JP2009256145A - 炭化珪素単結晶育成用種結晶及びその製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶育成用種結晶及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009256145A JP2009256145A JP2008108552A JP2008108552A JP2009256145A JP 2009256145 A JP2009256145 A JP 2009256145A JP 2008108552 A JP2008108552 A JP 2008108552A JP 2008108552 A JP2008108552 A JP 2008108552A JP 2009256145 A JP2009256145 A JP 2009256145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- silicon carbide
- carbide single
- seed crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 324
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 110
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 109
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 51
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 37
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 22
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 19
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 16
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 235000002767 Daucus carota Nutrition 0.000 description 1
- 244000000626 Daucus carota Species 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【解決手段】昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の育成に用いる種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶インゴットから機械加工により作製され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板に、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す。前記アニール処理の条件としては、好ましくは、温度1700℃以上2300℃以下、及び圧力133Pa以上133kPa以下で行うのがよく、より好ましくは、温度1900℃以上2100℃以下、及び圧力1kPa以上100kPa以下で行う。
【選択図】なし
Description
(1) 昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の育成に用いる種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶インゴットから機械加工により作製され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板に、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す工程を包含することを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶の製造方法。
(5) (1)〜(3)の何れかに記載の方法で製造された炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、該種結晶の単結晶成長面の表面粗さ(Ra)が1μm以上100μm以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。
(7) 前記種結晶の単結晶成長面の90%以上において、X線ロッキングカーブの半値幅が100秒以下であることを特徴とする(4)又は(5)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。
(8) 前記種結晶の単結晶成長面の90%以上において、X線ロッキングカーブの半値幅が50秒以下であることを特徴とする(4)又は(5)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。
口径約77mmの4Hポリタイプで構成された単結晶インゴットを準備し、その外形を平面研削機、円筒研削機を用いてc軸にほぼ平行な円筒形に加工した。加工後の寸法は、口径76.5mm、高さ17.5mmであった。次に、マルチワイヤーソーを用いてこのインゴットをスライスし、以下の実施例及び比較例の種結晶作製用の炭化珪素単結晶基板に加工した。これらの基板の切り出し厚さは0.8mmであり、17枚の基板が得られた。各基板について、その表面粗さ(Ra)を蝕針式の粗さ測定器を用いて測定した結果、そのいずれもおよそ1μm〜100μmの範囲にあった。
上記のダイヤ遊離砥粒研磨が施されていない残りの16枚の炭化珪素単結晶基板について、X線回折装置(PHILIPS社製MPD1880HRD)を用い、X線回折測定を行い、ロッキングカーブの半値幅を評価した。このX線回折測定において、X線照射スポットは約8×3.3mmであり、各基板全面に分散させた20サイトで0004反射を測定した。この基板全面に分散させた20サイトでの測定データにより、基板全面の特性をほぼ把握できると考えられる。
図1は、本発明の各実施例及び比較例において、単結晶成長試験で用いた改良型レーリー法による単結晶成長装置を示すものである。結晶成長は、昇華原料2を誘導加熱により昇華させ、各実施例及び比較例で作製された種結晶1上に再結晶させることにより行われた。種結晶1は、カーボン面を成長面として黒鉛蓋4の内面に取り付けられた。昇華原料2は黒鉛坩堝3の内部に充填された。この黒鉛坩堝3及び黒鉛蓋4は、熱シールドのために黒鉛製フェルト7で被膜され、二重石英管5内部の黒鉛支持棒6の上に設置された。
