JP2005306709A - GaN結晶およびGaN結晶基板の製造方法、それにより得られるGaN結晶およびGaN結晶基板、それらを用いた半導体装置 - Google Patents
GaN結晶およびGaN結晶基板の製造方法、それにより得られるGaN結晶およびGaN結晶基板、それらを用いた半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005306709A JP2005306709A JP2004248866A JP2004248866A JP2005306709A JP 2005306709 A JP2005306709 A JP 2005306709A JP 2004248866 A JP2004248866 A JP 2004248866A JP 2004248866 A JP2004248866 A JP 2004248866A JP 2005306709 A JP2005306709 A JP 2005306709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gan crystal
- pressure
- crystal
- gan
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】 窒素含有ガス雰囲気下、ガリウムおよびナトリウムの混合融解液において、ガリウムと窒素とを反応させてGaN結晶を生成させるGaN結晶の製造方法において、前記反応を、大気圧を超える加圧条件下で行い、その加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))を、下記条件式(I)の条件を満たすようにする。
P≦P1<(P+45) (I)
前記式(I)において、P(atm(×1.013×105Pa))は、前記混合融解液の温度T℃におけるGaN結晶が生成する最低圧力である。
【選択図】 図2
Description
P≦P1<(P+45) (I)
前記式(I)において、P(atm(×1.013×105Pa))は、前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶が生成する最低圧力である。
P≦P1≦(P+30) (II)
前記式(II)において、P(atm(×1.013×105Pa))は前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶発生の最低圧力である。この条件によれば、さらに高品質のGaN結晶をより穏やかな条件で製造できる。
P≦P1≦(P+15) (III)
前記式(III)において、P(atm(×1.013×105Pa))は前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶発生の最低圧力である。この条件によれば、さらに高品質のGaN結晶をより穏やかな条件で製造できる。
(℃) (atm(×1.013×10 5 Pa))
600 50
700 5
750 5
800 10
850 15
880 25
900 40
950 70
(1)Na純度99.97%の場合
K:25ppm、Ca:4ppm、Fe:1ppm、Cl:1.5ppm
(2)Na純度99.5%の場合
K:100ppm、Ca:10ppm
(3)Na純度99.0%の場合
K:3000ppm、Ca:300ppm
(atm(×1.013×10 5 Pa)) (℃)
20 700〜850
30 700〜900
40 700〜930
P≦P1≦(P+15) (III)
前記式(III)において、P(atm(×1.013×105Pa))は前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶発生の最低圧力である。
組成式 AluGavIn1-u-vN
前記組成式において、uおよびvは、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1の関係を満たす。この方法によれば、さらに高品質のGaN結晶基板を穏やかな条件で製造できる。
P≦P1<(P+45) (I)
P≦P1≦(P+30) (II)
P≦P1≦(P+15) (III)
P1<P (IV)
前記式(I)〜(IV)において、P(atm(×1.013×105Pa))は、前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶が生成する最低圧力である。
実施例3で得られた各圧力におけるGaN結晶について、可視光(530nm)における透過率を測定した。その結果を図7に示す。測定を行うにあたって、前記各圧力で得られたGaN結晶に、C面に平行な面を持つように両面研磨加工した(厚み500μm(ただし、27atm(27×1.013×105Pa)および32atm(32×1.013×105Pa)で育成したものは、厚み300μm))。34atm(34×1.013×105Pa)で成長させたGaN結晶の透過率を1として、相対評価を行った。40atm(40×1.013×105Pa)以上で成長させたGaN結晶では、光の吸収が生じた。その結果、45atm(45×1.013×105Pa)以下であれば、得られる品質に影響はないが、40atm(40×1.013×105Pa)未満であれば、さらに透明で高品質な結晶が得られた。
つぎに、着色したGaN結晶をHeCdレーザ(325nm)で励起して、フォトルミネッセンス(PL)強度を測定した。その結果、バンド端発光の広がりが観測され、半値幅は、100meV以上であった。透明なGaN結晶を用いて、同様の測定を行ったところ、その半値幅は、50meVであった。酸素などの不純物が結晶中に混入すると、バンド端発光のスペクトルが広がることが分かっており、黒色化の1つの原因として不純物混入が考えられた。したがって、GaN結晶表面の不純物レベルとしては、PL評価においてバンド端発光の半値幅が、50meV以下とすることが好ましいといえる。
また、黒色GaN結晶の不純物をSIMS(二次イオン質量分析)により分析を行った。その結果、不純物として、Na、Mg、Ca、Li(Na金属中の不純物)、O(雰囲気)、Fe、C(高圧容器や坩堝材料など)などが10ppm以上、多い領域では1000ppm〜10000ppm程度検出された。一方、透明なGaN結晶では、微量のMg、Ca、Fe、Oしか検出されなかった。したがって、MgなどのP型やN型ドーピング材料は別として、GaN結晶表面の不純物レベルとしては、1ppm以下に抑えることが好ましいといえる。
