WO2015151413A1 - SiC基板の表面処理方法、SiC基板、及び半導体の製造方法 - Google Patents

SiC基板の表面処理方法、SiC基板、及び半導体の製造方法 Download PDF

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聡 鳥見
紀人 矢吹
暁 野上
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東洋炭素株式会社
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    • H01L29/12Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
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Definitions

  • the present invention mainly relates to a surface treatment method for removing latent scratches on a SiC substrate.
  • SiC is attracting attention as a new semiconductor material because it is superior in heat resistance, mechanical strength and the like as compared with Si and the like.
  • Patent Document 1 discloses a surface treatment method for flattening the surface of the SiC substrate.
  • a SiC substrate is stored in a storage container, and the storage container is heated in a state where the storage container is under Si vapor pressure. Thereby, the SiC substrate inside the storage container is etched, and a SiC substrate flat at the molecular level can be obtained.
  • the SiC substrate is obtained by cutting at a predetermined angle from an ingot composed of single crystal SiC. Since the surface roughness is large in the cut out state, it is necessary to flatten the surface by performing mechanical polishing (MP), chemical mechanical polishing (CMP), or the like. However, polishing scratches are generated on the surface of the SiC substrate by performing mechanical polishing. Further, when a pressure is applied to the surface of the SiC substrate during mechanical polishing, an altered layer (hereinafter, latent scratch) having a disordered crystallinity is generated.
  • latent scratch an altered layer having a disordered crystallinity
  • Patent Document 2 discloses a processing method for removing a surface alteration layer generated on a SiC substrate.
  • the surface-affected layer is described as a damaged layer having a crystal structure generated in the process of forming the SiC substrate.
  • Patent Document 2 describes that the surface-modified layer is suppressed to 50 nm or less and the surface-modified layer is removed by hydrogen etching.
  • the latent scratch diffuses and penetrates through the epitaxial film, and the surface of the SiC substrate is roughened. As a result, the quality of the semiconductor manufactured from the SiC substrate is degraded.
  • the etching rate of general hydrogen etching is several tens of nm to several hundreds of nm / h, it takes a lot of time to remove latent scratches of about several ⁇ m.
  • the polishing rate of chemical mechanical polishing is also 1 ⁇ m / h or less, it takes a lot of time to remove latent scratches.
  • the patent document 1 does not mention the latent scratch
  • the SiC substrate is heated and etched by the method of the patent document 1
  • the latent scratch can be quickly removed.
  • the heat treatment is performed in a high vacuum Si atmosphere, the etching rate is fast, so that the substrate may be excessively removed.
  • a surface-modified layer can be made small by using the method of patent document 2, it is necessary to grow a SiC substrate from a seed crystal using a predetermined raw material, and the freedom degree of a processing process falls. At the same time, labor in the machining process increases.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object thereof is to provide a surface treatment method for quickly removing latent scratches generated on a SiC substrate within a necessary and sufficient range.
  • a surface treatment method for treating a surface of a machined SiC substrate when the SiC substrate is etched by heating the SiC substrate in a Si atmosphere, A surface treatment method for controlling the etching rate of the SiC substrate by adjusting the inert gas pressure around the SiC substrate is provided.
  • the latent scratches or the like can be removed. Accordingly, since the surface is not roughened even if epitaxial growth, heat treatment, or the like is performed, a high-quality SiC substrate can be manufactured. Further, by performing the etching by the above method, the processing time can be significantly shortened as compared with mechanical polishing, chemical mechanical polishing, hydrogen etching, and the like. Furthermore, since the etching rate can be adjusted by adjusting the inert gas pressure, it is possible to prevent the SiC substrate from being removed more than necessary.
  • latent scratches are generated in the machined SiC substrate, and the latent scratches are removed by etching in an Si atmosphere.
  • polishing scratches generated on the SiC substrate can be removed, so that a high-quality SiC substrate can be manufactured.
  • the inert gas pressure when performing etching in an Si atmosphere is 0.01 Pa or more and 1 Pa or less.
  • the temperature when etching is performed in a Si atmosphere is 1800 ° C. or more and 2000 ° C. or less.
  • the SiC substrate surface treatment method it is preferable to remove the surface of the SiC substrate by 5 ⁇ m or more by performing etching in a Si atmosphere.
  • the etching rate can be adjusted using the inert gas pressure, so that a necessary and sufficient range can be removed.
  • the etching rate when etching the SiC substrate is controlled to 200 ⁇ m / min or more, and the etching amount of the SiC substrate is set to 10 ⁇ m or more.
  • step bunching that may occur after etching in an Si atmosphere can be suppressed.
  • a SiC substrate whose surface is treated using the surface treatment method described above.
  • this semiconductor manufacturing method includes a latent flaw removing step, an epitaxial growth step, and a heat treatment step.
  • the latent scratch removing step the surface of the SiC substrate is etched by the surface treatment method described above.
  • the epitaxial growth step single crystal SiC is epitaxially grown on the surface of the SiC substrate 40 from which latent scratches have been removed in the latent scratch removal step.
  • the heat treatment step the SiC substrate on which the epitaxial growth step has been performed is heat-treated in a Si atmosphere.
  • the surface is not roughened even after epitaxial growth, heat treatment, etc., and a high-quality semiconductor can be manufactured.
  • the SiC substrate in the heating step, is heated in an Si atmosphere while adjusting an inert gas pressure around the SiC substrate to control an etching rate of the SiC substrate. Etching is preferably performed.
  • substrate in each process roughly.
  • substrate after an etching The graph which shows the relationship between the etching amount and peak shift in a Raman spectroscopic analysis.
  • the microscope picture of the surface of a SiC substrate when other conditions were changed by making etching amount substantially constant.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining the outline of a high-temperature vacuum furnace used in the surface treatment method of the present invention.
  • the high-temperature vacuum furnace 10 includes a main heating chamber 21 and a preheating chamber 22.
  • the main heating chamber 21 can heat a SiC substrate having at least a surface made of single crystal SiC to a temperature of 1000 ° C. or higher and 2300 ° C. or lower.
  • the preheating chamber 22 is a space for performing preheating before heating the SiC substrate in the main heating chamber 21.
  • a vacuum forming valve 23, an inert gas injection valve 24, and a vacuum gauge 25 are connected to the main heating chamber 21.
  • the degree of vacuum in the main heating chamber 21 can be adjusted by the vacuum forming valve 23.
