KR20030086921A - 기판처리방법 및 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 기판처리방법은 인수인도기구에 의해 선행 로트의 가장 뒤에 있는 기판을 카세트부로부터 처리부에 인수인도한 후에, 후속 로트의 선두 기판의 인수인도를 사이클시간의 정수배 기간만 정지시켜, 기판의 인수인도 정지기간중에 액처리 유니트에서 소정의 더미 디스펜스 시간의 더미 디스펜스를 행하고, 그 후에 인수인도기구에 의해 후속 로트의 선두 기판을 처리부에 인수인도하는 기술을 제공한다.

Description

기판처리방법 및 기판처리장치{METHOD AND DEVICE FOR PROCESSING SUBSTRATE}
본 발명은 반도체웨이퍼와 액정디스플레이(LCD)용 기판상에 소정의 회로패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피에 이용되는 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.
기판처리장치는 예를 들면, 미국특허 6,444,029B1호 공보에 개시되어 있다. 종래 장치내에서의 주반송기구 및 반도체웨이퍼의 움직임에 대해서 도 1을 참조하여 설명한다. 2개의 주반송기구(15A, 15B)는 왕로에 있어서 카세트 스테이지(11) →TRS(1) →CPL(1) →도포유니트(COT) →TRS(2) →LHP(1) →CPL(2) →인터페이스부(1B)의 순으로 협동하여 웨이퍼(W)를 반송한다. 이어서, 주반송기구(15A, 15B)는 반전하여 방향을 바꿔, 복로에 있어서 인터페이스부(1B) →PEB →CPL(3) →현상유니트(DEV) →LHP(2) →TRS(3) →TRS(4) →카세트스테이지(11)의 순으로 협동하여 웨이퍼(W)를 반송한다. 또한, TRS(1),TRS(4)는 보조반송기구(미도시)와 주반송기구(15A) 사이에서 웨이퍼의 인수인도를 행하기 위한 인수인도유니트이다. 또, TRS(2), TRS(3)는 주반송기구(15A, 15B) 상호간에서 웨이퍼의 인수인도를 행하기 위한 인수인도유니트이다.
한쪽의 주반송기구(15A)는 처리부(1A)내에서 TRS(1) →CPL(1) →도포유니트(COT) →TRS(2) →TRS(3) →TRS(4) →TRS(1)의 순환경로를 따라 이동한다. 이 순환경로를 주반송기구(15A)가 일주하는 것을 "주반송기구(15A)의 1사이클 이동"이라 부른다. 다른 쪽의 주반송기구(15B)는 처리부(1A)내에서 TRS(2) →LHP(1) →CPL(2) →PEB →CPL(3) →현상유니트(DEV) →LHP(2) →TRS(3) →TRS(2)의 순환경로를 따라 이동한다. 이 순환경로를 주반송기구(15B)가 일주하는 것을 "주반송기구(15B)의 1사이클 이동"이라 부른다. 이들 주반송기구(15A, 15B)의 사이클 이동중의 동작은 제어부의 소정 프로그램에 의해 제어되어, 순환경로내에서 되돌아가는 일이 없이 전진과 정지를 반복한다.
그런데, 주반송기구(15A, 15B)는 처리유니트에 대해 웨이퍼(W)를 출납하기 위한 상하 2개의 아암(arm)을 구비하고 있다. 예를 들면, 주반송기구(15A)는 n매째의 웨이퍼(Wn)를 TRS(1)로부터 받고 다음 공정의 CPL(1)에 반송하고, 순환경로를 1사이클 이동하여 TRS(1)까지 돌아와, 다음의 ((n+1)매째)의 웨이퍼(W; (n+1))를 TRS(1)로부터 받는다.
이와 같이, 한쪽의 주반송기구(15A)가 1사이클 이동할 때마다 웨이퍼(W)가 1매씩 TRS(1)를 통해 카세트부(11)로부터 처리부(1A)내에 반입된다. 또한, 주반송기구(15A)가 1사이클 이동할 때마다 웨이퍼(W)가 1매씩 TRS(4)를 통해 처리부(1A)로부터 카세트부(11)에 반입된다.
한편, 다른 쪽의 주반송기구(15B)가 1사이클 이동할 때마다 웨이퍼(W)가 1매씩 CPL(1)를 통해 인터페이스부(1B)에 인수인도된다. 또한, 주판송기구(15B)가 1사이클 이동할 때마다 웨이퍼(W)가 1매씩 PEB유니트를 통해 인터페이스부(1B)로부터 받는다. 이들의 동작을 순차적으로 반복함으로써 로트의 모든 웨이퍼(W)에 대해 소정의 처리가 행해진다.
예를 들면, 도포유니트(COT)에서는 웨이퍼(W)에 레지스트가 스핀코팅된다. 이 때, 탱크내의 레지스트액(resist solution)을 펌프로 공급관로에 압송하고, 공급관로를 통해 레지스트액을 노즐에 공급한다. 여기서, 웨이퍼(W)에의 레지스트액의 공급을 정지하면, 레지스트액이 노즐이나 공급관로내에 장기간에 걸쳐 체류하고, 레지스트액의 특성이 변한다(주로 용제가 휘발하여 레지스트의 점성이 변화한다). 이 때문에, 선행 로트와 후속 로트 사이, 즉 웨이퍼(W)에 레지스트를 도포하고 있지 않는 사이에, 체류하고 있는 레지스트액을 노즐 및 공급로내로부터 배출하는 이른바 더미 디스펜스(Dummy Dispense)를 행한다. 이 더미 디스펜스는 현상유니트(DEV)에 있어서도 동일하게 실시된다.
그러나, 상기 서술한 바와 같이 주반송기구(15A, 15B)는 순환경로내에서 되돌아가는 일이 없이 전진과 정지만의 동작이 이루어진다. 여기서 도포유니트(COT)에서 더미 디스펜스를 실시하면, 더미 디스펜스가 종료할 때까지, 주반송기구(15A)는 도포유니트(COT) 자리에서 정지하고, 대기상태가 된다. 이와 같이, 현상유니트(DEV)에서 더미 디스펜스를 실시할 경우에도, 다른 쪽 주반송기구(15B)가 현상유니트(DEV) 자리에서 정지하고 대기상태가 된다.
선행 로트(A)(1로트:웨이퍼 25매)와 후속 로트(B) 사이에 도포유니트(COT)로 더미 디스펜스를 행할 경우를 예를 들어 설명한다. 선행 로트(A)의 마지막 웨이퍼(A25)에 대해 레지스트 도포가 종료하면, 주반송기구(15A)는 한쪽 아암으로 후속 로트(B)의 선두 웨이퍼(B01)를 전 공정의 CPL(1)로부터 취출하고, 다른 쪽의 아암으로 도포유니트(COT)로부터 웨이퍼(A25)를 취출한다.
한편, 도포유니트(COT)의 다음 고정의 TRS(2)에는 선행로트(A)의 웨이퍼(A24)가 들어 있다. 이 웨이퍼(A24)는 다른 쪽 주반송기구(15B)에 의해 다음 공정의 LHP(1)에 반송되므로, TRS(2)에서 웨이퍼(A24)가 취출된 후, 주반송기구(15A)는 다른 쪽 아암으로 웨이퍼(A25)를 TRS(2)에 인수인도한다.
이어서, 주반송기구(15A)의 한쪽 아암이 웨이퍼(B01)를 도포유니트에 인수인도하려고 한다. 그러나, 도포유니트(COT)에서 더미 디스펜스를 행할 경우에는 웨이퍼(B01)를 도포유니트(COT)에 반입할 수 없기 때문에, 주반송기구(15A)는 웨이퍼(B01)를 보지한 채로 대기하게 된다. 이것에 의해 주반송기구(15A)에 의한 웨이퍼(B01)의 반송이 정체해 버린다.
만일 주반송기구(15A)가 더미 디스텐스 전에 웨이퍼(B01)를 도포유니트(COT)에 반입했다고 해서도, 결국 더미 디스펜스를 실시하고 있는 동안, 및 레지스트액을 웨이퍼(B01)에 도포하고 있는 사이는 주반송기구(15A)는 정지하고 있다. 따라서, 주반송기구(15A)의 정지기간은 도포유니트(COT) 자리에서 더미 디스펜스 소요 시간만큼 여분으로 길어진다. 같은 일은 현상유니트(DEV)로 더미 디스펜스를 행할경우, 주반송기구(15B)에서 일어난다. 이 때문에 전체로서 볼 때, 처리부(1A)내에서의 주 반송기구(15A, 15B) 상호간으로의 웨이퍼(W)의 인수인도가 원활하지 않고, 처리 스루풋의 향상을 저해하는 요인으로 되어 있다.
본 발명의 목적은 액처리유니트(레지스트 도포유니트, 현상유니트, BARC도포유니트 등)에 있어서 더미 디스펜스를 행하는 경우라도, 복수의 주반송기구의 상호간에서 기판을 원활하게 인수인도할 수 있어, 처리 스루풋을 향상시킬 수 있는 기판처리방법 및 기판처리장치를 제공하는 데에 있다.
