WO2017169124A1 - 基板研磨装置、その洗浄方法および基板研磨装置への液体供給装置 - Google Patents

基板研磨装置、その洗浄方法および基板研磨装置への液体供給装置 Download PDF

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liquid
pipe
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substrate polishing
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邦政 松下
修一 鎌田
章宏 持田
賢一郎 斎藤
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株式会社荏原製作所
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate polishing apparatus that polishes a substrate using a polishing liquid, a cleaning method thereof, and a liquid supply apparatus to the substrate polishing apparatus.
  • the substrate polishing apparatus uses a slurry when polishing a substrate such as a wafer. For this reason, the slurry may aggregate in the pipe for supplying the slurry, and a fixed slurry may be generated. In this case, when the fixed slurry falls off the pipe, it is discharged onto the polishing table and may damage the wafer during polishing.
  • the present technology has been made in view of such problems, and provides a substrate polishing apparatus, a cleaning method thereof, and a liquid supply device to the substrate polishing apparatus that can suppress the aggregation of the polishing liquid in the pipe. is there.
  • a polishing table capable of supplying a polishing liquid to the polishing table, a pipe communicating with the nozzle, and a switching device that switches and supplies the polishing liquid, the chemical liquid, and pure water to the pipe Is provided.
  • a liquid supply apparatus for a substrate polishing apparatus, wherein the polishing liquid, the chemical liquid, and pure water are switched to a pipe that communicates with a nozzle capable of supplying a polishing liquid to a polishing table in the substrate polishing apparatus.
  • a liquid supply device including a switching device for supplying the liquid.
  • a cleaning method for a substrate polishing apparatus wherein a chemical solution is supplied to a pipe communicating with a nozzle capable of supplying a polishing liquid to a polishing table in the substrate polishing apparatus, and then pure water is supplied to the pipe.
  • a cleaning method is provided.
  • the time for immersing the pipe in the chemical solution can be set. It is desirable that the supply time of the chemical solution and / or the pure water can be set.
  • FIG. 1 The figure which shows schematic structure of the substrate polishing apparatus which concerns on one Embodiment. 1 is a schematic perspective view of a substrate polishing mechanism 1.
  • FIG. The flowchart which shows the procedure of piping washing
  • the figure which shows schematic structure of the substrate polishing apparatus which is a modification of FIG.
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate polishing apparatus according to an embodiment.
  • the substrate polishing apparatus includes a substrate polishing mechanism 1, a polishing liquid propagation mechanism 2, and a liquid supply device 3.
  • the substrate polishing mechanism 1 polishes a substrate such as a semiconductor wafer using a polishing liquid such as slurry.
  • the polishing liquid propagation mechanism 2 propagates the polishing liquid to the substrate polishing mechanism 1.
  • the liquid supply device 3 supplies the polishing liquid to the polishing liquid propagation mechanism 2 and supplies the chemical liquid and pure water to clean the polishing liquid propagation mechanism 2.
  • the liquid supply device 3 may be in the substrate polishing apparatus or may be a separate device from the substrate polishing apparatus. In the latter case, the liquid supply device 3 may be externally attached to an existing substrate polishing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view of the substrate polishing mechanism 1.
  • the substrate polishing mechanism 1 includes a top ring 11, a top ring shaft 12, a rotatable polishing table 13, a nozzle 14, and the like.
  • the top ring 11 holds the substrate W.
  • the top ring shaft 12 rotates the top ring 11 connected to the lower part.
  • the polishing table 13 has a polishing pad 13a fixed on the upper surface and is rotatable.
  • the nozzle 14 can supply a polishing liquid onto the polishing table 13.
  • the nozzle 14 (at least the tip portion thereof) is movable between the supply position and the retracted position.
  • the supply position is above the polishing table 13 and is a position where the polishing liquid can be supplied to the polishing table 13.
  • the retreat position is a position deviated from above the polishing table 13 and is a position where the liquid does not fall on the polishing table 13 even if the liquid drips from the tip of the nozzle 14.
  • the polishing liquid is supplied onto the polishing pad 13a from the nozzle 14 at the supply position, and the substrate W and the polishing table 13 are rotated while the lower surface of the substrate W is in contact with the polishing pad 13a. Polished.
  • the polishing liquid propagation mechanism 2 includes pipes 21a to 21d, valves 22a to 22c, 24a to 24c, 25a to 25c, 26a to 26c, 27a to 27c provided on the pipes 21a to 21d, filters 23a, 23b and check valves 28a to 28c.
