JP4722231B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハや光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に所定の処理を行う際の基板の温度を計測する基板処理装置に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、基板にレジスト塗布処理を行ってその基板を露光ユニットに渡すとともに、該露光ユニットから露光後の基板を受け取って現像処理を行う装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く使用されている。

通常、このようなコータ＆デベロッパには、レジスト塗布処理および現像処理に付随する熱処理（例えば露光後ベーク処理）を行うユニットが多数搭載されており、それら熱処理ユニットの処理特性を均一にしておくことがプロセス上重要である。このため、ベアウェハ上に複数点の温度センサを設置した測温用ウェハを用いて熱処理ユニットにおけるウェハ面の温度測定が行われている（例えば、特許文献１，２参照）。

特開２００２−１２４４５７号公報 特開平１１−３０７６０６号公報

測温用ウェハには、温度センサに接続したケーブルを装置外にまで引き出して専用の測定ユニットに接続して温度測定を行う方式と、測温用ウェハに送信機を搭載して通信によって装置外の測定ユニットにより温度測定を行うワイヤレス方式とがある。ケーブルを装置外にまで引き出す方式では測温用ウェハを多数の熱処理ユニットにセットする作業自体が極めて煩雑なものとなり、しかも熱処理用プレートを覆うカバーや熱処理ユニットのシャッタによってケーブルが挟まれることとなるため正確な温度測定が困難になるという問題があった。

また、いずれの方式であっても、従来では熱処理ユニットのプレート上に測温用ウェハを設置してから十分な時間が経過して安定した後の温度測定を行い、それに基づいて温度設定のパラメータ調整等を行っていた。しかしながら、このような安定状態に移行した後の温度測定はいわば静的温度測定ともいうべきものであり、それによって得られた測定温度に基づいてパラメータ調整を行った場合には実際に処理するウェハの温度変化が予定したものとわずかながら異なるという問題が生じる。このため、わずかな誤差をも問題視する近年においては、静的温度よりもむしろ実際の熱処理中のウェハ温度、言うなれば動的温度を重視する傾向にある。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができ、また、それによって得られた測定温度に基づいて正確な温調機構の制御を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。

かかる課題を解決する為に、請求項１に係る発明は、基板に所定の処理を行う処理部と、温度センサと該温度センサによって測定された測温データを蓄積する記憶部と該記憶部に接続されたインターフェイスとを搭載した測温用基板を載置可能な載置台と、前記載置台に設けられたインターフェイスを介して前記測温用基板の記憶部に蓄積された測温データを収集するデータ収集部と、前記載置台と前記処理部との間で基板の搬送を行う搬送手段とを備え、前記測温用基板が前記載置台に載置されたとき、前記測温用基板に設けられた前記インターフェイスが、前記載置台に設けられた前記インターフェイスと連結されて、前記データ収集部が前記測温用基板の記憶部に蓄積された測温データを収集することを特徴とする。

請求項２に係る発明は、請求項１記載の基板処理装置において、前記処理部を経て前記載置台に搬送された測温用基板から収集された測温データに基づいて、前記所定の処理の温度状態が予め定められた温度状態となるように前記所定の処理に関連する温調機構を制御する温度制御手段を備えたことを特徴とする。

請求項３に係る発明は、請求項２記載の基板処理装置において、前記処理部は、基板に熱処理を行う熱処理部であり、前記温度制御手段は、測温用基板から収集された測温データに基づいて前記熱処理部の温調機構を制御することを特徴とする。

請求項４に係る発明は、請求項２記載の基板処理装置において、前記処理部は、基板に処理液を供給する液処理部であり、前記温度制御手段は、測温用基板から収集された測温データに基づいて前記処理液の温度調整を行う温調機構を制御することを特徴とする。

請求項５に係る発明は、請求項１記載の基板処理装置において、基板に所定の処理を行う前記処理部を配置したユニット配置部と、前記処理部に未処理の基板を払い出すとともに、前記処理部から処理済みの基板を受け取るインデクサ部と、前記載置台を含み、前記測温用基板を格納する格納部とを更に備え、前記搬送手段は、前記インデクサ部、前記処理部および前記格納部の間で基板を搬送するものであり、前記格納部を前記ユニット配置部に固定的に設置したことを特徴とする。

請求項６に係る発明は、請求項５記載の基板処理装置において、前記搬送手段は、前記ユニット配置部に配置された複数の搬送ロボットを含み、前記格納部は、前記複数の搬送ロボットのそれぞれに対応して設けられた格納ステーションを含むことを特徴とする。

請求項７に係る発明は、請求項５または請求項６記載の基板処理装置において、前記搬送手段に定期的に前記格納部から測温用基板を搬出させて前記処理部を経由して前記格納部に帰還させるスケジュール管理部をさらに備えることを特徴とする。

