の坩堝(反応容器)内の底に上記GaN自立下地基板を配置し、さらに、60gの金属Gaと52.8gの金属Naを入れて、3.0MPaのN2ガス(窒素含有ガス)を坩堝内に供給して、この坩堝を室温(たとえば25℃)から850℃まで2時間で昇温し、その後850℃で3時間保持することにより、GaN自立下地基板をGa−Na融液(溶液)中でメルトバックした。
メルトバック後のGaN自立下地基板を実施例1と同様にして洗浄し、実施例1と同様にして融液(液体)温度850℃、N2ガス(窒素含有ガス)圧力3MPaの条件でGaN自立下地基板上にGaN結晶(III族窒化物結晶)を成長させた。その結果、120時間で厚さ350μmのGaN結晶がGaN自立下地基板上に成長した。このGaN結晶の転位密度は5×106cm-2であり、下地基板に比べて低減していることが確認された。
実施例1〜6においてそれぞれ得られたGaN結晶(III族窒化物結晶)を内周刃スライサーを用いて下地基板の主面に平行な面でスライスして、その表面を研磨することにより、直径2インチ(50.8mm)で厚さ300μmの自立したGaN結晶基板(III族窒化物結晶基板)が得られた。これらのGaN結晶基板の転位密度は、いずれも1×107cm-2未満であった。したがって、これらのGaN結晶基板は、各種半導体デバイスの好適な基板として用いることが可能である。
Claims (14)
- 溶液中でIII族元素と窒素とを反応させてIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物結晶の製造方法であって、
少なくとも表面層および前記表面層に隣接する表面側部分がIII族窒化物種結晶で形成されている下地基板の前記表面層をメルトバックする工程と、メルトバックされた前記下地基板上に前記III族窒化物結晶を成長させる工程とを含むIII族窒化物結晶の製造方法。 - 前記下地基板の前記表面層をメルトバックする工程の後に続けて前記III族窒化物結晶を成長させる工程を行なう請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- さらに、前記III族窒化物結晶の表面層をメルトバックする工程と、メルトバックされた前記III族窒化物結晶をさらに成長させる工程とを1サイクルとする結晶メルトバック成長サイクルを1サイクル以上含む請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記III族窒化物結晶の前記表面層をメルトバックする工程の後に続けて前記III族窒化物結晶をさらに成長させる工程を行なう請求項3に記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記下地基板の前記表面層をメルトバックする工程において、前記下地基板が、そのメルトバック前の表面から0.1μm以上の深さまで溶解される請求項1から請求項4までのIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記III族窒化物結晶の前記表面層をメルトバックする工程において、前記III族窒化物結晶が、そのメルトバック前の表面から0.1μm以上の深さまで溶解される請求項3から請求項5までのIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記溶液は1種類以上のアルカリ金属元素を含む請求項1から請求項6までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記下地基板の前記表面層をメルトバックする工程において前記溶液に供給される窒素含有ガスの分圧は、前記III族窒化物結晶を成長させる工程において前記溶液に供給される前記窒素含有ガスの分圧に比べて、低いことを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記III族窒化物結晶の前記表面層をメルトバックする工程において前記溶液に供給される窒素含有ガスの分圧は、前記III族窒化物結晶をさらに成長させる工程において前記溶液に供給される前記窒素含有ガスの分圧に比べて、低いことを特徴とする請求項3から請求項8までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記下地基板の前記表面層をメルトバックする工程における前記溶液の温度は、前記III族窒化物結晶を成長させる工程における前記溶液の温度に比べて、高いことを特徴とする請求項1から請求項9までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記III族窒化物結晶の前記表面層をメルトバックする工程における前記溶液の温度は、前記III族窒化物結晶をさらに成長させる工程における前記溶液の温度に比べて、高いことを特徴とする請求項3から請求項10までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記下地基板の前記表面層をメルトバックする工程は、前記溶液を前記III族窒化物結晶を成長させる工程における前記溶液の温度まで昇温させる際に行なわれる請求項1から請求項7までのいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 前記III族窒化物結晶の前記表面層をメルトバックする工程は、前記溶液を前記III族窒化物結晶をさらに成長させる工程における前記溶液の温度まで昇温させる際に行なわれる請求項3から請求項7までおよび請求項12のいずれかに記載のIII族窒化物結晶の製造方法。
- 請求項1から請求項13までの製造方法により製造されたIII族窒化物結晶を加工して得られる、転位密度が1×107cm-2未満のIII族窒化物結晶基板。
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