본 발명의 기판처리방법은 인수인도기구에 의해 카세트부로부터 처리부에 소정 사이클 시간마다의 타이밍으로 기판을 1매씩 인수인도하고, 상기 카세트부는 로트를 구성하는 복수의 기판을 수납한 카세트를 가지는 것이고, 또 처리부는 복수의 액처리유니트(s)와 기판반송기구를 포함하는 것이며, 또 상기 처리부의 순환경로를 따라 상기 기판반송기구에 의해 기판을 순서대로(in sequence) 반송하고, 기판에 대해 복수의 처리를 순서대로(in sequence) 행하고, 처리한 기판을 상기 처리부로부터 상기 카세트부에 반출하고, 선행로트기판의 처리와 후속로트기판의 처리간의 기간에 있어서 적어도 하나의 상기 액처리유니트로 더미 디스펜스를 행하는 기판처리방법에 있어서,
(ⅰ)상기 인수인도기구에 의해 상기 선행로트의 가장 뒤에 있는 기판을 상기 카세트부로부터 상기 처리부에 인수인도한 뒤에, 상기 후속로트의 선두 기판의 인수인도를 상기 사이클시간의 정수배 기간만큼 정지시켜,
(ⅱ)상기 기판 인수인도 정지기간중에 상기 액처리유니트에서 소정의 더미 디스펜스 시간의 더미디스펜스를 행하고,
(ⅲ)상기 더미 디스펜스 후에 상기 인수인도기구에 의해 상기 후속로트의 선두 기판을 상기 처리부에 인수인도하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기판처리방법은 또한, (ⅳ)상기 인수인도기구, 상기 기판반송기구 및 상기 액처리유니트(s)의 각 동작을 제어하기 위한 레시피 및 초기 조건을 규정하는 레시피를 각각 작성하여, 작성한 상기 레시피를 격납하고, (ⅴ)격납한 상기 레시피중에서 필요한 레시피를 선택하고, (ⅵ)선택한 상기 레시피에 기초하여 상기 사이클 시간 및 상기 더미 디스펜스 시간을 각각 설정하고, (ⅶ)상기 사이클 시간과 상기 더미 기스펜스 시간에 기초하여 상기 기판 인수인도 정지기간을 구하고, (ⅷ)상기 기판 인수인도 정지기간, 상기 사이클시간 및 상기 더미 디스펜스 시간을 이용하여 상기 인수인도기구, 상기 기판반송기구 및 상기 액처리유니트의 동작을 각각 제어하고, 이것에 의해 상기 기판 인수인도 정지기간중에 적어도 하나의 상기 액처리유니트에 더미 디스펜스를 행하게 한다.
본 발명의 기판처리장치는
로트를 구성하는 복수의 기판을 수납한 카세트가 출납되는 카세트부와,
기판에 대해 복수의 처리를 순서대로(in sequence) 행하는 처리부와,
상기 처리부에 설치되어, 소정의 액처리를 이용하여 기판을 처리하는 복수의 액처리유니트(s)와,
상기 카세트부의 카세트로부터 기판을 취출하고, 상기 기판을 상기 처리부에인수인도하는 인수인도기구와,
상기 인수인도기구로부터 기판을 인수인도되어, 상기 처리부내에서 기판을 순서대로(in sequence) 반송하고, 상기 카세트부에 기판을 반출하는 기판반송기구와,
상기 처리부내에 설치되고, 상기 기판반송기구가 사이클 이동하는 순환경로와,
상기 인수인도기구, 상기 기판반송기구 및 상기 액처리유니트의 동작을 각각 규정하는 레시피를 작성하고, 상기 레시피에 기초하여 사이클시간 및 더미 디스펜스시간을 구하고, 상기 레시피, 상기 사이클시간 및 상기 더미 디스펜스기간에 기초하여 가판 인수인도 정지기간을 구하고, 상기 기판 인수인도 정지기간중은 상기 카세트부로부터 상기 처리부에의 후속로트의 기판 인수인도를 정지시켜, 상기 기판 인수인도 정지기간중에 상기 액처리유니트에 더미 디스펜스를 행하게 하고, 그 후에 상기 인수인도기구에 의해 상기 후속로트의 기판을 상기 처리부에 인수인도시키는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기의 제어부는 상기 인수인도기구, 상기 기판반송기구 및 상기 액처리유니트의 동작을 각각 규정하는 레시피를 작성하는 레시피부와, 상기 레시피작성부에서 작성된 레시피를 격납하는 레시피격납부와, 상기 레시피격납부에 격납된 레시피를 선택하여 불러오는 선택부와, 상기 레시피에 기초하여 상기 사이클시간을 산출하는 사이클 타임 계산부와, 상기 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스시간을 산출하는 더미 디스펜스 계산부와, 상기 레시피, 상기 사이클시간 및 상기 더미 디스펜스시간에 기초하여 상기 기판 인수인도 정지기간을 산출하는 인수인도 정지기간 계산부와, 처리된 기판의 수를 카운트하는 카운트부와, 상기 처리기판 카운트수와 상기 인수인도 정지기간에 기초하여 더미 디스펜스의 실행타이밍(Execution Timing)을 결정하는 더미 디스펜스 판단부를 구비한다.
본 발명에서는 카세트부로부터 처리부에의 기판의 인수인도를 소정 기간만 정지시켜, 그 정지기간중에 액처리유니트에서 더미 디스펜스를 실행함으로, 순환경로에 있어서 기판이 체류하지 않게 된다. 이 때문에 예를 들면, 가열장치에서 기판의 취출이 늦어서, 가열장치내에서 레지스트막이 오버베이크되는 것이 회피된다.
여기서 "사이클 시간"이라는 것은 기판을 보지하고 있는가의 여부에 관계 없이, 기판반송기구(주반송기구)가 순환경로를 일주하고 출발지점에 돌아올 때까지의 시간을 말한다. 다시 말하연, "사이클 시간"은 기판을 보지하고 있을 경우는 카세트내의 n번째의 기판이 인수인도기구로부터 기판반송기구에 인수인도하고 나서, 다음의 카세트내의 (n+1)번째의 기판이 인수인도기구로부터 기판반송기구에 인수인도 될 때까지의 시간이다.
"더미 디스펜스 시간"이라는 것은 액처리유니트에 있어서 노즐로부터 처리액을 배출폐기하고 있는 시간과 노즐이동시간과의 총계를 말한다.
"기판을 순서대로(in sequence) 처리한다"라는 것은 소정의 레시피에 규정된 순서에 따라 기판에 대해 선행의 처리를 먼저 행하고, 후속의 처리를 그 뒤에 행하는 것을 말한다. 이것은 소정의 프로세스 레시피에 규정된 순서에서 일탈하는 기판의 처리를 포함하지 않는 것, 예를 들면 처리부내에서 선행의 처리와 후속의 처리와의 순서가 역전하는 일이 없는 것을 말한다.
"기판을 순서대로(in sequence) 반송한다"라는 것은 소정의 레시피에 규정된 순서에 따라 기판반송기구가 순환경로내에서 전진과 정지를 반복하여 기판을 순방향으로 반송하는 것을 말한다. 이것은 소정의 반송 레시피에 규정된 순서에서 일탈하는 기판의 처리를 포함하지 않는 것, 예를 들면 기판반송기구가 순환경로내를 되돌아가서 기판을 역방향으로 반송하는 일이 없는 것을 의미한다.
"기판인수인도 정지기간"은 카세트부로부터 처리부에 기판의 인수인도를 정지하는 기간을 말한다. 다시 말하면, 이 기간은 인수인도기구가 기판반송기구에 기판을 인수인도하지 않는 기간에 해당되어, 기판반송기구가 기판을 기다리지 않는 상태로 사이클 시간의 정수배의 시간만 순환경로를 따라 이동하는 공사이클 반송기간이라 말할 수 있다. 이 기간(공사이클 횟수)은 소정의 레시피로 주어진 사이클시간과 더미 디스펜스시간에 기초하여 산출된다. 예를 들면 사이클시간을 A초, 더미 디스펜스시간을 B초로 할 경우, 우선 부등식 A ×x < B의 관계를 만족시키는 정수(x; 0을 포함)를 구한다. 이어서, 정수(x)에 1을 플러스하여 (x+1)를 구한다. 이 정수(x+1)가 웨이퍼 인수인도 정지횟수에 해당한다. 사이클시간을 정수(x+1)배하면, 기판 인수인도 정지기간이 된다.
또한, 조작자가 격납레시피에 기초하여 더미 디스펜스시간을 예측하고, 이 예측한 더미 디스펜스시간에 기초하여 기판 인수인도 정지기간을 결정하도록 해도 좋다.
더미 디스펜스의 실행타이밍(Execution Timing)은 로트간 간격(Intervalbetween lots), 로트간 시간간격(Time interval between lots), 최저처리매수(Minimum wafer count)중 어느 하나를 이용하여 제어된다. 또한 더미 디스펜스의 실행타이밍을 프로세스 레시피 변경시로 해도 좋다.
또, 전번의 더미 디스펜스 후부터 기판의 연속처리배수를 카운트하고, 카운트매수에 기초하여 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단할 수 있다. 이 경우, 기판의 연속처리매수의 카운트는 처리부 또는 카세트부중 어느 하나에서 행할 수 있다.
또, 전번의 더미 디스펜스 후부터 기판의 연속처리시간을 카운트하고, 상기 카운트시간에 기초하여 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단할 수 있다.
또, 선행하는 로트의 가장 뒤에 있는 기판이 상기 처리부내의 어디에 있는가를 검출하고, 상기 검출 결과에 따라 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단할 수 있다.
또한, 선행하는 로트의 가장 뒤에 있는 기판과 후속 로트의 선두 기판이 어느 공정에 있는가를 검출하기 위해, 상기 처리부 안을 실제로 흐르는 기판을 카운트하고, 상기 카운트결과에 기초하여 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단할 수 있다.
또한, 더미 디스펜스시에 배출되는 액의 미스트와 증기가 기판에 악영향을 미치지 않도록 하기 위해, 기판이 도포유니트와 현상유니트 안에 존재하지 않을 때 더미 디스펜스를 실행하는 것이 바람직하다.
도 1은 종래 장치내에 있어서의 기판의 반송경로를 보여주는 평면모식도이다.
도 2는 기판처리장치의 개요를 보여주는 평면도이다.
도 3은 기판처리장치의 개요를 보여주는 사시도이다.
도 4는 기판처리장치의 선반유니트를 보여주는 측면모식도이다.
도 5는 본 발명장치내에 있어서의 기판의 반송경로를 보여주는 평면모식도이다.
도 6은 기판처리장치의 도포장치부분을 보여주는 단면모식도이다.
도 7은 기판처리장치의 제어부와 각부 컨트롤러를 보여주는 제어블록도이다.
도 8은 제어부의 레시피 격납부를 보여주는 개념도이다.
도 9는 더미 디스펜스의 실행타이밍(Execution Timing)을 모식적으로 보여주는 타이밍차트이다.
도 10(A)은 본 발명방법의 실시예(더미 디스펜스를 1번 삽입)를 보여주는 다이어그램, 도 10(B)은 본 발명방법의 다른 실시예(더미 디스펜스를 2번 삽입)를 보여주는 다이어그램.
도 11(A), 11(B)은 컴퓨터가 각부 컨트롤러에 더미 디스펜스 실행지령을 내리기 전에, 컴퓨터내부에서 미리 소프트적으로 처리되는 제어플로차트이다.
도 12는 더미 디스펜스 레시피에 관련하는 주요한 기능을 설명하기 위한 블록개념도이다.