  • the pressure of the inert gas (for example, Ar gas) in the main heating chamber 21 can be adjusted by the inert gas injection valve 24.
  • the vacuum gauge 25 the degree of vacuum in the main heating chamber 21 can be measured.
  • a heater 26 is provided inside the heating chamber 21. Further, a heat reflecting metal plate (not shown) is fixed to the side wall and ceiling of the main heating chamber 21, and the heat reflecting metal plate reflects the heat of the heater 26 toward the central portion of the main heating chamber 21. It is configured. Thereby, a SiC substrate can be heated strongly and uniformly, and it can be heated up to the temperature of 1000 degreeC or more and 2300 degrees C or less.
  • a resistance heating type heater or a high frequency induction heating type heater can be used as the heater 26, for example.
  • the SiC substrate is heated while being accommodated in a crucible (accommodating container) 30.
  • the crucible 30 is placed on an appropriate support base or the like, and is configured to be movable at least from the preheating chamber to the main heating chamber by moving the support base.
  • the crucible 30 includes an upper container 31 and a lower container 32 that can be fitted to each other.
  • the crucible 30 is made of tantalum metal and is configured to expose the tantalum carbide layer to the internal space.
  • the crucible 30 When heat-treating the SiC substrate, first, as shown by a chain line in FIG. 1, the crucible 30 is placed in the preheating chamber 22 of the high-temperature vacuum furnace 10 and preheated at an appropriate temperature (for example, about 800 ° C.). To do. Next, the crucible 30 is moved to the main heating chamber 21 that has been heated to a preset temperature (for example, about 1800 ° C.) in advance, and the SiC substrate is heated. Note that preheating may be omitted.
  • an appropriate temperature for example, about 800 ° C.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the state of the substrate in each step.
  • a bulk substrate from which a semiconductor element is manufactured can be obtained by cutting an ingot made of 4H—SiC single crystal or 6H—SiC single crystal into a predetermined thickness.
  • a bulk substrate having an off angle can be obtained by cutting an ingot obliquely.
  • mechanical polishing is performed to remove irregularities on the surface of the bulk substrate.
  • this mechanical polishing produces a deteriorated layer (latent scratch) whose crystallinity is changed by applying pressure to the inside of the bulk substrate.
  • the surface of the SiC substrate 40 is etched using the high-temperature vacuum furnace 10.
  • This etching is performed by accommodating the SiC substrate 40 in the crucible 30 and heating it in an environment of 1500 ° C. or higher and 2200 ° C. or lower, preferably 1800 ° C. or higher and 2000 ° C. or lower, under Si vapor pressure (in an Si atmosphere).
  • SiC of the SiC substrate 40 becomes Si 2 C or SiC 2 and sublimates, and Si in the Si atmosphere is bonded to C on the surface of the SiC substrate 40, thereby self-organization. It happens and is flattened.
  • the etching rate can be controlled by adjusting the inert gas pressure, so that it is possible to prevent the SiC substrate from being excessively removed while sufficiently removing latent scratches (details will be described later).
  • an epitaxial layer 41 is formed on the SiC substrate 40.
  • the method for forming the epitaxial layer is arbitrary, and a known vapor phase epitaxial method, liquid phase epitaxial method, or the like can be used. Furthermore, when the SiC substrate 40 is an OFF substrate, a CVD method for forming an epitaxial layer by step flow control can also be used.
  • ion implantation is performed on the SiC substrate 40 on which the epitaxial layer 41 is formed.
  • This ion implantation is performed using an ion doping apparatus having a function of irradiating an object with ions. Ions are selectively implanted into the entire surface or part of the surface of the epitaxial layer 41 by an ion doping apparatus. Then, a desired region of the semiconductor element is formed based on the ion implanted portion 42 into which ions are implanted.
  • the surface of the epitaxial layer 41 including the ion-implanted portion 42 becomes rough due to the ion implantation (the surface of the SiC substrate 40 is damaged and the flatness is reduced). Getting worse).
  • both processes can be performed in one step. Specifically, heat treatment (annealing) is performed in an environment of 1500 ° C. or higher and 2200 ° C. or lower, preferably 1600 ° C. or higher and 2000 ° C. or lower, under Si vapor pressure (Si atmosphere). Thereby, the implanted ions can be activated. Further, by etching the surface of the SiC substrate 40, a rough portion of the ion implantation portion 42 is flattened (see FIGS. 2E to 2F).
  • heat treatment annealing
  • Si atmosphere Si vapor pressure
  • the surface of the SiC substrate 40 has sufficient flatness and electrical activity.
  • a semiconductor element can be manufactured using the surface of SiC substrate 40.
  • the implanted ions are transmitted, so that the ion concentration is not sufficient. Further, in a region inside SiC substrate 40 to some extent, implanted ions are difficult to reach, so that the ion concentration is not sufficient.
  • the etching rate can be controlled by adjusting the inert gas pressure, so that it is possible to prevent the SiC substrate 40 from being excessively removed while reliably removing the ion implantation insufficient portion (details will be described later). ).
  • FIG. 3 is a graph showing the relationship between the heating temperature and the etching rate.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the inert gas pressure and the etching rate for each heating temperature.
  • FIG. 3 is a graph showing the etching rate when the heating temperature is 1600 ° C., 1700 ° C., 1750 ° C., and 1800 ° C. in a predetermined environment.
  • the horizontal axis of this graph is the reciprocal of temperature, and the vertical axis of this graph represents the etching rate logarithmically.
  • this graph is a straight line. Therefore, for example, the etching rate when the temperature is changed can be estimated.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the inert gas pressure and the etching rate. Specifically, the graph which calculated
  • the object to be processed is a 4H—SiC substrate having an off angle of 4 °. Basically, the etching rate tends to decrease as the inert gas pressure increases.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the inert gas pressure and the etching rate, as in FIG. The graph of FIG. 5 also shows the etching rate when the inert gas pressure is 0.0001 Pa.
  • the etching rate can be adjusted by changing the inert gas pressure. For example, when the etching rate is low, the etching amount can be accurately grasped, which is very effective when a very small amount of etching is required.
  • the SiC substrate 40 is not excessively removed in the etching process (FIG. 2A) for removing latent scratches, the yield can be improved. Moreover, it is possible to prevent the ion-implanted portion from being excessively removed in the etching step (FIG. 2E) after the epitaxial layer is formed.