請求項８に係る発明は、請求項５から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、前記ユニット配置部には複数の処理部が配置され、前記複数の処理部と前記格納部との間での基板搬送手順を設定可能な設定手段と、前記設定手段によって設定された基板搬送手順に従って測温用基板を搬送するように前記搬送手段を制御する搬送制御手段と、をさらに備えることを特徴とする。

請求項９に係る発明は、請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、前記測温用基板は、当該測温用基板に搭載されている機構に電力を供給するバッテリーを備え、前記載置台には、前記測温用基板の載置時に、前記測温用基板のインターフェイスと前記載置台のインターフェイスを介して前記バッテリーを充電する充電部をさらに備えることを特徴とする。

請求項１の発明によれば、温度センサと該温度センサによって測定された測温データを蓄積する記憶部と該記憶部に接続されたインターフェイスとを搭載した測温用基板を載置台に載置したときに、前記載置台に設けられたインターフェイスが測温用基板のインターフェイスと連結されて、データ収集部が測温用基板の記憶部に蓄積された測温データを収集するので、処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができる。

請求項２の発明によれば、処理部を経て前記載置台に搬送された測温用基板から収集された測温データに基づいて、温度制御手段が、前記所定の処理の温度状態が予め定められた温度状態となるように前記所定の処理に関連する温調機構を制御するので、得られた測定温度に基づいて正確な温調機構の制御を行うことができる。

請求項３の発明によれば、測温用基板から収集された測温データに基づいて熱処理部の温調機構を制御するため、熱処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができ、しかも正確な熱処理部の温調機構の制御を行うことができる。

請求項４の発明によれば、測温用基板から収集された測温データに基づいて処理液の温度調整を行う温調機構を制御するため、当該温調機構の正確な制御を行うことができる。

請求項５の発明によれば、処理部を配置するユニット配置部に格納部を固定的に設置するため、処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができる。

請求項６の発明によれば、複数の搬送ロボットのそれぞれに対応して格納ステーションが設けられているため、基板温度をより簡便に測定することができる。

請求項７の発明によれば、定期的に前記格納部から測温用基板を搬出させて処理部を経由して前記格納部に帰還させるため、基板温度をより簡便に測定することができる。

請求項８の発明によれば、複数の処理部と格納部との間での基板搬送手順を設定可能な設定手段を備えるため、基板温度測定の利便性をより高めることができる。

請求項９の発明によれば、測温用基板を載置台に載置した時に、充電部が測温用基板のインターフェイスと載置台のインターフェイスを介して測温用基板のバッテリーを充電するので、基板温度測定の利便性をより高めることができる。

本発明に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の基板載置部の周辺構成を示す図である。 搬送ロボットを説明するための図である。 図１の基板処理装置の制御機構の概略を示すブロック図である。 測温用ウェハの概念的構成を示す図である。 ベースステーションにおける測温用ウェハの運用形態を示す図である。 測温用ウェハを用いた温度測定手順を示すフローチャートである。 ホットプレートに搬入された基板が辿る温度プロファイルを示す図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

図１は、本発明に係る基板処理装置の平面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図１から図４にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。

本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用のガラス基板等であっても良い。

本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。また、本実施形態の基板処理装置および露光ユニットＥＸＰはホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線（図示省略）を経由して接続されている。

インデクサブロック１は、装置外から受け取った未処理基板をバークブロック２やレジスト塗布ブロック３に払い出すとともに、現像処理ブロック４から受け取った処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。基板移載機構１２は、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ軸方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。

インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、基板移載機構１２やバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部ＢＲＣと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２１，２１と、下地塗布処理部ＢＲＣおよび熱処理タワー２１，２１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部ＢＲＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー２１，２１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２１，２１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２１，２１から下地塗布処理部ＢＲＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

下地塗布処理部ＢＲＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部ＢＲＣとする。各塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２２、このスピンチャック２２上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２３、スピンチャック２２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー２１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー２１には、下から順にクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー２１には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。また、密着強化処理部ＡＨＬ１の下段には、後述する測温用ウェハを格納するベースステーションＢＳが設置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。

このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（バークブロック２ではホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー２１，２１を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくな
るという利点がある。

図５は、搬送ロボットＴＲ１を説明するための図である。図５（ａ）は搬送ロボットＴＲ１の平面図であり、（ｂ）は搬送ロボットＴＲ１の正面図である。搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム６ａ，６ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム６ａ，６ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン７で基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。

搬送ロボットＴＲ１の基台８は装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台８上に、ガイド軸９ｃが立設されるとともに、螺軸９ａが回転可能に立設支持されている。また、基台８には螺軸９ａを回転駆動するモータ９ｂが固定設置されている。そして、螺軸９ａには昇降台１０ａが螺合されるとともに、昇降台１０ａはガイド軸９ｃに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ９ｂが螺軸９ａを回転駆動することにより、昇降台１０ａがガイド軸９ｃに案内されて鉛直方向（Ｚ方向）に昇降移動するようになっている。

