JP3575942B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造に際して、化学的機械研磨(Chemical Mechanical Polishing ;CMP)プロセスで使用される研磨方法に係り、特に研磨パッド上に研磨液を供給する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造に際して、多層配線プロセスにおける層間絶縁膜堆積後の平坦化、層間絶縁膜に開口されたホールに埋め込んだ金属膜の平坦化、トレンチに埋め込んだ絶縁膜の平坦化を行うために、CMPプロセスが採用されつつある。
【0003】
図4は、CMPプロセスで使用される従来のCMP装置の一例を概略的に示している。図4において、研磨プレート回転軸51により回転駆動される研磨プレート(定盤)52上に研磨布(研磨パッド)53が取り付けられている。研磨パッド53に対向するようにウエハ50をセットしたキャリア54がキャリア回転軸55に取り付けられている。そして、研磨パッド53上にスラリー供給ノズル56から研磨剤(研磨粒子を含む)を含む研磨液(スラリー)57を供給し、研磨圧力調整器58により研磨圧力を調整するように構成されている。
【0004】
ところで、前記したCMPプロセスにおいて最も問題となるのは、素子形成面を研磨した後に素子形成面に研磨粒子等がダストとして残ることである。
従来、上記したようなCMP後の素子形成面のダストを除去するためのウエハクリーニング方法としては、研磨粒子とウエハ表面のゼータ電位を制御する方法がある。例えば素子形成面の研磨後に研磨パッド上に界面活性剤を供給したり、素子形成面を洗浄する際にインライン洗浄ユニットに界面活性剤を供給する方法である。
【0005】
しかし、従来のウエハクリーニング方法は、複数のスラリーを研磨パッド上やインライン洗浄ユニットに供給するので、スラリー供給用配管の構造が複雑であり、且つ、加工点において複数のスラリーをブレンドする際に均一に混合することが困難である。
【0006】
さらに、前記界面活性剤の溶媒として、揮発性や酸化により変質し易い液体を使用する場合、界面活性剤供給ノズルの先端からの空気の混入等の影響により、プロセス進行過程で目的とする性能を得ることが困難である。
【0007】
一方、製造面からみると、前記したスラリー供給用配管のような複雑な配管構造を持つ装置は、コストが高くつくだけでなく、故障率が高くなり、しかも、研磨パッドの交換等のメインテナンス性の悪化をまねく。
【0008】
なお、特開平2−181924号公報には、シリカ粒子を含む水溶液で表面酸化膜を除去してからアミン水溶液でシリコン表面を研磨する技術が開示されている。また、特開平4−129664号公報には、素子形成面研磨中に研磨粒子の大きな研磨液、純水、研磨粒子の小さな研磨液の順に切り換える技術が開示されている。また、特開平7−221067号公報には、CMPに際して、スラリー溶液の粘度を混合器で調整して供給する技術が開示されている。また、特開平8−139060号公報には、金属膜用研磨液、純水、絶縁膜用研磨液の順に連続的に切り換えることにより、埋め込み接続孔を平坦化する技術が開示されている。
【0009】
しかし、上記各公知例には、素子形成面研磨中に適切な方法で薬液を使用することによって素子形成面研磨後に素子形成面に研磨粒子等がダストとして残ることを防止する技術は開示されていない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように従来の半導体ウエハの研磨方法は、CMPプロセスにおいて素子形成面研磨後に素子形成面にダストとして研磨粒子等を素子形成面研磨後に除去しており、これに伴う様々な問題があった。
【0011】
本発明は上記の問題点を解決すべくなされたもので、CMPプロセスにおける素子形成面研磨からインライン洗浄までの一連のシーケンスの途中で適切な方法で薬液を使用することによって素子形成面のダスト残りを簡単に除去し得る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ上の溝あるいは孔に埋め込まれた被研磨膜を研磨する際、少なくとも一部が前記半導体ウエハの素子形成面に対向する研磨パッド上に研磨液を供給して前記被研磨膜を研磨するステップと、前記被研磨膜の研磨が進み、前記被研磨膜の下地膜が露出する直前に、界面活性剤、セルロース、多糖類のいずれかを含む薬液を前記研磨液と混合して供給するステップと、前記下地膜が露出した時点で前記研磨液の供給を停止し、前記薬液の供給を継続するステップとを具備することを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は、本発明の半導体ウエハの研磨装置の第1の実施の形態を使用するシステムの構成概略的に示している。なお、以下の説明において、研磨剤の用語には研磨粒子を含む。
【0015】
1は研磨ゾーン、2はウエハクリーニングゾーン、3はウエハ搬送ゾーンである。前記研磨ゾーン1において、11はスラリー供給ノズル・混合ユニット、12は研磨部である。前記ウエハクリーニングゾーン2において、21はウエハデリバリーステーション、22はブラッシュステーション221およびリンス・スピン乾燥ステーション222を有するインライン洗浄ユニットである。前記ウエハ搬送ゾーン3において、31はウエハ送り込み搬送ステーション、32はウエハ受け取り搬送ステーションである。
【0016】
図2は、図1中の研磨ゾーン1を取り出して構成を概略的に示している。
研磨部12において、121は研磨プレート(ターンテーブル)であり、回転軸122に連結されて回転可能になっており、その上面には半導体ウエハの素子形成面研磨用の研磨パッド123が取り付けられている。前記研磨パッド123の上面の少なくとも一部に対向するように半導体ウエハ10をセットしたキャリア124がキャリア回転軸125に取り付けられて設けられている。通常、前記キャリア124およびキャリア回転軸125は、複数組設けられており、それぞれ半導体ウエハをセットした状態で研磨パッド123に対向して回転可能になっている。なお、125は研磨圧力調整器である。
【0017】
スラリー供給ノズル・混合ユニット11において、111は半導体ウエハの素子形成面研磨用の研磨液、素子形成面洗浄用の薬液、研磨パッド洗浄用の純水の通過あるいは混合が可能な混合タンクである。112は前記研磨パッド123上に研磨液113あるいは薬液あるいは混合液あるいは純水を供給するためのスラリー供給口であり、例えば前記混合タンクに連結されたノズルからなる。
【0018】
前記混合タンク111には、複数種類の研磨液および複数種類の薬液をそれぞれ所定のタイミングで供給するために複数のバルブ付き研磨液供給管およびバルブ付き薬液供給管が連結されている。
【0019】
本例では、上記複数のバルブ付き研磨液供給管として、第1の研磨液を供給するための第1の供給管、第2の研磨液を供給するための第2の供給管と、前記各供給管にそれぞれ対応して取り付けられている第1のバルブ141、第2のバルブ142が設けられている。また、前記複数のバルブ付き薬液供給管として、第1の薬液を供給するための第1の薬液供給管、第2の薬液を供給するための第2の薬液供給管と、前記各供給管にそれぞれ対応して取り付けられている第3のバルブ143、第4のバルブ144が設けられている。
【0020】
さらに、前記混合タンク111には、超純水(DIW)を供給するために純水供給管に第5のバルブ145が付加されたバルブ付き純水供給管が連結されている。
【0021】
そして、前記スラリー供給ノズル112に前記研磨液、薬液、混合液、超純水を所定のシーケンスで連続して供給するように前記第1のバルブ141〜第5のバルブ145を制御するための制御装置が設けられている。
【0022】
次に、図2の研磨装置を使用して実施する本発明の半導体ウエハの研磨方法の第1の実施の形態として、例えば図3(a)に示すように、半導体ウエハ40上に形成された酸化膜(例えばシリコン酸化膜)41の溝(トレンチ)に埋め込んだ被研磨膜(本例では多結晶シリコン膜42)を前記酸化膜をストッパ膜として研磨する際のシーケンスを説明する。
【0023】
(1)まず、図3(a)に示す多結晶シリコン膜42上の自然酸化膜43を除去するために、シリコン酸化膜41に対する研磨速度の速い第1の研磨液を第1のバルブ141の制御によって選択し、混合タンク111を介してスラリー供給ノズル112から研磨パッド123上に供給することにより、図3(b)に示すように前記自然酸化膜43を除去する。
【0024】
(2)前記自然酸化膜43を除去した後、前記第1のバルブ141の制御によって第1の研磨液の供給を停止し、多結晶シリコン膜42に対する研磨速度がシリコン酸化膜41に対する研磨速度よりも速い第2の研磨液(研磨剤として例えば有機アミンベースコロイダルシリカを使用する)を前記第2のバルブ142の制御によって選択し、混合タンク111を介してスラリー供給ノズル112から研磨パッド123上に供給することにより、多結晶シリコン膜42を研磨する。
【0025】
(3)前記多結晶シリコン膜42の研磨が進み、図3(c)に示すように前記ストッパ膜としてのシリコン酸化膜41が露出する直前に、前記第3のバルブ143の制御によって第1の薬液(界面活性剤もしくはセルロースもしくは多糖類)を選択することによって混合タンク111内で前記第2の研磨液と混合してスラリー供給ノズル112から前記研磨パッド123上に供給する。
【0026】
この際、スラリーの粘性が上がると同時に前記研磨パッド123の硬化が起きるので研磨速度は低下するが、トレンチ部へのディッシングは抑制することができる。
【0027】
(4)前記多結晶シリコン膜の研磨がさらに進み、図3(d)に示すように前記ストッパ膜としてのシリコン酸化膜41が露出した時点で、前記第2のバルブ142の制御によって第2の研磨液の供給を停止し、前記第1の薬液のみの供給を継続する。
【0028】
なお、前記第1の薬液として多糖類、例えばセルロースやプルランを使用する場合、それを溶解させるための溶媒としては、トリエタノールアミンが有効であり、第4のバルブ144の制御によってトリエタノールアミンを選択して混合タンク111内に供給する。上記トリエタノールアミンには電位制御の機能があり、特に、前記ストッパ膜の一部としてシリコン酸化膜41と同時にシリコンナイトライド膜が露出する場合には、シリコンナイトライド膜上のダスト吸着を防止する効果がある。
【0029】
また、前記素子形成面を研磨した後に素子形成面にマイクロスクラッチと呼ばれる微小な傷が残ることがあるが、この傷を除去するために、前記(3)のプロセスにおける第1の薬液と第2の研磨液との混合の初期の段階で、前記第2の研磨液中の研磨粒子に比べてさらに細かい研磨粒子を選択して混合タンク111内に供給し、前記第1の薬液に混合してスラリー供給ノズル112から前記研磨パッド123上に供給するようにしてもよい。
【0030】
(5)素子形成面の研磨が終了した後に、前記第3のバルブ143の制御によって第1の薬液の供給を停止し、第5のバルブ145の制御によって超純水を選択し、混合タンク111を介してスラリー供給ノズル112から前記研磨パッド123上に純水のみを供給することにより、前記研磨パッド123上の残存物を除去する。
【0031】
なお、前記シリコン酸化膜41に形成された孔(例えばコンタクトホール)に埋め込んだ被研磨膜を前記酸化膜をストッパ膜として研磨する際も同様のシーケンスを適用できる。
【0032】
また、研磨対象物が絶縁物の場合は、前記第2の研磨液は、研磨剤の溶剤として有機アルカリ溶液あるいは無機アルカリ溶液を使用するアルカリ性に調製したものを使用することが望ましい。この場合、前記第2の研磨液の溶剤中にはセルロース等の多糖類、水溶性高分子のいずれかを含むことが望ましく、本例では、前記第2の研磨液中の研磨剤として、有機アミンベースコロイダルシリカを使用している。
【0033】
これに対して、被研磨膜として金属膜を埋め込んだ後、シリコン酸化膜をストッパ膜として金属膜を研磨する場合には、前記第2の研磨液は、研磨剤の溶剤として酸性に調製したものを使用することが望ましい。
【0034】
【発明の効果】
上述したように本発明によれば、CMPプロセスにおけるウエハ面研磨からインライン洗浄までの一連のシーケンスの途中で適切な方法で薬液を使用することによってウエハ面のダスト残りを簡単に除去し得る半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体ウエハの研磨装置の第1の実施の形態を使用するシステムを概略的に示す構成説明図。
【図2】図1中の研磨ゾーンを取り出して構成の一例を概略的に示す断面図。
【図3】本発明の半導体ウエハの研磨方法の第1の実施の形態において研磨の対象となる半導体ウエハが研磨される過程の一例を断面図。
【図4】CMPプロセスで使用する従来のCMP装置の一例を概略的に示す構成説明図。
【符号の説明】
11…スラリー供給ノズル・混合ユニット、
111…混合タンク、
112…スラリー供給ノズル、
113…研磨液、
12…研磨部、
121…研磨テーブル、
123…研磨パッド、
131、132…研磨液供給管、
141〜145…第1のバルブ〜第5のバルブ、
151、152…薬液供給管、
16…純水供給管、
17…制御装置。
Claims (9)
- 半導体ウエハ上の溝あるいは孔に埋め込まれた被研磨膜を研磨する際、
少なくとも一部が前記半導体ウエハの素子形成面に対向する研磨パッド上に研磨液を供給して前記被研磨膜を研磨するステップと、
前記被研磨膜の研磨が進み、前記被研磨膜の下地膜が露出する直前に、界面活性剤、セルロース、多糖類のいずれかを含む薬液を前記研磨液と混合して供給するステップと、
前記下地膜が露出した時点で前記研磨液の供給を停止し、前記薬液の供給を継続するステップ
とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記溝あるいは孔は酸化膜もしくはシリコンナイトライド膜が形成された半導体ウエハに形成されたものであり、前記下地膜が前記酸化膜もしくはシリコンナイトライド膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薬液の供給を停止し、前記研磨パッド上に純水を供給することにより、前記研磨パッド上の残存物を除去するステップをさらに具備することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記薬液を前記研磨液と混合する初期の段階で、前記被研磨膜を研磨するステップにおける前記研磨液中の研磨粒子に比べてさらに細かい研磨粒子を混合することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被研磨膜は絶縁膜であり、前記研磨液は、研磨剤の溶剤として有機アルカリ溶液あるいは無機アルカリ溶液を使用することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被研磨膜は金属膜であり、前記研磨液は、研磨剤の溶剤として酸性溶液を使用することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記溶剤中にはセルロース、多糖類、水溶性高分子のいずれかを含むことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記研磨液中の研磨剤として、有機アミンベースコロイダルシリカを使用することを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記下地膜の一部として酸化膜と同時にシリコンナイトライド膜が露出する場合には、前記セルロースもしくは多糖類を溶解させるための溶媒としてトリエタノールアミンを使用する特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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