  • Patent Document 2 since hydrogen etching is performed, the etching rate is very low (several tens to hundreds of nm / h), and it takes a very long time to remove latent scratches. .
  • the method of this embodiment has an etching rate of about several ⁇ m to several tens of ⁇ m / h even when the pressure is very high. Therefore, the latent scar and the insufficient ion implantation portion can be removed in a realistic time.
  • the pressure when removing latent scratches, as shown in an experimental example to be described later, it is preferable to set the pressure to about 0.01 Pa to 1 Pa. In this case, since the etching rate is 100 ⁇ m / h or more, the latent scratches can be removed more quickly. .
  • FIG. 6 is a micrograph of a differential interference microscope of the SiC substrate after etching is performed while changing the temperature and pressure.
  • FIG. 7 is a diagram showing a three-dimensional shape of the SiC substrate 40 after etching is performed while changing the temperature and pressure.
  • FIG. 8 is a graph showing an Arrhenius plot of the etching rate.
  • Each photograph shown in FIG. 6 is a photograph of the surface of the SiC substrate during the above etching process taken with a differential interference microscope. Each photograph shows an area of about 70 ⁇ m square. Moreover, the upper right character of each photograph shows the surface roughness. 7 shows a three-dimensional shape of SiC substrate 40 shown in FIG.
  • FIG. 8 conceptually shows the boundary of whether or not the above-described latent scratch is removed by using an Arrhenius plot of the etching rate.
  • the horizontal axis in FIG. 8 is the reciprocal of temperature, and the vertical axis is the etching rate.
  • FIG. 8 shows a high-speed etching region and a low-speed etching region, and the boundary between these regions is a straight line.
  • the scratch is removed in the high-speed etching region, and the scratch is not removed in the low-speed etching region. From FIG. 8, it can be considered that the presence or absence of removal of the scratch is not determined simply by the etching rate, but the processing temperature also affects.
  • FIG. 9 is a graph showing the results of measuring the surface roughness after etching a predetermined amount of each of the SiC substrates having surface roughness of 0.1 nm, 0.3 nm, 0.4 nm and 1.4 nm after machining. is there.
  • the etching amount is about 1 to 4 ⁇ m
  • the surface roughness Ra is significantly increased from immediately after the machining to 2.5 nm or more, and the latent scratch of the SiC substrate becomes obvious. From this, it can be seen that latent scratches exist in the machined SiC substrate.
  • the surface roughness becomes 1 nm or less when the etching is performed by 5 ⁇ m or more, and a smooth surface can be obtained. It has been shown that latent scratches are further removed by etching of 7 ⁇ m or more, and a smoother surface is obtained at 10 ⁇ m or more. In addition, it has been shown that the presence of latent scratches can be grasped by performing etching of 0.5 to 4 ⁇ m, preferably 1 to 3 ⁇ m by this method.
  • FIG. 10 shows measurement results of peak shift in Raman spectroscopic analysis when a predetermined amount of etching is performed as in FIG. Specifically, the Raman spectroscopic analysis is performed by measuring a peak of 776 cm ⁇ 1 in the 4H—SiC FTO mode using an Ar laser having a wavelength of 532 nm as a light source with a SiC substrate in a backscattering arrangement, and the peak obtained is the original 776 cm ⁇ 1. The peak shift is measured depending on how far the position is.
  • the peak shift is located at a value far from 0, and it can be seen that there is a relatively large residual stress.
  • this method it is possible to detect latent scratches on the SiC substrate without performing etching.
  • the peak shift is remarkably reduced by etching of 5 ⁇ m or more, and latent scratches are removed. Further, it has been shown that the peak shift is further reduced by the etching of 10 ⁇ m or more, and latent scratches are removed.
  • FIG. 11 shows the result of observing the surface of a 4H—SiC substrate having an off angle of 4 ° after etching to an extent that latent scratches are considered to be sufficiently removed (about 30 ⁇ m).
  • This experiment was performed on SiC substrates having surface roughness (Ra) of 1.4 nm, 0.4 nm, 0.3 nm, and 0.1 nm after machining.
  • the experiment was conducted by changing the etching rate by changing the inert gas pressure or the heating temperature.
  • the photograph in the second line from the top in FIG. 11 shows the result of processing performed under conditions (1750 ° C., 0.01 Pa) where the etching rate is slightly low. As shown in FIG. 11, step bunching can be confirmed in the photograph in the second row from the top.
  • FIG. 12 shows the results of observing the surface of a 4H—SiC substrate with an off angle of 4 ° after etching to a depth (about 10 to 20 ⁇ m) where latent scratches may remain. .
  • This experiment was performed on SiC substrates having surface roughness (Ra) of 1.4 nm, 0.4 nm, 0.3 nm, and 0.1 nm after machining.
  • the experiment was conducted by changing the etching rate by changing the inert gas pressure or the heating temperature.
  • FIG. 13 shows the result of observing the surface of a 4H—SiC substrate having an off angle of 4 ° after etching at an etching rate at which step bunching can be sufficiently decomposed (suppressed).
  • This experiment was performed on SiC substrates having different etching amounts and surface roughness (Ra) after machining of 1.4 nm, 0.4 nm, 0.3 nm, and 0.1 nm.
  • the experiment was conducted by changing the etching rate by changing the inert gas pressure or the heating temperature.
  • step bunching is formed when the etching amount is about 5 ⁇ m. Step bunching was suppressed when the etching amount was 15 ⁇ m and 34 ⁇ m. Therefore, if the etching amount is about 5 ⁇ m, the removal of latent scratches is insufficient, and it is considered that step bunching due to the residual latent scratches occurred.
  • FIG. 14 shows the result of heating a 4H—SiC substrate having an off angle of 4 ° under conditions of a heating temperature of 1800 ° C. to 2000 ° C. and an inert gas pressure (argon pressure) of 10 ⁇ 5 Pa to 13.3 kPa. It is the graph which plotted whether step bunching was suppressed or occurred.
  • FIG. 14 shows that step bunching can be suppressed when the etching amount> 10 ⁇ m and the etching rate> 200 ⁇ m / min.
  • step bunching in which the edge of the terrace is zigzag occurs.
  • step bunching in which the end of the terrace is linear is generated.
  • the process of adjusting the inert gas pressure to control the etching rate and the process of performing etching by heating the SiC substrate 40 that has been machined are performed. .
  • the latent scratches or the like can be removed. Accordingly, since the surface is not roughened even if epitaxial growth, heat treatment, or the like is performed, a high-quality SiC substrate can be manufactured. Further, by performing the etching by the above method, the processing time can be significantly shortened as compared with mechanical polishing, chemical mechanical polishing, hydrogen etching, and the like. Furthermore, since the etching rate can be adjusted by adjusting the inert gas pressure, it is possible to prevent the SiC substrate 40 from being removed more than necessary.
  • a semiconductor manufacturing method including a latent flaw removing step, an epitaxial growth step, and a heat treatment step is provided.
  • the latent scratch removing step the surface of SiC substrate 40 is etched by the surface treatment method described above.
  • the epitaxial growth step single crystal SiC is epitaxially grown on the surface of the SiC substrate 40.
  • the heat treatment step the SiC substrate 40 subjected to the epitaxial growth step is heat treated.
  • the surface is not roughened even after epitaxial growth, heat treatment, etc., and a high-quality semiconductor can be manufactured.
  • the heating process it is preferable to perform etching by heating the SiC substrate 40 while adjusting the inert gas pressure around the SiC substrate 40 to control the etching rate.
  • the process of forming the carbon layer is not performed, but this process may be performed.
  • the process of removing the carbon layer, the process of activating ions, and the process of etching the single crystal SiC substrate can be performed in one step.
  • the method for adjusting the inert gas is arbitrary, and an appropriate method can be used. Further, the inert gas pressure may be fixed or changed during the etching process. By changing the inert gas pressure, for example, a method can be considered in which fine adjustment is performed by initially increasing the etching rate and then decreasing the etching rate.
  • the processing environment and the single crystal SiC substrate used are examples, and can be applied to various environments and single crystal SiC substrates.
  • the heating temperature is not limited to the temperature mentioned above, and the etching rate can be further reduced by lowering the heating temperature.
  • the SiC substrate 40 in which latent scratches have occurred is subjected to an etching process for removing the latent scratches.
  • etching may be performed without confirming the presence or absence of latent scratches. Thereby, the effort which confirms the presence or absence of a latent flaw can be skipped.

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Abstract

 機械加工が行われたSiC基板(40)をSiC雰囲気下で加熱処理して当該SiC基板(40)をエッチングする際に、SiC基板(40)の周囲の不活性ガス圧を調整することでエッチング速度を制御する。これにより、SiC基板(40)に潜傷等が存在する場合は、この潜傷等を除去することができる。従って、エピタキシャル成長及び熱処理等を行ってもSiC基板(40)の表面が荒れないため、高品質なSiC基板を製造することができる。

Description

SiC基板の表面処理方法、SiC基板、及び半導体の製造方法
 本発明は、主要には、SiC基板の潜傷を除去する表面処理方法に関する。
 SiCは、Si等と比較して耐熱性及び機械的強度等に優れるため、新たな半導体材料として注目されている。
 特許文献1は、このSiC基板の表面を平坦化する表面処理方法を開示する。この表面処理方法では、SiC基板を収納容器に収納し、収納容器内をSi蒸気圧下とした状態で当該収納容器を加熱する。これにより、収納容器の内部のSiC基板がエッチングされ、分子レベルに平坦なSiC基板を得ることができる。
 ここで、SiC基板は、単結晶SiCで構成されるインゴットから所定の角度で切り出すことで得られる。切り出した状態では表面粗さが大きいので、機械研磨(MP)及び化学機械研磨(CMP)等を行って表面を平坦にする必要がある。しかし、機械研磨を行うことにより、SiC基板の表面に研磨傷が発生する。また、機械研磨時にSiC基板の表面に圧力が掛かることにより、結晶性が乱れた変質層(以下、潜傷)が生じる。
 特許文献2では、SiC基板に生じた表面変質層を除去する処理方法が開示されている。特許文献2では、表面変質層はSiC基板を作成する工程で生じた結晶構造のダメージ層と記載されている。また、特許文献2では、表面変質層を50nm以下に抑え、当該表面変質層を水素エッチングにより除去する旨が記載されている。
特開2008-16691号公報 国際公開第2011/024931号公報
 ここで、潜傷が残存するSiC基板にエッチング処理及び加熱処理等を行った場合、潜傷がエピタキシャル膜内を拡散及び貫通し、SiC基板の表面が荒れてしまう。この結果、SiC基板から製造される半導体の品質が低下してしまう。しかし、一般的な水素エッチングのエッチング速度は、数十nm~数百nm/hであるので、数μm程度の潜傷を取り除くためには多大な時間が掛かってしまう。なお、化学機械研磨の研磨速度も1μm/h以下であるので、潜傷を取り除くためには多大な時間が掛かってしまう。
 ここで、特許文献1では潜傷について言及されていないが、仮に特許文献1の方法でSiC基板を加熱してエッチングした場合、潜傷を素早く除去することができる。しかし、高真空のSi雰囲気中で加熱処理を行うと、エッチング速度が速いので基板を過剰に除去してしまう可能性がある。
 また、特許文献2の方法を用いることにより表面変質層の厚みを小さくすることができるが、所定の原料を用いて種結晶からSiC基板を成長させる必要があり、加工工程の自由度が低下するとともに加工工程における手間が増大する。
 本発明は以上の事情に鑑みてされたものであり、その主要な目的は、SiC基板に生じた潜傷を必要十分な範囲で素早く除去する表面処理方法を提供することにある。
課題を解決するための手段及び効果
 本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段とその効果を説明する。
 本発明の第1の観点によれば、機械加工が行われたSiC基板の表面を処理する表面処理方法において、前記SiC基板をSi雰囲気下で加熱処理して当該SiC基板をエッチングする際に、前記SiC基板の周囲の不活性ガス圧を調整することで当該SiC基板のエッチング速度を制御する表面処理方法が提供される。
 これにより、SiC基板に潜傷等が存在する場合は、この潜傷等を除去することができる。従って、エピタキシャル成長及び熱処理等を行っても表面が荒れないため、高品質なSiC基板を製造することができる。また、上記の方法でエッチングを行うことで機械研磨、化学機械研磨、及び水素エッチング等を行うよりも処理時間を大幅に短くすることができる。更に、不活性ガス圧を調整することでエッチング速度を調整できるので、SiC基板が必要以上に除去されることも防止できる。
 前記のSiC基板の表面処理方法においては、機械加工が行われた前記SiC基板に潜傷が生じており、Si雰囲気下でのエッチングを行うことで当該潜傷が除去されることが好ましい。
 これにより、SiC基板に生じた研磨傷を除去することができるので、高品質なSiC基板を製造することができる。
 前記のSiC基板の表面処理方法においては、Si雰囲気下でのエッチングを行う場合の前記不活性ガス圧が0.01Pa以上1Pa以下であることが好ましい。
 前記のSiC基板の表面処理方法においては、Si雰囲気下でのエッチングを行う場合の温度が1800℃以上2000℃以下であることが好ましい。
 これにより、SiC基板の表面の潜傷を適切に除去することができる。
 前記のSiC基板の表面処理方法においては、Si雰囲気下でのエッチングを行うことで、前記SiC基板の表面を5μm以上除去することが好ましい。
 これにより、潜傷をある程度除去することができる。特に、本実施形態では不活性ガス圧を用いてエッチング速度を調整できるので、必要十分な範囲を除去できる。
 前記のSiC基板の表面処理方法においては、前記SiC基板をエッチングする際のエッチング速度を200μm/min以上に制御するとともに、当該SiC基板のエッチング量を10μm以上とすることが好ましい。
 これにより、Si雰囲気下でのエッチング後に発生し得るステップバンチングを抑制することができる。
 本発明の第2の観点によれば、前記の表面処理方法を用いて表面が処理されたSiC基板が提供される。
 これにより、エピタキシャル成長及び熱処理等を行っても表面が荒れないSiC基板が実現できる。
 本発明の第3の観点によれば、以下に示す半導体の製造方法が提供される。即ち、この半導体の製造方法は、潜傷除去工程と、エピタキシャル成長工程と、熱処理工程と、を含む。潜傷除去工程では、前記の表面処理方法によりSiC基板の表面をエッチングする。前記エピタキシャル成長工程では、前記潜傷除去工程で潜傷が除去されたSiC基板40の表面に単結晶SiCをエピタキシャル成長させる。前記熱処理工程では、前記エピタキシャル成長工程が行われた前記SiC基板をSi雰囲気下で熱処理する。
 これにより、エピタキシャル成長及び熱処理等を行っても表面が荒れないため、高品質な半導体を製造することができる。
 前記の半導体の製造方法においては、前記加熱工程では、前記SiC基板の周囲の不活性ガス圧を調整して当該SiC基板のエッチング速度を制御しつつ、当該SiC基板をSi雰囲気下で加熱処理してエッチングを行うことが好ましい。
 これにより、潜傷除去工程と加熱工程とで同じ内容の処理を行うため、工程を単純化したり同じ装置で加工を行ったりすることが容易になる。
本発明の表面処理方法に用いる高温真空炉の概要を説明する図。 各工程における基板の様子を概略的に示す図。 加熱温度と、エッチング速度と、の関係性を示すグラフ。 不活性ガス圧と、エッチング速度と、の関係性を加熱温度毎に示すグラフ。 不活性ガス圧と、エッチング速度と、の関係性を加熱温度毎に示す別のグラフ。 温度及び圧力を変化させてエッチングを行った後のSiC基板の微分干渉顕微鏡の顕微鏡写真。 温度及び圧力を変化させてエッチングを行った後のSiC基板の3次元形状を示す図。 エッチング速度のアレニウスプロットを示すグラフ。 エッチング量と、エッチング後の基板の表面粗さと、の関係を示すグラフ。 ラマン分光分析におけるエッチング量とピークシフトの関係を示すグラフ。 エッチング量を略一定として他の条件を変えたときのSiC基板の表面の顕微鏡写真。 エッチング量を比較的少なくして他の条件を変えたときのSiC基板の表面の顕微鏡写真。 エッチング速度を略一定として他の条件を変えたときのSiC基板の表面の顕微鏡写真。 エッチング速度とエッチング量を変えたときにステップバンチングが抑制されるか発生するかを計測した結果を示すグラフ。
 次に、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
 初めに、図1を参照して、本実施形態の加熱処理で用いる高温真空炉10について説明する。図1は、本発明の表面処理方法に用いる高温真空炉の概要を説明する図である。
 図1に示すように、高温真空炉10は、本加熱室21と、予備加熱室22と、を備えている。本加熱室21は、少なくとも表面が単結晶SiCで構成されるSiC基板を1000℃以上2300℃以下の温度に加熱することができる。予備加熱室22は、SiC基板を本加熱室21で加熱する前に予備加熱を行うための空間である。
 本加熱室21には、真空形成用バルブ23と、不活性ガス注入用バルブ24と、真空計25と、が接続されている。真空形成用バルブ23により、本加熱室21の真空度を調整することができる。不活性ガス注入用バルブ24により、本加熱室21内の不活性ガス(例えばArガス)の圧力を調整することができる。真空計25により、本加熱室21内の真空度を測定することができる。
 本加熱室21の内部には、ヒータ26が備えられている。また、本加熱室21の側壁や天井には図略の熱反射金属板が固定されており、この熱反射金属板によって、ヒータ26の熱を本加熱室21の中央部に向けて反射させるように構成されている。これにより、SiC基板を強力且つ均等に加熱し、1000℃以上2300℃以下の温度まで昇温させることができる。なお、ヒータ26としては、例えば、抵抗加熱式のヒータや高周波誘導加熱式のヒータを用いることができる。
 また、SiC基板は、坩堝(収容容器)30に収容された状態で加熱される。坩堝30は、適宜の支持台等に載せられており、この支持台が動くことで、少なくとも予備加熱室から本加熱室まで移動可能に構成されている。
 坩堝30は、互いに嵌合可能な上容器31と下容器32とを備えている。また、坩堝30は、タンタル金属からなるとともに、炭化タンタル層を内部空間に露出させるようにして構成されている。
 SiC基板を加熱処理する際には、初めに、図1の鎖線で示すように坩堝30を高温真空炉10の予備加熱室22に配置して、適宜の温度(例えば約800℃)で予備加熱する。次に、予め設定温度(例えば、約1800℃)まで昇温させておいた本加熱室21へ坩堝30を移動させ、SiC基板を加熱する。なお、予備加熱を省略しても良い。
 次に、上記の高温真空炉10を利用してSiC基板40から半導体素子を製造する処理について図2を参照して説明する。図2は、各工程における基板の様子を概略的に示す図である。
 半導体素子を製造する元となるバルク基板は、4H-SiC単結晶又は6H-SiC単結晶から構成されるインゴットを所定の厚みに切り出すことで得られる。特に、インゴットを斜めに切り出すことにより、オフ角を有するバルク基板を得ることができる。その後、バルク基板の表面の凹凸を除去するために、機械研磨を行う。しかし、この機械研磨によりバルク基板の内部に圧力が掛かることで結晶性が変化した変質層(潜傷)が生じる。
 次に、図2(a)に示すように、高温真空炉10を利用してSiC基板40の表面をエッチングする。このエッチングは、SiC基板40を坩堝30に収容し、Si蒸気圧下(Si雰囲気下)で1500℃以上2200℃以下、望ましくは1800℃以上2000℃以下の環境で加熱することで行われる。Si蒸気圧下で加熱されることで、SiC基板40のSiCがSi2C又はSiC2になって昇華するとともに、Si雰囲気中のSiがSiC基板40の表面でCと結合し、自己組織化が起こり、平坦化されるのである。
 これにより、SiC基板40の表面をエッチングしつつ、当該表面を分子レベルで平坦化することができる。また、SiC基板40に研磨傷及び潜傷が存在する場合、このエッチングを行うことにより、当該研磨傷及び潜傷が除去される。また、本実施形態では、不活性ガス圧を調整することでエッチング速度を制御できるので潜傷を十分に除去しつつSiC基板が過剰に除去されることを防止できる(詳細は後述)。
 なお、本実施形態のエッチングを行うことで化学機械研磨を省略できる。従って、従来から工数を変化させることなく潜傷を除去できる。
 次に、図2(b)に示すように、SiC基板40にエピタキシャル層41を形成する。エピタキシャル層を形成する方法は、任意であり、公知の気相エピタキシャル法や液相エピタキシャル法等を用いることができる。更には、SiC基板40がOFF基板である場合、ステップフロー制御によってエピタキシャル層を形成するCVD法を用いることもできる。
 次に、図2(c)に示すように、エピタキシャル層41が形成されたSiC基板40にイオン注入を行う。このイオン注入は、対象物にイオンを照射する機能を有するイオンドーピング装置を用いて行う。イオンドーピング装置によって、エピタキシャル層41の表面の全面又は一部に選択的にイオンが注入される。そして、イオンが注入されたイオン注入部分42に基づいて半導体素子の所望の領域が形成されることになる。
 また、イオンが注入されることによって、図2(d)に示すように、イオン注入部分42を含むエピタキシャル層41の表面が荒れた状態になる(SiC基板40の表面が損傷し、平坦度が悪化する)。
 次に、注入したイオンの活性化、及び、イオン注入部分42等へのエッチングを行う。本実施形態では、両方の処理を1つの工程で行うことができる。具体的には、Si蒸気圧下(Si雰囲気下)で1500℃以上2200℃以下、望ましくは1600℃以上2000℃以下の環境で加熱処理(アニール処理)を行う。これにより、注入されたイオンを活性化することができる。また、SiC基板40の表面がエッチングされることで、イオン注入部分42の荒れた部分が平坦化されていく(図2(e)~図2(f)を参照)。
 以上の処理を行うことで、SiC基板40の表面が、十分な平坦度及び電気的活性を有することになる。このSiC基板40の表面を利用して、半導体素子を製造することができる。
 ここで、SiC基板40の表面近傍の領域では、注入されたイオンが透過することにより、イオン濃度が十分ではない。また、SiC基板40のある程度内部の領域では、注入されたイオンが届きにくいため、イオン濃度が十分ではない。
 従って、図2(e)で行うエッチングでは、表面のイオン注入不足部分のみを除去しつつ、過剰な除去を避けることが好ましい。この点、本実施形態では、不活性ガス圧を調整することでエッチング速度を制御できるのでイオン注入不足部分を確実に除去しつつSiC基板40が過剰に除去されることを防止できる(詳細は後述)。
 以下、不活性ガス圧とエッチング速度との関係性等について図3から図5までを参照して説明する。図3は、加熱温度と、エッチング速度と、の関係性を示すグラフである。図4は、不活性ガス圧と、エッチング速度と、の関係性を加熱温度毎に示すグラフである。
 従来から知られているように、SiC基板のエッチング速度は、加熱温度に依存する。図3は、所定の環境下において、加熱温度を1600℃、1700℃、1750℃、及び1800℃としたときのエッチング速度を示すグラフである。このグラフの横軸は温度の逆数であり、このグラフの縦軸はエッチング速度を対数表示している。図3に示すように、このグラフは直線となっている。そのため、例えば温度を変更したときのエッチング速度を見積もることができる。
 図4は、不活性ガス圧とエッチング速度との関係を示すグラフである。具体的には、加熱温度が1800℃、1900℃、及び2000℃の環境において、不活性ガス圧を0.01Pa、1Pa、133Pa、及び13.3kPaと変化させたときのエッチング速度を求めたグラフである。被処理物は、オフ角が4°の4H-SiC基板である。基本的には、不活性ガス圧を上昇させる程、エッチング速度が低下する傾向がある。
 図5は、図4と同様に、不活性ガス圧とエッチング速度との関係を示すグラフである。図5のグラフでは、不活性ガス圧が0.0001Paの場合のエッチング速度についても示されている。
 特許文献1では、高真空下でエッチングを行っていたため、エッチング速度が高速になるためエッチング量を正確に把握することは困難であった。しかし、図4に示すように、不活性ガス圧を変化させることでエッチング速度を調整することができる。例えばエッチング速度が低速である場合、エッチング量を正確に把握することができるので、微量のエッチングが要求される場合に非常に効果的である。
 これにより、潜傷を除去するエッチング工程(図2(a))においてSiC基板40が過剰に除去されないため、歩留まりを向上させることができる。また、エピタキシャル層を形成した後のエッチング工程(図2(e))において、イオン注入部分が過剰に除去されることを防止できる。
 また、特許文献2では、水素エッチングを行っていたため、エッチング速度が非常に低速(数十nm~数百nm/h程度)であり、潜傷を除去するのに非常に長い時間が掛かってしまう。この点、本実施形態の方法では、圧力が非常に高い場合であっても、数μm~数十μm/h程度のエッチング速度を有している。従って、潜傷及びイオン注入不足部分を現実的な時間で除去することができる。
 特に、潜傷を除去する場合は後述の実験例に示すように、圧力を0.01Paから1Pa程度にすることが好ましく、その場合のエッチング速度は100μm/h以上なので一層素早く潜傷を除去できる。
 次に、図6から図8を参照して、上記のエッチング処理を用いて潜傷を除去した実験例について説明する。図6は、温度及び圧力を変化させてエッチングを行った後のSiC基板の微分干渉顕微鏡の顕微鏡写真である。図7は、温度及び圧力を変化させてエッチングを行った後のSiC基板40の3次元形状を示す図である。図8は、エッチング速度のアレニウスプロットを示すグラフである。
 図6に示した各写真は、上記のエッチング処理時のSiC基板の表面を微分干渉顕微鏡により撮影した写真である。各写真は約70μm四方の領域を示している。また、各写真の右上の文字は表面粗さを示している。また、図7には、図6に示したSiC基板40の3次元形状が示されている。
 左上の未処理と記載された写真は、エッチング処理を行わなかった場合の写真である。この写真には、表面の細かい研磨傷が多数表れている。
 未処理と記載された写真の右側には、各条件でエッチング処理を行った場合の写真が示されている。これらの写真を参照すると、圧力が133Pa以上の場合は研磨傷及び内部の潜傷が強調されスクラッチが鮮明に表れていることが分かる。一方で、圧力が1Pa以下の場合は、このスクラッチが除去されていることが分かる。
 これは、圧力が133Pa以上の場合は、エッチング速度が遅いために結晶性の低い研磨傷及び潜傷箇所から優先的にエッチングが生じるため、スクラッチが残存する(強調される)からだと考えられる。一方、圧力が1Pa以下の場合は、エッチング速度が速いために研磨傷及び潜傷だけでなくこれらを含まない平面もエッチングされる。その結果、SiC基板40の表面を均一にエッチングできるので、上記スクラッチを除去することができる。
 図8には、エッチング速度のアレニウスプロットを用いて、上記の潜傷が除去されるか否かの境界を概念的に示している。図8の横軸は温度の逆数であり、縦軸はエッチング速度である。
 また、図8には、高速エッチング領域と低速エッチング領域とが示されており、これらの領域の境界が直線となっている。高速エッチング領域では、上記スクラッチが除去され、低速エッチング領域では上記スクラッチが除去されない。この図8からは、単純にエッチング速度だけで上記スクラッチの除去の有無が定まるのではなく、処理温度も影響すると考えることができる。
 図9は、機械加工後に表面粗さが0.1nm、0.3nm、0.4nm及び1.4nmとなったSiC基板を、各々所定量エッチングした後に表面粗さを測定した結果を示すグラフである。エッチング量が1~4μm程度では、表面粗さRaは機械加工直後より著しく上昇して2.5nm以上となり、SiC基板の潜傷が顕在化されている。このことから、機械加工したSiC基板に潜傷が存在することが判る。
 更にエッチングを行うと、5μm以上エッチングを行った段階で表面粗さは1nm以下となり、平滑な表面が得られることが明示されている。7μm以上のエッチングにより更に潜傷は除去され、10μm以上で更に平滑な表面が得られることが示されている。加えて、本方法により0.5~4μm、好ましくは1~3μmエッチングを行うことで、潜傷の存在が把握できることが示されている。
 図10は、図9と同様に所定量のエッチングを行った際の、ラマン分光分析におけるピークシフトの測定結果である。ラマン分光分析は、具体的には、SiC基板を後方散乱配置にて波長532nmのArレーザーを光源として4H-SiC FTOモードの776cm-1のピークを測定し得られたピークが元の776cm-1の位置からどれだけズレているかによってピークシフトを測定する。SiC基板は機械加工によるストレスに起因する結晶構造の変化等により残留応力が生じるが、ピークシフトΔωを測定することで、「残留応力σはピークシフトにおおよそ線形でσ=A×Δω、Aは定数」といった原理によりSiC基板の表面付近の残留応力が推定可能である。
 エッチング前の段階(エッチング量が0)では、ピークシフトは0からかなり離れた数値に位置し、比較的大きい残留応力が存在することが判る。本方法により、エッチングを行わなくともSiC基板の潜傷を検出することができる。図9と同様に、5μm以上のエッチングによりピークシフトが著しく低減され、潜傷が除去されることが判る。また10μm以上のエッチングにより、更にピークシフトが低下し、潜傷が除去されることが示されている。
 次に、図11から図14を参照して、ステップバンチングを抑制するための条件を求めるために行った実験について説明する。なお、図11から図13において、各顕微鏡写真の右下の数字は加工後の表面粗さを示している。
 図11は、オフ角が4°の4H-SiC基板について、潜傷が十分に除去できていると考えられる程度(約30μm)までエッチングを行った後に表面を観測した結果を示している。この実験は、機械加工を行った後の表面粗さ(Ra)が1.4nm,0.4nm,0.3nm,0.1nmのSiC基板に対して行った。また、不活性ガス圧又は加熱温度を変えることにより、エッチング速度を異ならせて実験を行った。
 図11の上から2行目の写真は、エッチング速度が少し低い条件(1750℃、0.01Pa)で処理を行った結果を示している。この図11に示すように、上から2行目の写真では、ステップバンチングが確認できる。
 図12は、オフ角が4°の4H-SiC基板について、潜傷が残存している可能性がある深さ(約10~20μm)までエッチングを行った後に表面を観測した結果を示している。この実験は、機械加工を行った後の表面粗さ(Ra)が1.4nm,0.4nm,0.3nm,0.1nmのSiC基板に対して行った。また、不活性ガス圧又は加熱温度を変えることにより、エッチング速度を異ならせて実験を行った。
 図12に示すように、不活性ガス圧が133Paではエッチング量が11μmであるため潜傷が残存している可能性があるが、不活性ガス圧が13.3kPaの条件下においても全ての表面粗さのSiC基板に対してステップバンチングが形成されている。従って、図12で確認できたステップバンチングは、図11に示す実験と同様に、エッチング速度が遅いために発生したと考えられる。
 図13は、オフ角が4°の4H-SiC基板について、ステップバンチングが十分に分解(抑制)可能なエッチング速度でエッチングを行った後に表面を観測した結果を示している。この実験は、エッチング量を異ならせるとともに、機械加工を行った後の表面粗さ(Ra)が1.4nm,0.4nm,0.3nm,0.1nmのSiC基板に対して行った。また、不活性ガス圧又は加熱温度を変えることにより、エッチング速度を異ならせて実験を行った。
 図13に示すように、エッチング量が約5μmではステップバンチングが形成されている。また、エッチング量が15μm及び34μmでは、ステップバンチングが抑制されていた。従って、エッチング量が約5μmでは潜傷の除去が不十分であり、潜傷の残存に起因するステップバンチングが発生したと考えられる。
 以上により、SiC基板にSiエッチングを行った際のステップバンチングの発生を抑制するためには、エッチング速度を所定以上速くするとともに、エッチング量を所定以上深くする必要がある。図14は、加熱温度を1800℃から2000℃で不活性ガス圧(アルゴン圧)が10-5Paから13.3kPaの条件下で、オフ角が4°の4H-SiC基板を加熱した結果、ステップバンチングが抑制されたか発生したかをプロットしたグラフである。図14からは、エッチング量>10μmかつエッチング速度>200μm/minの場合にステップバンチングを抑制できることが分かる。なお、エッチング量>10μmかつエッチング速度<200μm/minの場合、テラスの端部がジグザグ状のステップバンチングが発生する。また、エッチング量<10μmかつエッチング速度>200μm/minの場合、テラスの端部が直線状のステップバンチングが発生する。
 以上に説明したように、本実施形態では、不活性ガス圧を調整してエッチング速度を制御する処理と、機械加工が行われたSiC基板40を加熱処理してエッチングを行う処理と、を行う。
 これにより、SiC基板40に潜傷等が存在する場合は、この潜傷等を除去することができる。従って、エピタキシャル成長及び熱処理等を行っても表面が荒れないため、高品質なSiC基板を製造することができる。また、上記の方法でエッチングを行うことで機械研磨、化学機械研磨、及び水素エッチング等を行うよりも処理時間を大幅に短くすることができる。更に、不活性ガス圧を調整することでエッチング速度を調整できるので、SiC基板40が必要以上に除去されることも防止できる。
 また、本実施形態では、潜傷除去工程と、エピタキシャル成長工程と、熱処理工程と、を含む半導体の製造方法が提供される。潜傷除去工程では、上述の表面処理方法によりSiC基板40の表面をエッチングする。エピタキシャル成長工程では、SiC基板40の表面に単結晶SiCをエピタキシャル成長させる。熱処理工程では、エピタキシャル成長工程が行われたSiC基板40を熱処理する。
 これにより、エピタキシャル成長及び熱処理等を行っても表面が荒れないため、高品質な半導体を製造することができる。
 また、本実施形態では、加熱工程において、SiC基板40の周囲の不活性ガス圧を調整してエッチング速度を制御しつつ、当該SiC基板40を加熱処理してエッチングを行うことが好ましい。
 これにより、潜傷除去工程と加熱工程とで同じ内容の処理を行うため、工程を単純化したり同じ高温真空炉10で加工を行ったりすることが容易になる。
 以上に本発明の好適な実施の形態を説明したが、上記の構成は例えば以下のように変更することができる。
 上記実施形態では、カーボン層(グラフェンキャップ)を形成する処理を行わないが、この処理を行っても良い。この場合、カーボン層を除去する処理と、イオンを活性化する処理と、単結晶SiC基板をエッチングする処理と、を1つの工程で行うことができる。
 不活性ガスの調整方法は任意であり、適宜の方法を用いることができる。また、エッチング工程の間、不活性ガス圧を一定にしても良いし、変化させても良い。不活性ガス圧を変化させることで、例えば初めはエッチング速度を高くして後にエッチング速度を低くして微調整を行う方法が考えられる。
 処理を行った環境及び用いた単結晶SiC基板等は一例であり、様々な環境及び単結晶SiC基板に対して適用することができる。例えば、加熱温度は上記で挙げた温度に限られず、より低温とすることでエッチング速度を一層低下させることができる。また、上述した高温真空炉以外の加熱装置を用いても良い。
 なお、本実施形態では潜傷が生じているSiC基板40について、当該潜傷を除去するエッチング処理を行った。しかし、潜傷の有無を確認することなくエッチングを行っても良い。これにより、潜傷の有無を確認する手間を省略できる。
 10 高温真空炉
 21 本加熱室
 22 予備加熱室
 30 坩堝
 40 SiC基板

Claims (9)

  1.  少なくとも表面が単結晶SiCで構成されるSiC基板に対して、機械加工が行われた後の当該SiC基板の表面を処理する表面処理方法において、
     前記SiC基板をSi雰囲気下で加熱処理して当該SiC基板をエッチングする際に、前記SiC基板の周囲の不活性ガス圧を調整することで当該SiC基板のエッチング速度を制御することを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
  2.  請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
     機械加工が行われた前記SiC基板に潜傷が生じており、Si雰囲気下でのエッチングを行うことで当該潜傷が除去されることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
  3.  請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
     Si雰囲気下でのエッチングを行う場合の前記不活性ガス圧が0.01Pa以上1Pa以下であることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
  4.  請求項3に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
     Si雰囲気下でのエッチングを行う場合の温度が1800℃以上2000℃以下であることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
  5.  請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
     Si雰囲気下でのエッチングを行うことで、前記SiC基板の表面を5μm以上除去することを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
  6.  請求項5に記載のSiC基板の表面処理方法であって、
     前記SiC基板をエッチングする際のエッチング速度を200μm/min以上に制御するとともに、当該SiC基板のエッチング量を10μm以上とすることを特徴とするSiC基板の表面処理方法。
  7.  請求項1に記載の表面処理方法を用いて表面が処理されたことを特徴とするSiC基板。
  8.  請求項1に記載のSiC基板の表面処理方法により、SiC基板の表面をエッチングする潜傷除去工程と、
     前記潜傷除去工程で潜傷が除去された前記SiC基板の表面に単結晶SiCをエピタキシャル成長させるエピタキシャル成長工程と、
     前記エピタキシャル成長工程が行われた前記SiC基板をSi雰囲気下で加熱処理する加熱工程と、
    を含むことを特徴とする半導体の製造方法。
  9.  請求項8に記載の半導体の製造方法であって、
     前記加熱工程では、前記SiC基板の周囲の不活性ガス圧を調整して当該SiC基板のエッチング速度を制御しつつ、当該SiC基板をSi雰囲気下で加熱処理してエッチングを行うことを特徴とする半導体の製造方法。
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