つぎに、Ga/Na融解液の温度を変化させた時の融解液中へのGaN溶解度および窒素圧力を変化させた時の融解液中への窒素溶解度を測定した。その結果を図8および図9に示す。図8(A)は、GaN溶解度を示し、(B)は窒素溶解度を示す。図9は、Ga/Na融解液の温度を変化させた時の融解液中へのGaN溶解度および50atm(50×1.013×105Pa)および40atm(40×1.013×105Pa)における融解液中への窒素溶解度を示す。図9に示すように、850℃、40atm(40×1.013×105Pa)では、Ga/Na融解液に対して窒素溶解度が0.2at.%過飽和の状態、すなわち、GaN過飽和量が0.2mol%であり、また800℃、50atm(50×1.013×105Pa)でも、Ga/Na融解液に対して窒素溶解度が0.2at.%過飽和の状態、すなわち、GaN過飽和量が0.2mol%であり、ほぼ同じ過飽和量であった。窒素を過飽和の状態にすることにより、融解液中のV/III比が高くなり、結晶性が向上した。
得られた結晶を光学顕微鏡で観察した。その結果を図11に示す。サファイア基板上のシード層から成長したGaN結晶において、シード基板近傍では、GaN結晶に着色が見られるが、成長したGaN結晶の表面部分では透明な結晶が観察された。シード基板近傍から表面部分に向かって成長レートが遅くなることで、成長初期においては、着色するが高速の成長レートを確保でき、成長後期では成長レートを遅くすることにより、可視領域においても吸収の小さい透明な結晶が得られた。
つぎに、SIMS分析により厚み方向の不純物分布を行った。サファイア基板(シード層)近傍では、黒色結晶の結果と同様、不純物として、Na、Mg、Ca、Li(Na金属中の不純物)、O(雰囲気)、Fe、C(高圧容器や坩堝材料など)などが大量に検出された。一方、表面部分の透明領域では、微量のMg、Ca、Fe、Oしか検出されなかった。
また、HeCdレーザ(325nm)で結晶を励起し、フォトルミネッセンス強度を測定した。波長362nm近傍のバンド端発光では、シード基板近傍におけるGaN結晶の発光スペクトラムの半値幅が、表面近傍におけるGaN結晶の発光スペクトラムの半値幅よりも広かった。一方、波長420nm近傍のブルーバンド発光では、シード基板近傍のGaN結晶の発光強度が、表面近傍のGaN結晶の発光強度よりも大きかった。
つぎに、得られたGaN結晶の表面の透明な部分を研磨加工し、その上にデバイスを作製した。その結果、良好なデバイス特性が得られた。
12 圧力調整器
13 耐圧耐熱容器
14 電気炉
15 坩堝
16 リーク用バルブ
31 基板
32 GaN結晶薄膜層
Claims (28)
- 窒素含有ガス雰囲気下、ガリウムおよびナトリウムの混合融解液において、ガリウムと窒素とを反応させてGaN結晶を生成させ、成長させるGaN結晶の製造方法であって、前記反応は、大気圧を超える加圧条件下で行われ、その加圧条件の一部若しくは全部における圧力P1(atm(×1.013×105Pa))が、下記条件式(I)の条件を満たす製造方法。
P≦P1<(P+45) (I)
前記式(I)において、P(atm(×1.013×105Pa))は、前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶が生成する最低圧力である。 - 前記加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))が、前記条件式(I)に代えて下記条件式(II)の条件を満たす請求項1に記載の製造方法。
P≦P1≦(P+30) (II)
前記式(II)において、P(atm(×1.013×105Pa))は、前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶発生の最低圧力である。 - 前記加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))が、前記条件式(I)に代えて下記条件式(III)の条件を満たす請求項1に記載の製造方法。
P≦P1≦(P+15) (III)
前記式(III)において、P(atm(×1.013×105Pa))は前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶発生の最低圧力である。 - 前記混合融解液の温度T(℃)が、600℃〜1000℃の範囲である請求項1から3のいずれかに記載の製造方法。
- 前記混合融解液の温度T(℃)が、800℃〜950℃の範囲である請求項1から3のいずれかに記載の製造方法。
- 前記混合融解液の各温度T(℃)に対する前記GaN結晶発生の最低圧力P(atm(×1.013×105Pa))が、下記の表に示す値である請求項1から3のいずれかに記載の製造方法。
混合融解液温度T GaN結晶発生最低圧力P
(℃) (atm(×1.013×10 5 Pa))
600 50
700 5
750 5
800 10
850 15
880 25
900 40
950 70 - 前記加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))を一定にし、前記混合融解液の温度T(℃)を変化させる請求項1から6のいずれかに記載の製造方法。
- 前記混合融解液の温度T(℃)を一定にし、前記加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))を変化させる請求項1から6のいずれかに記載の製造方法。
- 前記GaN結晶の成長レートを、前記種結晶表面から前記GaN結晶表面に向かって段階的または連続的に減少させる請求項1から8のいずれかに記載の製造方法。
- 前記混合融解液の温度T(℃)を増加させることで、前記成長レートを段階的または連続的に減少させる請求項9に記載の製造方法。
- 前記加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))圧力を低減させることで前記成長レートを段階的または連続的に減少させる請求項9に記載の製造方法。
- 前記混合融解液において、前記ガリウムと前記ナトリウムとの合計に対する前記ガリウムのモル比率(Ga/(Ga+Na))が、0.07〜0.47である請求項1から11のいずれかに記載の製造方法。
- 前記混合融解液が、前記ナトリウム以外のアルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも1つの添加物を含む請求項1から12のいずれかに記載の製造方法。
- 前記添加物の量が、前記混合融解液全体の1mol%以下である請求項13に記載の製造方法。
- 前記添加物の量が、前記混合融解液全体の0.1mol%以下である請求項13に記載の製造方法。
- 成長させるGaN結晶が、GaNの単結晶である請求項1から15のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1から16のいずれかに記載の製造方法により得られるGaN結晶。
- 下記の組成式で表されるIII族元素窒素化合物の種結晶を準備し、これを前記混合融解液中に入れ、前記種結晶の表面において請求項1から16のいずれかに記載の製造方法によりGaN結晶層を成長させる工程を含むGaN結晶基板の製造方法。
組成式 AluGavIn1-u-vN
前記組成式において、uおよびvは、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1の関係を満たす。 - 前記GaN結晶を成長させる工程において、前記加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))が、下記条件式(IV)を満たすことにより、前記混合融解液を未飽和の状態とし、その後、下記条件式(I)〜(III)のいずれかの条件を満たすように前記加圧条件の圧力P1(atm(×1.013×105Pa))を上昇させて前記混合融解液を未飽和の状態から過飽和の状態に移行させ、前記混合融解液を過飽和の状態とすることを含む請求項18に記載の製造方法。
P≦P1<(P+45) (I)
P≦P1≦(P+30) (II)
P≦P1≦(P+15) (III)
P1<P (IV)
前記式(I)〜(IV)において、P(atm(×1.013×105Pa))は、前記混合融解液の温度T(℃)におけるGaN結晶が生成する最低圧力である。 - 前記未飽和の混合融解液により前記種結晶の表面の少なくとも一部分を溶解させ、その後、前記種結晶上に高欠陥層を形成する工程を含み、前記高欠陥層の欠陥密度が、前記種結晶およびGaN結晶層の欠陥密度よりも大きい請求項19に記載の製造方法。
- 前記種結晶が、層として保持基板上に形成され、この保持基板を前記混合融解液中に入れる請求項18から20のいずれかに記載の製造方法。
- 前記保持基板は、表面が(111)面であるGaAs基板、表面が(111)面であるSi基板、表面が(0001)面であるサファイア基板、または表面が(0001)面であるSiC基板である請求項21に記載の製造方法。
- 成長させるGaN結晶が、GaNの単結晶である請求項18から22のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項18から23のいずれかに記載の製造方法により得られるGaN結晶基板。
- 前記GaN結晶の種結晶側の可視光領域における吸収係数(K1)と、前記GaN結晶の露出表面側の可視光領域における吸収係数(K2)とが、K1>K2の関係である請求項24に記載のGaN結晶基板。
- 前記GaN結晶の種結晶側の欠陥量(N1)と、前記GaN結晶の露出表面側の欠陥量(N2)とが、N1>N2の関係である請求項24または25に記載のGaN結晶基板。
- 基板上に半導体素子が形成されている半導体装置であって、前記基板が、請求項17記載のGaN結晶または請求項24から26のいずれかに記載のGaN結晶基板である半導体装置。
- 前記半導体素子が、レーザーダイオード、発光ダイオードおよび電界効果トランジスタのいずれかである請求項27に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004248866A JP4768975B2 (ja) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | GaN結晶およびGaN結晶基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003306914 | 2003-08-29 | ||
JP2003306914 | 2003-08-29 | ||
JP2004087743 | 2004-03-24 | ||
JP2004087743 | 2004-03-24 | ||
JP2004248866A JP4768975B2 (ja) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | GaN結晶およびGaN結晶基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005306709A true JP2005306709A (ja) | 2005-11-04 |
JP4768975B2 JP4768975B2 (ja) | 2011-09-07 |
Family
ID=35435880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004248866A Expired - Fee Related JP4768975B2 (ja) | 2003-08-29 | 2004-08-27 | GaN結晶およびGaN結晶基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4768975B2 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007023699A1 (ja) | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Mitsubishi Chemical Corporation | 第13族金属窒化物結晶の製造方法、半導体デバイスの製造方法、およびこれらの製造方法に用いる溶液と融液 |
JP2008505834A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | ニトロネックス コーポレイション | 転位密度の低いiii族窒化物材料及び当該材料に関連する方法 |
JP2008201653A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 結晶成長速度制御方法、化合物結晶とその製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP2009012986A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶基板 |
WO2010007983A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の成長方法 |
JP2011207677A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 |
JP2011207763A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-10-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 結晶製造方法および結晶成長速度制御方法 |
JP2011231006A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-11-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 結晶製造方法および結晶成長速度制御方法 |
JP2011231013A (ja) * | 2011-08-26 | 2011-11-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶基板 |
WO2013022122A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物膜およびその積層体 |
US9045844B2 (en) | 2011-08-10 | 2015-06-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for peeling group 13 element nitride film |
JP2020132464A (ja) * | 2019-02-18 | 2020-08-31 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002201100A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-07-16 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス |
JP2003292400A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-10-15 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶成長方法およびiii族窒化物結晶成長装置およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
WO2004013385A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Osaka Industrial Promotion Organization | Iii族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれにより得られたiii族元素窒化物透明単結晶 |
-
2004
- 2004-08-27 JP JP2004248866A patent/JP4768975B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002201100A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-07-16 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶、その成長方法、成長装置および半導体デバイス |
JP2003292400A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-10-15 | Ricoh Co Ltd | Iii族窒化物結晶成長方法およびiii族窒化物結晶成長装置およびiii族窒化物結晶および半導体デバイス |
WO2004013385A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Osaka Industrial Promotion Organization | Iii族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれにより得られたiii族元素窒化物透明単結晶 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008505834A (ja) * | 2004-07-07 | 2008-02-28 | ニトロネックス コーポレイション | 転位密度の低いiii族窒化物材料及び当該材料に関連する方法 |
WO2007023699A1 (ja) | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Mitsubishi Chemical Corporation | 第13族金属窒化物結晶の製造方法、半導体デバイスの製造方法、およびこれらの製造方法に用いる溶液と融液 |
JP2008201653A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Mitsubishi Chemicals Corp | 結晶成長速度制御方法、化合物結晶とその製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP2009012986A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-01-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶基板 |
WO2010007983A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | 住友電気工業株式会社 | GaN結晶の成長方法 |
JP2010042976A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaN結晶の成長方法 |
JP2011207677A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物半導体結晶の製造方法 |
JP2011231006A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-11-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 結晶製造方法および結晶成長速度制御方法 |
JP2011207763A (ja) * | 2011-07-29 | 2011-10-20 | Mitsubishi Chemicals Corp | 結晶製造方法および結晶成長速度制御方法 |
WO2013022122A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物膜およびその積層体 |
JPWO2013022122A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2015-03-05 | 日本碍子株式会社 | 13族元素窒化物膜およびその積層体 |
US9041004B2 (en) | 2011-08-10 | 2015-05-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Films of nitrides of group 13 elements and layered body including the same |
US9045844B2 (en) | 2011-08-10 | 2015-06-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for peeling group 13 element nitride film |
KR101936967B1 (ko) * | 2011-08-10 | 2019-01-09 | 엔지케이 인슐레이터 엘티디 | 13족 원소 질화물막 및 그 적층체 |
JP2011231013A (ja) * | 2011-08-26 | 2011-11-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Iii族窒化物結晶の製造方法およびiii族窒化物結晶基板 |
JP2020132464A (ja) * | 2019-02-18 | 2020-08-31 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
JP7221493B2 (ja) | 2019-02-18 | 2023-02-14 | 国立大学法人大阪大学 | Iii族窒化物結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4768975B2 (ja) | 2011-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7288152B2 (en) | Method of manufacturing GaN crystals and GaN crystal substrate, GaN crystals and GaN crystal substrate obtained by the method, and semiconductor device including the same | |
US7309534B2 (en) | Group III nitride crystals usable as group III nitride substrate, method of manufacturing the same, and semiconductor device including the same | |
US7221037B2 (en) | Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device | |
US10026612B2 (en) | Method for producing group III nitride crystal, group III nitride crystal, semiconductor device and apparatus for producing group III nitride crystal | |
Denis et al. | Gallium nitride bulk crystal growth processes: A review | |
Paskova et al. | GaN substrates—Progress, status, and prospects | |
US7645340B2 (en) | Vapor phase growth method for A1-containing III-V group compound semiconductor, and method and device for producing A1-containing III-V group compound semiconductor | |
US5530267A (en) | Article comprising heteroepitaxial III-V nitride semiconductor material on a substrate | |
JP4757029B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法 | |
EP2548999B1 (en) | Method of manufacturing a gallium nitride crystal | |
JP4768975B2 (ja) | GaN結晶およびGaN結晶基板の製造方法 | |
KR20050084261A (ko) | 벌크 단결정 갈륨-함유 질화물의 제조공정 | |
JP2010509178A (ja) | 窒化ガリウム結晶及びウェハ並びに製造方法 | |
JP4397695B2 (ja) | Iii族窒化物基板の製造方法 | |
JP2010507561A (ja) | 窒化ガリウム結晶およびその製造方法 | |
JP4597534B2 (ja) | Iii族窒化物基板の製造方法 | |
JP4920875B2 (ja) | Iii族窒化物結晶の製造方法、およびiii族窒化物基板の製造方法 | |
JP2013060344A (ja) | 窒化ガリウム結晶、13族窒化物結晶の製造方法および13族窒化物結晶基板 | |
JP6106932B2 (ja) | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 | |
JP5953683B2 (ja) | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 | |
Sun et al. | The fabrication of AlN by hydride vapor phase epitaxy | |
US10538858B2 (en) | Method for manufacturing group 13 nitride crystal and group 13 nitride crystal | |
JP5842490B2 (ja) | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 | |
US7790230B2 (en) | Metal chloride seeded growth of electronic and optical materials | |
Zhang et al. | GaN Substrate Material for III–V Semiconductor Epitaxy Growth |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070730 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101102 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110322 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110526 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110617 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4768975 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140624 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |