JP2007110066A - 半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエーハ264をCMPした後、ヘッド265の周縁下部及びヘッド265の周縁外側近傍に表出する研磨パッド266の表面へ、第1噴射角で洗浄液(例えば純水)226aを噴射する。次いで、ヘッド265の上昇の初期に形成される研磨面264aと研磨パッド262の表面との隙間に、洗浄液266bを第1噴射角以下の第2噴射角で噴射する。次いで、ヘッド265上昇とともに研磨面264aを追跡して洗浄液266bを噴射する。
【選択図】図5
Description
図4は本発明の第1の実施形態に係る研磨装置の平面図であり、研磨ユニットと洗浄ユニットを合わせ持つ研磨装置の主要な構成を表している。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る研磨装置のプラテンの断面図である。また、図7(a),(b)は、第2の実施形態に係る研磨装置の吐出口の説明図であり、図7(a)はプラテン上面に開口する吐出口の配置を表す平面図、図7(b)は吐出口の断面形状を表すI−I断面図である。本実施形態は、プラテン上面に洗浄液の吐出口を有する研磨装置に関する。
図9(a),(b)は本発明の第3の実施形態の研磨装置の動作を説明する断面工程図であり、研磨工程を研磨装置の主要部の断面により表している。第3の実施形態はプラテンを洗浄液中に浸漬する研磨装置に関する。
図10は本発明の第4の実施形態の研磨装置の障害発生時シーケンスを示す図である。本発明の第4の実施形態は、非常時のインターロック発生後の処置に関する。第4の実施形態に係る研磨装置は、緊急停止手段及び緊急洗浄手段とを備える。緊急停止手段及び緊急洗浄手段は、例えばコンピュータ(シーケンサを含む)で制御され障害発生時のシーケンスを実行する。これらの手段及び障害発生時シーケンス以外は、上述した図4に示す研磨装置と同様である。
以下、本発明の第5の実施形態について説明する。
前記研磨工程の終了後、前記ヘッドの周縁下部及び前記ヘッドの周縁外側近傍に表出する前記研磨パッド表面へ、洗浄液の噴射方向と前記研磨パッド表面とのなす噴射角を第1噴射角として前記洗浄液を噴射する工程と、
次いで、前記ヘッドを上昇する工程の初期に形成される前記研磨面と前記研磨パッド表面との隙間に、前記洗浄液を前記第1噴射角以下の第2噴射角で噴射する工程と、
次いで、前記ヘッドを上昇するとともに、前記研磨面を追跡して前記洗浄液を噴射する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
洗浄液を噴射するノズル開口を有するノズルと、
前記ノズル開口の位置及び洗浄液の噴射方向を制御するノズル制御手段とを有し、
前記ノズル制御手段は、前記研磨工程の終了後、前記ヘッドの周縁下部及び前記ヘッドの周縁外側近傍に表出する前記研磨パッド表面へ、洗浄液の噴射方向と前記研磨パッド表面のなす噴射角が第1噴射角となるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御し、
次いで、前記ヘッドの上昇とともに形成される前記研磨面と前記研磨パッド表面との隙間に、前記洗浄液が前記第1噴射角以下の第2噴射角で噴射されるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御し、
次いで、前記ヘッドの上昇とともに上昇する前記研磨面を追跡して前記洗浄液が噴射されるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御することを特徴とする研磨装置。
前記プラテン上面に開口する洗浄液の吐出口と、
前記吐出口上に位置する前記研磨パッドに開設され、前記研磨パッドを貫通するパッド開口と、
前記ヘッドを前記吐出口上に移動し、上昇するヘッド移動手段と、
前記ヘッドを前記吐出口上に移動した後、少なくとも前記ヘッドが上昇するまでの間、前記吐出口から前記半導体ウエーハの研磨面へ洗浄液を噴射し続けることを特徴とする研磨装置。
前記プラテンの下方に位置し、洗浄液をオーバーフローさせている水槽と、
前記プラテンと前記水槽とを相対的に垂直移動する昇降手段とを有し、
前記プラテンを前記水槽に対して相対的に降下して、前記プラテン上面に貼付された前記研磨パッドを前記水槽内の洗浄液中に浸漬することを特徴とする研磨装置。
装置の異常を検知して、前記ヘッドが前記半導体ウエーハを吸着して上昇し、かつ、プラテンの回転を停止する緊急停止手段と、
上昇した前記ヘッドを洗浄装置へ移動して、前記ヘッドに吸着されている前記半導体ウエーハの研磨面を洗浄する緊急洗浄手段とを有することを特徴とする研磨装置。
前記スラリーを用いた研磨工程の終了後、前記研磨パッド上に3乃至10リットル/分の流量で洗浄液を供給しつつ、前記半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハに付着したスラリーを除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記研磨パッド上に前記スラリーを噴射するスラリー噴射部と、
前記スラリー噴射部に近接して配置され、前記研磨パッド上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で噴射する洗浄液噴射部と
を有することを特徴とする研磨装置。
前記ペデスタル上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で供給し前記ペデスタルの上を洗浄するペデスタル洗浄部と
を有することを特徴とする付記11に記載の研磨装置。
前記研磨装置の近傍に配置され、洗浄液供給源から供給される洗浄液を貯留する貯留タンクと、
前記貯留タンクに貯留された前記洗浄液を前記研磨装置に移送するポンプと
を有することを特徴とする半導体ウエーハ研磨システム。
101,201…クリーンルーム、
110,210…搬入・搬出ユニット、
111,146.211,246…ロボットアーム、
114,214…カセット、
120,220…研磨ユニット、
121,122,181,221,222,261,371,481,522…プラテン、
123,124,165,223,224,265,365,465,541…ヘッド、
125,225…回転台、
126,226…載置台、
127,128,227,228…洗浄ステージ、
140,240…洗浄ユニット、
142,143,242,243…洗浄器、
144,244…乾燥器、
164,264,364,464…ウエーハ、
164a,264a…研磨面、
182,262,372,482…研磨パッド、
265b,365b,465b…リテーナ、
266,376…洗浄液のノズル、
377…洗浄液の吐出口、
490…水槽、
491…昇降機構、
510,560…純水貯留タンク、
513,563…ポンプ、
521…ロードカップ、
524…ペデスタル、
524a…ペデスタルパッド、
531…スラリー供給アーム、
531a…スラリー噴射部、
531b…純水噴射部、
532…コンディショニングディスク駆動アーム、
540…ヘッドユニット、
569…調圧弁、
570…フィルタ、
580…制御部。
Claims (10)
- 回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記研磨工程の終了後、前記ヘッドの周縁下部及び前記ヘッドの周縁外側近傍に表出する前記研磨パッド表面へ、洗浄液の噴射方向と前記研磨パッド表面とのなす噴射角を第1噴射角として前記洗浄液を噴射する工程と、
次いで、前記ヘッドを上昇する工程の初期に形成される前記研磨面と前記研磨パッド表面との隙間に、前記洗浄液を前記第1噴射角以下の第2噴射角で噴射する工程と、
次いで、前記ヘッドを上昇するとともに、前記研磨面を追跡して前記洗浄液を噴射する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、
洗浄液を噴射するノズル開口を有するノズルと、
前記ノズル開口の位置及び洗浄液の噴射方向を制御するノズル制御手段とを有し、
前記ノズル制御手段は、前記研磨工程の終了後、前記ヘッドの周縁下部及び前記ヘッドの周縁外側近傍に表出する前記研磨パッド表面へ、洗浄液の噴射方向と前記研磨パッド表面のなす噴射角が第1噴射角となるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御し、
次いで、前記ヘッドの上昇とともに形成される前記研磨面と前記研磨パッド表面との隙間に、前記洗浄液が前記第1噴射角以下の第2噴射角で噴射されるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御し、
次いで、前記ヘッドの上昇とともに上昇する前記研磨面を追跡して前記洗浄液が噴射されるように前記ノズル開口位置及び前記ノズルの方位を制御することを特徴とする研磨装置。 - 回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、
前記プラテン上面に開口する洗浄液の吐出口と、
前記吐出口上に位置する前記研磨パッドに開設され、前記研磨パッドを貫通するパッド開口と、
前記ヘッドを前記吐出口上に移動し、上昇するヘッド移動手段とを有し、
前記ヘッドを前記吐出口上に移動した後、少なくとも前記ヘッドが上昇するまでの間、前記吐出口から前記半導体ウエーハの研磨面へ洗浄液を噴射し続けることを特徴とする研磨装置。 - 回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、
前記プラテンの下方に位置し、洗浄液をオーバーフローさせている水槽と、
前記プラテンと前記水槽とを相対的に垂直移動する昇降手段とを有し、
前記プラテンを前記水槽に対して相対的に降下して、前記プラテン上面に貼付された前記研磨パッドを前記水槽内の洗浄液中に浸漬することを特徴とする研磨装置。 - 回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、
装置の異常を検知して、前記ヘッドが前記半導体ウエーハを吸着して上昇し、かつ、プラテンの回転を停止する緊急停止手段と、
上昇した前記ヘッドを洗浄装置へ移動して、前記ヘッドに吸着されている前記半導体ウエーハの研磨面を洗浄する緊急洗浄手段とを有することを特徴とする研磨装置。 - 回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記スラリーを用いた研磨工程の終了後、前記研磨パッド上に3乃至10リットル/分の流量で洗浄液を供給しつつ、前記半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハに付着したスラリーを除去する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨する研磨装置において、
前記研磨パッド上に前記スラリーを噴射するスラリー噴射部と、
前記スラリー噴射部に近接して配置され、前記研磨パッド上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で噴射する洗浄液噴射部と
を有することを特徴とする研磨装置。 - 研磨前又は研磨後の前記半導体ウエーハを載置するペデスタルと、
前記ペデスタル上に洗浄液を3乃至10リットル/分の流量で供給し前記ペデスタルの上を洗浄するペデスタル洗浄部と
を有することを特徴とする請求項7に記載の研磨装置。 - 回転するプラテン上面に貼付された研磨パッド上にスラリーを供給し、ヘッド下面に保持された半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハを研磨した後、前記研磨パッド上に洗浄液を供給しつつ前記半導体ウエーハを前記研磨パッド上面に押圧して前記半導体ウエーハに付着したスラリーを除去する研磨装置と、
前記研磨装置の近傍に配置され、洗浄液供給源から供給される洗浄液を貯留する貯留タンクと、
前記貯留タンクに貯留された前記洗浄液を前記研磨装置に移送するポンプと
を有することを特徴とする半導体ウエーハ研磨システム。 - 前記貯留タンクは、1台の研磨装置に対し1基設けられていることを特徴とする請求項9に記載の半導体ウエーハ研磨システム。
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