KR0151102B1 - 화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법 - Google Patents

화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법

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Abstract

나선형의 슬러리 공급라인을 통하여 슬러리가 공급되는 기계적 연마 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화하기 위한 화학기계적 연마 장치에 있어서, 연마하고자 하는 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 적재 및 고정하는 웨이퍼 캐리어와, 상기 웨이퍼 캐리어의 하부에 마련되어 일정 속도를 회전이 가능한 연마정반과, 상기 연마정반 상에 마련되어 상기 반도체 웨이퍼의 일면과 접촉할 수 있는 연마포와, 상기 연마포에 슬러리 용액을 공급하는 나선형의 슬러리 공급 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치를 제공한다. 상기 슬러리 공급라인은 그 종단에 복수개의 노즐을 구비하여, 상기 슬러리 공급 라인에 밸브에 의하여 개폐 및 조절되는 순수 공급라인이 연결되어 있다. 본 발명의 CMP장치는 순수 공급라인 및 복수개의 노즐을 갖는 나선형의 슬러리 공급라인을 구비함으로서 슬러리 용액에 포함된 연마제의 침전을 방지하고, 반도체 웨이퍼에 전달되는 슬러리 용액의 양을 균일하게 하여 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.

Description

화학 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법
제1도는 종래의 화학기계적 연마장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
제2도는 상기 제1도의 CMP장치를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마방법을 설명하기 위하여 도시한 평면도이다.
제3도는 본 발명의 화학기계적 연마장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
제4도는 상기 제3도의 CMP장치를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마방법을 설명하기 위하여 도시한 평면도이다.
본 발명은 반도체 웨이퍼의 표면을 평탄화하기 위한 화학 기계적 연마(chemical mechanical polishing; 이하 CMP라 칭함)장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법에 관한 것으로서, 특히 나선형의 슬러리 공급 라인을 통하여 슬러리가 공급되는 기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학 기계적 연마방법에 관한 것이다.
집적회로의 집적도가 증가함과 더불러 다충배선 공정이 실용화됨에 따라, 층간절연막의 글로벌(Global)평탄화의 중요성이 더해오고 있으며, 이런 가운데 새로운 평탄화 기술로서 주목받기 시작한 것이 CMP장치를 이용한 평탄화 방법이다.
CMP장치는 폴리싱 패드와 연마제를 이용한 기계적 성분과 슬러리(slurry)용액 내의 화학적 성분에 의해서 웨이퍼의 표면을 기계-화학적으로 연마한다. 이 때문에, 당초에는 청정(Clean)도 문제등 실용성에 의문을 갖기도 했으나, 종래 방법에 비해 수직방향의 형상 제어성이 뛰어나서 실용화에 대한 기대가 커지고 있다. 이런 상황을 감안하여 반도체 제조장치 메이커에서도 양산 레벨에 대응할 수 있는 CMP장치에 대한 연구가 심화되고 있는 실정이다.
제1도는 종래의 화학기계적 연마장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
제1도를 참조하여, 종래 CMP장치의 구성은 회전 및 좌우 이동이 가능한 연마정반(Platen)(11)과, 웨이퍼 캐리어(carrier)(19)로 대별할 수 있다. 상기 웨이퍼 캐리어(19) 하단에는 지지링(Retaining ring)(17)에 의해 반도체 웨이퍼(10)가 고정되어 있으며, 상기 연마정반(11)의 전면에는 상기 반도체 웨이퍼(10)의 일면과 마주보는 연마포(pad)(13)가 접착 고정되어 있다. 그리고, 상기 연마포(13) 상에는 슬러리 공급라인(14)을 통하여 슬러리(15)가 공급되도록 되어 있다.
제2도는 상기 제1도의 CMP장치를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마방법을 설명하기 위하여 도시한 평면도이다.
구체적으로, 상기 웨이퍼 캐리어(19)를 연마정반(11)상에 위치시킨 후 상기 웨이퍼 캐리어(19)를 하강시킨다. 이렇게 되면, 상기 슬러리 공급라인(14)을 통하여 공급된 슬러리 용액(15)과 고속으로 회전하는 연마정반(11)상의 연마포(13)을 이용하여 상기 웨이퍼 캐리어(19)에 부착된 반도체 웨이퍼(10)의 일면이 화학기계적으로 연마된다.
그런데, 종래의 CMP장치는 슬러리 공급라인(14)을 통해 공급되는 슬러리 용액(15)이 연마포(13)상의 어느 한 점에서 공급된다. 이렇게 연마포(13)상의 어느 한 점에서 공급된 슬러리 용액(15)은 반도체 웨이퍼(10)의 연마시 제2도의 참조번호 15로 도시한 바와 같이 반도체 웨이퍼(10)에 전달되는 슬러리 용액의 양이 균일하지 않게 된다. 따라서, 연마된 반도체 웨이퍼의 일면이 균일하지 못한 단점이 있다.