도 13은 더미 디스펜스 레시피 편집화면의 일례를 보여주는 모식도이다.
도 14는 더미 디스펜스동작 시퀀스 설정화면의 일례를 보여주는 모식도이다.
우선, 본 발명의 기판처리방법이 실시될 기판처리장치의 일례의 개요에 대하여 도 2, 3을 참조하면서 설명한다. 도 2, 3에 도시하는 것과 같이, 기판처리장치는 카세트스테이션(21), 보조반송기구(24), 2개의 주반송기구(26A, 26B), 처리부(S1), 제 1 인터페이스부(S2), 제 2 인터페이스부(S3) 및 제어부(6)를 구비하고 있다. 카세트스테이션(21)은 재치부(22)를 갖고 있고, 상기 재치부(22)에는 최대 4개의 카세트(C)가 Y축을 따라 동등한 피치 간격으로 재치되도록 되어 있다. 카세트(C)는 개폐가능한 덮개를 갖는 밀폐수납타입이고, 그 속에서는 예를 들면, 12인치 사이즈의 웨이퍼(W)가 최대 13개 수납되도록 되어 있다.
이 재치부(22)로부터 볼 때 전방의 벽면에 설치될 개폐부(23)와, 개폐부(23)를 통해 카세트(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 보조반송기구(24)가 설치되어 있다. 이 보조반송기구(24)는 아암이 승강 자유자재, 좌우, 전후에 이동 자유자재 및 수직축 주변에 회전 자유자재로 구성되어 있고, 제어부(6)로부터의 지령에 기초하여 컨트롤러(40; 도 6참조)에 의해 구동이 제어되도록 되어 있다.
카세트스테이션(21)의 안쪽에는 광주리체로 주위를 둘러싸이는 처리부(S1)가 접속되어 있고, 이 처리부(S1)에는 앞쪽으로부터 순서대로 가열ㆍ냉각계 유니트를 다단화한 3개의 선반유니트(25; 25A, 25B, 25C)와, 뒤에 서술할 액처리유니트간의 웨이퍼(W)의 인수인도를 행하기 위한 2개의 주반송기구(26; 26A, 26B)가 상호로 배열하여 설치되어 있다. 주반송기구(26; 26A, 26B)는 각각 예를 들면, 2개의 아암(27)을 구비하고 있고, 상기 아암(27)이 승강 자유자재, 좌우, 전후에 자유자재 및 수직축 주변에 회전 자유자재에 구성되어 있고, 제어부(6)로부터의 지령에 기초하여 컨트롤러(40; 도 6참조)에 의해 구동이 제어되도록 되어 있다.
선반유니트(25; 25A, 25B, 25C) 및 주반송기구(26; 26A, 26B)는 카세트스테이션(21)측으로부터 볼 때 전후 일렬로 배열되어 있고, 각각 접속부위(G)에는 도시하지 않는 웨이퍼 반송용의 개구부가 형성되어 있기 때문에, 이 처리부(S1)내에 있어서 웨이퍼(W)는 한쪽 단부측의 선반유니트(25A)에서 다른쪽 단부측의 선반유니트(25C)까지 자유롭게 이동할 수 있도록 되어 있다.
주반송기구(26; 26A, 26B)는 카세트스테이션(21)측으로부터 볼 때 전후방향으로 배치되는 선반유니트(25; 25A, 25B, 25C)측의 일면부와, 예를 들면 액처리장치측의 일면부와, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽에 의해 둘러싸이는 공간내에 놓여 있다.
주반송기구(26; 26A, 26B)의 선반유니트(25; 25A, 25B, 25C)가 접속하고 있지 않는 부위 예를 들면, 상기 서술한 우측 면부에는 도포장치(4A)와 현상장치(4B) 등의 액처리장치를 다단화한 액처리유니트(28A, 28B)가 설치되어 있다. 이들의 액처리유니트(28A, 28B)는 도 3에 도시하는 것과 같이, 도포장치(4A) 등이 수납되는 처리용기(29)가 복수단(예를 들면 5단)으로 적층되어 있고, 이 처리용기(29)의 기판반송수단측의 측면에는 웨이퍼(W)의 반입출할 때 아암(27)이 침입할 수 있게 반송구(29a)가 형성되고, 이 반송구(29a)에는 도시하지 않는 셔터가 설치되어 있다.
도 4에 도시하는 것과 같이, 선반유니트(25; 25A, 25B, 25C)는 복수의 인수인도유니트(TRS1, TRS2, TRS3, TRS4), 복수의 가열유니트(LHP1, LHP2) 및 복수의냉각유니트(CPL1, CPL2, CPL3)를 구비하고 있다. 인수인도유니트(TRS1~TRS4)는 각각 웨이퍼의 인수인도를 행하기 위한 인수인도대를 구비하고 있다. 가열유니트(LHP1, LHP2)는 레지스트 도포후 또는 현상액의 도포후에 웨이퍼를 가열하는 것이다. 냉각유니트(CPL1, CPL2, CPL3)는 레지스트 도포의 전후 혹은 현상처리 전에 웨이퍼를 냉각처리하는 것이다. 가열유니트(PEB) 등이 예를 들면, 상하 10단으로 할당되고 있다. 여기서, TRS1, TRS4는 카세트스테이션(21)과 처리부(S1) 사이에서 웨이퍼를 인수인도하기 위해 이용되고, 또, TRS2, TRS3은 2개의 주반송기구(26A, 26B) 상호간에서 웨이퍼를 인수인도하기 위해 이용된다.
본 실시예에서는 인수인도유니트(TRS1, TRS2, TRS3, TRS4), 가열유니트(LHP1, LHP2), 냉각유니트(CPL1, CPL2, CPL3), 가열유니트(PEB) 및 가열유니트가 "처리 유니트"에 해당한다. 또, 인수인도유니트(TRS1, TRS4), 가열유니트(PEB), 보조반송기구(24)가 "인수인도기구"에 해당한다. 또한, 인수인도유니트(TRS1~TRS4)는 기판의 인수인도를 행할 뿐만 아니라, 기판의 가열ㆍ냉각에 겸용되는 것이라도 좋다.
이러한 처리부(S1)에 있어서 선반유니트(25C)의 안쪽에는 제 1 인터페이스부(S2) 및 제 2 인터페이스부(S3)를 통해 노광장치(S4)가 접속되어 있다. 제 1 인터페이스부(S2)는 승강자유자재 및 수직축 주변에 회전자유자재로 구성되어, 뒤에 서술할 것과 같이 처리부(S1)의 선반유니트(25C)의 CPL(2)와 PEB에 대해 웨이퍼의 인수인도를 행하는 보조반송기구(31)와, 주변노광장치와 노장장치(S4)에 반입되는 웨이퍼를 일단 수납하기 위한 인(in)용 버퍼카세트와 노광장치(S4)에서 반출된 웨이퍼를 일단 수납하기 위한 아웃용 버퍼카세트가 다단으로 배치된 선반유니트(32A)와, 웨이퍼의 인수인도유니트와 고정도 온도조절유니트가 다단으로 배치된 선반유니트(32B)를 구비하고 있다.
제 2 인터페이스부(S3)에는 대략수펑방향으로 이동자유자재, 승강자유자재 및 수직축 주변에 회전자유자재로 구성된 보조반송기구(33)가 설치되어 있고, 이것에 의해 제 1 인터페이스부(S1)의 인수인도유니트와 고정도 오도조절유니트, 노광장치(S4)의 인스테이지(34) 및 아웃스테이지(35)에 대해 웨이퍼의 인수인도를 행하도록 되어 있다.
다음으로, 처리부(S1)에서의 주반송기구(26A, 26B)의 움직임에 대하여 설명한다. 2개의 주반송기구(26A, 26B)는 도 5에 도시하는 것과 같이, TRS1 →CPL1 →도포장치(COT) →TRS2 →LHP1 →CPL2의 순서로 카세트 스테이션(21)에서 제 1 인터페이스부(S2)를 향해 웨이퍼(W)를 반송하고, 그 후 PEB →CPL3 →현상장치(DEV) →LHP2 →TRS3 →TRS4의 순으로 인터페이스부(S2)에서 카세트 스테이션(21)를 향해 웨이퍼를 반송하도록 이동한다. 또한, 처리부(S1)와 제 1 인터페이스부(S2) 사이는 CPL(2)와 PEB를 통해 웨이퍼(W)의 인수인도가 행해진다.
도 5중에 파선으로 도시하는 것과 같이, 한쪽의 주반속기구(26A)는 TRS(1) →CPL(1) →COT →TRS(2) →TRS(3) →TRS(4) →TRS(1)의 순서로 웨이퍼(W)를 반송하고, 다른쪽의 주반송기구(26B)는 TRS(2) →LHP(1) →CPL(2) →PEB →CPL(3) →DEV →LHP(2) →TRS(3) →TRS(2)의 순으로 웨이퍼(W)를 반송한다. 이 때문에 도 4에 도시하는 것과 같이, TRS1, TRS4는 선반유니트(25A)에 TRS(2), TRS(3)은 선반유니트(25B)에, CPL(2)와 PEB는 선반유니트(25C)에, CPL(1)은 선반유니트(25A) 또는 선반유니트(25B), LHP(1), LHP(2)는 선반유니트(25B) 또는 선반유니트(25C)에 각각 배치된다.
본 장치내에서의 웨이퍼의 흐름에 대해서 설명한다. 우선 외부로부터 웨이퍼(W)가 수납된 카세트(C)가 카세트 스테이션(21)에 반입되면, 개폐부(23)와 함께 카세트(C)의 덮개가 열려, 보조반송기구(24)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 이어서, 웨이퍼(W)는 보조반송기구(24)로부터 선반유니트(25A)의 하나인 인수인도유니트(TRS1)를 통해 주반송기구(26A)에 인수인도되어, 이 후 주반송기구(26A, 26B)에 의해, TRS(1) →CPL(1) →COT →TRS(2) →LHP(1) →CPL(2)의 순서로 반송되고, CPL(2)을 통해 레지스트액의 도포가 행해진 웨이퍼가 제 1 인터페이스부(S2)에 반송된다.
제 1 인터페이스부(S2)에서는 인(in)용 버퍼카세트 →주변노광장치 →고정도 오도조절 유니트의 순서로 보조반송기구(31)에 의해 반송되고, 선반유니트(32B)의 인수인도유니트를 통해 제 2 인터페이스부(S3)에 반송되고, 제 2 인터페이스부(S3)의 보조반송기구(33)의 의해 노광장치(S4)의 인스테이지(34)를 통해 노광장치(S4)에 반송되어 노광이 행해진다.
노광후 웨이퍼는 제 2 인터페이스(S3) →제 1 인터페이스부(S2)를 통해 처리부(S1)의 PEB를 통해 처리부(S1)까지 반송되어 PEB →CPL(3) →DEV →LHP(2) → TRS(3) →TRS(4)의 순서로 반송된다.
제 1 주반송기구(26A)는 로트의 n번째 웨이퍼(Wn)를 TRS(1)를 통해 다음 공정의 CPL(1)에 반송하고, 이어서 COT →TRS(2) →TRS(3) →TRS(4) →TRS(1)의 순서로 통과하고, 다시 TRS(1)로 돌아와(1사이클), 다음의 (n+1)번째의 웨이퍼(Wn+1)를 TRS(1)를 통해 CPL(1)에 반송한다. 이 1사이클 사이에 제 2 주반송기구(26B)는 TRS(2)의 웨이퍼를 다음 공정의 LHP(1)에 반송하고, 이어서 CPL(2) →PEB → CPL(3) →DEV →LHP(2) →TRS(3) →TRS(2)의 경로로 1사이클 시간후에 다시 TRS(2)로 돌아와, 다음 웨이퍼를 TRS(2)를 통해 LHP(1)에 반송한다.
도 6에 도시하는 도포장치(4A)의 경우에 대하여 설명한다. 스핀척(41)은 모터 및 승강부를 포함하는 구동부(42)에 의해 대략 수직축 주변에 회전할 수 있고, 또한 승강할 수 있게 되어 있다. 또 스핀척(41)의 주변에는 웨이퍼(W)로부터 스핀척(41)에 걸친 부분을 둘러싸고, 또한 하방측 주위 전체에 걸쳐 함몰부가 형성된 액 받는 컵(43) 저면에는 배기관(44) 및 드레인관(45)이 접속되어 있다.
액 받는 컵(43)의 상방측에는 레지스트액의 공급노즐(46)이 설치되어 있고, 이 공급노즐(46)은 도시하지 않는 이동기구에 의해 웨이퍼(W)의 중앙부 상방과 상기 액 받는 컵(43)의 바깥쪽의 대기부(48) 사이에서 이동되게 되어 있다. 공급노즐(46)은 레지스트액을 노즐(46)에 압송하기 위한 펌프(P)와 밸브(V)가 장착된 공급로(49)를 통해 레지스트액의 공급원인 레지스트액 탱크(50)에 연통 접속되어 있다.
또, 대기부(48)에는 세정액으로서의 시너를 저류하기 위한 세정조(51)가 설치되어 있다. 이 세정조(51)는 상기 세정조(51)내에 세정액을 공급하는 세정액 공급관(52)과, 세정조내의 세정액 등을 배액하기 위한 배출관(53)을 구비하고 있다.
이 대기부(48)에서는 더미 디스펜스시에 공급노즐(46)에서 세정조(51)내에 레지스트액을 토출하고, 상기 토출된 레지스트액은 배출관(53)에서 배액되고, 또 공급노즐(46)의 대기시에 세정액이 채워진 세정조(51)내에 상기 노즐(46)을 담금으로써, 노즐(46)의 세정이 행해진다.
이러한 도포장치(4A)에 주반송기구(26A)가 웨이퍼(W)를 반입하고, 스핀척(41)상에 이동 재치된다. 이어서, 웨이퍼(W)에 레지스트를 스핀코팅한다. 이 때, 구동부(42)와 밸브(V), 펌프(P)의 동작은 컨트롤러(40)에 의해 제어된다. 구동부(42)와 밸브(V)의 개폐, 펌프(P)의 동작의 시작, 정지의 타이밍이나, 스핀척(41)의 회전수, 레지스트액의 토출량 등의 각가지 조건은 뒤에 서술할 제어부(6)의 의해 설정되어, 제어부(6)에서 컨트롤러(40A)에 지시된다.
다음으로, 도 7을 참조하여 제어부(6)에 대하여 설명한다.
제어부(6)는 각 처리유니트의 레시피 작성이나 관리를 행하는 것과 동시에 그들의 레시피에 따라 각 처리유니트의 제어를 행하는 것이다. 제어부(6)는 레시피작성부(61), 레시피격납부(62), 레시피선택부(63), 사이클 타임 계산부(64), 더미 디스펜스시간 계산부(65), 인수인도 정지회수 계산부(66), 카운트부(67), 더미 디스펜스판단부(68)를 구비하고 있다. 이들 각부(61~68)는 시스템 버스(B1)를 통해 서로 접속되어 있다.
또한, 제어부(6)는 주반송기구(26A, 26B), 보조반송기구(24), 도포장치(4A)나, 현상장치(4B), 선반유니트(25A~25C)에 설치되는 CPL, LHP, PEB 등의 가열, 냉각계 유니트(54)에 대해 제어신호를 보내기 위해 각 컨트롤러(260, 240, 40A, 40B,540)에 접속되어 있다.
레시피작성부(61)에서는 레지스트의 종류와 현상액의 종류, 가열온도와 시간, 냉각온도와 시간, 레지스트액의 도포시간, 현상시간, 더미 디스펜스의 타이밍, 하나의 로트의 웨이퍼 매수 등의 처리조건을 조합한 프로세스 레시피의 입력을 행할 수 있게 되어 있다. 이 레시피작성부(61)는 도 13, 14에 도시하는 복수의 레시피 편집화면을 포함하는 것이다. 레시피작성부(61)에서 작성된 각 레시피는 레시피격납부(62)에 격납된다.
도 8에 도시하는 것과 같이, 레시피격납부(62)는 프로세스레시피(71), 웨이퍼반송 레시피(72), 펌프 레시피, 더미 디스펜스 레시피(74) 등을 격납하고 있다.
레시피선택부(63)에서는 오퍼레이터가 목적으로 하는 처리에 따라 조작화면상에서 입력한 데이터에 기초하여 프로세스 레시피(71), 반송 레시피(72), 펌프 레시피(73), 더미 디스펜스 레시피(74) 중에서 선택된다.
사이클 타임 계산부(64)는 본 실시예에서는 도포유니트(COT)에 웨이퍼를 반송하는 주반송기구(26A)의 사이클시간을 계산하는 기능을 갖는다. 여기서 "사이클 시간"이라는 것은 카세트 스테이션(21)의 카세트(C)내의 n번째의 웨이퍼가 주반송기구(26A)에 인수인도 되고나서, 다음의 (n+1)번째의 웨이퍼가 주반송기구(26A)에 인수인도 될 때까지의 시간을 말한다. 구체적으로는 카세트(C)에서 보조반송기구(24)에 의해 처리부(S1)의 TRS(1)에 인수인도 된 n번째의 웨이퍼를 주반송기구(26A)가 받고, 처리부(S1)내를 소정의 경로로 이동하고, 다시 TRS(1)에 카세트 스테이션(21)에서 TRS(1)에 인수인도된 (n+1)번째의 웨이퍼를주반송기구(26A)가 받을 때까지의 시간을 말한다. 이 사이클 타임은 레시피선택부(63)에 의해 선택된 프로세스 레시피(71)와 반송레시피(72)에 기초하여 선출된다. 사이클 시간은 예를 들면 30초이다.
더미 디스펜스시간 계산부(65)는 도포장치에 있어서의 더미 디스펜스시간을 계산하는 기능을 갖고 있다. 더미 디스펜스기간은 레시피 선택부(63)에 의해 선택된 펌프 레시피(73)와 더미 디스펜스 레시피(74)에 기초하여 산출된다. 더미 디스펜스 시간은 예를 들면, 20초(또는 40초)이다.
웨이퍼 인수인도 정지회수 계산부(66)는 액처리유니트에 있어서 선행로트와 후속로트 사이에 더미 디스펜스를 행할 경우에, 카세트 스테이션(21)에 있는 선행로트의 마지막의 웨이퍼(A25)를 주반송기구(26A)에 인수인도한 후에 후속로트의 최초의 웨이퍼(B01)의 기판반송수단에의 인수인도를 정지하는 기간회수를 계산하는 기능을 갖는다.
본 실시예에서는 "웨이퍼 인수인도 정지기간(사이클 횟수)"는 카세트 스테이션(21)에서 TRS(1)에의 웨이퍼의 인수인도를 정지하는 기간(사이클 횟수)을 말한다. 이 웨이퍼 인수인도 정지기간(사이클 횟수)은 소정의 레시피에 의해 주어진 사이클시간과 더미 디스펜스시간에 기초하여 산출된다. 예를 들면, 사이클시간을 A초, 더미 디스펜스시간을 B초로 한 경우, 우선 부등식 A ×x < B의 관계를 만족시키는 정수(x; 0을 포함)를 구한다. 이어서, 정수(x)에 1을 플러스시켜 (x+1)를 구한다. 이 (x+1)회가 웨이퍼 인수인도 정지횟수, 즉 인수인도기구(26A)가 웨이퍼를 반송하지 않는 웨이퍼 인수인도 정지기간이 된다.
구체적인 수치를 도시하여 설명한다. 사이클시간(A)이 30초이고, 더미 디스펜스시간(B)이 20초인 경우는 사이클시간(A)이 더미 디스펜스시간(B)이 20초인 경우는 사이클시간(A)이 더미 디스펜스시간(B)보다 길어서, 부등식 A ×x < B의 관계가 성립되지 않는다. 따라서, x = 0이 되고, 웨이퍼 인수인도 정지횟수(x+1)는 1회가 된다. 웨이퍼 인수인도 정지횟수가 1회의 경우는 주반송기구(26A)의 웨이퍼 반송레시피는 도 10(A)에 도시하게 된다. 도중 부호(DD)에서 도시한 것은 더미 디스펜스이다. 또한, 사이클시간(A)과 더미 디스펜스시간(B)이 같은 시간(A=B)인 경우는 부등식 A ×x < B의 관계가 성립되지 않으므로, 웨이퍼 인수인도 정지횟수는 1회가 된다.
사이클시간(A)이 30초이고, 더미 디스펜스시간(B)이 40초인 경우는 사이클시간(A)이 더미 디스펜스시간(B)보다 짧기 때문에, 부등식 A ×x < B의 관계가 성립된다. 따라서, x=1이 되고, 웨이퍼 인수인도 정지횟수(x+1)는 2회가 된다. 웨이퍼 인수인도 정지횟수가 2회의 경우는 주반송기구(26A)의 웨이퍼반송 레시피는 도 10(B)에 도시하는 것과 같이 된다.
카운트부(67)는 처리부(S1)에 있어서의 웨이퍼의 처리매수를 카운트하는 기능을 갖는다. 예를 들면, 카세트 스테이션(21)의 보조반송기구(24)로부터 처리부(S1)의 TRS(1)에 웨이퍼를 인수인도할 때, 카운트부(67)에서 카운트된다. 또한, 더미 디스펜스 판단부(68)는 예를 들면, 카운트부(67)에 의해 카운트된 웨이퍼의 매수에 기초하여 더미 디스펜스를 행하는가에 여부를 판단하는 기능을 갖는다.
다음으로, 본 실시예의 기판처리장치를 이용하여 레지스트 패턴을 형성하는경우에 대해서 설명한다.
우선 레지스트 패턴을 형성하기 전에 오페레이터가 레시피 선택부(63)에 의해 형성하려고 하는 막의 프로세스 레시피(71)와, 반송레시피(72)와, 펌프레시피(73)와, 더미 디스펜스 레시피(74)를 선택한다. 여기서, 목적의 레시피가 예를 들면, 선행로트(A)와 후속로트(B) 사이에 도포장치(4A)로 더미 디스펜스를 행하는 것이라고 하면, 사이클 타임 계산부(64)에 있어서, 선행로트(A)의 프로세스 레시피(71)와 반송레시피(72)에 의해, 도포장치(4A)에의 웨이퍼 반송을 행하는 주반송기구(26A)의 사이클 타임을 계산하여, 또한 더미 디스펜스 시간계산부(65)에 있어서, 선행로트(A)의 펌프레시피(73)와 더미 디스펜스 레시피(74)에 의해, 도포장치(4A)의 더미 디스펜스 시간(B)을 계산한다.
이어서, 웨이퍼 인수인도 정지횟수 계산부(66)에 있어서, 주반송기구(26A)의 사이클 타임(A)과 더미 디스펜스 시간(B)에 의해, 카세트 스테이션(21)에서 처리부(S1)의 TRS(1)에의 웨이퍼의 인수인도를 정지하는 횟수(x+1) 및 웨이퍼 인수인도 정지기간(sec)을 각각 계산한다. 예를 들면 카세트 스테이션(21)의 인수인도 아암(24)의 컨트롤러(240)에 선행로트(A)의 마지막의 웨이퍼(A25)가 TRS(1)에 인수인도 된 후, 상기 계산된 정지계산분, 카세트(C)에서 웨이퍼의 취출동작을 정지하고, 이 후속로트(B)의 최초의 웨이퍼(B01)를 취출하고, TRS(1)에 인수인도할 취지의 지령을 출력한다.
이어서, 제어부(6)는 선행로트(A)의 시작지시를 각부에 출력한다. 이렇게 하여 예를 들면 카운트부(67)에 의해 카세트 스테이션(21)의 보조반송기구(24)에 의해 처리부(S1)의 TRS(1)에 웨이퍼가 인수인도될 때의 웨이퍼의 매수를 카운트하면서, 주반송기구(26A, 26B)에 의해 웨이퍼를 반송하여 소정의 처리를 행하고, 상기 카운트매수에 기초하여 더미 디스펜스를 행하는가의 여부의 판단을 행한다.
본 실시예에서는 미리 설정된 매수가 카운트될 때, 예를 들면 선행로트(A)의 마지막의 웨이퍼(A25)가 카운트될 때, 더미 디스펜스를 행하는 판정이 이루어진다. 더미 디스펜스를 행하지 않는 판정이 되었을 때에는 주반송기구(26A, 26B)에 의해 웨이퍼를 앞에 서술한 경로로 반송하여 소정의 처리를 행한다.
더미 디스펜스를 행하는 판정이 되었을 때는 제어부(6)에 의해 도포장치(4A)의 펌프(P) 및 밸브(V)에 지령이 출력되어, 웨이퍼(A25)가 도포장치(4A)로부터 취출되었을 때, 밸브(V)가 열어, 펌프(P)가 작동되고, 더미 디스펜스가 행해진다. 또, 선행로트(A)의 마지막 웨이퍼(A25)가 카운트되면, 제어부(6)에서의 지령에 기초하여, 카세트 스테이션(21)의 보조반송기구(24)는 계산된 매수분의 웨이퍼의 취출을 정지하고, 이것에 의해 처리부(S1)의 TRS(1)에의 웨이퍼의 인수인도동작이 소정기간만 정지된다.
후속로트(B)의 최초의 웨이퍼(B01)를 보조반송기구(24)가 TRS(1)에 반송하여, 이것을 주반송기구(26A, 26B)가 처리부(S1)에 반입한다. 또한, 더미 디스펜스가 실행되어, 카세트 스테이션(21)의 보조반송기구(24)의 위한 후속로트(B)의 최초의 웨이퍼(B01)의 취출이 정지되면 카운트수가 리세트된다. 후속로트(B)의 최초의 웨이퍼(B01)가 처리부(S1)의 TRS(1)에 반송되었을 때, 다음의 카운트가 시작된다.
선행로트(A)의 마지막 웨이퍼(A25)와 후속로트(B)의 최초의 웨이퍼(B01) 사이에 카세트 스테이션(21)에서의 보조반송기구(24)에 의한 처리부(S1)의 TRS(1)에의 웨이퍼의 인수인도를 소정횟수 행하지 않도록 하여, 이 사이에 더미 디스펜스가 행해진다.
도 9에 도시하는 것과 같이, 도포장치(4A)에 있어서의 선행로트(A)의 처리와 후속로트(B)의 처리 사이에 웨이퍼를 반송하지 않는 기간을 설치하고, 이 기간내에 더미 디스펜스를 실행한다. 이 때문에 도포장치(4A)에 있어서 더미 디스펜스가 종료할 때까지, 처리부내에서 기판이 정체할 일이 없어진다. 즉, 기판이 가열유니트내에서 기다리는 상태가 발생하지 않게 되어, 레지스트막의 오버베이크를 회피할 수 있다.
예를 들면, 사이클시간이 30초, 더미 디스펜스 시간이 20초의 경우, 웨이퍼 인수인도 정지횟수(x+1)는 1회가 된다. 이 경우 웨이퍼(A25)와 웨이퍼(B01) 사이에는 도 10(A)에 도시하는 것과 같이, 웨이퍼 1개분의 반송하지 않는 빈 시간이 만들어진다. 도포장치(4A)에서 웨이퍼(A25)의 레지스트도포가 종료하고, 웨이퍼(A25)가 도포장치(4A)의 다음 공정인 TRS(2)에 반송되었을 때에는 웨이퍼(B01)는 도포장치(4A)의 이전 공정의 CPL(1)에 반송되어 있다. 이 상태에서 도포장치(4A)로 더미 디스펜스가 행해지만, 더미 디스펜스시간이 20초, 사이클시간이 30초이므로, 더미 디스펜스가 종료하고나서 CPL(1)의 웨이퍼(B01)가 주반송기구(26A)에 의해 도포장치(4A)에 반송된다. 이 때문에 웨이퍼(B01)는 대기하는 일이 없이 바로 도포장치(4A)에 인수인도되기 때문에, 더미 디스펜스 사이에, 가판반송수단에 의한 웨이퍼의 반송이 정지하는 일이 없이, 원활한 반송이 행해지고, 스루풋의 향상을 도모할 수 있다.
또, 사이클시간이 30초, 더미 디스펜스시간이 40초의 경우는 웨이퍼 인수인도 정지횟수(x+1)는 2회가 된다. 이 경우에 웨이퍼(A25)와 웨이퍼(B01) 사이에는 도 10(B)에 도시하는 것과 같이, 웨이퍼 2회분 반송하지 않는 빈 반송사이클시간이 만들어진다.
여기서 목적으로 하는 막의 종류에 따라서는 더미 디스펜스를 행하는 도포장치의 다음 공정이 웨이퍼를 가열하는 가열장치일 경우가 있다. 종래의 방법에 의해 웨이퍼를 반송할 경우에는 더미 디스펜스가 종료할 때까지, 가열장치에서의 웨이퍼의 취출을 기다려야 된다. 이 때문에 종래 방법에 있어서는 가열장치에서의 웨이퍼의 취출이 더미 디스펜스시간 만큼 늦어, 레지스트막이 오버베이크된다. 오버베이크된 레지스트막 두께는 작아져, 그 결과 패턴선폭이 변화해 버린다.
그러나, 본 발명 방법에서는 도포장치(4A)에서 더미 디스펜스를 실행하는 경우에 카세트 스테이션(21)의 보조반송기구(24)에서 주반송기구(26A)에의 웨이퍼(W)의 인수인도를 정지함으로, 가열장치에 있어서 레지스트막이 오버베이크되는 일이 없어진다.
다음으로 도 11(A), 11(B)을 참조하여 제어부(6)의 내부에서 소프트적으로 처리되는 제어플로에 대하여 설명한다.
우선, 제어 아이템으로서 "레시피 지정 레지스트"를 등록한다. 제어 아이템"레지스트 지정 레지스트"의 시퀀스 설정의 경우에는 "대상레지스트"선택단추에 의해 대상레지스트를 선택하고, 거기에 표시되는 전레지스트에 대해 각각 동작시퀀스의 설정을 행한다. 설정가능항목(동작조건)은 다음의 1) ~ 5)이다.
1) PJ간격
2) 최저처리매수
3) 실행타이밍(PJ선두/PJ실행후)
4) PJ간 시간간격
5) 프로세스 레시피 변경조건(시스템 경수로 설정:유효/무효)
또한 레시피 지정 레지스트를 등록할 때는 항목 1)의 PJ간격은 반드시 설정할 필요가 있다. 또, 항목 4)의 PJ간 시간간격은 실행타이밍이 PJ선두의 경우에만 설정가능하다.
제어아이템 "레시피 지정 레지스트"의 등록이 완료되면, 제어부(6)의 내부에서 PJ처리프로그램이 시작된다(공정 S1). PJ처리프로그래밍으로는 우선 "실행타이밍"은 PJ선두인가의 여부를 판단한다(공정 S2). 공정(S2)이 YES판정의 경우는 PJ선두 웨이퍼의 캐리어(카세트)에서의 내보내기 전에서(공정 S3), 레시피 등록후에 최초의 PJ인가의 여부를 판정한다(공정 S4). 공정(S2)이 NO판정의 경우는 뒤에 서술한 공정(S21~S26)에 나아간다.
공정(S4)이 YES판정의 경우는 PJ선두에서 더미 디스펜스를 실행한다(공정 S5). 공정(S4)이 NO판정의 경우는 "프로세스 레시피 변경조건 더미 디스펜스"가 유효인지 무효인지를 판단한다(공정 S6).
또한, 사용하는 레시피가 직전PJ에서 사용한 레시피와 다른가의 여부를 판정한다(공정 S7). 공정(S7)이 YES판정의 경우는 PJ선두로 더미 디스펜스를 실행할 수있도록, 웨이퍼의 반입 간격을 제어한다(공정 S8). 공정(S7)이 NO판정의 경우는 또한 "PJ간 시간간격"이 설정되어 있는가의 여부를 판정한다(공정 S9).
공정(S9)이 YES판정의 경우, 설정된 "PJ간 시간간격"을 만족시키고 있는가의 여부를 판정한다(공정 S10). 공정(S10)이 YES판정의 경우, 주반송기구(26A, 26B)에 제어신호를 각각 보내고, 양반송기구(26A, 26B)의 동작을 제어함으로써, PJ선두로 더미 디스펜스를 실행할 수 있도록 웨이퍼의 반입간격을 조절한다(공정 S11).
공정(S9, 10)이 NO판정의 경우, 설정된 "PJ간격"을 만족시키고 있는가의 여부를 판정한다(공정 S12). 고정(S12)이 YES판정의 경우, "최저 처리매수"가 설정되어 있는가의 여부를 판정한다(공정 S13).
공정(S13)이 YES판정의 경우, 설정된 "최저 처리매수"를 만족시키고 있는가의 여부를 판정한다(공정 S14).
공정(S14)이 YES판정의 경우, 주판송기구(26A, 26B)에 제어신호를 각각 보내고, 양반송기구(26A, 26B)의 동작을 제어함으로써, PJ선두에서 더미 디스펜스를 실행할 수 있도록 웨이퍼의 반입간격을 조절한다(공정 S15). 공정(S12, S14)이 NO판정의 경우, 더미 디스펜스를 실행하지 않는다(공정 S16).
그런데, 상기의 공정(S2)이 NO판정의 경우, PJ최종 웨이퍼의 대상모듈로부터의 반입 후(공정 S21), 설정된 "PJ간격"을 만족시키는가의 여부를 판정한다(공정 S22). 공정(S22)이 YES판정의 경우, "최저 처리매수"가 설정되어 있는가의 여부를 판정한다(공정 S23). 이어서, 공정(S23)이 YES판정의 경우, 설정된 "최저 처리매수"를 만족시키고 있는가의 여부를 판정한다(공정 S24). 이어서, 공정(S24)이 YES판정의 경우, 주반송기구(26A, 26B)에 제어신호를 각각 보내고, 양반송기구(26A, 26B)의 동작을 제어한다. 이것에 의해, PJ선두에서 더미 디스펜스가 실행될 수 있도록 양반송기구(26A, 26B)에 의한 웨이퍼의 반입간격이 조절된다(공정 S25). 공정(S22, S24)이 NO판정의 경우, 더미 디스펜스를 실행하지 않는다(공정 S26).
도 12에 도시하는 것과 같이, 더미 디스펜스 레시피에 관련하는 기능으로서 (1)레시피편집 및 (2)등록ㆍ해제의 2개의 기능이 있다. 우선 입력조작패널에 있어서 더미 디스펜스 레시피화면을 선택하고, "레시피 일람표시"를 표시한다. 레시피편집을 행할 경우, "레시피 일람표시"화면에서 신규작성단추 또는 편집단추를 클릭하고, 레시피편집화면을 표시시켜, 소정의 편집조작 후에 종료단추 또는 파기종료단추를 클릭하여 화면을 종료한다. 등록ㆍ해제를 행할 경우, "레시피 일람표시"화면에서 등록단추, 해제단추, 자동등록단추 혹은 자동등록해제단추중 어느 하나를 클릭한다.
다음으로, 더미 디스펜스 레시피의 개요에 대하여 설명한다.
조작자는 하나의 더미 디스펜스 레시피에는 모듈마다의 제어 아이템에 "더미 디스펜스 동작조건", "동작시퀀스", "펌프 레시피"를 설정할 수 있다. 또한, 모듈과 제어아이템에 대해서는 레시피의 신규작성시에 필요한 분만이 자동적으로 레시피에 설정된다. 조작자가 모듈 또는 제어아이템의 추가ㆍ삭제를 행할 수 없도록 되어 있다. 또, 레시피 지정 레지스트(또는 레시피 지정 현상액)에 대해서는 레지스트(또는 현상액)마다, 동작 시퀀스와 펌프 레시피를 설정할 수 있다.
각 모듈에서 유효한 제어 아이템은 표 1에 도시하는 것과 같이 다음의 기준(ⅰ)(ⅱ)(ⅲ)으로 설정된다.
(ⅰ)디스펜스구성 파라미터에서 "YES"가 되어 있는 디스펜스의 모든 것.
(ⅱ)복수종류의 레지스트(1) ~ 레지스트(N)(또는 노즐(1) ~ 노즐(N))중 어느 하나가 (ⅰ)의 안에 있으면 "레시피 지정 레지스트(또는 레시피 지정 현상액)"을 추가한다.
(ⅲ)복수 더미디스펜스 조건설정기능 옵션이 유효한 경우, 레지스트(또는 현상액)마다 "레지스트명(priority 1)""레지스트명(priority 2)"…"레지스트명(priority N)"(N은 옵션에 의해 결정)이라는 명칭의 아이템을 추가한다.
제어 아이템이 레시피 지정 레지스트(또는 레시피 지정 현상액)일 때는, 설정 가능한 동작조건으로서 PJ조건(Process Job condition = Lot condition), 최저처리매수(Minimum wafer count), 실행타이밍(Execution Timing), 및 PJ간 시간간격(Time interval between PJs)이 있다. 또, 복수의 더미 데스펜스 조건설정기능의 옵션이 유효한 경우이고, 제어아이템이 레지스트(priority N)일 경우, 설정가능한 동작조건으로서 시간조건(Time interval) 및 프로세스중의 실행의 여부(Dispense during process/Not)가 있다. 또한, 제어아이템이 상기 이외의 경우는 표 1에 도시하는 것과 같이, 설정가능한 동작조건으로서 시간조건(Time interval), 매수조건(Processed wafer count), 프로세스중의 실행의 여부(Dispense during process/Not)가 있다. 또한, 레시피 지정 레지스트(또는 레시피 지정 현상액)의 경우에 동작 시퀀스와 펌프레시피는 레지스트마다 설정할 수 있다.
다음으로, 제어부의 레시피 작성부(61), 레시피 격납부(62), 레시피 선택부(63)로서 각각 기능하는 화면구성의 개요에 대하여 설명한다.
더미 디스펜스 레시피 일람화면(미도시)은 레시피격납부(62)로서 기능하는 것이고, 이것에는 편집, 신규작성, 등록, 해제, 자동등록, 자동등록 해제, 삭제, 종료 등의 다수의 선택단추가 표시된다. 이 일람화면의 "편집"단추를 선택하면, 도 13에 도시하는 "더미 디스펜스 레시피 편집화면"이 입력조작패널에 표시된다.
이 더미 디스펜스 레시피 편집화면은 레시피 작성부(61)로서 기능하는 것이고, 이것에는 (1)선택모듈 표시란, (2)레시피 지정레지스트 일람", (3)선택모듈 선택단추, (4)장치구성도 선택단추, (5)PJ간 간격선택단추, (6)시간조건 선택단추, (7)매수조건 선택단추, (8)PJ간격 선택단추, (9)최저처리매수를 사용하지 않는 선택단추, (10)실행타이밍 PJ선두 선택단추, (11)PJ간 시간간격(30sec)선택단추, (12)시퀀스 설정단추, (13)종료단추, (14)파기종료단추, (15)보존단추, (16)헤더정보단추, (17)복사단추, (18)유효/무효단추, (19)무효아이템 표시유(有) 단추, 및 그 외의 단추가 표시된다.
도 13중의 표시란(1)과 (2)는 조작자가 화면을 이해하기 쉽게 하기 위한 것이고, 이등의 표시를 조작자가 마음대로 추가ㆍ삭제할 수 없게 되어 있다. 단추(3)는 표시란(1)에 표시되는 선택모듈을 전환하기 위해 사용된다. 화면의 단추(4)를 선택하면, 장치구성도의 화면에 전환된다. 장치구성도 화면(미도시)은 레시피작성부(61)로서 기능하는 것이고, 조작자가 선택모듈을 전환할 때 사용된다.
도 13중의 (5) ~ (12)의 단추군은 더미 디스펜스동작조건을 편집하기 위해이용되나. 이 중에서 (5) ~ (7)의 단추군과 (8) ~ (11)의 단추군는 택일적으로 전환하여 화면표시되도록 되어 있다. 전자는 레시피지정레지스트 이외의 제어아이템에 커서가 있는 경우에 화면에 표시되고, 후자는 레시피지정레지스트(레시피지정 현상액)에 커서가 있는 경우에 화면에 표시된다.
이들의 단추(5) ~ (12)를 선택하면, 표 2중에 No. 1 ~ 8로 도시한 기능가 각각 화면상에 표시된다. 예를 들면 단추(12)를 선택하면, 도 14에 도시하는 더미 디스펜스동작 시퀀스설정화면이 나타난다. 이 화면에서는 스텝의 삭제ㆍ삽입 및 유효ㆍ무효의 전환을 행하는 것, 및 레지스트계통마다 개별적으로 더미 디스펜스시간(sec) 등을 설정할 수 있다. 이 화면의 No. 1의 란에는 더미 디스펜스계통번호가 표시되고, No. 2의 란에는 루프조건이 표시되고, No. 3의 란에는 더미 디스펜스시간(sec)이 표시되고, No. 4의 란에는 더미 디스펜스계통번호가 표시되고, No. 5의 란에는 더미 디스펜스계통번호, 더미 디스펜스명칭, 펌프레시피명칭이 병기표시된다.
예를 들면, 도 14에 도시하는 화면의 No. 4기능단추를 선택하면, 더미 디스펜스선택화면(미도시)이 나타난다. 이 더미 디스펜스 선택화면은 레시피선택부(63)로서 기능하는 것이고, 레지스트노즐 및 용제노즐을 각각 선택설정하기 위해 사용된다.
또, 더미 디스펜스동작 시퀀스설정화면의 No. 5기능단추를 선택하면, 펌프레시피 선택화면(미도시)이 나타난다. 이 펌프레시피 선택화면은 레시피선택부(63)로서 기능하는 것이고, 더미 디스펜스량 및 펌프를 각각 선택설정하기 위해사용된다.
도 13중의 (13) ~ (19)의 단추군은 펑크션 단추이다. 이들의 펑크션 단추(13) ~ (19)를 선택하면, 표 3중에 No. 1 ~ 7로 도시한 기능이 각각 화면상에 나타난다. 예를 들면, 단추(17)를 선택하면, 복사화면(미도시)이 표시된다. 복사화면은 레시피작성부(61)로서 기능하는 것이고, 이것에는 복사원과 같은 제어 아이템을 가진 모듈이 복사선에 선택지로서 표시되고, 복사원의 제어 아이템과 같은 것을 복사선의 제어 아이템으로서 복제할 수 있다.
옵션화면(미도시)은 하나의 레지스트에 대해 복수의 더미 디스펜스조건을 설정할 때 이용된다. 예를 들면, 레시피 지정 레지스트마다 "레지스트명","더미 디스펜스 시간조건", "프로세스중의 실행의 여부"가 옵션화면에 표시된다. 옵션화면에서 더미 디스펜스동작 시퀀스설정화면(미도시)을 불러 내고, 멀티 더미 디스펜스조건을 설정한다.
이상과 같이, 본 발명 방법에서는 도포장치(4A)에서 더미 디스펜스를 행한다는 판단이 되었을 때, 또는 더미 디스펜스를 행한다고 예측되었을 때, 카세트 스테이션(21)에서 처리부(S1)의 TRS(1)에 후속로트의 최초의 웨이퍼(B01)의 인수인도를 정지하고, 선행로트와 후속로트 사이에 더미 디스펜스를 위한 소정의 시간간격을 비우도록 되고 있다.
더미 디스펜스를 행하는가의 여부의 판단은 격납된 상기 레시피에 기초하여 하는 조작자의 예측의 경우도 포함하고, 웨이퍼의 처리매수를 카운트하여 행하도록 해도 좋고, 처리시간을 카운트하여 행하도록 해도 좋다.
또, 제어부(6)가 선행로트의 가장 뒤에 있는 웨이퍼(A25)가 어느 공정에 있는가를 위치검출하고, 이 위치검출결과에 기초하여 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단하도록 해도 좋다.
또한, 선행로트의 가장 뒤에 있는 웨이퍼(A25)와 후속로트의 선두웨이퍼(B01)의 인식을 직접웨이퍼의 수를 카운트함으로써 행하도록 해도 좋다. 또, 제어부(6)에 있어서 웨이퍼가 어느 공정에 있는가를 확인하여 행하도록 해도 좋다. 또, 웨이퍼의 카운트장소는 처리부(S1)의 TRS(1)에 한정되지 않고, 카세트 스테이션(21)의 카세트(C)라도 좋다.
여기서, 액처리장치에서 더미 디스펜스가 행해지는 타이밍으로서는 설정된 로트수가 처리될 때마다, 프로세스 레시피 변경시, 선행로트와 후속로트 시작까지의 시간이 소정간격이상 비었을 때, 설정된 시간마다, 설정된 매수(예를 들면 100매)를 처리할 때 마다이다.
또, 더미 디스펜스를 행하는 대상은 도포장치(4A)에 한정되지 않고, 현상장치(4B)와 어드히전유니트를 포함한다. 현상장치(4B)에서 더미 디스펜스를 행할 경우에는 제 1 인터페이스부(S2)의 보조반송기구(31)가 본 발명의 인수인도기구에 해당하고, 제 1 인터페이스부(S2)의 아웃용 버퍼카세트가 본 발명의 카세트에 해당하고, 처리부(S1)의 PEB가 본 발명의 인수인도부에 해당한다.
또, 더미 디스펜스가 공통의 기판반송수단으로 반송하는 복수의 유니트일 경우에는 가장 긴 시간을 더미 디스펜스시간으로서 채용하고, 이 더미 디스펜스시간과 주반송기구의 사이클타임에 의해 웨이퍼의 인수인도 정지기간(공반송 사이클횟수)이 결정된다.
또, 조작자가 사이클시간 및 더미 디스펜스시간을 레시피작성부(61)에 직접 입력하도록 해도 좋다. 또, 조작자가 액처리장치의 더미 디스펜스시간을 예측하고, 후속로트의 최초의 기판의 주반송기구에의 인수인도의 정지기간을 결정하도록 해도 좋다.
또한, 주반송기구가 카세트로부터 웨이퍼를 직접 취출하도록 해도 좋다. 이 경우에는 더미 디스펜스시에는 주반송기구의 동작이 제어되고, 후속로트의 최초의 웨이퍼의 취출이 정지된다. 또한, 주반송기구는 2개만이 아니라, 3개이상이라도 좋고, 1개라도 좋다.
본 발명에 따르면, 액처리장치에서 더미 디스펜스를 행할 경우, 카세트부로부터 처리부에의 기판의 인수인도를 소정기간만 정지시키므로, 처리부내에 기판이 체류하는 일이 없어지고, 예를 들면 가열장치에 있어서 레지스트막이 오버베이크되는 것이 회피된다.

Claims (20)

  1. 인수인도기구에 의해 카세트부에서 처리부에 소정의 사이클시간마다의 타이밍으로 기판을 1개씩 인수인도하고, 상기 카세트부는 로트를 구성하는 복수의 기판을 수납한 카세트를 가지는 것이고, 상기 처리부는 복수의 액처리유니트(s)와 기판반송기구를 포함하는 것이고, 상기 처리부의 순환경로를 따라 상기 기판반송기구에 의해 기판을 순서대로(in sequence)반송하고, 기판에 대해 복수의 처리를 순서대로(in sequence)행하고, 처리한 기판을 상기 처리부로부터 상기 카세트부에 반출하고, 선행로트기판의 처리와 후속로트기판의 처리 사이의 기간에 있어서 적어도 하나의 상기 액처리유니트에서 더미 디스펜스를 행하는 기판처리방법에 있어서,
    상기 인수인도기구에 의해 상기 선행로트의 가장 뒤에 있는 기판을 상기 카세트부로부터 상기 처리부에 인수인도한 후에, 상기 후속로트의 선두 기판의 인수인도를 상기 사이클시간의 정수배의 기간만 정지시키고,
    상기 기판의 인수인도 정지기간중에 상기 액처리유니트에서 소정의 더미 디스펜스시간의 더미 디스펜스를 행하고,
    상기 더미 디스펜스후에 상기 인수인도기구에 의해 상기 후속로트의 선두의 기판을 상기 처리부에 인수인도하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 인수인도기구, 상기 기판반송기구 및 상기 액처리유니트(s)의 각 동작을 제어하기 위한 레시피 및 초기조건을 규정하는 레시피를 각각 작성하고,
    작성한 상기 레시피를 격납하고,
    격납한 상기 레시피중에서 필요한 레시피를 선택하고,
    선택한 상기 레시피에 기초하여 상기 사이클시간 및 상기 더미 디스펜스시간을 각각 설정하고,
    상기 사이클시간과 상기 더미 디스펜스시간에 기초하여 상기 기판 인수인도 정지기간을 구하고,
    상기 기판 인수인도 정지기간, 상기 사이클시간 및 상기 더미 디스펜스시간을 이용하여 상기 인수인도기구, 상기 기판반송기구 및 상기 액처리유니트의 동작을 각각 제어하고, 이것에 의해 상기 기판 인수인도 정지기간중에 적어도 하나의 상기 액처리유니트에 더미 디스펜스를 행하게 하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    격납된 상기 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스시간을 예측하고, 이 예측한 더미 디스펜스시간과 상기 사이클시간에 기초하여 상기 기판인수인도 정지기간을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  4. 청구항 2에 있어서,
    처리된 기판의 수를 카운트하고,
    상기 처리기판 카운트수와 상기 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스의 실행타이밍(Execution Timing)을 결정하고,
    결정한 실행타이밍(Execution Timing)에 상기 액처리유니트에서 더미 디스펜스를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    전번의 더미 디스펜스후부터 기판의 연속처리매수를 카운트하고, 상기 카운트매수에 기초하여 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 기판의 연속처리매수의 카운트는 상기 처리부 또는 카세트부중 어느 하나에서 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  7. 청구항 4에 있어서,
    전번의 더미 디스펜스후부터 기판의 연속처리시간을 카운트하고, 상기 카운트시간에 기초하여 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    선행하는 로트의 최후미의 기판이 상기 처리부내의 어디에 있는가를 검출하고, 상기 검출결과에 따라 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    선행로트의 최후미의 기판과 후속로트의 선두의 기판이 어느 공정에 있는가를 검출하기 위해, 상기 처리부 안을 실제로 흐르는 기판을 카운트하고, 상기 카운트결과에 따라 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 청구항 2에 있어서,
    격납된 상기 레시피중에서 로트간 시간간격(Time interval between lots)을 선택하여 불러내고,
    상기 로트간 시간간격과 상기 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스의 실행타이밍(Execution Timing)을 결정하고,
    상기 실행타이밍(Execution Timing)에 상기 액처리유니트에서 더미 디스펜스를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 청구항 2에 있어서,
    격납된 상기 레시피중에서 최저처리매수(Minimum wafer count)를 선택하여불러내고,
    상기 최저처리매수와 상기 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스의 실행타이밍(Execution Timing)을 결정하고,
    상기 실행타이밍(Execution Timing)에 상기 액처리유니트에서 더미 디스펜스를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 청구항 2에 있어서,
    격납된 상기 레시피중에서 프로세스 레시피 변경시를 선택하여 불러내고,
    상기 프로세스 레시피 변경시와 상기 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스의 실행타이밍(Execution Timing)을 결정하고,
    상기 실행타이밍(Execution Timing)에 상기 액처리유니트에서 더미 디스펜스를 행하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 사이클시간은 상기 카세트내의 n번째의 기판이 상기 인수인도기구로부터 상기 기판반송기구에 인수인도되고나서, 다음 카세트내의 (n+1)번째의 기판이 상기 인수인도기구로부터 상기 기판반송기구에 인수인도될 때까지의 시간인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 사이클시간은 상기 기판반송기구가 상기 순환경로를 일주하는 시간인 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  15. 기판처리장치는,
    로트를 구성하는 복수의 기판을 수납한 카세트가 출납되는 카세트부와,
    기판에 대해 복수의 처리를 순서대로(in sequence)행하는 처리부와,
    상기 처리부에 설치되고, 소정의 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 복수의 액처리유니트(s)와,
    상기 카세트부의 카세트에서 기판을 취출하고, 상기 기판을 상기 처리부에 인수인도하는 인수인도기구와,
    상기 인수인도기구로부터 기판을 인수되고, 상기 처리부내에서 기판을 순서대로(in sequence)반송하고, 상기 카세트부에 기판을 반출하는 기판반송기구와,
    상기 처리부내에 설치되고, 상기 기판반송기구가 사이클이동하는 순환경로와,
    상기 인수인도기구, 상기 기판반송기구 및 상기 액처리유니트의 동작을 각각 규정하는 레시피를 작성하고, 상기 레시피에 기초하여 사이클시간 및 더미 디스펜스시간을 구하고, 상기 레시피, 상기 사이클시간 및 상기 더미 디스펜스시간에 따라 가판인수인도 정지기간을 구하고, 상기 기판인수인도 정지기간중은 상기 카세트부로부터 상기 처리부에의 후속로트의 기판의 인수인도를 정지시켜, 상기 기판인수인도 정지기간중에 상기 액처리유니트에 더미 디스펜스를 행하게 하고, 그 후에 상기 인수인도기구에 의해 상기 후속로트의 기판을 상기 처리부에 인수인도하게 하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 인수인도기구, 상기 기판반송기구 및 상기 액처리유니트의 동작을 각각 규정하는 레시피를 작성하는 레시피부와,
    상기 레시피부에서 작성된 레시피를 격납하는 레시피격납부와,
    상기 레시피격납부에 격납된 레시피를 선택하여 불러내는 레시피선택부와,
    상기 레시피에 기초하여 상기 사이클시간을 산출하는 사이클타임계산부와,
    상기 레시피에 기초하여 상기 더미 디스펜스시간을 산출하는 더미 디스펜스계산부와,
    상기 레시피, 상기 사이클시간 및 상기 더미 디스펜스시간에 따라 상기 기판인수인도 정지기간을 산출하는 인수인도 정지기간계산부와,
    처리된 기판의 수를 카운트하는 카운트부와,
    상기 처리기판카운트수와 상기 인수인도 정지기간에 따라 더미 디스펜스의 실행타이밍(Execution Timing)을 결정하는 더미 디스펜스판단부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 더미 디스펜스판단부는 상기 레시피에 기초하여 로트간 시간간격(Time interval between lots)을 구하고, 상기 로트간 시간간격에 따라 더미 디스펜스의 실행타이밍을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  18. 청구항 16에 있어서,
    상기 더미 디스펜스판단부는 상기 레시피에 기초하여 최저처리매수(Minimum wafer count)를 구하고, 상기 최저처리매수에 따라 더미 디스펜스의 실행타이밍을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  19. 청구항 16에 있어서,
    상기 더미 디스펜스판단부는 상기 레시피에 기초하여 프로세스 레시피 변경시를 구하고, 상기 프로세스 레시피 변경시에 따라 더미 디스펜스의 실행타이밍을 결정하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  20. 청구항 16에 있어서,
    상기 더미 디스펜스판단부는 전번의 더미 디스펜스후부터 기판의 연속처리매수를 카운트하고, 상기 카운트매수에 기초하여 다음번의 더미 디스펜스를 행하는가의 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100885284B1 (ko) * 2007-08-09 2009-02-23 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
KR101015955B1 (ko) * 2008-10-16 2011-02-23 세메스 주식회사 반도체 제조 설비 및 이의 제어 방법

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4606159B2 (ja) * 2004-03-31 2011-01-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、コンピュータプログラム及び記憶媒体
KR101018525B1 (ko) 2004-03-31 2011-03-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4955976B2 (ja) * 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4541966B2 (ja) * 2005-05-06 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置並びにコンピュータプログラム
JP4716362B2 (ja) * 2005-06-07 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
US10627809B2 (en) 2005-06-18 2020-04-21 Frederick A. Flitsch Multilevel fabricators
US11024527B2 (en) 2005-06-18 2021-06-01 Frederick A. Flitsch Methods and apparatus for novel fabricators with Cleanspace
US10651063B2 (en) 2005-06-18 2020-05-12 Frederick A. Flitsch Methods of prototyping and manufacturing with cleanspace fabricators
US7513822B2 (en) 2005-06-18 2009-04-07 Flitsch Frederick A Method and apparatus for a cleanspace fabricator
US9339900B2 (en) 2005-08-18 2016-05-17 Futrfab, Inc. Apparatus to support a cleanspace fabricator
US8229585B2 (en) * 2005-09-18 2012-07-24 Flitsch Frederick A Methods and apparatus for vertically orienting substrate processing tools in a clean space
US9457442B2 (en) * 2005-06-18 2016-10-04 Futrfab, Inc. Method and apparatus to support process tool modules in a cleanspace fabricator
US9159592B2 (en) 2005-06-18 2015-10-13 Futrfab, Inc. Method and apparatus for an automated tool handling system for a multilevel cleanspace fabricator
US9059227B2 (en) 2005-06-18 2015-06-16 Futrfab, Inc. Methods and apparatus for vertically orienting substrate processing tools in a clean space
EP1757373B1 (en) * 2005-08-24 2012-04-11 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Film forming apparatus, film forming method and method for manufacturing piezoelectric actuator
JP2007287909A (ja) * 2006-04-17 2007-11-01 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の制御方法並びに記憶媒体
US20070250202A1 (en) * 2006-04-17 2007-10-25 Tokyo Electron Limited Coating and developing system, method of controlling coating and developing system and storage medium
JP5132920B2 (ja) * 2006-11-22 2013-01-30 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置および基板搬送方法、ならびにコンピュータプログラム
JP5196775B2 (ja) * 2006-12-07 2013-05-15 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2008147448A (ja) * 2006-12-11 2008-06-26 Toshiba Corp 薬液供給装置及び薬液供給装置を用いた半導体装置の製造方法
US20080199596A1 (en) * 2007-02-21 2008-08-21 Toshiba America Electronic Components, Inc. Fluid dispense system
US7591600B2 (en) * 2007-02-23 2009-09-22 Tokyo Electron Limited Method and system for monitoring photolithography processing based on a batch change in light sensitive material
EP1965381B1 (en) * 2007-03-02 2010-08-04 Singulus Mastering B.V. Control Method for Integrated Mastering System
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Sokudo 基板処理装置
US20090011612A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 United Microelectronics Corp. Method of shortening photoresist coating process
JP5151383B2 (ja) 2007-10-12 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) * 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) * 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP5463066B2 (ja) 2009-04-30 2014-04-09 東京エレクトロン株式会社 ロット処理開始判定方法及び制御装置
JP5067432B2 (ja) * 2010-02-15 2012-11-07 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、現像方法及び記憶媒体
US8684705B2 (en) 2010-02-26 2014-04-01 Entegris, Inc. Method and system for controlling operation of a pump based on filter information in a filter information tag
US8727744B2 (en) * 2010-02-26 2014-05-20 Entegris, Inc. Method and system for optimizing operation of a pump
JP5392190B2 (ja) * 2010-06-01 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
TWI563351B (en) 2010-10-20 2016-12-21 Entegris Inc Method and system for pump priming
JP5841493B2 (ja) * 2012-05-22 2016-01-13 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ 現像処理装置
TWI544291B (zh) 2012-05-22 2016-08-01 斯克林半導體科技有限公司 顯像處理裝置
JP5572666B2 (ja) * 2012-05-24 2014-08-13 株式会社Sokudo 基板処理装置
JP6126248B2 (ja) * 2014-01-20 2017-05-10 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10340159B2 (en) * 2014-06-09 2019-07-02 Ebara Corporation Cleaning chemical supplying device, cleaning chemical supplying method, and cleaning unit
JP6025079B2 (ja) * 2014-10-07 2016-11-16 大日本印刷株式会社 インプリント装置およびその制御方法
US10867818B2 (en) * 2018-04-09 2020-12-15 Protec Co., Ltd. Wafer level dispenser
JP7137977B2 (ja) * 2018-07-05 2022-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6655689B1 (ja) * 2018-09-21 2020-02-26 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN111489986B (zh) * 2019-01-28 2024-03-22 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法
JP7236318B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理方法
TWI749399B (zh) * 2019-11-18 2021-12-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型元件轉移頭、微型元件轉移裝置以及微型元件顯示裝置
JP2022052165A (ja) * 2020-09-23 2022-04-04 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置、基板搬送方法及びプログラム

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970006206B1 (ko) * 1988-02-10 1997-04-24 도오교오 에레구토론 가부시끼가이샤 자동 도포 시스템
KR0138097B1 (ko) * 1989-05-22 1998-06-15 고다까 토시오 도포장치
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
JP2936364B2 (ja) * 1992-01-14 1999-08-23 東京エレクトロン株式会社 処理装置
TW359854B (en) * 1996-06-21 1999-06-01 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus and processing method
JP3504087B2 (ja) * 1996-10-07 2004-03-08 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
JP3445757B2 (ja) * 1999-05-06 2003-09-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR100557027B1 (ko) 1999-06-30 2006-03-03 동경 엘렉트론 주식회사 기판전달장치 및 도포현상 처리시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100885284B1 (ko) * 2007-08-09 2009-02-23 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법
KR101015955B1 (ko) * 2008-10-16 2011-02-23 세메스 주식회사 반도체 제조 설비 및 이의 제어 방법

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Publication number Publication date
JP2003324059A (ja) 2003-11-14
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