DE69810686T2

DE69810686T2 - Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens.

Info

Publication number: DE69810686T2
Application number: DE69810686T
Authority: DE
Inventors: Yoshihiro Minami; Naoto Miyashita
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-04-10
Filing date: 1998-04-09
Publication date: 2003-09-18
Anticipated expiration: 2018-04-10
Also published as: JP3676030B2; EP0870577B1; EP0870577A2; KR100264756B1; DE69810686D1; US20010029156A1; US6716087B2; EP0870577A3; JPH10286756A; US6241581B1; KR19980081281A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum. Abrichten eines Polierkissens mittels eines Abrichters gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1. Ein Beispiel solch eines Verfahrens ist in der EP 754525 A offenbart.
Bis dato wurde der für eine Halbleitervorrichtung verwendete CMP-Prozess für eine Planbearbeitung einer dünnen Schicht verwendet, beispielsweise eine Isolierschicht oder eine Metallschicht, ausgebildet auf einem Halbleiterwafers mittels CVD oder ähnlichem.
Der CMP-Prozess ist ein Prozess, um eine dünne Schicht auf der Oberfläche eines Halbleiterwafers flach zu machen, durch Infiltrieren eines Poliermaterials mit Polierpartikeln, was als eine Schlemme bezeichnet wird, in ein Polierkissen, das auf einer Polierplatte aufgebracht ist, und durch ein Rotieren des Polierkissens, begleitet durch eine Rotation der Polierplatte, um den Halbleiterwafer mit dem rotierenden Polierkissen zu polieren. Ein Polieren von vielen Wafern mittels dieses Prozesses, d. h. ein Ausführen der Polierbehandlung an Wafern viele Male, ergibt ein Problem darin, dass die Oberfläche des Polierkissens rauh wird und sich verschlechtert. Bis dato wurde eine Oberflächenbehandlung, als ein Abrichten bezeichnet, durchgeführt, um die rauhe Oberfläche soweit wie möglich in ihren ursprünglichen Zustand zurückzuführen.
Beim CMP-Prozess, der zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, wird ein Polieren unter der Bedingung ausgeführt, dass ein Poliermaterial zwischen dem Polierkissen und dem Halbleiterwafer vorhanden ist. Ein Material für das zum Polieren verwendete Polierkissen umfasst verschiedene Materialien. Ein allgemein verwendetes Material ist ein Polyurethanschaum. Das aus Polyurethanschaum bestehende Polierkissen weist in seiner Oberfläche eine große Anzahl von kleinen Bohrungen auf, und hält ein Poliermaterial in den Bohrungen, um das Polieren zu ermöglichen. Falls jedoch die Polierbehandlung eines Halbleiterwafers viele Male bei der Anwendung des CMP-Prozesses zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung durchgeführt wird, werden Reaktionsprodukte und Partikel des Poliermaterials allmählich gegen die inneren Abschnitte der Bohrungen gepresst, so dass sie in den Bohrungen festhängen. Ein Polieren unter solch einem Zustand bewirkt eine Verminderung der Polierrate und Gleichmäßigkeit des Polierens.
Wenn der Urethanschaum für das Polierkissen verwendet wird, ist eine anfängliche Behandlung notwendig, um die Oberfläche des Polierkissens in gewissem Umfang zu Beginn der Verwendung des Kissens aufzurauhen, was Konditionieren genannt wird. Ein Aufrauhen der Oberfläche mittels dieser Behandlung ist unablässig zum Erhalten einer stabilen Polierrate und Gleichmäßigkeit des Polierens.
Es ist bekannt, dass das Polierkissen stark verschlechtert wird, wenn in das Poliermaterial ein Material mit einer hohen Viskosität beigemengt wird, wie beispielsweise ein hochmolekulares Surfaktant oder ein Polysaccharid, neben den Polierpartikeln. Es wurde Aufmerksamkeit dem schwerwiegenden Problem gezollt, dass die Verwendung solch eines verschlechterten Polierkissens ein Abfall einer Ausstoßrate des CMP-Prozesses für einen Halbleitervorrichtungswafer bewirkt, indem feine Muster mit einer hohen Dichte ausgebildet werden. Bis dato wurde eine Behandlung zum Einrichten eines Kissens, was als Abrichten bezeichnet wird, durchgeführt, um eine Fremdsubstanz zu entfernen, mit der die Bohrungen blockiert sind, und um eine rauhe Oberfläche des Kissens abzuschaben. Zum Abrichten wird normalerweise ein Diamantabrichter verwendet, indem Diamantenpartikel in ein Harz eingebracht sind, oder auf dem Diamantpartikel mittels Elektroablagerung aufgebracht sind. Der Diamantabrichter macht es möglich, die Fremdsubstanz im wesentlichen vollständig zu entfernen, da die Oberflächenschicht des Polyurethanschaums abgeschabt wird. Dieses bewirkt jedoch, dass der Oberflächenzustand des Polierkissens in den Oberflächenzustand vor der Anfangsbehandlung zurückgeworfen wird. Wenn nach der Abrichtebehandlung das Kissen nicht konditioniert wird, um die Oberfläche davon rauh zu machen, ist es daher nicht möglich, eine stabile Polierrate und Gleichmäßigkeit des Polierens zu reproduzieren. Ein Siliziumwafer kann für die Konditionierung verwendet werden. Insbesondere kann das Polierkissen durch ein Polieren des Siliziumwafers mit dem Polierkissen für ungefähr 60 Minuten konditioniert werden, d. h. die Dummy-Polierbehandlung mit dem Siliziumwafer. Viel Zeit wird mit der Dummy-Polierbehandlung mit dem Siliziumwafer verbracht. Daher war bis dato ein Abfall der Produktivität bei diesem Vorgang ein schwerwiegendes Problem.
GB 2 287 422 A beschreibt das Konditionieren eines Poliergewebes für Halbleitervorrichtungen. Ein Oberflächenbehandlungswerkzeug 10 wird gegen das Poliergewebe gepresst, um das Poliergewebe zu Konditionieren. Das Poliergewebe kann unter Verwendung einer hochreinen Quarzplatte konditioniert werden, oder einem beliebigen anderen harten anorganischen Material mit einer Härte, die mindestens gleich oder größer als die Abschabwirkstoffpartikel ist, die in der Prozesslösung bereitgestellt sind. Weitere Beispiele des Konditionierungswerkzeugs 10 sind eine Saphirplatte, eine Diamantplatte, und am wichtigsten eine Siliziumkarbid- oder Aluminiumsinterplatte.