また、昇降台１０ａ上にアーム基台１０ｂが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ａには、アーム基台１０ｂを旋回駆動するモータ１０ｃが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｂ上に上述した２個の保持アーム６ａ，６ｂが上下に配設されている。各保持アーム６ａ，６ｂは、アーム基台１０ｂに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｂの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。

このような構成によって、図５（ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は２個の保持アーム６ａ，６ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２１に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部ＢＲＣに設けられた塗布処理ユニット、ベースステーションＢＳおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態
にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられている。

レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部ＳＣと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１，３１と、レジスト塗布処理部ＳＣおよび熱処理タワー３１，３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部ＳＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー３１，３１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３１，３１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３１，３１からレジスト塗布処理部ＳＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

レジスト塗布処理部ＳＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部ＳＣとする。各塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上にレジスト液を吐出する塗布ノズル３３、スピンチャック３２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。

各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３４（図１参照）とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構３４は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。

ローカル搬送機構３４は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ２とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットＴＲ２側およびローカル搬送機構３４側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口し、搬送ロボットＴＲ２側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットＴＲ２およびローカル搬送機構３４の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構３４のみがアクセス可能である。

このような構成を備える各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に基板Ｗを搬入するときには、まず搬送ロボットＴＲ２が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構３４が基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構３４によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構３４が備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ２によって取り出される。

このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対して直接に基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部ＳＣが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボットＴＲ２が直接基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送ロボットＴＲ２の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ２は２個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３１，３１に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部ＳＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられている。

現像処理ブロック４は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部ＳＤと、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー４１，４２と、現像処理部ＳＤおよび熱処理タワー４１，４２に対して基板Ｗの受け渡
しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と全く同じ構成を有する。

現像処理部ＳＤは、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５を下から順に積層配置して構成されている。なお、５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部ＳＤとする。各現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４３、このスピンチャック４３上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４４、スピンチャック４３を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４３上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー４１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３とが設けられている。この熱処理タワー４１には、下から順にクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー４２には、６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２とクールプレートＣＰ１４とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。但し、各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の基板仮置部およびクールプレートＣＰ１４はインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の側には開口しているが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３の側には閉塞している。つまり、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４はアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可である。なお、熱処理タワー４１に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。

また、熱処理タワー４２の最上段には、現像処理ブロック４と、これに隣接するインターフェイスブロック５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。

次に、インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗをレジスト塗布ブロック３から受け取って本基板処理装置とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４に渡すブロックである。本実施形態のインターフェイスブロック５には、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構５５の他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２と、現像処理ブロック４内に配設された加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２、クールプレートＣＰ１４およびエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２に対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備えている。

エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２（２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２を特に区別しない場合はこれらを総称してエッジ露光部ＥＥＷとする）は、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６や、このスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２は、インターフェイスブロック５の中央部に上下に積層配置されている。このエッジ露光部ＥＥＷと現像処理ブロック４の熱処理タワー４２とに隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は上述した搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と同様の構成を備えている。

また、図２に示すように、２つのエッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２の下側には基板戻し用のリターンバッファＲＢＦが設けられ、さらにその下側には２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に積層して設けられている。リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４が基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２で露光後の加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。このリターンバッファＲＢＦは、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。また、上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構５５に基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構５５から搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行う。

搬送機構５５は、図２に示すように、Ｙ方向に水平移動可能な可動台５５ａを備え、この可動台５５ａ上に基板Ｗを保持する保持アーム５５ｂを搭載している。保持アーム５５ｂは、可動台５５ａに対して昇降移動、旋回動作および旋回半径方向への進退移動が可能に構成されている。このような構成によって、搬送機構５５は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うとともに、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０に対する基板Ｗの受け渡しと、基板送り用のセンドバッファＳＢＦに対する基板Ｗの収納および取り出しを行う。センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するもので、複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。

以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。

一方、本実施形態では、基板搬送に係る搬送制御単位を機械的に分割したブロックとは別に構成している。本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出
すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック１の基板移載機構１２やインターフェイスブロック５の搬送機構５５も含まれる。

本実施形態の基板処理装置には、インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセルの６つのセルが含まれている。インデクサセルは、載置台１１と基板移載機構１２とを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック１と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルは、下地塗布処理部ＢＲＣと２つの熱処理タワー２１，２１と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルも、機械的に分割した単位であるバークブロック２と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルは、レジスト塗布処理部ＳＣと２つの熱処理タワー３１，３１と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルも、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３と結果として同じ構成になっている。

一方、現像処理セルは、現像処理部ＳＤと熱処理タワー４１と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４２の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してアクセスすることができず、現像処理セルに熱処理タワー４２は含まれない。この点において、現像処理セルは機械的に分割した単位である現像処理ブロック４と異なる。

また、露光後ベークセルは、現像処理ブロック４に位置する熱処理タワー４２と、インターフェイスブロック５に位置するエッジ露光部ＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルは、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。

なお、熱処理タワー４２に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

インターフェイスセルは、外部装置である露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構５５を含んで構成されている。このインターフェイスセルは、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光部ＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光部ＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルの搬送機構５５との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

次に、本実施形態の基板処理装置の制御機構について説明する。図６は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施形態の基板処理装置は、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置
全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしても良い。

第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセル、バークセル、レジスト塗布セル、現像処理セル、露光後ベークセルおよびインターフェイスセル）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順に従って循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。

また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニットおよび現像処理ユニット）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示に従ってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。具体的には、ベークコントローラは、例えばホットプレートに内蔵されたヒータを制御してプレート温度等を調整する。

また、基板処理装置に設けられた３階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。ホストコンピュータ１００には、本実施形態の基板処理装置が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置のメインコントローラＭＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。

なお、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取ったレシピに従って動作制御を行っており、露光ユニットＥＸＰにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置が行うこととなる。

次に、本実施形態の基板処理装置の動作について説明する。ここでは、まず、基板処理装置における一般的な処理対象となる基板Ｗの循環搬送の概略手順について簡単に説明す
る。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容に従ったものである。

まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１に搬入される。続いて、インデクサブロック１から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサセル（インデクサブロック１）の基板移載機構１２が所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークセルの搬送ロボットＴＲ１が保持アーム６ａ，６ｂのうちの一方を使用してその基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は受け取った未処理の基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３では、基板Ｗに反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送するようにしても良い。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理してレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。密着強化処理が行われた基板Ｗには反射防止膜を形成しないため、冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって直接基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、反射防止膜用の塗布液を塗布する前に脱水処理を行うようにしても良い。この場合はまず、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気を供給することなく基板Ｗに単に脱水のための加熱処理（デハイドベーク）を行う。脱水のための加熱処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送され、加熱処理によって基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。さらにその後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却された後、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、基板Ｗにレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送するようにしても良い。

レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１
〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、レジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２のいずれかに搬入される。エッジ露光ユニットＥＥＷ１，ＥＥＷ２においては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗはインターフェイスセルの搬送機構５５によって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。なお、エッジ露光処理が終了した基板Ｗを露光ユニットＥＸＰに搬入する前に、搬送ロボットＴＲ４によってクールプレート１４に搬入して冷却処理を行うようにしても良い。

パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスセルに戻され、搬送機構５５によって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送する。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２では、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、冷却機構を備えたローカル搬送機構（加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２内の搬送機構：図１参照）によって搬送されることにより冷却され、上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理セルの搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送する。クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３においては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３から基板Ｗを取り出して現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送される。

その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布セルの搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークセルの搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサセルの基板移載機構１２によって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。

以上のように、本実施形態の基板処理装置には、多数の熱処理ユニットが搭載されており、それらのなかには露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のように厳密な温度管理が要求されるものもある。このため、本実施形態においては、以下のようにして熱処理ユニットの温度管理を行っている。

図３に示すように、熱処理タワー２１の一段にベースステーションＢＳが設けられている。ベースステーションＢＳは、測温用ウェハＭＷを格納するとともに、その測温用ウェハＭＷから測温データをダウンロードするユニットである。

図７は、測温用ウェハＭＷの概念的構成を示す図である。測温用ウェハＭＷの全体形状は実際に処理対象となる基板Ｗとほぼ同一である。測温用ウェハＭＷの主面には複数点（例えばφ２００ｍｍでは５２点、φ３００ｍｍでは６４点）の温度センサ７１が配置されている。また、測温用ウェハＭＷには温度センサ７１の他にバッテリー７２、ＡＤ変換器７３、メモリ７４およびインターフェイス７５が搭載されている。温度センサ７１は、温度を電気信号に変換するものであり、例えば白金測温抵抗体や半導体温度センサが使用される。温度センサ７１にて生じた電気信号はＡＤ変換器７３によってディジタル信号に変換されてメモリ７４に順次に格納される。インターフェイス７５は、測温用ウェハＭＷと外部との間にて信号送受信を行うためのものである。また、測温用ウェハＭＷに搭載されている各機構はバッテリー７２からの電力供給を受けて動作する。このような構成によって、測温用ウェハＭＷはワイヤレスにて温度計測を行うことができ、その測温データを一旦メモリ７４に蓄積するメモリストアド方式のものである。

図８は、ベースステーションＢＳにおける測温用ウェハＭＷの運用形態を示す図である。測温用ウェハＭＷは通常の処理対象となる基板Ｗと同一の形状を有しているため、基板処理装置が備える各搬送ロボットによって搬送可能であるとともに、各処理ユニットに搬入することも可能である。本実施形態では、ベースステーションＢＳをバークブロック２に配置しているため、搬送ロボットＴＲ１がベースステーションＢＳに対する測温用ウェハＭＷの受け渡しを行う。