  • three lines of piping 21 a to 21 c communicating with the nozzle 14 in the substrate polishing mechanism 1 are provided, one end of which is connected to the nozzle 14 and the other end is connected to the liquid supply device 3.
  • the pipe 21a is provided with a valve 22a, a filter 23a, a valve 24a, a valve 25a, and a valve 26a in this order from the liquid supply device 3 side.
  • the valve 22a is a manual supply source valve for separating the liquid supply device 3 and the inside of the substrate polishing apparatus, and is used for ensuring safety by completely closing the line supply during the operation in the apparatus.
  • a manual supply source valve may be added to the chemical liquid pipe 342a.
  • the filter 23a captures relatively large scratches and the like.
  • a liquid such as a polishing liquid is introduced from the liquid supply device 3 into the pipe 21a.
  • the valve 25a adjusts the flow rate of the liquid by interlocking with the flow meter.
  • the valve 26a is preferably a suck-back valve, and closing the valve 26a suppresses dripping from the tip of the pipe 21a, so that the liquid can be filled in the pipe 21a.
  • the pipes 21b and 21c have the same configuration. Also, pure water can be supplied to the pipes 21a to 21c via valves 27a to 27c provided on the pipe 21d.
  • Check valves 28a to 28c are provided adjacent to the valves 27a to 27c, respectively, to prevent the liquid from the liquid supply device 3 from flowing back into the pipe 21d.
  • the liquid supply device 3 includes a polishing liquid supply source 31a, a chemical solution supply source 32a, a pure water supply source 33a, a switching device 34a, a filter 35a, and a control unit 36a provided corresponding to the pipe 21a.
  • the controller 36a may be in the liquid supply apparatus 3 or in the substrate polishing apparatus.
  • the polishing liquid supply source 31a and the chemical liquid supply source 32a supply the polishing liquid and the chemical liquid, respectively.
  • a liquid capable of cleaning the polishing liquid in the pipe 21a more specifically, a liquid capable of dissolving the polishing liquid deposited in the pipe 21a is appropriately selected according to the polishing liquid.
  • the switching device 34a is for switching the polishing liquid, chemical solution and pure water to be supplied to the pipe 21a, and has pipes 341a to 343a, valves 344a to 346a, and a check valve 347a.
  • One end of each of the pipes 341a to 343a is connected to the polishing liquid supply source 31a, the chemical liquid supply source 32a, and the pure water supply source 33a, and is configured to join at one end on the other end side.
  • the valves 344a to 346a are provided on the pipes 341a to 343a, respectively.
  • the check valve 347a is provided in the pipe 343a.
  • the valves 344a to 346a are controlled to be opened and closed by air driving by the control unit 36a. It is desirable that the control unit 36a always controls the valve 344a to be closed when the valve 345a or the valve 346a is open. This is to prevent chemicals and pure water from flowing into the polishing liquid supply source 31a. Further, the check valve 347a can prevent the polishing liquid or the chemical liquid from flowing into the pure water supply source 33a.
  • the liquid supply device 3 is provided with a polishing liquid supply source 31b, a chemical liquid supply source 32b, a pure water supply source 33b, a switching device 34b, a filter 35b, and a control unit 36b corresponding to the pipe 21b.
  • a polishing liquid supply source 31b is provided in the pipe 21c.
  • the chemical liquid supply sources 32a and 32b may be provided only in a part of the plurality of pipes 21a to 21c. Alternatively, the chemical liquid supply sources may be provided in all the pipes 21a to 21c. Good.
  • the control unit 36a when performing substrate polishing, the control unit 36a opens the valve 344a and closes the valves 345a and 346a. Further, the control unit 36b opens the valve 344b and closes the valves 345b and 346b. Then, the valves 24a to 24c are opened. As a result, the polishing liquid is propagated from the polishing liquid supply sources 31a to 31c to the nozzles 14 of the substrate polishing mechanism 1 through the pipes 21a to 21c, and the polishing liquid is further supplied from the nozzles 14 to the polishing table 13.
  • the pipe cleaning can be set by arbitrarily combining the steps of supplying chemical solution, supplying pure water, and immersing and time.
  • the piping 21a is cleaned as follows.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a procedure for pipe cleaning. First, the nozzle 14 moves to the retracted position and retracts from the polishing table 13 (step S1). As a result, even if a liquid such as a chemical solution drips from the tip of the nozzle 14 during cleaning, it does not hang on the polishing pad 13a.
  • the controller 36a opens the valve 345a and supplies the chemical solution to the pipe 21a (step S2). Then, by closing the valve 24a, the pipe 21a is filled with the chemical solution, and the pipe 21a is immersed in the chemical solution to the tip (step S3).
  • the supply amount of the chemical solution and the time for immersing the pipe 21a in the chemical solution may be fixed values, but are desirably set arbitrarily.
  • step S4 When a predetermined time has elapsed, the valve 24a is opened to discharge the chemical solution from the pipe 21a, and the control unit 36a opens the valve 346a to supply pure water to the pipe 21a for rinsing (step S4). This operation is also called flushing, and the chemical solution supplied in advance is washed away.
  • the supply amount of pure water and the time for supplying pure water to the pipe 21a may be fixed values, but are desirably set arbitrarily.
  • the above chemical solution supply and pure water supply are repeated a predetermined number of times (step S5). The number of repetitions may be a fixed value, but it is desirable that it can be set arbitrarily.
  • piping 21b can be cleaned in the same manner.
  • the pipe 21a and the pipe 21b may be washed simultaneously or individually.
  • the chemical solution and pure water are supplied to the pipes 21a and 21b communicating with the nozzle 14 that supplies the polishing solution. Therefore, it is possible to prevent the polishing liquid from aggregating in the pipes 21a and 21b.
  • FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate polishing apparatus which is a modification of FIG.
  • the liquid supply device 3 ′ includes one chemical solution supply source 32 and one pure water supply source 33.
  • the switching device 34 is provided corresponding to each of the chemical solution supply source 32 and the pure water supply source 33, and corresponds to each of the valves 345 and 346 controlled by the control unit 36 and the polishing solution supply sources 31a to 31c.
  • valves 344a to 344c that are provided and controlled by the control units 36a to 36c.
  • the pipes 37 and 38 connected to the chemical liquid supply source 32 and the pure water supply source 33 can be switched to the pipes 21a to 21c to be cleaned. In this way, the plurality of pipes 21a to 21c can be cleaned with a simple liquid supply device 3 '.
  • the substrate polishing mechanism 1 has one nozzle 14
  • a plurality of nozzles 14 may be provided.

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Abstract

配管内に研磨液が凝集するのを抑制できる基板研磨装置、その洗浄方法および基板研磨装置への液体供給装置を提供する。　研磨テーブルと、前記研磨テーブルに研磨液を供給可能なノズルと、前記ノズルと連通する配管と、前記配管に前記研磨液、薬液および純水を切り替えて供給する切り替え装置と、を備える基板研磨装置が提供される。

Description

基板研磨装置、その洗浄方法および基板研磨装置への液体供給装置
　本開示は、研磨液を用いて基板を研磨する基板研磨装置、その洗浄方法および基板研磨装置への液体供給装置に関する。
　基板研磨装置はウエハなどの基板を研磨する際にスラリを用いる。そのため、スラリを供給する配管内にスラリが凝集して固着スラリが生じることがある。そうすると、固着スラリが配管から脱落した場合に 研磨テーブル上に排出され、研磨中にウエハを傷つけてしまうおそれがある。
特開平１１－１３８４３８号公報
　本技術はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、配管内に研磨液が凝集するのを抑制できる基板研磨装置、その洗浄方法および基板研磨装置への液体供給装置を提供することである。
　一態様によれば、研磨テーブルと、前記研磨テーブルに研磨液を供給可能なノズルと、前記ノズルと連通する配管と、前記配管に前記研磨液、薬液および純水を切り替えて供給する切り替え装置と、を備える基板研磨装置が提供される。
　配管に薬液および純水を供給することで、配管内に研磨液が凝集するのを抑制できる。
　前記配管に設けられ、前記配管を前記薬液で浸漬させるためのバルブを備えるのが望ましい。
　これにより、配管を薬液で浸漬させることができ、配管の洗浄効果が得られる。
　別の態様によれば、基板研磨装置用の液体供給装置であって、前記基板研磨装置における研磨テーブルに研磨液を供給可能なノズルと連通する配管に、前記研磨液、薬液および純水を切り替えて供給する切り替え装置を備える、液体供給装置が提供される。
　基板研磨装置の配管に薬液および純水を供給することで、配管内に研磨液が凝集するのを抑制できる。
　別の態様によれば、基板研磨装置の洗浄方法であって、基板研磨装置における研磨テーブルに研磨液を供給可能なノズルと連通する配管に薬液を供給し、その後、前記配管に純水を供給する、洗浄方法が提供される。
　基板研磨装置の配管に薬液を供給し、次いで純水を供給することで、配管内に研磨液が凝集するのを抑制できる。
　前記ノズルを前記研磨テーブル上から退避させた上で、前記配管に前記薬液を供給する、のが望ましい。
　これにより、研磨テーブル上に薬液が垂れるのを防止できる。
　前記配管に前記薬液を供給して、前記配管を前記薬液で浸漬させるのが望ましい。
　配管を薬液で浸漬させることで、配管の洗浄効果が得られる。
　前記配管を前記薬液で浸漬させる時間を設定可能であるのが望ましい。
　前記薬液および／または前記純水の供給時間を設定可能であるのが望ましい。
　配管に薬液および純水を供給することで、配管内に研磨液が凝集するのを抑制できる。
一実施形態に係る基板研磨装置の概略構成を示す図。 基板研磨機構１の概略斜視図。 配管洗浄の手順を示すフローチャート。 図１の変形例である基板研磨装置の概略構成を示す図。
　以下、実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
　図１は、一実施形態に係る基板研磨装置の概略構成を示す図である。基板研磨装置は、基板研磨機構１と、研磨液伝搬機構２と、液体供給装置３とを備えている。基板研磨機構１はスラリなどの研磨液を用いて半導体ウエハなどの基板を研磨する。研磨液伝搬機構２は基板研磨機構１に研磨液を伝搬させる。液体供給装置３は研磨液伝搬機構２に研磨液を供給するとともに、薬液および純水を供給して研磨液伝搬機構２を洗浄する。なお、液体供給装置３は基板研磨装置内にあってもよいし、基板研磨装置とは別個の装置であってもよい。後者の場合、既存の基板研磨装置に液体供給装置３を外付けとしてもよい。
　図２は、基板研磨機構１の概略斜視図である。基板研磨機構１は、トップリング１１、トップリングシャフト１２、回転可能な研磨テーブル１３、ノズル１４などから構成される。トップリング１１は基板Ｗを保持する。トップリングシャフト１２は下部に連結されたトップリング１１を回転させる。研磨テーブル１３は上面に固定された研磨パッド１３ａを有し回転可能である。ノズル１４は研磨液を研磨テーブル１３上に供給可能である。
　ノズル１４（の少なくとも先端部分）は供給位置と退避位置との間で移動可能であるのが望ましい。供給位置は、研磨テーブル１３の上方であって、研磨テーブル１３に研磨液を供給可能な位置である。退避位置は、研磨テーブル１３の上方から外れた位置であって、仮にノズル１４の先端から液体が垂れたとしても研磨テーブル１３には落ちない位置である。
　基板研磨時には、供給位置にあるノズル１４から研磨液が研磨パッド１３ａ上に供給され、研磨パッド１３ａに基板Ｗの下面が接触した状態で基板Ｗおよび研磨テーブル１３が回転することで、基板Ｗが研磨される。
　図１に戻り、研磨液伝搬機構２は、配管２１ａ～２１ｄ、配管２１ａ～２１ｄ上に設けられたバルブ２２ａ～２２ｃ，２４ａ～２４ｃ，２５ａ～２５ｃ，２６ａ～２６ｃ，２７ａ～２７ｃ、フィルタ２３ａ，２３ｂおよび逆止弁２８ａ～２８ｃなどから構成される。同図の例では基板研磨機構１におけるノズル１４と連通する３ラインの配管２１ａ～２１ｃが設けられ、これらの一端はノズル１４に接続され、他端が液体供給装置３に接続されている。
　配管２１ａには、液体供給装置３側から順に、バルブ２２ａ、フィルタ２３ａ、バルブ２４ａ、バルブ２５ａ、バルブ２６ａが設けられる。バルブ２２ａは液体供給装置３と基板研磨装置内とを分離するための手動の供給元バルブで、装置内作業の際にライン供給を完全に閉止して安全を確保するために使用する。なお、液体供給装置３を基板研磨装置内に設ける場合、薬液用の配管３４２ａに手動の供給元バルブを追加してもよい。
　フィルタ２３ａは比較的大きなスクラッチなどを捕捉する。バルブ２４ａが開くことで液体供給装置３から研磨液などの液体が配管２１ａ内に導かれる 。バルブ２５ａは流量計と連動することにより液体の流量を調整する。バルブ２６ａはサックバックバルブであるのが望ましく、これを閉じることで配管２１ａの先端からの液だれを抑えて配管２１ａ内に液体を満たすことができる。
　配管２１ｂ，２１ｃも同様の構成である。また、配管２１ｄに設けられたバルブ２７ａ～２７ｃを介して配管２１ａ～２１ｃにそれぞれ純水を供給できるようになっている。バルブ２７ａ～２７ｃに隣接して逆止弁２８ａ～２８ｃがそれぞれ設けられ、液体供給装置３からの液体が配管２１ｄに逆流するのを防止する。
　液体供給装置３は、配管２１ａに対応して設けられる研磨液供給源３１ａと、薬液供給源３２ａと、純水供給源３３ａと、切り替え装置３４ａと、フィルタ３５ａと、制御部３６ａとを有する。なお、制御部３６ａは液体供給装置３内にあってもよいし基板研磨装置内にあってもよい。
　研磨液供給源３１ａおよび薬液供給源３２ａはそれぞれ研磨液および薬液を供給する。洗浄液として、配管２１ａ内の研磨液を洗浄できる液体、より具体的には配管２１ａ内に堆積した研磨液を溶かすことができる液体が研磨液に応じて適宜選択される。
　切り替え装置３４ａは研磨液、薬液および純水を切り替えて配管２１ａに供給するものであり、配管３４１ａ～３４３ａと、バルブ３４４ａ～３４６ａと、逆止弁３４７ａとを有する。配管３４１ａ～３４３ａは、一端が研磨液供給源３１ａ、薬液供給源３２ａおよび純水供給源３３ａにそれぞれ接続され、他端側で一箇所で合流するように構成される。バルブ３４４ａ～３４６ａは配管３４１ａ～３４３ａ上にそれぞれ設けられる。逆止弁３４７aは配管３４３ａに設けられる。
　バルブ３４４ａ～３４６ａは制御部３６ａによるエア駆動によって開閉制御される。制御部３６ａは、バルブ３４５ａまたはバルブ３４６ａが開いているときには、必ずバルブ３４４ａを閉じるよう制御するのが望ましい。薬液や純水が研磨液供給源３１ａに流れ込むのを防げるためである。また、逆止弁３４７ａによって研磨液や薬液が純水供給源３３ａに流れ込むのを防げる。
　また、液体供給装置３は、配管２１ｂに対応して研磨液供給源３１ｂと、薬液供給源３２ｂと、純水供給源３３ｂと、切り替え装置３４ｂと、フィルタ３５ｂと、制御部３６ｂとが設けられるが、配管２１ｃには研磨液供給源３１ｃのみが設けられる。このように、複数の配管２１ａ～２１ｃのうちの一部のみに薬液供給源３２ａ，３２ｂなどを設けてもよいし、別の態様としてすべての配管２１ａ～２１ｃに薬液供給源などを設けてもよい。
　以上のような基板研磨装置において、基板研磨を行う際には、制御部３６ａがバルブ３４４ａを開き、バルブ３４５ａ，３４６ａを閉じる。また、制御部３６ｂがバルブ３４４ｂを開き、バルブ３４５ｂ，３４６ｂを閉じる。そして、バルブ２４ａ～２４ｃが開かれる。これにより、研磨液供給源３１ａ～３１ｃから配管２１ａ～２１ｃをそれぞれ介して基板研磨機構１のノズル１４に研磨液が伝搬され、さらにノズル１４から研磨テーブル１３に研磨液が供給される。
　また、配管洗浄は薬液供給、純水供給、浸漬のステップと時間を任意に組合せて設定できる。その一例として配管２１ａの洗浄は次のようにして行われる。
　図３は、配管洗浄の手順を示すフローチャートである。まず、ノズル１４が退避位置に移動し、研磨テーブル１３上から退避させる（ステップＳ１）。これにより、仮に洗浄中にノズル１４の先端から薬液などの液体が垂れたとしても、研磨パッド１３ａ上には垂れない。
　次いで、制御部３６ａがバルブ３４５ａを開き、薬液を配管２１ａに供給する（ステップＳ２）。そして、バルブ２４ａを閉じることで、配管２１ａ内に薬液が満たされ、配管２１ａが先端まで薬液で浸漬される（ステップＳ３）。薬液の供給量および配管２１ａを薬液で浸漬する時間は固定値であってもよいが、任意に設定できるのが望ましい。配管２１ａを薬液で浸漬することで配管２１ａ内に堆積した研磨液が溶け、研磨液の凝集を抑えられる。
　所定時間が経過すると、薬液を配管２１ａから排出するためにバルブ２４ａを開くと共に、制御部３６ａがバルブ３４６ａを開き、純水を配管２１ａに供給してリンスする（ステップＳ４）。この動作はフラッシングとも呼ばれ、先立って供給された薬液が洗い流される。純水の供給量および配管２１ａに純水を供給する時間は固定値であってもよいが、任意に設定できるのが望ましい。以上の薬液供給および純水供給を所定回繰り返す（ステップＳ５）。繰り返す回数も固定値であってもよいが、任意に設定できるのが望ましい。
　なお、配管２１ｂの洗浄も同様に行うことができる。配管２１ａと配管２１ｂとを同時に洗浄してもよいし、個別に洗浄してもよい。
　このように、本実施形態では、研磨液を供給するノズル１４に連通した配管２１ａ，２１ｂに薬液および純水を供給する。そのため、配管２１ａ，２１ｂ内に研磨液が凝集するのを抑えることができる。
　図４は、図１の変形例である基板研磨装置の概略構成を示す図である。図１との相違点として、液体供給装置３’は１つずつの薬液供給源３２および純水供給源３３を備えている。また、切り替え装置３４は、薬液供給源３２および純水供給源３３にそれぞれ対応して設けられて制御部３６によって制御されるバルブ３４５，３４６と、研磨液供給源３１ａ～３１ｃにそれぞれ対応して設けられて制御部３６ａ～３６ｃによって制御されるバルブ３４４ａ～３４４ｃとを有する。
　そして、薬液供給源３２および純水供給源３３にそれぞれ接続された配管３７，３８を配管２１ａ～２１ｃのうちの洗浄対象とするものに切り替えて接続できるようになっている。このようにすることで、簡略な液体供給装置３’で複数の配管２１ａ～２１ｃを洗浄できる。
　なお、上述した実施形態では、基板研磨機構１が１つのノズル１４を有する例を示したが、複数のノズル１４を有してもよい。この場合、あるノズル１４に連通した配管を洗浄しつつ、他のノズル１４で基板研磨を行うことができ、効率的である。また、基板研磨と洗浄とを順に繰り返すことで、常に正常な状態で基板研磨を行うことができる。
　上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。
１　基板研磨機構
１１　トップリング
１２　トップリングシャフト
１３　研磨テーブル
１３ａ　研磨パッド
１４　ノズル
２　研磨液伝搬機構
２１ａ～２１ｄ　配管
２２ａ～２２ｃ，２４ａ～２４ｃ，２５ａ～２５ｃ，２６ａ～２６ｃ，２７ａ～２７ｃ　バルブ
２３ａ～２３ｃ　フィルタ
２８ａ～２８ｃ　逆止弁
３　液体供給装置
３１ａ～３１ｃ　研磨液供給源
３２，３２ａ，３２ｂ　薬液供給源
３３，３３ａ，３３ｂ　純水供給源
３４，３４ａ，３４ｂ　切り替え装置
３４１ａ～３４３ａ　配管
３４４ａ～３４６ａ　バルブ
３４７ａ　逆止弁
３５ａ，３５ｂ　フィルタ
３６ａ，３６ｂ　制御部
３７，３８　配管

Claims (8)

  1. 　研磨テーブルと、
    　前記研磨テーブルに研磨液を供給可能なノズルと、
    　前記ノズルと連通する配管と、
    　前記配管に前記研磨液、薬液および純水を切り替えて供給する切り替え装置と、を備える基板研磨装置。
  2. 　前記配管に設けられ、前記配管を前記薬液で浸漬させるためのバルブを備える、請求項１に記載の基板研磨装置。
  3. 　基板研磨装置用の液体供給装置であって、
    　前記基板研磨装置における研磨テーブルに研磨液を供給可能なノズルと連通する配管に、前記研磨液、薬液および純水を切り替えて供給する切り替え装置を備える、液体供給装置。
  4. 基板研磨装置の洗浄方法であって、
    　基板研磨装置における研磨テーブルに研磨液を供給可能なノズルと連通する配管に薬液を供給し、
    　その後、前記配管に純水を供給する、洗浄方法。
  5. 　前記ノズルを前記研磨テーブル上から退避させた上で、前記配管に前記薬液を供給する、請求項４に記載の洗浄方法。
  6. 　前記配管に前記薬液を供給して、前記配管を前記薬液で浸漬させる、請求項４に記載の洗浄方法。
  7. 　前記配管を前記薬液で浸漬させる時間を設定可能である、請求項６に記載の洗浄方法。
  8. 　前記薬液および／または前記純水の供給時間を設定可能である、請求項４に記載の洗浄方法。
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