EP 0 754 525 A1 beschreibt ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Abrichten eines Poliergewebes, wobei ein Poliergewebe zwischen Poliervorgängen für ein Polieren eines Werkstücks wie beispielsweise einem Halbleiterwafer abgerichtet wird. Eine Schleifflüssigkeit zum Polieren eines Werkstücks wird auf das Poliergewebe für eine vorgegebene Zeitperiode vor einem Polierprozess aufgebracht. Nach einem Abrichten eines Poliergewebes mit Diamantenkügelchen wird ein Abrichteelement mit einer Bürste auf das Poliergewebe angewendet, um Diamantenkügelchen zu entfernen, die von dem Abrichteelement abgefallen sind.
Die vorliegende Erfindung wurde auf Grundlage einer solchen Situation getätigt. Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens bereitzustellen, das es möglich macht, eine Produktivitätsverschlechterung zu verhindern, die sich aus einer Konditionierungsbehandlung eines Polierkissens ergibt, dass durch ein Polieren der Oberfläche eines Halbleiterwafers beim CMP-Prozess verschlechtert wurde.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens bereitzustellen, was es möglich macht, einen Staub zu reduzieren, wobei ein Dishing gesteuert wird, das Leben des Polierkissens länger zu machen, und eine Polierrate zu stabilisieren. Die Aufgabe der Erfindung wird durch ein Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Das Verfahren kann weiter den Schritt zum Abrichten des Polierkissens umfassen, wiederum mit dem Keramikabrichter, nachdem das verschlechterte Polierkissen, restauriert durch Verwenden des Keramikabrichters, durch ein Polieren des Halbleiterwafers verschlechtert wird. Das Polierkissen kann mit dem Diamantabrichter abgerichtet werden, nachdem der oben erwähnte Abrichteschritt mit dem Keramikabrichter mehrere Male durchgeführt wird. Das mit dem Diamantabrichter abgerichtete Polierkissen kann mit dem Keramikabrichter für eine Restaurierung abgerichtet werden, bevor das Polierkissen für eine weitere Polierbehandlung verwendet wird. Die Oberfläche des Keramikabrichters kann mindestens einen Schritt umfassen.
Der Keramikabrichter und der Diamantabrichter können gegen das Polierkissen gepresst werden, wenn die jeweiligen Halbleiterwafer gegen das Polierkissen gepresst werden, wodurch die Abrichtebehandlung mit dem Keramikabrichter und die Abrichtebehandlung mit dem Diamantabrichter in Begleitung der Polierbehandlung ausgeführt werden. Reines Wasser kann neben Polierkissen zugeführt werden, wenn die jeweiligen zu Polierenden Filme poliert werden. Ein Additiv zum Kontrollieren eines Dishings kann den Polierkissen zugeführt werden, wenn die jeweiligen zu Polierenden Filme poliert werden. Das Additiv zum Steuern eines Dishings kann ein hydrophiles Polysaccharid umfassen.
Die Erfindung kann in ihrer Gesamtheit besser mit der folgenden detaillierten Beschreibung verstanden werden, wenn sie zusammen mit den begleitenden Zeichnungen gesehen wird;
Fig. 1 zeigt ein Blockdiagramm einer Halbleiterherstellungsvorrichtung einschließlich einer Polier Vorrichtung.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt der Poliervorrichtung, die in der Halbleiterherstellvorrichtung aus Fig. 1 verwendet wird.
Fig. 3 zeigt ein Diagramm zum Erläutern des Abrichteverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 4 zeigt ein weiteres Diagramm zum Erläutern des Abrichteverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 5 zeigt ein Flussdiagramm zum Erläutern des Abrichteverfahrens gemäß der Erfindung.
Fig. 6 zeigt ein weiteres Flussdiagramm zum Erläutern des Abrichteverfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 7A und 7B zeigen Querschnitte eines beim Abrichteverfahren gemäß der Erfindung jeweilig verwendeten Abrichters.
Fig. 8A und 8B zeigen Querschnitte eines beim Abrichteverfahren gemäß der Erfindung jeweilig verwendeten Abrichter.
Fig. 9 zeigt eine Aufsicht einer Poliervorrichtung zum Erläutern des Abrichteverfahrens gemäß der Erfindung.
Fig. 10 zeigt eine Aufsicht einer Poliervorrichtung zum Erläutern des Abrichteverfahrens gemäß der Erfindung.
Fig. 11A und 11B sind vergrößerte Querschnitte und Aufsichten eines Polierkissens zum Erläutern des Zustands des Polierkissens, mit dem ein Halbleiterwafer jeweilig poliert wird.
Fig. 12A und 12B zeigen einen vergrößerten Querschnitt und Aufsicht eines Polierkissens zum Erläutern des Zustands des Polierkissens, mit dem jeweilig ein Halbleiterwafer poliert wird.
Fig. 13A und 13B zeigen einen vergrößerten Querschnitt und eine Aufsicht eines Polierkissens zum Erläutern des Zustands des Polierkissens, mit dem jeweilig ein Halbleiterwafer poliert wird.
Fig. 14A und 14B zeigen einen vergrößerten Querschnitt und eine Aufsicht eines Polierkissens zum Erläutern des Zustands des Polierkissens, mit dem ein Halbleiterwafer poliert wird.
Fig. 15 zeigt eine partielle perspektivische Ansicht einer Poliervorrichtung.
Fig. 16 zeigt einen Querschnitt eines Polierkissens der in Fig. 15 gezeigten Poliervorrichtung und einen Halbleiterwafer.
Fig. 17 zeigt einen weiteren Querschnitt eines Polierkissens in der in Fig. 15 gezeigten Poliervorrichtung, und einen Halbleiterwafer.
Fig. 18A und 18B zeigen Diagramme zum Erläutern der Auswirkung des Polierverfahrens aus Fig. 15.
Fig. 19A und 19B zeigen Querschnitte einer Struktur einer Vorrichtung, die in einem Schritt zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung verwendet wird.
Fig. 20A und 20B zeigen Querschnitte einer Struktur einer Vorrichtung, die in einem Schritt zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung verwendet wird.
Fig. 21A und 21B zeigen Querschnitte einer Struktur einer Vorrichtung, die in einem Schritt zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung verwendet wird.
Fig. 22A bis 22C zeigen Querschnitte einer Struktur einer Vorrichtung, die in einem Schritt zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung verwendet wird.
Fig. 23A und 23B zeigen Querschnitte einer Struktur einer Vorrichtung, die in einem Schritt zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung verwendet wird.
Unter Bezugnahme auf die Zeichnungen werden unterhalb Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine schematische Ansicht einer Halbleiterherstellvorrichtung zum Anwenden einer Sequenz auf einen Halbleiterwafer vom Polieren unter Verwendung einer CMP-Vorrichtung (einer Poliervorrichtung) bis zum In-Line- Waschen. Die Halbleiterherstellvorrichtung 50 ist in einen Polierbereich 51 und einen Wafersäuberungsbereich aufgeteilt, und weist weiter einen Waferlieferbereich 53 zum Liefern eines Halbleiterwafers zur Vorrichtung 50 auf, und einen Waferauswurfbereich zum Empfangen des Halbleiterwafers, behandelt in der Vorrichtung 50, und zum Auswerfen desselben. In dem Polierbereich 51 wird ein Halbleiterwafer poliert, wie beispielsweise ein Siliziumwafer mit einem Polierkissen (nicht veranschaulicht), aufgebracht auf einer Polierplatte 17, was als ein Drehtisch bezeichnet werden kann. Bei der Polierbehandlung wird ein als Schlemme bezeichnetes Poliermaterial, reines Wasser, und ein Additiv dem Polierkissen zugeführt. Der mit dem Polierkissen zu polierende Halbleiterwafer wird von dem Waferlieferbereich 53 zu einem Waferinvertierungsbereich 55 im Wafersäuberungsbereich 52 weitergeleitet, wird invertiert, d. h. umgedreht, so dass die rechte Seite (d. h. die Oberfläche) davon mit dem Gesicht nach unten liegen wird, und wird temporär gehalten. Nachfolgend wird der Wafer zur Polierplatte 17 weitergeführt.
Der mit dem Polierkissen polierte Halbleiterwafer wird zu dem Waferinvertierungsbereich 55 zurückgeführt, und wird invertiert, d. h. so umgedreht, dass die rechte Seite nach oben liegen wird. Der Halbleiterwafer wird dann von diesem Bereich 55 zu einem Bürstenbereich 56 weitergeführt, um einer Bürstenbehandlung unterzogen zu werden, und wird weiter zu einem Spül-/Trocknungsbereich 57 weitergeführt, um gewaschen und getrocknet zu werden. Danach wird der Halbleiterwafer zu dem Waferauswurfbereich 54 weitergeführt, und von der Vorrichtung 50 nach außen gebracht, um dem folgenden Schritt von dem Waferauswurfbereich 54 unterzogen zu werden. Da das Polierkissen wiederholt zur Behandlung von Halbleiterwafern verwendet wird, wird der Oberflächenzustand des Polierkissens so verschlechtert, dass die Poliereigenschaft allmählich schlecht wird. Daher ist es notwendig, die Poliereigenschaft durch ein Abrichten oder Konditionieren des verschlechterten Polierkissens wiederherzustellen.
Unter Bezugnahme auf Fig. 2 wird das folgende eine Poliervorrichtung beschreiben, die für die in Fig. 1 veranschaulichte Halbleiterherstellvorrichtung verwendet wird. Fig. 2 zeigt einen schematischen Querschnitt einer Poliervorrichtung für CMP, die in der Vorrichtungsherstellvorrichtung aus Fig. 1 verwendet wird. Ein Polierplattenempfänger 15 ist auf einem Träger 11 mittels Lagern 13 angeordnet. Eine Polierplatte 17 ist auf dem Polierplattenempfänger 15 aufgebaut. Ein Polierkissen 19 für ein Polieren des Halbleiterwafers ist auf die Polierplatte 17 aufgesteckt. Eine Antriebswelle 21 ist mit dem Polierplattenempfänger 15 verbunden, und der Polierplatte 17, um so in die zentralen Bereiche zum Zwecke einer Drehung davon einzugreifen. Diese Antriebswelle 21 wird mit einem Drehriemen 25 mittels eines Motors 23 gedreht. Auf der Gegenseite ist eine adsorbierende Scheibe 33 zum Adsorbieren des Halbleiterwafers 20 über dem Polierkissen 19 gegenüber dem Kissen 19 angeordnet. Ein Template 29 und ein adsorbierendes Gewebe 31 sind auf der Oberfläche der adsorbierenden Scheibe 33 eingepasst. Der Halbleiterwafer 20 ist auf dem adsorbierenden Gewebe 31 auf der adsorbierenden Scheibe 33 beispielsweise mittels Vakuumadsorbtion adsorbiert, so dass der adsorbierte Halbleiterwafer 20 über dem Polierkissen 19 gegenüber dem Kissen 17 positioniert ist. Die adsorbierende Scheibe 33 ist mit einer Antriebswelle 35 verbunden, die mittels Getrieben 39 und 41 durch einen Motor 37 gedreht wird, und die drehbar zu einem Träger 43 eingerichtet ist. Der Träger 43 ist mit einem Zylinder 45 verbunden, und nach oben und nach unten in Übereinstimmung mit der Bewegung des Zylinders 45 in Richtungen nach oben und nach unten bewegt.
Bei der oben erwähnten Struktur wird dann, wenn der Träger 43 nach oben oder nach unten bewegt wird, durch Antreiben des Zylinders 45, der Halbleiterwafer 20, befestigt auf der adsorbierenden Scheibe 33 gegen das Polierkissen 10 gepresst, oder von dem Polierkissen 19 entsprechend abgezogen. Der Halbleiterwafer 20 wird mit dem rotierenden Polierkissen 19 poliert, während ein Poliermaterial zwischen dem Halbleiterwafer 20 und dem Polierkissen 19 eingebracht wird.
Der Halbleiterwafer kann in der x-y-Richtung bewegt werden, d. h. in der horizontalen Richtung, mittels einer weiteren Antriebseinheit während eines Polierens, in Fig. 2 nicht gezeigt.
Ein Beispiel eines Falls eines Polierens eines in einem Graben eingebetteten Polysiliziumfilms, unter Verwendung eines Siliziumoxidfilms als einem Stopperfilm, wird mit einem Beispiel einer Poliersequenz im folgenden beschrieben. Die Art der Schlemme ist veränderlich in Abhängigkeit von der Art eines auf dem Halbleiterwafer zu polierenden Films, wie beispielsweise ein Polysiliziumfilm.
(1) Eine Schlemme, die eine Polierrate für einen Oxidfilm hoch macht, wird dem Halbleiterwafer von einem nicht veranschaulichten Mischventil zugeführt, um einen natürlich oxidierten Film auf dem Polysiliziumfilm zu entfernen.
(2) Nach einem Entfernen des natürlich oxidierten Films wird eine Bereitstellung der Schlemme in dem Schritt (1) gestoppt, und nachfolgend wird eine Schlemme, die eine Polierrate eines Siliziumoxidfilms hoch macht, dem Halbleiterwafer zugeführt. Als ein Material für die Schlemme kann z. B. eine organische aminbasierte kolloidale Silicaschlemme (Kieselerde) verwendet werden. Wenn die Polierung so fortschreitet, dass der Oxidfilmstopper freiliegt, wird das Polieren gestoppt.
(3) Wenn der Oxidfilm freiliegt, wird die Bereitstellung der Schlemme zum Polieren des Polysiliziumfilms gestoppt, und dann wird ein Tensid (Surfaktant) z um Behandeln der Waferoberfläche dem Wafer zugefügt.
(4) Die Lieferung des Tensids wird gestoppt, und dann wird die Oberfläche des Wafers mit reinem Wasser gespült, wonach der Wafer zu einem Waschschritt weitergeführt wird.
(5) Die Oberfläche des Polierkissens wird abgerichtet, um die an der Oberfläche des Polierkissens festhängende Schlemme zu entfernen. Diese Behandlung bewirkt, dass die festhängende Schlemme so entfernt wird, dass ein Restaurieren einer guten Poliereigenschaft ermöglicht wird.
Falls jedoch diese Behandlung wiederholt ausgeführt wird, schreitet eine Verschlechterung der Oberfläche des Polierkissens fort, so dass das Polierkissen in einen Zustand gelangt, in dem eine gute Poliereigenschaft nicht nur mit einem Keramikabrichter restauriert werden kann. Um ein Abfallen in diesen Zustand zu verhindern, wird die Oberfläche des Kissens mit einem Diamantabrichter abgeschabt, dessen Oberfläche scharfe Spitzen aufweist, und zwar jedesmal nach einem Abrichteschritt, oder jedesmal nach vielen Abrichteschritten.
(6) Die Oberfläche des Kissens nach der Verwendung des Diamantabrichters ist im wesentlichen in den anfänglichen Zustand vor der anfänglichen Behandlung restauriert.
Soweit wurde die Oberfläche des Polierkissens konditioniert durch Abrichten des Kissens mit dem Diamantabrichter, wie oben beschrieben, und dann durch Anwenden von 6 bis 10 von Dummy-Siliziumwafern auf das Polierkissen (für ungefähr 10 Minuten pro Siliziumwafer); jedoch kann durch lediglich Abrichten des Polierkissens mit dem Diamantabrichter, wie oben beschrieben, und dann Abrichten des Kissens mit dem Keramikabrichter für mehrere Minuten die Oberfläche des Polierkissens auf den gleichen Zustand konditioniert werden, wie er erzielt wird durch die Anwendung von mehreren 10 Dummy-Siliziumwafern. Somit kann die Oberfläche des Polierkissens in den gleichen Zustand gebracht werden wie er im Stand der Technik erzielt wird. Der CMP-Prozess kann nach der Konditionierung wieder aufgenommen werden.
Fig. 3 zeigt eine Ansicht zum Erläutern des Effekts und des Vorteils der vorliegenden Erfindung im Vergleich mit dem Stand der Technik und zeigt die Differenz zwischen der Abrichtebehandlung eines Polierkissens bevor es verwendet wird (d. h. ein jungfräuliches Kissen) gemäß der vorliegenden Erfindung und in Übereinstimmung mit dem Stand der Technik. Die vertikale Achse zeigt eine Zeit für eine Behandlung des Polierkissens (Minute pro Polierkissen). Im Stand der Technik wird, bevor der Wafer poliert wird, die Abrichtung mit dem Diamanten durchgeführt, und dann wird die Dummy-Abrichtung mit dem Siliziumwafer durchgeführt. Auf der anderen Seite wird gemäß der vorliegenden Erfindung die Abrichtung mit dem Diamanten durchgeführt und nachfolgend die Abrichtung mit einem Keramikabrichter durchgeführt. Eine Zeit für eine Abrichtebehandlung ist 70 Minuten pro Kissen im Stand der Technik, jedoch nur ungefähr 10 Minuten pro Kissen gemäß der vorliegenden Erfindung. Solch ein weiches Abrichten mit dem Keramikabrichter macht es möglich, das Polierkissen für eine kürzere Zeit ohne Dummy-Abrichtung unter Verwendung des Siliziumwafers zu konditionieren.
Fig. 4 zeigt eine Ansicht, die den Effekt und den Vorteil einer kontinuierlichen Behandlung gemäß der vorliegenden Erfindung gegenüber dem Stand der Technik erläutert. Wie in Fig. 4 gezeigt werden bei der kontinuierlichen Behandlung ein Polieren, eine Diamantenabrichtung, und Siliziumwafer-Dummy- Abrichtung gemäß dem Stand der Technik wiederholt, während ein Polieren und eine Keramikabrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung wiederholt werden. Wie weiter in Fig. 4 gezeigt ist die Behandlungszeit durch die Erfindung halb so lang wie die im Stand der Technik.
Das Folgende beschreibt das erste Ausführungsbeispiel bezüglich eines Verfahrens zum Abrichten eines Polierkissens, unter Bezugnahme auf Fig. 5. Dieses Ausführungsbeispiel betrifft eine Behandlung zum Abrichten eines Polierkissens, das noch nicht verwendet wurde, d. h. ein Polierkissen unter Initialbedingungen. Fig. 5 zeigt ein Flussdiagramm zum Polieren und Abrichten, entlang eines Ablaufs der Zeit. Es ist notwendig, das noch nie verwendete Polierkissen, das aus Polyurethanschaum besteht, zu konditionieren, da es den gleichen rauhen Oberflächenzustand aufweist, wie den nach einem Diamant ab richten. Der Keramikabrichter kann sowohl als Abrichter als auch Konditionierungsbehandlung dienen.
Als erstes wird das noch nie verwendete Polierkissen mit dem Keramikabrichter abgerichtet (d. h. Keramikabrichtung). Mit diesem Polierkissen werden beispielsweise ein erster bis sechster Silikonwafer poliert (d. h. Waferpolieren). Das keramische Abrichten/Waferabrichten wird mehrere Male wiederholt.
(a) Dieses Polierkissen wird dann mit einem Diamantabrichter abgerichtet (Diamantabrichtung). (b) Nachfolgend wird das Polierkissen mit dem Keramikabrichter (Keramikabrichtung) abgerichtet, (c) Einer oder mehrere Siliziumwafer werden mit diesem Polierkissen poliert. Das Keramikabrichten/Polieren (b/c) wird mehrere Male wiederholt. Dabei wird die Sequenz einschließlich dem Diamantenabrichteschritt (a) und dem wiederholten Keramikabrichte-/Polierschritt (b) und (c) als Prozess A abgekürzt. Dieser A Prozess wird einmal oder mehrere Male ausgeführt.
Das Obige ist eine Polier-/Abrichtesequenz im Falle einer Verwendung eines Polierkissens, das noch nie verwendet wurde. Das Folgende beschreibt das zweite Ausführungsbeispiel bezüglich eines Verfahrens zum Abrichten eines Polierkissens, unter Bezugnahme auf Fig. 6. Dieses Ausführungsbeispiel betrifft ein Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens mit einer durch wiederholtes Polieren verschlechterten Polierleistung.
Als erstes wird das Polierkissen mit verschlechterter Polierleistung mit einem Diamantabrichter (Diamantabrichtung) abgerichtet. Dieses Polierkissen wird dann mit einem Keramikabrichter abgerichtet (Keramikabrichtung). Einer oder mehrere Siliziumwafer werden mit diesen Polierkissen poliert. Die Keramikabrichtung wird mehrere Male wiederholt. Danach wird das Polierkissen wiederum einer Keramikabrichtung unterzogen, und nachfolgend werden einer oder mehrere Siliziumwafer poliert. Dieser sequenzielle Vorgang (in Fig. 5A gezeigt) wird einmal oder mehrere Male ausgeführt.
Unter Bezugnahme auf Fig. 7A und 7B und Fig. 8A und 8B wird ein Abrichten, der in den Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann, im folgenden beschrieben. Die Fig. 7A und 7B und Fig. 8A und 8B zeigen jeweilig Querschnitte von Abrichtern. Der Keramikabrichter 22, in Fig. 7A gezeigt, umfasst eine Keramik, hergestellt durch Sintern von Aluminiumoxid, Siliziumnitrit, Siliziumkarbid und ähnliches bei einer hohen Temperatur, und weist die Form von beispielsweise einer Scheibe auf. Dessen erste Vorderoberfläche stellt eine Abrichteoberfläche 221 zum Abrichten eines Polierkissens dar. Falls die Abrichteoberfläche mindestens einen Absatz aufweist, wird eine Poliereffizienz erhöht. Dieser Absatz weist eine Höhe von ungefähr 20 bis 30 nm auf. Der Keramikabrichter 22 wird mit einem Stützarm 222 betrieben, der an einer Hauptoberfläche gegenüberliegend der Abrichteoberfläche 221 befestigt ist.
Ein Diamantabrichter 24, in Fig. 7B gezeigt, ist beispielsweise eine Scheibe, in der Diamantenpartikel 243 in ein Harz eingeführt sind. Eine Abrichteoberfläche 241 weist freiliegende scharfe Spitzen der Diamantenpartikel 243 auf. Der Diamantabrichter 24 wird mit einem Stützarm 242 betrieben, der an einer der Abrichteoberfläche 241 gegenüberliegenden Oberfläche befestigt ist. Anstatt eines Inkorporierens der Diamantenpartikel 243 in das Harz können die Diamantenpartikel auch in eine Scheibe inkorporiert werden, die durch Ni-Elektroablagerung gebildet ist. Fig. 8A und 8B zeigen Scheiben, die anstelle des in Fig. 7B veranschaulichten Diamantabrichters jeweilig verwendet werden können. Bei dem in Fig. 8A gezeigten Abrichter ist eine dünne Schicht 271, bestehend aus Siliziumnitrit oder Siliziumkarbid und mit einer Dicke von 5 bis 40 um auf einer Oberfläche auf einem Siliziumnitrit (SiN) Substrat mit einer Dicke von 5 bis 10 mm mittels ECR (Elektron Cyclotron Resonanz)-CVD abgelagert. Die Oberfläche, auf der diese Dünne Schicht abgelagert ist, ist eine Abrichteoberfläche. Diese Abrichte 27 wird durch einen Stützarm 272 betrieben, befestigt an einer der Abrichteoberfläche gegenüber liegenden Oberfläche. In einem Abrichter 28, in Fig. 8B gezeigt, ist eine dünne Schicht 281, bestehende aus Siliziumnitrit oder Siliziumkarbid und mit einer Dicke von 5 bis 40 um auf einer Oberfläche eines Siliziumkarbid (SiC) Substrat mit einer Dicke von 5 bis 10 mm mittels ECR-CVD abgelagert. Die Oberfläche, auf der diese dünne Schicht abgelagert ist, ist eine Abrichteoberfläche.
Der Abrichter 28 wird mit einem Trägerarm 282 betrieben, der auf einer der Abrichteoberfläche gegenüber liegenden Oberfläche befestigt ist.
Bei dem Abrichteverfahren unter Verwendung der oben erwähnten Abrichter wird ein Abrichten und Polieren reziproc wiederholt (d. h. → Abrichten → Polieren → Abrichten → ...), und zwar mit der in Fig. 2 veranschaulichten Abrichtevorrichtung.
Im folgenden wird das dritte Ausführungsbeispiel bezüglich eines Abrichteverfahrens beschrieben, bei dem die Abrichtevorrichtung verwendet wird, unter Bezugnahme auf die Fig. 9 und 10. Die Fig. 9 und 10 zeigen jeweilig Hauptabschnitte der in Fig. 2 gezeigten Abrichtevorrichtung. Ein Polierkissen 9 ist auf einer Polierplatte 17 angeordnet, die mit 100 rpm rotieren kann. Während eines Polierens wird die Anzahl von Rotationen der Polierplatte 7 normalerweise von 20 bis 200 rpm sein, und der Druck zum Pressen eines Siliziumwafers 20 ist normalerweise von 50 bis 500 g/cm², und vorzugsweise ungefähr 350 g/cm². Wie in Fig. 9 gezeigt, wird der Siliziumwafer 20 poliert, während er gegen das rotierende Polierkissen 19 mit einem gegebenen Druck gepresst wird. Das Polierkissen 18 wird abgerichtet, während eines Polierens des Siliziumwafers 20, mittels eines Nachfolgens der Spur des Siliziumwafers 20 auf dem Polierkissen 18 unter Verwendung eines Keramikabrichters 22, während der Keramikabrichter 22 gegen das Polierkissen 18 gedrückt wird. Die Lebensdauer des Polierkissens wird länger, und die Zeit zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung wird verkürzt, da ein Polieren und Abrichten für einen Siliziumwafer um einen Siliziumwafer wiederholt werden.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 11A und 11B - Fig. 14A und 14B erläutert das Folgende den Zustand eines Polierkissens, das der Abrichtebehandlung der vorliegenden Erfindung unterzogen wird. Fig. 11A und 11B stellen eine vergrößerte Aufsicht beziehungsweise Querschnittsansicht eines Polierkissens dar, das noch nicht verwendet wurde. Die Fig. 12A und 12B, und auch die Fig. 13A und 13B und Fig. 14A und 14B zeigen eine vergrößerte Aufsicht beziehungsweise Querschnittsansicht der Oberfläche eines abgerichteten Polierkissens. Wie in Fig. 11A und 11B gezeigt, besteht das Polierkissen aus einem Polyurethanschaum, wobei eine Porenschicht im wesentlichen gleichmäßig ausgebildet ist und aktiv ist. Wenn ein oder mehrere Halbleiterwafer mit dem in Fig. 11A und 11B gezeigten Polierkissen poliert werden, werden Reaktionsprodukte und - Partikel eines Poliermaterials auf die Porenschicht gepresst und in deren Inneres eingebracht, wie in Fig. 12A und 12B gezeigt. Somit sind viele Poren der Porenschicht blockiert, wie durch die Schraffuren in Fig. 12A und 12B gezeigt. Als eine Folge davon hat bei der Polierbehandlung die Porenschicht einen Raum mehr, in den das Poliermaterial eingeführt werden kann, so dass die Poliereigenschaft reduziert wird. Im Stand der Technik, wie in Fig. 13A und 13B gezeigt, wird ein Polierkissen wieder in den gleichen Zustand wie ein jungfräuliches Polierkissen zurückgeführt, über einen langen Zeitraum mittels Diamantabrichtung und Dummy- Abrichtung von Siliziumwafern. Fig. 14A und 14B veranschaulichen die Zustände nachdem das Polierkissen, in Fig. 12A und 12B gezeigt, mit einem Keramikabrichter abgerichtet wurden. Das Polierkissen wird nur durch die Abrichtebehandlung mit dem Keramikabrichter für eine kurze Zeit ausreichend wieder hergestellt.
Das vierte Ausführungsbeispiel wird unterhalb mit Bezugnahme auf Fig. 15 bis 18B beschreiben.
Bis dato war ein Polierverfahren bekannt, das eine Steuerung eines Dishings mittels Polierens unter Verwendung eines Polierkissens aus Polyurehtanschaum erlaubt, und mit Verwendung einer Polierflüssigkeit, bei der ein hydrophiles Polysaccharid zum Bilden eines Films auf der Oberfläche des Siliziums einem Poliermaterial beigemengt ist.
Fig. 15 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Abschnitts einer Poliervorrichtung, die in diesem Verfahren verwendet wird. Diese Poliervorrichtung weist eine drehbare Polierplatte 17 auf, auf der ein Polierkissen 19 aufgebaut ist, auf die gleiche Weise wie bei der in Fig. 2 gezeigten Poliervorrichtung. Über dem Polierkissen 19 ist eine absorbierende Scheibe 33 angeordnet, auf der ein Siliziumwafer befestigt ist, und die durch eine Antriebswelle 35 gedreht werden kann, eine Düse 30 zum Liefern eines Poliermaterials und eine Düse 32 zum Liefern eines Additivs. Der Siliziumwafer (in Fig. 15 nicht gezeigt), befestigt auf der adsorbierenden Scheibe 33, wird beispielsweise unter der Bedingung gedreht, dass die Polieroberfläche, auf der ein Polysiliziumfilm ausgebildet ist, gegen das Polierkissen 19 mittels eines Drucks gedrückt wird. Zu diesem Zeitpunkt werden ein Poliermaterial und ein Additiv tropfenweise auf das Polierkissen 19 von der Düse 30 beziehungsweise Düse 32 auf gebracht. Das Poliermaterial kann eine alkalische Lösung mit Polierpartikeln wie beispielsweise Siliziumdioxyd sein. Die alkalische Lösung kann ein Material zum chemischen Ätzen von Silizium sein, beispielsweise ein organisches Amin.
Das Additiv enthält Zellulose wie beispielsweise Hydroxyethylzellulose, Polysaccharid, Polyvinylpyrrolidon, und Pyrrolidon. Die Menge des Additivs reicht ungefähr von 1 bis 10% per Gewicht des Poliermaterials. Ein Losungsmittel für ein Auflösen von hydrophilen Polysaccharid oder ähnlichem umfasst Amoniak und Triethanolamin.
Fig. 16 und 17 sind Querschnitte eines Halbleitersubstrats zum Erläutern einer Behandlung zum Polieren eines zu polierenden Films des Halbleitersubstrats (z. B. Silizium) mit einem Polierkissen.
Ein Poliermaterial 34, dem ein Additiv wie beispielsweise Hydroxethylzellulose beigemengt ist, wird in konkave Bereiche eines Polysiliziumfilms 3 eingebracht, der auf einem Siliziumoxidfilm 2 auf einem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet ist, so dass der Polysiliziumfilm 3 poliert wird. Dabei haftet Hydroxethylzellulose an einer unebenen Oberfläche des Polysiliziumfilms 3 so an, dass dieses einen Film 36 bildet. Der Film 36 wird poliert, von dessen konvexen Abschnitten ausgehend, mit dem Polierkissen 19 und Polierpartikeln in dem Poliermaterial, um so entfernt zu werden. Als ein Ergebnis liegen nur konvexe Bereiche des Polysiliziumfilms 3 frei. Die freiliegenden Bereiche des Polysiliziumfilms 3 werden mit dem Polierkissen 19 und den Polierpartikeln poliert, während eine chemische Ätzung mit der alkalischen Lösung durchgeführt wird. Auf der anderen Seite verbleiben die konkaven Bereiche des Films 36 wie sie sind, so dass damit die konkaven Bereiche des Polysiliziumfilms 3 bedeckt sind. Die konkaven Bereiche werden vor einer chemischen Atzung mit der alkalischen Lösung durch die konkaven Abdeckungsbereiche der Bereiche des Films 36 geschützt.
In diesem Ausführungsbeispiel wird der Siliziumwafer jedes mal dann, wenn ein Siliziumwafer poliert wird, mit dem Keramikabrichter abgerichtet, was ein Merkmal der vorliegenden Erfindung ist. Jeder der in Fig. 7A oder 7B gezeigten Abrichter kann verwendet werden.
Als nächstes wird die Auswirkung dieses Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Fig. 18A und 18B beschrieben.
Da das Polierkissen mit dem Keramikabrichter jedes mal bei einer Behandlung eines Wafers konditioniert wird, kann die Poliereigenschaft des Kissens stabil gehalten werden. Ein Abrichten mit dem Keramikabrichter macht es möglich, ein Dishing zu steuern, statt Abrichten mit dem Diamantabrichter, und eine Staubanhaftung auf dem Halbleiterwafer zu kontrollieren, ein Ergebnis der Stauberzeugung des Polierkissens, anstelle eines Prozesses ohne irgendeinen Abrichteprozess (Fig. 18A). Eine längere Lebensdauer des Polierkissens und eine Stabilität der Polierrate kann erwartet werden.
Das in diesem Ausführungsbeispiel verwendete Additiv zum Bilden eines Films auf der Oberfläche von Silizium ist nicht auf hydrophiles Polysaccharid beschränkt, und kann irgendein Material zum Verhindern einer übermäßigen Polierung sein. Beispielsweise kann ein Material zum Oxidieren der Oberfläche von Silizium verwendet werden.
Das Folgende erläutert das fünfte Ausführungsbeispiel bezüglich einer Behandlung zum Planmachen eines SiO&sub2;- Oberflächenfilms auf einem Wafer, behandelt mit dem Poliervorgang unter Verwendung der in Fig. 2 gezeigten Poliervorrichtung, unter Bezugnahme auf die Figuren. Als erstes wird ein Si&sub3;N&sub4;-Film 7 auf einem Halbleitersubstrat 1 abgelagert, beispielsweise mittels CVD (Fig. 19A). Spezifizierte Bereiche des Si&sub3;N&sub4;-Films 1 und des Halbleitersubstrats 1 werden dann durch ein Musterbilden geätzt, um Rillen 8 in diesen Bereichen (Fig. 19B) zu bilden. Ein SiO&sub2;-Film 5 wird auf dem Si&sub3;N&sub4; und in den Rillen 8 mittels CVD (Fig. 20A abgelagert. Nachfolgend wird der SiO&sub2;-Film durch den CMP-Prozess poliert. Wenn die Freilegung des Si&sub3;N&sub4;- Films, der einen Stopperfilm darstellt, erfasst wird, wird die Polierbehandlung des SiO&sub2;-Films 5 beendet, wodurch ein Einbetten des SiO&sub2;-Films in die Rillen 8 beendet wird, und die Oberfläche der Halbleitervorrichtung 1 flach ausgebildet wird (Fig. 20B).
Nachdem einer oder mehrere Siliziumwafer dieser Polierbehandlung unterzogen wurden wird die Abrichtebehandlung an das Polierkissen angewendet. Diese Abrichtebehandlung bewirkt, dass das durch das Polieren der Siliziumwafer verschlechterte Polierkissen in kurzer Zeit restauriert wird.
In letzter Zeit wurde das CMP-Verfahren beim Herstellungsprozess von integrierten Vorrichtungen großen Maßstabs verwendet. Somit wird das Folgende das sechste Ausführungsbeispiel bezüglich eines Vorgangs zur Herstellung einer integrierten Vorrichtung großen Maßstabs erläutern, unter Bezugnahme auf die Fig. 21A und 21B. Die Fig. 21A und 21B zeigen Querschnitte einer Struktur einer Vorrichtung, die bei dem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, und wobei der Schritt zum Trennen von Grabenelementen angewendet wird. Die Oberfläche eines Halbleitersubstrats 1 wird mittels Wärme oxidiert, um einen SiO&sub2;-Film 2 zu bilden, und dann wird ein Si&sub3;N&sub4;-Film, der eine Stopperschicht zum Stoppen eines Polierens darstellt, auf dem SiO&sub2;-Film mittels CVD abgelagert. Danach werden Teile des Si&sub3;N&sub4;-Films 7, des SiO&sub2;-Films 2 und des Halbleitersubstrats 1, wobei diese Teile Bereiche zum Ausbilden von getrennten Elementen sind, mittels eines lithographischen Musterbildens entfernt, um Rille 9 zu bilden. Nachfolgend wird die Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 in den Rillen 9 oxidiert und dann wird Boron durch Ionenimplantierung auf dem Grund der Rillen 9 eingebracht, um Kanalabschnittsbereiche 10 zu bilden. Ein Polysiliziumfilm 3 wird dann auf dem Si&sub3;N&sub4;-Film 7 und in den Rillen 9 mittels CVD (Fig. 21A) abgelagert. SiO&sub2; kann statt des Polysiliziumfilms verwendet werden.
Als nächstes wird der Polysiliziumfilm 3 auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 poliert, bis der Si&sub3;N&sub4;-Film frei liegt (Fig. 21B). Die Polierrate des Si&sub3;N&sub4;-Films 7 ist ungefähr ein Zehntel bis ein Zweihundertstel so niedrig wie die des Polysiliziumfilms und demzufolge kann die Polierbehandlung durch den Si&sub3;N&sub4;-Film 7 gestoppt werden, so dass der Polysiliziumfilm 3 nur in die Rillen eingebettet werden kann.
Wie oben beschrieben kann eine Schicht als Stopperfilm zum Stoppen eines Polierens ausgewählt werden, deren Polierrate kleiner als die der zu polierenden Schicht ist, und die Polierzeit kann festgelegt werden. Somit kann die Polierbehandlung gestoppt werden, wenn der Stopperfilm freigelegt wird.
Nachdem einer oder mehrere Siliziumwafer dieser Polierbehandlung unterzogen wurden, wird das Polierkissen dem Abrichten unterzogen. Die Abrichtebehandlung bewirkt, dass das durch das Polieren der Siliziumwafer verschlechterte Polierkissen für eine kurze Zeit restauriert wird.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 22A bis 22C und Fig. 23A und 23B wird das siebte Ausführungsbeispiel beschrieben, das einen Polierprozess betrifft, der im Falle eines Einbettens einer Metallverdrahtung in die Rillen eines Isolierfilms verwendet wird.
Ein SiO&sub2;-Film 5 und ein Plasma SiO&sub2;-Film 12 werden auf einem Halbleiterstubstrat 1 in Abfolge mittels CVD (Fig. 22A) abgelagert. Bestimmte Bereiche des Plasma SiO&sub2;-Films 12 werden dann gemustert, um Rillen 14 (Fig. 22B) zu bilden. Ein Cu-Film 16 wird in die Rillen 14 abgelagert und auf der gesamten Oberfläche des Plasma SiO&sub2;-Films 12 (Fig. 22C). Der Cu-Film 16 wird unter Verwendung des Plasma SiO&sub2;-Films 12 als Stopperfilm poliert. Wenn der Plasma SiO&sub2;-Film freigelegt wird, wird die Polierbehandlung des Cu-Films 16 gestoppt, so dass der Cu-Film 16 nur in den Rillen 14 eingebettet ist, um eine eingebettete Cu-Verdrahtung (Fig. 23A) gebildet wird.
Das Polieren macht die Oberfläche des Halbleitersubstrats 1 flach, und demzufolge ist die Ausbildung des nachfolgenden zweiten Plasma SiO&sub2;-Films einfach (Fig. 23B). Aufgrund der Flachheit gemäß des CMP-Prozesses wird die Bildung einer Elektrodenverdrahtung (nicht gezeigt) auf dem zweiten Film und dem dritten Film einfach sein.
Nachdem einer oder mehrere Siliziumwafer dieser Polierbehandlung unterzogen sind, wird das Polierkissen einer Abrichtung unterzogen. Diese Abrichtung bewirkt, dass das durch das Polieren der Siliziumwafer verschlechterte Polierkissen kurzzeitig restauriert wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung, wie oben ausgeführt ist es (1) möglich. Reaktionsprodukte zu entfernen, mit denen das Innere der Porenschicht des Polierkissens blockiert ist, und Verunreinigungen, die in die Poren hinein gedrückt sind und darin festsitzen, wie beispielsweise Polierpartikel, und die rauh gemachte Porenschicht zu entfernen. (2) Die Bedingung der regenerierten oder restaurierten Oberfläche des Polierkissens ist im wesentlichen die gleiche wie nach einem Konditionieren, wodurch ermöglicht wird, dass die nächste Polierungsbehandlung ohne Konditionierung durchgeführt wird. (3) Wenn die Abrichtebehandlung mit dem Keramikabrichter gemäß der vorliegenden Erfindung durchgeführt wird, nach oder begleitet mit einer Polierbehandlung, ist es möglich, eine stabile Polierrate und Gleichmäßigkeit einer Polierung zu erhalten. (4) Durch Hinzufügen eines Additivs zum Bilden eines Films zum Verhindern einer übermäßigen Polierung in das Poliermaterial, ist es möglich, eine Staub zu reduzieren, wobei ein Dishing kontrolliert wird, was die Lebensdauer des Polierkissens verlängert, und die Stabilität der Polierrate aufrecht erhält.

Claims

1. Ein Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens (19), umfassend:

einen Schritt zum Abrichten einer Polieroberfläche eines benutzten Polierkissens (19) mit einem Diamantabrichter (24);

gekennzeichnet durch

einen Schritt, nachfolgend dem Abrichteschritt mit dem Diamantabrichter (24), zum Abrichten der Polieroberfläche des Polierkissens (19) mit einem Keramikabrichter (22);

einen Schritt, nachfolgend dem Abrichteschritt mit dem Keramikabrichter (22), zum Polieren einer Oberfläche mindestens eines Halbleiterwafers (20) mit der Polieroberfläche des Polierkissens (19), während ein Poliermaterial mit Polierpartikeln auf die Polieroberfläche des Polierkissens (19) aufgebracht wird; und

einen Schritt, nachfolgend dem Polierschritt, zum Abrichten der durch Polieren in dem Polierschritt verschlechterten Polieroberfläche des Polierkissens (19) mit dem Keramikabrichter (22).

2. Verfahren zur Behandlung eines Polierkissens (19) nach Anspruch 1, weiter umfassend:

einen Schritt, nachfolgend zum Abrichteschritt der verschlechterten Polieroberfläche des Polierkissens (19), zum Polieren mindestens eines Halbleiterwafers (20) mit der Polieroberfläche des Polierkissens (19); und

einen Schritt, nachfolgend dem Polierschritt, zum Abrichten der durch Polieren beim Polierschritt verschlechterten Polieroberfläche des Polierkissens (19) mit dem Keramikabrichter (22).

3. Das Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens (19) nach Anspruch 2, wobei die Abfolge des Polierschritts und des Abrichteschritts mehrfach wiederholt werden.

4. Das Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens (19) nach Anspruch 3, weiter mit einem Schritt, nachfolgend der Vervollständigung der Sequenz des Polierschritts und des Abrichteschritts in Anspruch 3, zum Abrichten der Polieroberfläche des Polierkissens mit dem Diamantabrichter (24).

5. Das Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens (19) nach Anspruch 4, weiter mit einem Schritt, nachfolgend dem Abrichteschritt mit dem Diamantabrichter (24) und bevor das Polierkissen (19) für ein weiteres Polieren verwendet wird, zum Abrichten der Polieroberfläche des Polierkissens mit dem Keramikabrichter.

6. Das Verfahren zum Abrichten eines Polierkissens (19) nach Anspruch 1, wobei die Behandlungsoberfläche des Keramikabrichters (22) mindestens einen Stufenabschnitt aufweist.