前述の研磨されていない炭化珪素単結晶基板の内、2枚についてアニール処理を行った(実験番号11及び12)。処理方法は以下に示す通りである。
2枚の基板を、タンタルカーバイドでコーティングされた黒鉛製の基板ホルダで保持し、ホルダごとタングステン製の坩堝に収納した。この坩堝をタングステンメッシュヒーターとタングステンとモリブデンから構成されたヒートシールドを有するアニール炉に納め、ロータリーポンプとターボ分子ポンプを用いて1.0×10-4Paまで真空排気した。その後、不活性ガスの窒素(N2)を炉内に導入し、この不活性ガス雰囲気下に圧力を100kPaに制御しながら温度を1550℃に上昇させ、18時間のアニール処理を行った。
また、2枚の炭化珪素単結晶基板から得られた各基板(種結晶)について、そのロッキングカーブを測定し、アニール処理後の18/20サイトのX線半値幅最大値を求めた。先に測定した機械加工後の18/20サイトのX線半値幅最大値と共に表1に示す。
前述の研磨されていない炭化珪素単結晶基板の内、実施例1とは異なる2枚について、アニール処理を行った(実験番号21及び22)。実施例2についても、実施例1と同じアニール炉を用い、同様に準備を行った。
また、各基板(種結晶)のロッキングカーブを測定し、アニール処理後の18/20サイトのX線半値幅最大値を求めた。先に測定した機械加工後の18/20サイトのX線半値幅最大値と共に表1に示す。
更に、実施例1と同様にして単結晶成長試験を行い、得られた各炭化珪素単結晶インゴット(成長結晶)のマイクロパイプ密度を求めた。結果を表1に示す。
前述の研磨されていない炭化珪素単結晶基板の内、実施例1及び2とは異なる3枚について、80番手の固定ダイヤ砥石を備えたロータリーグラインダーを用いてソーマークを除去した後、アニール処理を行った(実験番号31、32及び33)。実施例3についても、実施例1と同じアニール炉を用い、同様に準備を行った。
また、各基板(種結晶)のロッキングカーブを測定し、アニール処理後の18/20サイトのX線半値幅最大値を求めた。先に測定した機械加工後の18/20サイトのX線半値幅最大値と共に表1に示す。
更に、実施例1と同様にして単結晶成長試験を行い、得られた各炭化珪素単結晶インゴット(成長結晶)のマイクロパイプ密度を求めた。結果を表1に示す。
前述の炭化珪素単結晶基板の中で実施例1〜3とは異なる2枚に水素ガスを含む雰囲気でのアニール処理を行った(実験番号41及び42)。実施例1と同じアニール炉を用い、同様に準備を行った。
また、取り出した各基板(種結晶)のロッキングカーブを測定し、アニール処理後の18/20サイトのX線半値幅最大値を求めた。先に測定した機械加工後の18/20サイトのX線半値幅最大値と共に表1に示す。
更に、実施例1と同様にして単結晶成長試験を行い、得られた各炭化珪素単結晶インゴット(成長結晶)のマイクロパイプ密度を求めた。結果を表1に示す。
前述の炭化珪素単結晶基板の中で実施例1〜4とは異なる3枚に、80番手の固定ダイヤ砥石を備えたロータリーグラインダーを用いてソーマークを除去した後、水素ガスを含む雰囲気でのアニール処理を行った(実験番号41及び42)。実施例1と同じアニール炉を用い、同様に準備を行った。
また、取り出した各基板(種結晶)のロッキングカーブを測定し、アニール処理後の18/20サイトのX線半値幅最大値を求めた。先に測定した機械加工後の18/20サイトのX線半値幅最大値と共に表1に示す。
更に、実施例1と同様にして単結晶成長試験を行い、得られた各炭化珪素単結晶インゴット(成長結晶)のマイクロパイプ密度を求めた。結果を表1に示す。
前述の炭化珪素単結晶基板の中で、実施例1〜5とは異なる2枚(実験番号61及び62)に、ダイヤモンドスラリーを用いたダイヤ遊離砥粒研磨を行い、加工異変質層を除去した。用いたダイヤ遊離砥粒の平均粒径は段階的に小さくしていき、最終工程では0.25μmとした。このダイヤ遊離砥粒研磨完了後の表面粗さRaは1nm〜10nmと低い値を示した。
前述の炭化珪素単結晶基板の中で、実施例1〜5及び比較例1とは異なる2枚について、アニール処理を行わず、機械加工の表面のままで比較例2の種結晶とした(実験番号61及び62)。
さらに、上記実施例3の実験番号31の単結晶インゴットから、口径76.5mmの(0001)Si面で[11-20]方向に4°傾いた面方位を有する単結晶基板を加工し、研磨して鏡面基板とした。この基板を用いて、SiCのホモ・エピタキシャル成長を行った。エピタキシャル薄膜の成長条件は、成長温度が1550℃であり、原料ガス及びキャリアガスがそれぞれSiH4、C3H8、H2であって、その流量がそれぞれ、5.0×10-9m3/sec、3.3×10-9m3/sec、5.0×10-9m3/secであった。成長圧力は大気圧とした。2時間の成長により、5μmの薄膜が形成された。
2 昇華原料
3 黒鉛坩堝
4 黒鉛蓋
5 二重石英管
6 支持棒
7 黒鉛製フェルト
8 ワークコイル
9 高純度Arガス配管
10 高純度Arガス用マスフローコントローラ
11 真空排気装置
Claims (11)
- 昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の育成に用いる種結晶の製造方法であって、炭化珪素単結晶インゴットから機械加工により作製され、種結晶となる炭化珪素単結晶基板に、非酸化性雰囲気下でアニール処理を施す工程を包含することを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶の製造方法。
- 前記アニール処理が、温度1700℃〜2300℃及び圧力133Pa〜133kPaの条件下に不活性ガス雰囲気下で行われる請求項1に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶の製造方法。
- 前記アニール処理が、温度1500℃〜2000℃及び圧力10Pa〜13.3kPaの条件下に反応性ガス雰囲気下で行われる請求項1に記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶の製造方法。
