JP2001077060A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JP2001077060A
JP2001077060A JP25456599A JP25456599A JP2001077060A JP 2001077060 A JP2001077060 A JP 2001077060A JP 25456599 A JP25456599 A JP 25456599A JP 25456599 A JP25456599 A JP 25456599A JP 2001077060 A JP2001077060 A JP 2001077060A
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polishing pad
viscosity
polishing
cmp
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Naoto Miyashita
直人 宮下
Takeshi Nishioka
岳 西岡
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 “スクラッチング”の増加を抑制しつつ、
“ディッシング”を抑制できる半導体装置の製造方法を
提供をすること。 【解決手段】 溶媒(無機系アルカリ水溶液)、および
この溶媒に混合された砥粒(コロイダルシリカ)、およ
び粘度を可変とする添加剤(ヒドロキシセルロース)を
含むスラリー20を研磨パッド13に供給して、研磨パ
ッド13の表層部をスラリー20により浸す。次に、研
磨パッド13に粘度調節剤(純水)30を供給し、スラ
リー20をゲル化させるとともに、研磨パッド13の表
層部を硬質化させる。この後、ウェーハ12の被研磨面
を、ゲル化されたスラリー20および研磨パッド13の
硬質化された表層部により化学的機械研磨する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に係わり、特に化学的機械研磨に関する。
【0002】
【従来の技術】化学的機械研磨(Chemical Mechanical
Polishing、以下CMP)は、層間絶縁膜、金属配線、
および素子分離用のトレンチに充填されたポリシリコン
等の平坦化に用いられている。
【0003】CMPを用いて、ポリシリコンを平坦化す
る場合、平坦化後に研磨の進行を止める目的で、二酸化
シリコンや窒化シリコンからなるストッパ膜を使用す
る。この場合、ストッパ膜に比べて、ポリシリコンを選
択的に研磨することが必要である。
【0004】しかし、CMPは、スラリーの化学的作用
と砥粒の機械的作用との複合作用によって研磨/エッチ
ングするために、研磨条件の選び方によっては、“ディ
ッシング”が発生してしまう。“ディッシング”とは、
図19に示すように、研磨後にトレンチ100に埋め込
まれたポリシリコン101の上部に窪み102ができる
ことであり、素子の特性不良、素子歩留りの低下、およ
び素子の信頼性の低下の一因である。
【0005】特に“ディッシング”は、幅の異なるトレ
ンチを同時にポリシリコン等で埋め込むとき、幅の広い
(最も幅の狭いトレンチに比べて20倍以上)トレンチ
で顕著に現れる。“ディッシング”は研磨パッドの変形
や、ポリシリコンとストッパ膜との研磨レートの差によ
り起こると考えられており、たとえば弾性率の高い研磨
パッドや、固定砥粒型の砥石を用いることで改善するこ
とが可能である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、弾性率の高い
研磨パッドや、固定砥粒型の砥石は硬いため、CMP
時、一部の砥粒に荷重が集中してしまい、半導体装置の
被研磨面に“スクラッチング”が増加し易くなることが
分かっている。“スクラッチング”とは、図20に示す
ように、半導体装置の被研磨面103にキズ(スクラッ
チ)104が付くことであり、“ディッシング”同様、
素子の特性不良、素子歩留りの低下、および素子の信頼
性の低下の一因である。
【0007】このように硬い研磨パッドを用いること
は、“ディッシング”を抑制できるものの、“スクラッ
チング”が増加し易くなることから、半導体装置の研磨
に適していない、とされている。
【0008】この発明は、上記事情に鑑みて為されたも
ので、その目的は、“スクラッチング”の増加を抑制し
つつ、“ディッシング”を抑制できる半導体装置の製造
方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明に係る半導体装置の製造方法は、溶媒、お
よびこの溶媒に混合された砥粒および粘度を可変とする
添加剤を含むスラリーを研磨パッドに供給し、前記研磨
パッドの表層部を前記スラリーにより浸す工程と、前記
スラリーの粘度を上昇させる粘度調節剤を前記研磨パッ
ドに供給し、前記スラリーの粘度を上昇させるととも
に、前記スラリーにより浸された前記研磨パッドの表層
部を所定の硬度に硬質化させる工程と、半導体装置の被
研磨面を、前記粘度が上昇したスラリーおよび前記研磨
パッドの硬質化された表層部により化学的機械研磨する
工程とを具備することを特徴としている。
【0010】上記構成を有する半導体装置の製造方法に
よれば、半導体装置の被研磨面を、研磨パッドの硬質化
された表層部により化学的機械研磨するので、研磨パッ
ドが変形し難くなり、“ディッシング”が抑制される。
【0011】また、半導体装置の被研磨面を、粘度が上
昇したスラリーにより化学的機械研磨するので、被研磨
面が平坦になった後、研磨パッドは、スラリーの層でス
リップし、被研磨面に接触し難くなる。このため、被研
磨面が平坦になった後に、化学的機械研磨の進行が抑制
され、この結果、“ディッシング”が抑制される。
【0012】また、被研磨面が平坦になった後に、化学
的機械研磨の進行が抑制されるので、被研磨面に発生す
る“スクラッチング”の増加も抑制される。
【0013】さらにスラリーの粘度は、粘度調節剤を研
磨パッドに供給することで、研磨パッド上で上昇され
る。このため、研磨パッドの表層部が、半導体装置の被
研磨面のうねりに合わせて変形した状態で、上記表層部
を硬質化することが可能である。研磨パッドの表層部
を、半導体装置の被研磨面のうねりに合わせて変形した
状態で硬質化すれば、グローバルな平坦性を向上させる
ことも、可能になる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を図
面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわた
り、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【0015】まず、図1を参照して、CMPに用いられ
るCMP装置の概要から説明する。
【0016】図1は、この発明の一実施形態に係るCM
Pに用いたCMP装置を概略的に示した図である。
【0017】図1に示すように、ウェーハキャリア11
は、ウェーハ12を保持する。ウェーハ12は、その被
研磨面を研磨パッド13に対向させてウェーハキャリア
11に保持される。研磨パッド13は、回転テーブル1
4上に取り付けられている。この発明においては、研磨
パッド13には、従来から用いられているものを使用す
ることができ、たとえばポリウレタン等から成る発泡体
や、ポリエステル繊維等から成る不織布、あるいはこれ
らの積層構造等を好ましく用いることができる。
【0018】回転テーブル14の上方には、薬液供給部
15が設けられている。薬液供給部15は、スラリー等
の薬液を研磨パッド13に供給する。この発明において
は、薬液として、溶媒、およびこの溶媒に混合された砥
粒および粘度を可変とする添加剤を含むスラリー、およ
びこのスラリーの粘度を調節する粘度調節剤がそれぞれ
用いられる。
【0019】コンディショナー16は研磨終了後に、研
磨により摩耗、あるいは目詰まりした研磨パッド13を
コンディショニングし、再生させるために用いられる。
【0020】以上がCMP装置の概要である。
【0021】次に、この発明の一実施形態に係るCMP
を、より詳細に説明する。
【0022】図2〜図5はそれぞれ、この発明の一実施
形態に係るCMPの主要な工程を示した図である。
【0023】まず、図2に示すように、研磨パッド13
を回転テーブル14に取り付け、ウェーハ12をウェー
ハキャリア11に保持させる。次いで、回転テーブル1
4を図中の矢印に示すように回転させる。次いで、薬液
供給部15のスラリー槽17とノズル18とを互いに接
続するバルブ19を開け、スラリー20を研磨パッド1
3に供給する。スラリー20は、砥粒としてコロイダル
シリカを分散させた無機系アルカリ水溶液に、粘度を可
変とする添加剤として水溶性高分子剤をさらに添加した
ものである。無機系アルカリ水溶液の一例はアンモニア
水溶液であり、水溶性高分子剤の一例はヒドロキシセル
ロースである。
【0024】次に、スラリー20が研磨パッド13全体
上に広がり、研磨パッド13の表層部がスラリー20に
より浸された後、ウェーハキャリア11を研磨パッド1
3の上方に移動、そして降下させる。これにより、ウェ
ーハ12の被研磨面は、スラリー20、およびスラリー
20により浸された研磨パッド13に接触される。図2
中の破線枠6A内の拡大図を図6(A)に示す。
【0025】図6(A)に示すように、ウェーハ12内
にはトレンチ21が複数形成されており、複数のトレン
チ21はそれぞれポリシリコン膜22により埋め込まれ
ている。また、トレンチ21を埋め込んだポリシリコン
膜22の表面、即ち被研磨面23は段差を持つ。被研磨
面23と研磨パッド13との間にはスラリー20による
層が存在する、と考えることができる。図6(A)中の
破線枠6B内の拡大図を図6(B)に示す。
【0026】図6(B)に示すように、研磨パッド13
は、繊維間に生じた微小な空間、または同図に示すよう
に無数の微小気泡24を有している。スラリー20は、
微小気泡24を介して研磨パッド13内に染み込み、こ
れにより、研磨パッド13の表層部13’はスラリー2
0により浸される。なお、同図中、参照符号25は、砥
粒としてスラリー20に含ませたコロイダルシリカを示
している。
【0027】図10はスラリー20の特性を示す図で、
特にスラリー20中のアルカリ濃度とその粘度との関
係、およびスラリー20中のアルカリ濃度とそのペーハ
ーとの関係が示されている。
【0028】図2、図6(A)および図6(B)それぞ
れに示す段階でのスラリー20のアルカリ濃度は、図1
0に示される約0.5(wt%)を超える値に調整され
ている。そのペーハー(pH)は約10を超える。ま
た、その粘度は約20(mPa・s)であり、滑らかな
状態にある。
【0029】次に、図3に示すように、薬液供給部15
の粘度調節剤槽27とノズル28とを互いに接続してい
るバルブ29を開け、粘度調節剤30を研磨パッド13
に供給する。粘度調節剤30の一例は純水である。スラ
リー20のアルカリ濃度は、研磨パッド13上で、粘度
調節剤30によって約0.5(wt%)以下に希釈され
る。この結果、そのペーハー(pH)は、図10に示す
ように約10以下となる。また、その粘度は約20(m
Pa・s)から、300〜10000(mPa・s)に
上昇する。これにより、スラリー20は、滑らかな状態
から粘りのある状態に変化する。これは、スラリー20
に含ませた高分子剤がゲル化するためと考えられる。特
にスラリー20のアルカリ濃度が0.25(wt%)の
とき、その粘度は10000(mPa・s)程度に急上
昇する。この後、アルカリ濃度が低下するに連れて、そ
の粘度は低下する。これは、ゲル化した高分子剤が凝集
し、分離するためと考えられる。
【0030】図3中の破線枠7Aの拡大図を図7(A)
に、図7(A)中の破線枠7B内の拡大図を図7(B)
にそれぞれ示す。
【0031】図7(A)および図7(B)に示すよう
に、スラリー20は、希釈されることによってゲル化さ
れる。これとともに研磨パッド13の表層部13’は、
スラリー20がゲル化されることで、所定の硬度に硬質
化される。たとえばスラリー20がゲル化する前の研磨
パッド13の硬度は、“約55”(シェアD硬度)であ
る。これに対し、スラリー20がゲル化した後の研磨パ
ッド13の硬度は、上記“約55”を超える硬度に硬質
化される。
【0032】なお、図3においては、スラリー20の供
給が停止されているが、スラリー20を研磨パッド13
に供給しながら、粘度調節剤30を研磨パッド13に供
給するようにしても良い。
【0033】次に、図4に示すように、ウェーハキャリ
ア11に荷重を掛け、ウェーハ12の被研磨面を、粘度
が上昇したスラリー20および研磨パッド13の硬質化
された表層部13’を用いてCMPする。図4中の破線
枠8内の拡大図を、図8(A)、図8(B)にそれぞれ
示す。図8(A)は、CMP初期〜CMP中期の状態を
示しており、図8(B)はCMP終期の状態を示してい
る。
【0034】図8(A)〜図8(B)に示すように、C
MP初期〜CMP中期にかけては、ウェーハ12の被研
磨面23の凸部が重点的にCMPされ、CMP終期にお
いては、被研磨面23は平坦となる。
【0035】なお、図4においては、スラリー20、お
よび粘度調節剤30の供給がそれぞれ停止されている
が、スラリー20、および粘度調節剤30の少なくとも
一方を研磨パッド13に供給しながらCMPを行っても
良い。
【0036】この後、図5に示すように、CMPが終了
したウェーハ12を研磨パッド13から離す。次いで、
コンディショナー16を用いて、研磨パッド13をコン
ディショニングする。図5中の破線枠9内の拡大図を図
9に示す。
【0037】図9に示すように、この発明におけるコン
ディショニングは、硬質化された表層部13’を除去す
るように行われる。コンディショニングは、たとえばブ
ラシ、ダイヤモンドドレス、高圧水のいずれかの方法を
用いることにより行われる。このように硬質化された表
層部13’を除去することで、研磨パッド13の表面に
は、研磨パッド13のうち、硬質化されていない部分が
露出する。これにより、研磨パッド13は再生され、上
述したCMPを再度行うことができる。図9中、参照符
号34は、研磨パッド13の再生面を示している。
【0038】以上のようにして、この発明の一実施形態
に係るCMPが終了する。
【0039】次に、この発明の効果を説明する。
【0040】図11は実験に使用したウェーハの概要を
示した断面図である。
【0041】図11に示すように、実験に使用したウェ
ーハには、幅0.7μm、長さ5μmのトレンチと、
幅、長さともに30μm、45μm、55μm、70μ
m、100μmのトレンチとをそれぞれ同一平面上に形
成し、これらトレンチを、LP−CVD法を用いて堆積
されたポリシリコンで埋め込んだものを使用した。ディ
ッシング量は、市販の触針式段差計で測定した。トレン
チ幅とディッシング量との関係を図12に示す。
【0042】図12に示す“1液プロセス”は、スラリ
ーとして、コロイダルシリカを分散させた無機系アルカ
リ水溶液のみを用いた場合、即ち従来であり、“2液プ
ロセス”は、上記一実施形態により説明したように、コ
ロイダルシリカを分散させた無機系アルカリ水溶液にヒ
ドロキシセルロースを添加し、かつ研磨パッド13上で
純水により希釈した場合ある。
【0043】図12に示すように、“1液プロセス”で
は、トレンチ幅が50μm以上になると、500(n
m)程度のディッシング量を発生したが、“2液プロセ
ス”では、トレンチ幅が100μmでも、ディッシング
量は100(nm)程度に抑制された。
【0044】このように上記一実施形態によれば“ディ
ッシング”を大幅に抑制することができた。この理由と
しては、次のようなことが考える。
【0045】まず、図8(A)に示すように、CMP初
期からCMP中期にかけては、被研磨面23の凸部が、
スラリー20および研磨パッド13によって重点的にC
MPされる。
【0046】このとき、この発明では、研磨パッド13
の表層部13’が硬質化されているる。このため、研磨
パッド13の研磨面33は、表層部を硬質化しない従来
に比べて、変形し難くなっている、と考えることができ
る。
【0047】特に破線枠31内に示されるように、幅の
広いトレンチ21上の凹部32に対向する部分におい
て、研磨パッド13の研磨面33の変形は、従来に比べ
て抑制される。これにより、特に研磨パッド13の研磨
面33の変形に起因した“ディッシング”が抑制されて
いる、と考えられる。
【0048】また、“ディッシング”の抑制には、次の
ようなことも関係している、と考えられる。
【0049】図8(B)に示すように、CMP終期で
は、被研磨面23は平坦となる。この結果、平坦な被研
磨面23と研磨面33との間には、スラリー20の層が
生じた状態となる。被研磨面23と研磨面33とによっ
て挟まれたスラリー20の層はせん断を受ける。せん断
を受けたスラリー20の層には圧力が発生する。この圧
力は、スラリー20の粘度が水と同程度の粘度(数mP
a・s)であれば小さい。圧力が小さい、ということ
は、スラリー20の層が大きく変形することを意味す
る。スラリー20の層が大きく変形すれば、研磨面33
が被研磨面23に接触し易い状況になる。
【0050】しかし、この発明では、スラリー20の粘
度が、たとえば100mPa・s以上である。スラリー
20の粘度が、たとえば100mPa・s以上になる
と、スラリー20の層に発生する圧力は大きくなる。圧
力が大きくなる、ということは、スラリー20が変形し
難くなっていることを意味する。これは、研磨面33
が、スラリー20の層上でスリップしている、と考える
ことができる。特にこの現象は、被研磨面23が平坦で
あるほど、顕著に発生する。
【0051】(参考文献:T. Nishioka, et al., Proc.
of Internal Interconnect Technology Conf., p89(199
9)) このようにスラリー20の層が生じ、かつ研磨面33が
スラリー20の層上でスリップするようになれば、研磨
面33は、被研磨面23に接触し難くなる。研磨面33
が被研磨面23に接触し難くなれば、それ以上の研磨の
進行が抑制される、と考えることができる。このように
研磨の進行が抑制されることでも、“ディッシング”が
抑制される、と考えることができる。
【0052】さらにCMP終期において、研磨面33が
被研磨面23に接触し難くなることで、被研磨面23に
発生する“スクラッチング”の増加を抑制することがで
きる。
【0053】これらの効果を、より良く得るためには、
調節後のスラリー20の粘度を、大きくすることが望ま
しい。
【0054】たとえば図10に示した、ヒドロキシセル
ロースを添加した無機系アルカリ水溶液(アンモニア水
溶液)の場合には、調節前のスラリー20のアルカリ濃
度を0.5(wt%)以上としておく(ペーハー=約1
0.2以上)。そして、スラリー20のアルカリ濃度を
0.25(wt%)以下となるように調節する(ペーハ
ー=約10以下)ことが望ましい。
【0055】また、この発明では、スラリーの粘度を、
研磨パッド13上で変化させる。これによれば、通常の
研磨パッドに比べて弾性率が高い研磨パッドや、固定砥
粒型の砥石に比べて、次のような効果を得ることができ
る。
【0056】図13(A)〜図13(C)は固定砥粒型
の砥石と、うねりを有するウェーハとの関係を示す図、
図14(A)〜図14(C)はこの発明の一実施形態に
係るCMPにおける研磨パッドと、うねりを有するウェ
ーハとの関係を示す図である。
【0057】図13(A)、図14(A)に示すよう
に、ウェーハ12は、実際には平坦ではなく、微小なう
ねりを有するのが通常である。
【0058】このようにうねりを有するウェーハ12
を、弾性率が高い研磨パッドや、図13(B)に示す固
定砥粒型の砥石113に接触させた場合、うねりにより
生じたウェーハ12の凸部が砥石113に接触する。砥
石113や弾性率が高い研磨パッドは硬いために変形し
難い。このまま、CMPを行うと、図13(C)に示す
ように、うねりにより生じたウェーハ12の凸部が、大
きくCMPされ、グローバルなオーバーポリッシングを
発生させてしまう。
【0059】これに対し、この発明の一実施形態に係る
CMPにおける研磨パッド13は、粘度調節剤を供給す
る以前は、通常の研磨パッドと同様に軟らかい状態にあ
る。このため、図14(B)に示すように、うねりを有
するウェーハ12を研磨パッド13に接触させたとき、
ウェーハ12のうねりに合致するように変形する。たと
えば研磨パッド13は、うねりにより生じたウェーハ1
2の凸部が、研磨パッド13やウェーハ12の回転によ
り描く軌跡に合わせて変形する。
【0060】研磨パッド13がウェーハ12のうねりに
合致するように変形した後、研磨パッド13に粘度調節
剤を供給し、研磨パッド13の表層部を所定の硬度に硬
質化する。これにより、研磨パッド13は、ウェーハ1
2のうねりに合致するように変形した状態で、その表層
部が所定の硬度に硬質化される。
【0061】また、表層部の硬度は、CMP中に粘度調
節剤を供給することで、CMPの最中でも所定の硬度
(あるいは軟らかさ)を保つ、あるいは調節することが
可能なので、回転中も常にウェーハ12のうねりに研磨
パッド13を合致させることが可能である。よって、図
14(C)に示すように、図13(C)に示す場合に比
べて、うねりにより生じたウェーハ12の凸部が大きく
CMPされてしまうことが抑制される。
【0062】このように、この発明では、通常の研磨パ
ッドに比べて弾性率が高い研磨パッドや、固定砥粒型の
砥石に比べて、“スクラッチング”の増加を抑制できる
だけでなく、グローバルなオーバーポリッシング等の発
生を抑制でき、グローバルな平坦性を向上できる、とい
う効果をさらに得ることができる。
【0063】また、研磨パッド13が、スラリー20の
層上でスリップすることによれば、構造的な強度が低い
箇所においても、CMPが可能となる、という効果を得
ることができる。
【0064】構造的な強度が低い箇所の一例は、層間絶
縁膜として低誘電率絶縁膜を用いた場合のダマシン構造
である。低誘電率絶縁膜とは、層間絶縁膜として一般的
であるCVD法により堆積した二酸化シリコン膜(以下
CVD−SiO2)の誘電率よりも、誘電率を低くできる
絶縁膜を指す。具体的な例としては、SOG(Spin On
glass)と呼ばれる回転塗布法により塗布された二酸化
シリコン膜(以下SOG−SiO2)や、ポリイミドな
どである。SOG−SiO2の誘電率は約2.9程度、
ポリイミドの誘電率は約3.4程度にすることが可能
で、それぞれCVD−SiO2の誘電率(約4.1)よ
りも低くなる。SOG−SiO2やポリイミドは、CV
D−SiO2よりも強度が低い。よって、これら低誘電
率絶縁膜を、層間絶縁膜として用いたダマシン構造は強
度が低くなる。このため、従来のCMPでは、低誘電率
絶縁膜中に形成されたワイヤリングトレンチに埋め込ま
れた金属配線がゆがんでしまう、ことがある。
【0065】これに対し、上記一実施形態に係るCMP
によれば、被研磨面23が平坦になった後、研磨パッド
13がスラリー20の層上でスリップするので、被研磨
面23に加わる力が減少する。このため、金属配線のゆ
がみの発生を抑制することができる。
【0066】このように、この発明では、構造的な強度
が低い箇所においても、CMPが可能になる、という効
果を得ることができる。
【0067】次に、この発明のいくつかの変形例を説明
する。
【0068】まず、“シンニング”の抑制について説明
する。
【0069】“シンニング”とは、図15に示すよう
に、たとえばストッパ膜41が削られてしまう現象であ
る。ストッパ膜41が削られて消失してしまえば、CM
Pによる加工精度が著しく損なわれてしまう。
【0070】図16は、上記一実施形態に係るCMPに
おけるシリカ粒子濃度と窒化シリコンのシンニング量と
の関係を示す図である。
【0071】図16に示すように、砥粒であるシリカ粒
子の濃度を低くすることによって、窒化シリコン(スト
ッパ膜)のシンニング量は減少する傾向が確認された。
【0072】実際には、シリカ粒子濃度は、シンニング
量の許容範囲によって調整されるが、たとえば許容範囲
が20(nm)程度である場合には、シリカ粒子濃度
は、8(wt%)以下にすることが望ましい。
【0073】次に、研磨速度および面内均一性について
説明する。
【0074】図17は、荷重と研磨速度との関係および
荷重と面内均一性との関係を示す図である。
【0075】図17に示すように、ウェーハ12に掛け
る荷重を増加させることによって研磨速度は向上し、か
つ面内均一性も向上する傾向が確認された。
【0076】図17に示す結果から、ウェーハ12に掛
ける荷重は、約300(g/cm2)程度が好ましい。
【0077】次に、スラリーについて説明する。
【0078】上記一実施形態では、溶媒として無機系ア
ルカリ水溶液を使用した。しかし、溶媒としては、有機
系アルカリ水溶液においても、同様の現象が確認され
た。
【0079】図18(A)は、有機系アルカリ水溶液の
特性を示す図である。
【0080】図18(A)に示すように、ヒドロキシセ
ルロースを添加した有機系アルカリ水溶液の場合におい
ても、アルカリ濃度が約1(wt%)以下になると、粘
度が急上昇する傾向が確認された。なお、有機系アルカ
リ水溶液は、トリエタノールアミン水溶液である。図1
8(A)に示す傾向は、図10に示した傾向と同様の傾
向である。したがって、スラリーとして、砥粒および粘
度を可変とするための添加剤を含んだ有機系アルカリ水
溶液を用いた場合でも、上記一実施形態と同様の効果を
得ることができる。
【0081】図18(B)は、純水による希釈倍率とペ
ーハーとの関係を示す図である。
【0082】図18(B)には、それぞれ3%、5%、
10%有機アルカリ(トリエタノールアミン)、0.5
0%、0.75%、1.25%アンモニアの6種類の水
溶液と、純水による希釈倍率との関係が示されている。
なお、コロイダルシリカとヒドロキシセルロースの濃度
は、それぞれ10(wt%)、0.25(wt%)とし
た。
【0083】図18(B)に示すように、純水で希釈す
ることにより、ペーハーは減少し、10倍以上希釈した
場合には、ペーハーは10程度に低下する傾向が確認さ
れた。
【0084】このようにアルカリの濃度を変化させた場
合でも、図10や図18(A)に示す傾向と同様な傾向
を示す。よって、アルカリの濃度は、プロセスに応じて
様々に変形することが可能である。
【0085】また、ヒドロキシセルロースが添加された
無機系アルカリ水溶液、およびヒドロキシセルロースが
添加された有機系アルカリ水溶液に限らず、図10や図
18(A)に示す傾向を示すようなスラリーであれば、
この発明に係るCMPに用いることができる。
【0086】たとえば上記一実施形態では、ポリシリコ
ンをCMPしたために、アルカリ性溶媒を使用したが、
酸性溶媒を使用することもできる。酸性溶媒は、主とし
て金属、たとえばアルミニウム等をCMPする場合に使
用される。酸性溶媒を使用した場合でも、図10や図1
8(A)に示す傾向を示すようなスラリーであれば、こ
の発明に係るCMPに用いることができる。
【0087】なお、アルカリ性の溶媒は上記ポリシリコ
ンの他、SOG−SiO2等の低誘電率絶縁物をCMP
する時に有効である。
【0088】また、上記一実施形態では、粘度を可変と
するための添加剤としてセルロース類(ヒドロキシセル
ロース)を使用した。しかし、粘度を可変とするための
添加剤としては、上記セルロース類の他に、水溶性高分
子剤、多糖類、および界面活性剤などを用いることがで
きる。
【0089】使用可能なセルロース類の具体例として
は、上記ヒドロキシセルロースの他、メチルセルロース
などがある。
【0090】また、使用可能な水溶性高分子剤の具体例
としては、ポリビニルピロリドン(PVP)、ポリビニ
ルアルコール(PVA)、ポリスター、ハイセットなど
がある。
【0091】また、使用可能な多糖類の具体例として
は、セルデックス、キトサン、プルランなどがある。
【0092】また、使用可能な界面活性剤の具体例とし
ては、テクスノール、ニューコールなどがある。
【0093】さらに、砥粒としてコロイダルシリカを例
示したが、その他の砥粒を用いることも可能である。
【0094】使用可能な砥粒の具体例としては、窒化シ
リコンがある。窒化シリコンを砥粒に用いたスラリーの
一例は、無水マレイン酸にポリビニルピロリドンを混合
したものである。
【0095】このように溶媒としての無水マレイン酸
に、砥粒として窒化シリコン粒子、および粘度を可変と
する添加剤としてポリビニルピロリドンを混合したスラ
リーにおいても、上記一実施形態と同様の効果を得るこ
とができる。
【0096】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
“スクラッチング”の増加を抑制しつつ、“ディッシン
グ”を抑制できる半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明の一実施形態に係るCMPに用
いたCMP装置を示す図。
【図2】図2はこの発明の一実施形態に係るCMPの主
要な工程を示す図。
【図3】図3はこの発明の一実施形態に係るCMPの主
要な工程を示す図。
【図4】図4はこの発明の一実施形態に係るCMPの主
要な工程を示す図。
【図5】図5はこの発明の一実施形態に係るCMPの主
要な工程を示す図。
【図6】図6(A)は図2中の破線枠6A内を拡大した
拡大図、図6(B)は図6(A)中の破線枠6B内を拡
大した拡大図。
【図7】図7(A)は図3中の破線枠7A内を拡大した
拡大図、図7(B)は図7(A)中の破線枠7B内を拡
大した拡大図。
【図8】図8(A)は図4中の破線枠8内を拡大した拡
大図(CMP初期〜CMP中期)、図8(B)は図4中
の破線枠8内を拡大した拡大図(CMP中期〜CMP終
期)。
【図9】図9は図5中の破線枠9内を拡大した拡大図。
【図10】図10はスラリー中のアルカリ濃度とスラリ
ーの粘度との関係、およびスラリー中のアルカリ濃度と
スラリーのペーハーとの関係を示す図。
【図11】図11は実験に使用した段差パターンを持つ
ウェーハの概要を示す断面図。
【図12】図12はトレンチ幅とディッシング量との関
係を示す図。
【図13】図13(A)〜図13(C)はそれぞれ固定
砥粒型の砥石とウェーハのうねりとの関係を示す図。
【図14】図14(A)〜図14(C)はそれぞれこの
発明の一実施形態に係るCMPにおける研磨パッドとウ
ェーハのうねりとの関係を示す図。
【図15】図15は“シンニング”を説明するための断
面図。
【図16】図16はシリカ粒子濃度とシンニング量との
関係を示す図。
【図17】図17は荷重と研磨速度との関係および荷重
と面内均一性との関係を示す図。
【図18】図18(A)はスラリー中のアルカリ濃度と
スラリーの粘度との関係、およびスラリー中のアルカリ
濃度とスラリーのペーハーとの関係を示す図、図18
(B)は純水による希釈倍率とペーハーとの関係を示す
図。
【図19】図19は“ディッシング”を説明するための
断面図。
【図20】図20は“スクラッチング”を説明するため
の平面図。
【符号の説明】
11…ウェーハキャリア、 12…ウェーハ、 13…研磨パッド、 14…回転テーブル、 15…薬液供給部、 16…コンディショナー、 17…スラリー槽、 18…ノズル、 19…バルブ、 20…スラリー、 21…トレンチ、 22…ポリシリコン膜、 23…ウェーハの被研磨面、 24…微小気泡、 25…コロイダルシリカ、 27…粘度調節剤槽、 28…ノズル、 29…バルブ、 30…粘度調節剤、 32…凹部、 33…研磨パッドの研磨面、 34…研磨パッドの再生面、 41…ストッパ膜。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 溶媒、およびこの溶媒に混合された砥粒
    および粘度を可変とする添加剤を含むスラリーを研磨パ
    ッドに供給し、前記研磨パッドの表層部を前記スラリー
    により浸す工程と、 前記スラリーの粘度を上昇させる粘度調節剤を前記研磨
    パッドに供給し、前記スラリーの粘度を上昇させるとと
    もに、前記スラリーにより浸された前記研磨パッドの表
    層部を所定の硬度に硬質化させる工程と、 半導体装置の被研磨面を、前記粘度が上昇したスラリー
    および前記研磨パッドの硬質化された表層部により化学
    的機械研磨する工程とを具備することを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記添加剤は、少なくともセルロース
    類、多糖類、水溶性高分子および界面活性剤のいずれか
    であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の
    製造方法。
  3. 【請求項3】 前記粘度調節剤は、純水であることを特
    徴とする請求項1および請求項2いずれかに記載の半導
    体装置の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記溶媒は、アルカリ性溶媒であること
    を特徴とする請求項1乃至請求項3いずれか一項に記載
    の半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記溶媒は、酸性溶媒であることを特徴
    とする請求項1乃至請求項3いずれか一項に記載の半導
    体装置の製造方法。
  6. 【請求項6】 前記化学的機械研磨の終了後、前記研磨
    パッドの硬質化された表層部を除去する工程を、さらに
    具備することを特徴とする請求項1乃至請求項4いずれ
    か一項に記載の半導体装置の製造方法。
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