ベースステーションＢＳには、載置台８１、充電部８２、データ収集部８３およびアップロード部８４が備えられている。なお、充電部８２、データ収集部８３およびアップロード部８４は載置台８１の内蔵するようにしても良いし、載置台８１とは別体として設けるようにしても良い。搬送ロボットＴＲ１によって測温用ウェハＭＷが載置台８１に載置されると、測温用ウェハＭＷのインターフェイス７５と図示を省略する載置台８１のインターフェイスとが連結される。その結果、充電部８２がバッテリー７２に充電可能になるとともに、データ収集部８３がメモリ７４から測温データをダウンロードすることができる。また、アップロード部８４がセンサの選択や温度測定開始条件等を含む温度測定要件を測温用ウェハＭＷにアップロードすることも可能となる。

図９は、測温用ウェハＭＷを用いた温度測定手順を示すフローチャートである。この温度測定は、オペレータがキーボードＫＢやメインパネルＭＰから測温対象となる処理ユニットを指定した所定のコマンドを入力することによってセルコントローラＣＣの制御下にて実行される。本実施形態では、まず、搬送ロボットＴＲ１がベースステーションＢＳから測温用ウェハＭＷを搬出する（ステップＳ１）。このときには、バッテリー７２への充電は完了しているものとする。また、ベースステーションＢＳから測温用ウェハＭＷが搬出されると同時に温度測定が開始されるものとする。ベースステーションＢＳから搬出された測温用ウェハＭＷは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬入される（ステップＳ２）。

ホットプレートに搬入された測温用ウェハＭＷは、通常の基板Ｗと同様に加熱されることによって昇温し、そのウェハ温度は予め設定された測定間隔にて逐次温度センサ７１によって測定され、測温データとしてメモリ７４に蓄積される（ステップＳ３）。やがて、所定の測定時間が経過した後、搬送ロボットＴＲ１がホットプレートから測温用ウェハＭＷを搬出してクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送する（ステップＳ４）。クールプレートに搬入された測温用ウェハＭＷは、通常の基板Ｗと同様に冷却されることによって降温し、そのときのウェハ温度も逐次温度センサ７１によって測定され、測温データとしてメモリ７４に蓄積される。

冷却された測温用ウェハＭＷは、搬送ロボットＴＲ１によってクールプレートから取り出されて再びベースステーションＢＳへと搬送される（ステップＳ５）。ベースステーションＢＳに帰還した測温用ウェハＭＷは搬送ロボットＴＲ１によって載置台８１に載置される。そして、充電部８２によってバッテリー７２の充電が実行されるとともに、メモリ７４に蓄積された測温データがデータ収集部８３によって読み出される（ステップＳ６）。なお、このときにはアップロード部８４によって温度測定要件等のアップロードも行われる。データ収集部８３によって収集された測温データはバークセルのセルコントローラＣＣに伝達されて解析され（ステップＳ７）、それに基づいて測温用ウェハＭＷが搬送されたホットプレートの温調制御が行われる（ステップＳ８）。

例えば、測温データから得られた上記ホットプレートにおける測温用ウェハＭＷの到達温度が予め定められている熱処理温度よりも高い場合には、当該ホットプレートのプレート温度を低下させる適切なオフセット値をセルコントローラＣＣが算出し、そのオフセット値を下位のベークコントローラに伝達する（図６参照）。当該ベークコントローラは、そのオフセット値に基づいてホットプレートに内蔵されたヒータを制御してプレート温度を低下させる。逆に、測温データから得られた測温用ウェハＭＷの到達温度が設定処理温度よりも低い場合には、プレート温度を上昇させる適切なオフセット値をセルコントローラＣＣが算出し、それに基づいてベークコントローラがヒータを制御してプレート温度を上昇させる。なお、測温用ウェハＭＷには複数の温度センサ７１が配置されているため、その数に応じた複数の測温データが得られることとなるが、本実施形態ではセルコントローラＣＣがこれらを平均化処理して代表値を算出し、その代表値に基づいて温調制御を行っている。

このようにすれば、搬送ロボットＴＲ１によって測温用ウェハＭＷをホットプレートに自動搬送して測温データを蓄積し、それに基づいてホットプレートの温度が予め定められた温度となるように自動制御されるため、ホットプレートの温度管理が簡易なものとなる。なお、この実施形態においては、セルコントローラＣＣの管理の制御のもとに温度測定手順の実施および温度制御が行われるようになっていたが、かかる制御をメインコントローラＭＣによって行わしめるようにしてもよい。

また、実際に処理される基板Ｗとほぼ同一形状のワイヤレス方式の測温用ウェハＭＷによって温度計測を実行するため、より実処理に近い状態の正確な温度計測を行うことができ、より正確にホットプレートの温度制御を行うことができる。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、ホットプレートの温度計測を行ってそのプレート温度を制御するようにしていたが、測温用ウェハＭＷを用いてクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかの温度計測を行ってそのプレート温度を制御するようにしても良い。なお、図９と同様の手法によって密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれか温度計測を行ってそのプレート温度を制御するようにしても良いことは勿論である。すなわち、測温用ウェハＭＷによって熱処理
ユニットにおけるウェハ温度計測を行い、測温用ウェハＭＷから収集された測温データに基づいて当該熱処理ユニットの温調機構を制御することができる。

また、上記実施形態の手法によって温度計測の対象となるのは熱処理ユニットに限定されるものではなく、例えば塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３の如き基板に処理液を供給する液処理ユニットにおけるウェハ温度計測を行うようにしても良い。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３においては、通常の基板Ｗを処理するのと同じように、測温用ウェハＭＷに反射防止膜用の塗布液を供給して回転塗布する。この場合、測温用ウェハＭＷによって収集されるウェハ温度変化は、塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３に供給される温調済みエアーの温度、測温用ウェハＭＷに供給される塗布液の温度、測温用ウェハＭＷを回転するモータのモータフランジ温度等によってもたらされるものである。従って、バークセルのセルコントローラＣＣは、測温用ウェハＭＷから収集された測温データに基づいて、塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３にエア供給を行う空調ユニット（図示省略）を制御してエアの温度を所定値に調整したり、供給前の塗布液の温度調整を行う温調機構を制御して塗布液の温度を所定値に調整したり、モータフランジの恒温水の温度調整を行う温調機構を制御して恒温水の温度を所定値に調整することができる。

また、測温用ウェハＭＷを搬送することによって温度計測の対象となるのはバークブロック２の処理ユニットに限られるものではなく、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４、インターフェイスブロック５に配置された処理ユニットであっても良い。この場合、搬送ロボットＴＲ１と他の搬送ロボットとが協働して測温用ウェハＭＷを搬送することとなり、温度計測の対象となる処理ユニットを管理するセルコントローラＣＣが測温データに基づいた温調制御を行う。

これらの内容を集約すると、測温用ウェハＭＷをいずれかの処理ユニットに搬送してその処理ユニットにおけるウェハ温度計測を行い、ベースステーションＢＳに帰還した測温用ウェハＭＷから収集された測温データに基づいて当該処理ユニットにおける処理の温度状態が予め定められた温度状態となるようにその処理に関連する温調機構を制御するというものである。

また、上記実施形態においては、バークブロック２の熱処理タワー２１の一段にベースステーションＢＳを設けるようにしていたが、他のブロックの処理ユニット多段配置構造の一段（例えば、レジスト塗布ブロック３における加熱部ＰＦＰ６の上段や現像処理ブロック４におけるホットプレートＨＰ１１の上段）にベースステーションＢＳを設けるようにしても良い。そのベースステーションＢＳの運用形態は上記実施形態と同じである。基板に何らかの処理を行う処理ユニットを多段に配置した多段配置構造の一段にベースステーションＢＳを配置するようにすれば、従来の基板処理装置よりもフットプリントを増大させることなくベースステーションＢＳを組み込むことができる。

また、インデクサブロック１とバークブロック２との間の隔壁１３に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２にベースステーションＢＳを積層させるなど、各ブロック間の隔壁にベースステーションＢＳを配置するようにしてもよい。かかる構成によっても従来の基板処理装置よりもフットプリントを増大させることなくベースステーションＢＳを組み込むことができる。

また、キャリアＣにベースステーションＢＳを内蔵し、そのキャリアＣを載置台１１の４つの載置位置（図１参照）のうちのいずれか一つに載置するようにしても良い。もっとも、このようにすると４つの載置位置のうちの１つがベースステーションＢＳ内蔵キャリアによって占有されることとなるため、実際の基板処理を行うときにはベースステーションＢＳ内蔵キャリアを取り外し、温度計測を行うときのみ取り付けるようにする必要があ
る。これ対して、上記実施形態のように基板に所定の処理を行う処理ユニットを配置したユニット配置部（上記の例ではバークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４、インターフェイスブロック５）にベースステーションＢＳを固定的に設置するようにすれば、温度計測の際のキャリア着脱が不要となって便利である。

また、基板処理装置に配置するベースステーションＢＳは１つに限定されるものではなく、複数であっても良い。例えば、４つの搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ４に１対１で対応するように、各搬送ロボットを含むセルにベースステーションＢＳを設置するようにすれば良い。このようにすれば、いずれのセルの設けられた処理ユニットの温度計測を行う場合であっても、そのセルに配置されたベースステーションＢＳから測温用ウェハＭＷを搬送して温度計測を行うことができ、搬送ロボット間で測温用ウェハＭＷを受け渡す必要がなくなってより簡便に温度計測を行うことができる。

また、上記実施形態においては、オペレータがキーボードＫＢやメインパネルＭＰから温度計測開始を指示するようにしていたが、温度計測を自動的に実行するスケジュールを管理するアプリケーションを予めセルコントローラＣＣ（またはメインコントローラＭＣ）に持たせておき、定期的にベースステーションＢＳから測温用ウェハＭＷを搬出させて前記アプリケーション上で設定されている処理ユニットを経由してベースステーションＢＳに帰還させるようにセルコントローラＣＣが搬送ロボットを制御するようにしても良い。温度計測を行う時期としては、例えば基板処理装置が設置されている工場の休業日や定期メンテナンス日に設定すれば、実際の基板処理に影響を与えることなく、処理ユニットでの処理温度を計測して関連する温調機構の調整を行うことができる。言うなれば、処理ユニットの温度調整に関しては、オートメンテナンスおよびオートチューニングが可能となるのである。

また、測温用ウェハＭＷを搬送する手順としては図９に示した例に限定されるものではなく、複数の処理ユニットに任意に順序で搬送することが可能である。例えば、上述した通常の基板Ｗを処理するのと同様の手順に従って測温用ウェハＭＷを搬送して一連のフォトリソグラフィー処理におけるウェハ温度履歴を収集するようにすることもできる。この場合、複数の処理ユニットとベースステーションＢＳとの間での測温用ウェハＭＷの搬送順序は通常の基板Ｗと同じようにレシピに記述しておき、メインコントローラＭＣから各セルコントローラＣＣにそのレシピを渡し、各セルコントローラＣＣがレシピの記述内容に沿って搬送ロボットを制御する。測温用ウェハＭＷを搬送する手順を記述したレシピは、オペレータがキーボードＫＢおよびメインパネルＭＰを使用して編集するようにしても良いし、或いはホストコンピュータ１００から基板処理装置に渡すようにしても良い。

また、上記実施形態においては、測温用ウェハＭＷの到達温度（静的温度）に基づいてプレート設定温度のオフセット値を調整するようにしていたが、動的温度に基づいて例えばＰＩＤパラメータの調整を行うようにしても良い。すなわち、ホットプレートに搬入されたウェハが辿る温度履歴は図１０のようなものとなるのであるが、ウェハ温度が一定温度に到達した後の安定したものが静的温度であり、ホットプレートに搬入されてから変化するウェハ温度プロファイル全体が動的温度と言うべきものである。測温用ウェハＭＷは一定間隔にて測定した温度データを蓄積しているため、図１０の如き温度プロファイルを得ることができ、測温用ウェハＭＷから収集した測温データに基づいて、当該温度プロファイルが所定のプロファイルに近づくようにホットプレートのヒータに設定されているＰＩＤ定数をセルコントローラＣＣが調整する。このようにすれば、より実際の熱処理中のウェハ温度に近い測温データを得ることができ、それに基づいてパラメータの調整を行えば、より正確にホットプレートの温度制御を行うことができる。

以上のように、基板に所定の処理を行う処理部と、温度センサと該温度センサによって
測定された測温データを蓄積する記憶部とを搭載した測温用基板を格納するとともに、当該測温用基板の記憶部に蓄積された測温データを収集する格納部と、格納部と処理部との間で基板の搬送を行う搬送手段と、処理部を経て格納部に搬送された測温用基板から収集された測温データに基づいて、所定の処理の温度状態が予め定められた温度状態となるように所定の処理に関連する温調機構を制御する温度制御手段と、を備える基板処理装置によれば、温度センサと該温度センサによって測定された測温データを蓄積する記憶部とを搭載した測温用基板を処理部から格納部に搬送し、測温用基板から収集された測温データに基づいて、所定の処理に関連する温調機構を制御しているため、処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができ、しかも、それによって得られた測定温度に基づいて正確な温調機構の制御を行うことができる。

処理部が、基板に熱処理を行う熱処理部である場合には、温度制御手段は、測温用基板から収集された測温データに基づいて熱処理部の温調機構を制御することにより、測温用基板から収集された測温データに基づいて熱処理部の温調機構を制御するため、熱処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができ、しかも正確な熱処理部の温調機構の制御を行うことができる。

処理部が、基板に処理液を供給する液処理部である場合には、温度制御手段は、測温用基板から収集された測温データに基づいて処理液の温度調整を行う温調機構を制御することにより、測温用基板から収集された測温データに基づいて処理液の温度調整を行う温調機構を制御するため、当該温調機構の正確な制御を行うことができる。

また、基板に所定の処理を行う処理部を配置したユニット配置部と、処理部に未処理の基板を払い出すとともに、処理部から処理済みの基板を受け取るインデクサ部と、温度センサと該温度センサによって測定された測温データを蓄積する記憶部とを搭載した測温用基板を格納するとともに、当該測温用基板の記憶部に蓄積された測温データを収集する格納部と、インデクサ部、処理部および格納部の間で基板を搬送する搬送手段と、を備え、格納部をユニット配置部に固定的に設置した基板処理装置によれば、処理部を配置するユニット配置部に格納部を固定的に設置するため、処理中の基板温度を正確かつ簡便に測定することができる。

搬送手段が、前記ユニット配置部に配置された複数の搬送ロボットを含み、格納部が、前記複数の搬送ロボットのそれぞれに対応して設けられた格納ステーションを含むことにより、複数の搬送ロボットのそれぞれに対応して格納ステーションが設けられているため、基板温度をより簡便に測定することができる。

搬送手段に定期的に格納部から測温用基板を搬出させて処理部を経由して格納部に帰還させるスケジュール管理部をさらに備えることにより、定期的に格納部から測温用基板を搬出させて前記処理部を経由して格納部に帰還させるため、基板温度をより簡便に測定することができる。

ユニット配置部に複数の処理部が配置され、複数の処理部と格納部との間での基板搬送手順を設定可能な設定手段と、設定手段によって設定された基板搬送手順に従って測温用基板を搬送するように搬送手段を制御する搬送制御手段と、をさらに備えることにより、複数の処理部と格納部との間での基板搬送手順を設定可能な設定手段を備えるため、基板温度測定の利便性をより高めることができる。

１ インデクサブロック
２ バークブロック
３ レジスト塗布ブロック
４ 現像処理ブロック
５ インターフェイスブロック
１２ 基板移載機構
２１，３１，４１，４２ 熱処理タワー
５５ 搬送機構
７１ 温度センサ
７２ バッテリー
７４ メモリ
７５ インターフェイス
８２ 充電部
８３ データ収集部
１００ ホストコンピュータ
ＫＢ キーボード
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ３，ＳＣ１〜ＳＣ３ 塗布処理ユニット
ＢＳ ベースステーション
ＣＣ セルコントローラ
ＣＰ１〜ＣＰ１４ クールプレート
ＥＸＰ 露光ユニット
ＨＰ１〜ＨＰ１１ ホットプレート
ＭＣ メインコントローラ
ＭＰ メインパネル
ＭＷ 測温用ウェハ
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２ 加熱部
ＳＤ１〜ＳＤ５ 現像処理ユニット
ＴＣ 搬送ロボットコントローラ
ＴＲ１〜ＴＲ４ 搬送ロボット
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板に所定の処理を行う処理部と、
   温度センサと該温度センサによって測定された測温データを蓄積する記憶部と該記憶部に接続されたインターフェイスとを搭載した測温用基板を載置可能な載置台と、
   前記載置台に設けられたインターフェイスを介して前記測温用基板の記憶部に蓄積された測温データを収集するデータ収集部と、
   前記載置台と前記処理部との間で基板の搬送を行う搬送手段とを備え、
   前記測温用基板が前記載置台に載置されたとき、前記測温用基板に設けられた前記インターフェイスが、前記載置台に設けられた前記インターフェイスと連結されて、前記データ収集部が前記測温用基板の記憶部に蓄積された測温データを収集する、
   ことを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   前記処理部を経て前記載置台に搬送された測温用基板から収集された測温データに基づいて、前記所定の処理の温度状態が予め定められた温度状態となるように前記所定の処理に関連する温調機構を制御する温度制御手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２記載の基板処理装置において、
   前記処理部は、基板に熱処理を行う熱処理部であり、
   前記温度制御手段は、測温用基板から収集された測温データに基づいて前記熱処理部の温調機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２記載の基板処理装置において、
   前記処理部は、基板に処理液を供給する液処理部であり、
   前記温度制御手段は、測温用基板から収集された測温データに基づいて前記処理液の温度調整を行う温調機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１記載の基板処理装置において、
   基板に所定の処理を行う前記処理部を配置したユニット配置部と、
   前記処理部に未処理の基板を払い出すとともに、前記処理部から処理済みの基板を受け取るインデクサ部と、
   前記載置台を含み、前記測温用基板を格納する格納部とを更に備え、
   前記搬送手段は、前記インデクサ部、前記処理部および前記格納部の間で基板を搬送するものであり、
   前記格納部を前記ユニット配置部に固定的に設置したことを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項５記載の基板処理装置において、
   前記搬送手段は、前記ユニット配置部に配置された複数の搬送ロボットを含み、
   前記格納部は、前記複数の搬送ロボットのそれぞれに対応して設けられた格納ステーションを含むことを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項５または請求項６記載の基板処理装置において、
   前記搬送手段に定期的に前記格納部から測温用基板を搬出させて前記処理部を経由して前記格納部に帰還させるスケジュール管理部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
8. 請求項５から請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記ユニット配置部には複数の処理部が配置され、
   前記複数の処理部と前記格納部との間での基板搬送手順を設定可能な設定手段と、
   前記設定手段によって設定された基板搬送手順に従って測温用基板を搬送するように前記搬送手段を制御する搬送制御手段と、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
9. 請求項１から請求項８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記測温用基板は、当該測温用基板に搭載されている機構に電力を供給するバッテリーを備え、
   前記載置台には、前記測温用基板の載置時に、前記測温用基板のインターフェイスと前記載置台のインターフェイスを介して前記バッテリーを充電する充電部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。

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