- 請求項1〜3の何れかに記載の方法で製造された炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、該種結晶の単結晶成長面の表面粗さ(Ra)が0.1μm以上200μm以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 請求項1〜3の何れかに記載の方法で製造された炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、該種結晶の単結晶成長面の表面粗さ(Ra)が1μm以上100μm以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 前記種結晶の単結晶成長面の90%以上において、X線ロッキングカーブの半値幅が150秒以下であることを特徴とする請求項4又は5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 前記種結晶の単結晶成長面の90%以上において、X線ロッキングカーブの半値幅が100秒以下であることを特徴とする請求項4又は5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 前記種結晶の単結晶成長面の90%以上において、X線ロッキングカーブの半値幅が50秒以下であることを特徴とする請求項4又は5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 請求項4〜8の何れかに記載の炭化珪素単結晶育成用種結晶であって、該種結晶の少なくとも成長面には遊離砥粒として平均粒径1μm未満のダイヤモンド微粒子を用いたダイヤ遊離砥粒研磨が施されていないことを特徴とする炭化珪素単結晶育成用種結晶。
- 請求項4〜9の何れかに記載の単結晶育成用種結晶を用いて、昇華再結晶法により炭化珪素単結晶インゴットを育成する工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法。
- 請求項10の製造方法により育成された炭化珪素単結晶インゴットを加工してなる炭化珪素単結晶ウェハであり、該ウェハの口径が75mm以上300mm以下であって、マイクロパイプ欠陥密度が10個/cm2以下である炭化珪素単結晶ウェハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008108552A JP5135545B2 (ja) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | 炭化珪素単結晶インゴット育成用種結晶及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008108552A JP5135545B2 (ja) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | 炭化珪素単結晶インゴット育成用種結晶及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009256145A true JP2009256145A (ja) | 2009-11-05 |
JP5135545B2 JP5135545B2 (ja) | 2013-02-06 |
Family
ID=41384079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008108552A Active JP5135545B2 (ja) | 2008-04-18 | 2008-04-18 | 炭化珪素単結晶インゴット育成用種結晶及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5135545B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012246168A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Central Research Institute Of Electric Power Industry | 炭化珪素基板、炭化珪素ウェハ、炭化珪素ウェハの製造方法及び炭化珪素半導体素子 |
WO2015151413A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 東洋炭素株式会社 | SiC基板の表面処理方法、SiC基板、及び半導体の製造方法 |
JP2021070622A (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. | 炭化珪素ウエハ及び炭化珪素ウエハの製造方法 |
JP7260039B1 (ja) | 2022-06-02 | 2023-04-18 | 株式会社レゾナック | SiC単結晶基板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05330995A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-14 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置 |
JP2004131328A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ |
JP2005008472A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Nippon Steel Corp | 高品質4h型炭化珪素単結晶、および単結晶ウェハ |
WO2006041660A2 (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Cree, Inc. | 100 mm silicon carbide wafer with low micropipe density |
-
2008
- 2008-04-18 JP JP2008108552A patent/JP5135545B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05330995A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-14 | Sharp Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置 |
JP2004131328A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ |
JP2005008472A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Nippon Steel Corp | 高品質4h型炭化珪素単結晶、および単結晶ウェハ |
WO2006041660A2 (en) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Cree, Inc. | 100 mm silicon carbide wafer with low micropipe density |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012246168A (ja) * | 2011-05-26 | 2012-12-13 | Central Research Institute Of Electric Power Industry | 炭化珪素基板、炭化珪素ウェハ、炭化珪素ウェハの製造方法及び炭化珪素半導体素子 |
