KR970061441A - 화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법 - Google Patents

화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법 Download PDF

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Abstract

나선형의 슬러리 공급 라인을 통하여 슬러리가 공급되는 기계적 연마장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로평탄화하기 위한 화학기계적 연마장치에 있어서, 연마하고자 하는 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 적재 및 고정하는 웨이퍼 캐리어와, 상기 웨이퍼 캐리어의 하부에 마련되어 일정 속도를 회전이 가능한 연마정반과, 상기 연마정반 상에 마련되어 상기 반도체 웨이퍼의 일면과 접촉할 수 있는 연마포와, 상기 연마포에 슬러리 용액을 공급하는 나선형의 슬러리 공급라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치를 제공한다. 상기 슬러리 공급라인은 그 종단에 복수개의 노즐을 구비하며, 상기 슬러리 공급 라인에 밸브에 의하여 개폐 및 조절되는 순수 공급라인이 연결되어 있다. 본 발명의 CMP 장치는 순수 공급 라인 및 복수개의 노즐을 갖는 나선형의 슬러리 공급 라인을 구비함으로써 슬러리 용액에 포함된 연마제의 침전을 방지하고, 반도체 웨이퍼에 전달되는 슬러리 용액의 양을 균일하게 하여 연마 균일도를 향상시킬수 있다.

Description

화학기계적 연마 장치 및 이를 이용한 화학기계적 연마방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 화학기계적 연마장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
제2도는 상기 제1도의 CMP 장치를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마방법을 설명하기 위하여도시한 평면도이다.
제3도는 본 발명의 화학기계적 연마 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
제4도는 상기 제3도의 CMP 장치를 이용한 반도체 웨이퍼의 연마방법을 설명하기 위하여 도시한 평면도이다.

Claims (6)

  1. 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화하기 위한 화학기계적 연마장치에 있어서, 연마하고자 하는 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 적재 및 고정하는 웨이퍼 캐리어; 상기 웨이퍼 캐리어의 하부에 마련되어 일정 속도를 회전이 가능한 연마정반; 상기 연마정반 상에 마련되어 상기 반도체 웨이퍼의 일면과 접촉할 수 있는 연마포; 및 상기 연마포에 슬러리 용액을 공급하는 나선형의 슬러리 공급 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 슬러리 공급 라인은 그 종단에 복수개의 노즐을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 슬러리 공급 라인에 밸브에 의하여 개폐 및 조절되는 순수 공급라인이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치.
  4. 반도체웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화하는 방법에 있어서, 연마하고자 하는 상기 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어에 장착시키는 단계; 상기 웨이퍼 캐리어에 장착된 반도체 웨이퍼의 일면을 일정 속도로 회전하는 연마포의 상부에 위치시키는 단계; 및 상기 반도체 웨이퍼의 일면을 나선형의 슬러리 공급라인을 통해 공급되어 슬러리 용액이 웨팅된 연마포에 접촉시켜 연마하는 단계로 이루어지는것을 특징으로 하는 화학기계적 연마방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 슬러리 용액은 복수개의 노즐을 갖는 상기 슬러리 공급 라인을 통하여 상기 연마포 상에 공급되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 슬러리 공급 라인에 밸브에 의하여 개폐 및 조절되는 순수 공급 라인이 연결되어 상기 슬러리 용액과 순수 공급 라인에 의하여 공급되는 순수가 혼합되는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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