또한, 종래의 CMP장치에 있어서, 슬러리 용액은 콜로이드 형태로 되어 있기 때문에 상기 슬러리 용액에 포함된 여마 성분이 쉽게 침전되는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상술한 문제점들을 해결할 수 있는 화학기계적 연마장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 화학 기계적 연마장치를 이용한 화학기계적 연마 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화 하기 위한 화학기계적 연마장치에 있어서, 연마하고자 하는 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 적재 및 고정하는 웨이퍼 캐리어와, 상기 웨이퍼 캐리어의 하부에 마련되어 일정 속도를 회전이 가능한 연마정반과, 상기 연마정반상에 마련되어 상기 반도체 웨이퍼의 일면과 접촉할 수 있는 연마포와, 상기 연마포에 슬러리 용액을 공급하는 나선형의 슬러리 공급라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치를 제공한다.
상기 슬러리 공급라인은 그 종단에 복수개의 노즐을 구비하여, 상기 슬러리 공급라인에 밸브에 의하여 개폐 및 조절되는 순수 공급라인이 연결되어 있다.
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화하는 방법에 있어서, 연마하고자 하는 상기 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어에 장착시키는 단계와, 상기 웨이퍼 캐리어에 장착된 반도체 웨이퍼의 일면을 일정 속도로 회전하는 연마포의 상부에 위치시키는 단계와, 상기 반도체 웨이퍼의 일면을 나선형의 슬러리공급라인을 통해 공급되어 슬러리 용액이 웨팅된 연마포에 접촉시켜 연마하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 화학기계적 연마방법을 제공한다.
상기 슬러리 용액은 복수개의 노즐을 갖는 상기 슬러리 공급라인을 통하여 상기 연마포 상에 공급되며, 상기 슬러리 공급라인에 밸브에 의하여 개폐 및 조절되는 순수 공급라인이 연결되어 상기 슬러리 용액과 순수 공급라인에 의하여 공급되는 순수가 혼합될 수 있다.
본 발명의 CMP장치는 순수 공급라인 및 복수개의 노즐을 갖는 나선형의 슬러리 공급 라인을 구비함으로써 슬러리 용액에 포함된 연마제의 침전을 방지하고, 반도체 웨이퍼에 전달되는 슬러리 용액의 양을 균일하게 하여 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.
제3도는 본 발명의 화학기계적 연마장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
제3도를 참조하면, 본 발명의 CMP장치의 구성은 회전 및 좌우 이동 가능한 연마정반(Platen)(21)과, 웨이퍼 캐리어(Carrier)(29)로 대별할 수 있다. 상기 웨이퍼 캐리어(29)하단에는 지지링(Retaining ring)(27)에 의해 반도체 웨이퍼(20)가 고정되어 있으며, 상기 연마정반(21)의 전면에는 상기 반도체 웨이퍼(20)의 일면과 마주보는 연마포(Pad)(23)가 접착 고정되어 있다. 그리고, 상기 연마포(Paol)(23)상에는 슬러리 용액(30)을 공급하는 슬러리 공급라인(31)과, 순수를 공급하는 순수 공급라인(33)과, 상기 순수를 조절하는 밸브(37)가 구비되어 있다.
특히, 본 발명의 CMP장치는 슬러리 공급라인(31)의 종단에 복수개, 예컨대 세 개의 노즐(35)을 구비한다. 또한, 상기 슬러리 공급라인(31)운 나선형 형태로 만들어 슬러리 용액(30)이 공급중에도 계속해서 혼합되어 슬러리 용액(30)에 포함된 연마 성분의 침전을 방지한다.
그리고, 본 발명의 CMP장치는 순수 공급라인(33) 및 이를 조절하는 밸브(37)를 구비하여 노즐(35)의 인시츄 세정이 가능하도록 함으로써, 노즐(35)의 내부에 슬러리 용액의 침전물리 응집되어 후속 연마시 침전물에 의한 연마 스크래치를 방지할 수 있다.
본 실시예에서는 상기 공급라인(33)을 통하여 순수를 공급할 수 있으나, 상기 순수 공급라인(33)에 다른 화학용액을 공급할 수도 있다.
제4도는 상기 제3도의 CMP장치를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마방법을 설명하기 위하여 도시한 평면도이다.
구체적으로, 상기 웨이퍼 캐리어(29)를 연마정반(21)상에 위치시킨 후 상기 웨이퍼 캐리어(29)를 하강시킨다. 이렇게 되면, 상기 슬러리 공급라인(31)을 통하여 공급된 슬러리 용액(30)과 고속으로 회전하는 연마정반(21)상의 연마포(23)을 이용하여 상기 웨이퍼 캐리어(29)에 부착된 반도체 웨이퍼(20)의 일면이 화학기계적으로 연마된다.
특히, 본 발명의 CMP장치는 슬러리 공급라인의 종단에 복수개, 예컨대 세 개의 노즐(35)울 구비하고 있다. 따라서, 본 발명은 상기 세 개의 노즐(35)을 통하여 슬러리 용액(30)를 공급함으로써 제4도의 참조번호 30에 도시한 바와 같이 웨이퍼 캐리어(29)에 부착된 반도체 웨이퍼(20)에 전달되는 슬러리 용액의 양이 균일하다. 이렇게 반도체 웨이퍼(20)에 전달되는 슬러리 용액의 양이 균일하다. 이렇게 반도체 웨이퍼(20)에 전달되는 슬러리 용액(30)의 양이 균일하면 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 CMP장치는 순수 공급라인을 구비하고, 슬러리 공급 라인은 그 종단에 복수개의 노즐을 갖는 나선형으로 구성함으로서, 슬러리 용액에 포함된 연마제의 침전을 방지하고, 반도체 웨이퍼에 전달되는 슬러리 용액의 양을 균일하게 하여 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고, 당업자의 통상적인 지식의 범위에서 그 변형이나 개량이 가능하다.

Claims (6)

  1. 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화하기 위한 화학기계적 연마장치에 있어서, 연마하고자 하는 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 적재 및 고정하는 웨이퍼 캐리어; 상기 웨이퍼 캐리어의 하부에 마련되어 일정 속도로 회전이 가능한 연마정반; 상기 연마정반 상에 마련되어 상기 반도체 웨이퍼의 일면과 접촉할 수 있는 연마포; 및 상기 연마포에 슬러리 용액을 공급하는 나선형의 슬러리 공급라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 슬러리 공급라인은 그종단에 복수개의 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 슬러리 공급라인에 밸브에 의하여 개페 및 조절되는 순수 공급라인이 연결된 있는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치.
  4. 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화 하는 방법에 있어서, 연마하고자 하는 상기 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어에 장착시키는 단계; 상기 웨이퍼캐리어에 장착된 반도체 웨이퍼의 일면을 일정 속도로 회전하는 연마포의 상부에 위치시키는 단계; 및 상기 반도체 웨이퍼의 일면을 나선형의 슬러리 공급라인을 통해 공급되는 슬러리 용액이 웨팅된 연마포에 접촉시켜 연마하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 화학기계적 연마방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 슬러리 용액을 복수개의 노즐을 갖는 상기 슬러리 공급라인을 통하여 상기 연마포 상에 공급되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 슬러리 공급 라인에 밸브에 의하여 개페 및 조절되는 순수 공급라인이 연결되어 상기 슬러리 용액과 순수 공급라인에 의하여 공급되는 순수가 혼합되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마방법.
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