WO2015151413A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2015-10-08 | 東洋炭素株式会社 | SiC基板の表面処理方法、SiC基板、及び半導体の製造方法 |
CN106062929A (zh) * | 2014-03-31 | 2016-10-26 | 东洋炭素株式会社 | SiC基板的表面处理方法、SiC基板和半导体的制造方法 |
JPWO2015151413A1 (ja) * | 2014-03-31 | 2017-04-13 | 東洋炭素株式会社 | SiC基板の表面処理方法、SiC基板、及び半導体の製造方法 |
JP2021070622A (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. | 炭化珪素ウエハ及び炭化珪素ウエハの製造方法 |
JP7042995B2 (ja) | 2019-10-29 | 2022-03-29 | セニック・インコーポレイテッド | 炭化珪素ウエハ及び炭化珪素ウエハの製造方法 |
US11708644B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-07-25 | Senic Inc. | Method for preparing SiC ingot, method for preparing SiC wafer and the SiC wafer prepared therefrom |
JP7260039B1 (ja) | 2022-06-02 | 2023-04-18 | 株式会社レゾナック | SiC単結晶基板 |
JP2023177678A (ja) * | 2022-06-02 | 2023-12-14 | 株式会社レゾナック | SiC単結晶基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5135545B2 (ja) | 2013-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5304713B2 (ja) | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ | |
JP5304712B2 (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハ | |
TWI330206B (en) | Seventy five millimeter silicon carbide wafer with low warp, bow, and ttv | |
JP5706823B2 (ja) | SiC単結晶ウエハーとその製造方法 | |
JP5014737B2 (ja) | SiC単結晶基板の製造方法 | |
CN106435733B (zh) | 碳化硅单晶和碳化硅单晶晶片 | |
WO2017057742A1 (ja) | SiC単結晶インゴット | |
JP5068423B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法 | |
WO2013031856A1 (ja) | 炭化珪素単結晶基板及びその製造方法 | |
JP5569112B2 (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法及びこの方法で得られた炭化珪素単結晶ウェハ | |
JP4473769B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の焼鈍方法 | |
JP2017065986A (ja) | 低抵抗率炭化珪素単結晶基板の製造方法 | |
JP5135545B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット育成用種結晶及びその製造方法 | |
JP4460236B2 (ja) | 炭化珪素単結晶ウェハ | |
JP2005239496A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用炭化珪素原料と炭化珪素単結晶及びその製造方法 | |
JP4494856B2 (ja) | 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法 | |
JP5131262B2 (ja) | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 | |
KR101885975B1 (ko) | 에피택셜 탄화규소 웨이퍼의 제조 방법 | |
WO2009128224A1 (ja) | 結晶炭化珪素基板の製造方法 | |
EP4163423A1 (en) | Silicon carbide ingot manufacturing method and silicon carbide ingot manufacturing device | |
JP2003137694A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
JP6695182B2 (ja) | 炭化珪素単結晶成長用種結晶の製造方法及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP2007284306A (ja) | 炭化珪素単結晶及びその製造方法 | |
EP4105367A1 (en) | Silicon carbide wafer and semiconductor device | |
KR102262864B1 (ko) | 웨이퍼의 제조방법, 에피택셜 웨이퍼의 제조방법, 이에 따라 제조된 웨이퍼 및 에피택셜 웨이퍼 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111020 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121015 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5135545 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151122 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |