CN1456939A - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基板处理方法，在通过交付机构将先行批量最末尾的基板从盒子部交付给处理部之后，将后续批量开头的基板的交付仅停止循环时间的整数倍的期间，在基板交付停止期间内在液体处理部件处进行规定的虚分配时间的虚分配，之后，通过交付机构将后续批量开头的基板交付给处理部。

Description

基板处理方法和基板处理装置
技术领域
本发明涉及用于在半导体晶片和液晶显示器(LCD)用基板(基底)上形成既定的电路图案的光刻法中使用的基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
基板处理装置例如在美国专利6,444,029B1号公报中公开的。参照图1对现有装置内的主传送机构和半导体晶片的活动进行说明。两个主传送机构15A、15B在来的路上按盒子载物台11->TRS1->CPL1->涂敷部件(COT)->TRS2->LHP1->CPL2->接口部1B的顺序协同地传送晶片W。接着，主传送机构15A、15B反转后改变方向，在回去的路上按接口部1B->PEB->CPL3->显影部件(DEV)->LHP2->TRS3->TRS4->盒子载物台11的顺序协同地传送晶片W。TRS1、TRS4是用于在辅助传送机构(未图示)和主传送机构15A之间进行晶片交付的交付部件。TRS2、TRS3是用于在主传送机构15A、15B相互之间进行晶片交付的交付部件。
一个主传送机构15A在处理部1A内沿TRS1->CPL1->涂敷部件(COT)->TRS2->TRS3->TRS4->TRS1的循环路径移动。主传送机构15A绕该循环路径一周称为“主传送机构15A的1次循环移动”。另一个主传送机构15B在处理部1A内沿TRS2->LHP1->CPL2->PER->CPL3->显影部件(DEV)->LHP2->TRS3->TRS2的循环路径移动。主传送机构15B绕该循环路径一周称为“主传送机构15B的1次循环移动”。这些主传送机构15A、15B的循环移动中的动作由控制部的既定程序控制，在循环路径内不后退地反复前进和停止。
另外，主传送机构15A、15B具备对于处理部件用于使晶片W出入处理部件的上下2个臂。例如，主传送机构15A从TRS1接收第n个晶片Wn后向下一个工序的CPL1传送，1次循环移动循环路径直至TRS1后返回，从TRS1接收下一个第(n+1)个晶片W(n+1)。
这样，在一个主传送机构15A每1次循环移动中，晶片W就通过TRS1一个一个地从盒子部11被送入处理部1A内。而且，在主传送机构15A每1次循环移动中，晶片W通过TRS4一个一个地从处理部1A向盒子部11被送出。
另一方面，在另一个主传送机构15B每1次循环移动中，晶片W一个一个地通过CPL1被交付给接口部1B。而且，在主传送机构15B每一次循环移动中，通过PEB部件从接口部1B一个一个地接收晶片W。通过顺次反复这些动作，对所有批量的晶片W进行规定的处理。
例如，通过涂敷部件(COT)，在晶片W上旋涂抗蚀剂。这时，通过泵将槽内的抗蚀液(resist solution)压送给供给管路，通过供给管路将抗蚀液提供给喷嘴。于是，在停止向晶片W供给抗蚀液时，抗蚀液在喷嘴和供给管路内长期滞留，抗蚀液的特性改变(主要是溶剂挥发，抗蚀剂的粘性变化)。因此，在先行批量和后续批量之间，即不给晶片W涂敷抗蚀剂期间，进行从喷嘴和供给路内排出滞留的抗蚀液的所谓虚分配(Dummy Dispense)。在显影部件(DEV)中也同样实施虚分配。
另外，如上所述，主传送机构15A、15B在循环路径内不后退地仅作前进和停止的动作。于是，在涂敷部件(COT)中实施虚分配时，在虚分配结束之前的期间内，主传送机构15A在涂敷部件(COT)处停止，变成等待状态。与此相同地，在显影部件(DEV)中实施虚分配的情况下，另一个主传送机构15B在显影部件(DEV)处停止，变成等待状态。
在涂敷部件(COT)中，以在先行批量A(1个批量：晶片25枚)和后续批量B之间进行虚分配的情况为例进行洗明。在完成对先行批量A的最后的晶片A25的抗蚀液涂敷时，主传送机构15A用一个臂从前一工序的CPL1中取出后续批量B的开头晶片B01，用另一个臂从涂敷部件(COT)中取出晶片A25。
另一方面，先行批量A的晶片A24进入涂敷部件(COT)的下一工序TRS2中。该晶片A24通过另一个主传送机构15B被传送给下一工序LHP1，因此，在从TRS2中取出晶片A24之后，主传送机构15A用另一个臂将晶片A25交付给TRS2。
接着，主传送机构15A的一个臂准备将晶片B01交付给涂敷部件。其中，在涂敷部件(COT)处进行虚分配的情况下，因为不能将晶片B01送入涂敷部件(COT)处，所以主传送机构15A处于持有晶片B01的等待状态。由此，通过主传送机构15A的晶片B01的传送停滞。
即使假定主传送机构15A在虚分配之前将晶片B01送入涂敷部件(COT)，结果，在实施虚分配期间以及在晶片B01上涂敷抗蚀液期间，主传送机构15A也是停止的。这样，主传送机构15A的停止时间会由于在涂敷部件(COT)处进行虚分配的所需时间而变得过长。在显影部件(DEV)中进行虚分配的情况下，主传送机构15B中也发生同样的问题。因此，整体来看，处理部1A内主传送机构15A、15B相互之间的晶片W交付不平滑，变成阻碍处理能力提高的主要原因。
发明内容
本发明的目的是提供一种基板处理方法和基板处理装置，即使在液体处理部件(抗蚀液涂敷部件、显影部件、BARC涂敷部件等)中进行虚分配时，也能在多个主传送机构相互之间平滑地交付基板，使处理能力提高。
本发明的基板处理方法是：通过交付机构以每个既定循环时间的定时将基板一个一个地从盒子部交付给处理部，上述盒子部具有容纳构成批量的多个基板的盒子，上述处理部包含多个液体处理部件和基板传送机构，通过上述基板传送机构沿上述处理部的循环路径顺序地(in sequence)传送基板，对基板顺序地(in sequence)进行多个处理，将处理后的基板从上述处理部传送到上述盒子部中，在先行批量基板处理和后续批量基板处理之间的时间内，在至少一个上述液体处理部件中进行虚分配，其特征在于，
(i)通过上述交付机构将上述先行批量最末尾的基板从上述盒子部交付给上述处理部之后，使上述后续批量开头的基板的交付仅停止上述循环时间的整数倍的期间，
(ii)在上述基板交付停止期间内，在上述液体处理部件中进行既定的虚分配时间的虚分配，
(iii)在上述虚分配之后，通过上述交付机构将上述后续批量开头的基板交付给上述处理部。
本发明的基板处理方法还包括：(iv)分别制作用于控制上述交付机构、上述基板传送机构和上述液体处理部件的各个动作的配方和规定初始条件的配方，将制作好的上述配方存储起来，(v)从存储的上述配方中选择需要的配方，(vi)根据所选的上述配方分别设定上述循环时间和上述虚分配时间，(vii)根据上述循环时间和上述虚分配时间求出上述基板交付停止期间，(viii)分别用上述基板交付停止期间、上述循环时间和上述虚分配时间控制上述交付机构、上述基板传送机构和上述液体处理部件的动作，由此在上述基板交付停止期间内，在至少1个上述液体处理部件中进行虚分配。
本发明的基板处理装置，其特征在于，具有：
盒子部，使容纳构成批量的多个基板的盒子出入；
处理部，对基板顺序地(in sequence)进行多个处理；
多个液体处理部件，设在上述处理部中，用既定的处理液处理基板；
交付机构，从上述盒子部的盒子中取出基板，将该基板交付给上述处理部；
基板传送机构，交付来自上述交付机构的基板，在上述处理部内顺序地(insequence)传送基板，将基板送给上述盒子部；
循环路径，设在上述处理部内，上述基板传送机构在其上循环移动；
控制部，制作分别规定上述交付机构、上述基板传送机构和上述液体处理部件的动作的配方(recipe)，根据上述配方求出循环时间和虚分配时间，根据上述配方、上述循环时间和上述虚分配时间求出基板交付停止时间，在该基板交付停止期间内停止从上述盒子部向上述处理部交付后续批量的基板，在该基板交付停止期间内，在上述液体处理部件中进行虚分配，之后，通过上述交付机构使上述后续批量的基板交付给上述处理部。
上述控制部具有：配方制作部，制作分别规定上述交付机构、上述基板传送机构和上述液体处理部件的动作的配方；配方存储部，存储由上述配方制作部制作的配方；配方选择部，选择并调用存储在上述配方存储部的配方；循环时间计算部，根据上述配方算出上述循环时间；虚分配计算部，根据上述配方算出上述虚分配时间；交付停止期间计算部，根据上述配方、上述循环时间和上述虚分配时间算出上述基板交付停止期间；计数部，计数处理完的基板个数；虚分配判断部，根据上述处理基板计数数和上述交付停止期间决定虚分配的执行定时(Execution Timing)。
在本发明中，仅在既定期间停止从盒子部向处理部交付基板，在停止期间内，因为在液体处理部件处执行虚分配，所以基板不滞留在循环路径中。因此，例如避免从了加热装置中取出基板延迟、抗蚀膜在加热装置内的过度烘焙。
这里所谓“循环时间”，指的是不管是否持有基板，基板传送机构(主传送机构)绕循环路径一周直至返回出发点的时间。换言之，“循环时间”在持有基板的情况下，是从盒子内的第n个基板从交付机构交付给基板传送机构开始直至下一个的盒子内的第(n+1)个基板从交付机构交付给基板传送机构为止的时间。
所谓“虚分配时间”指的是液体处理部件中从喷嘴将处理液排出废弃的时间和喷嘴移动时间的总和。
所谓“顺序(正确)地(in sequence)处理基板”指的是按照既定配方所规定的顺序先对基板进行先行处理，之后进行后续处理。这意味着不含不符合既定处理配方所规定顺序的基板处理，例如不含在处理部内先行处理和后续处理的顺序颠倒的情况。
所谓“顺序(正确)地(in sequence)地传送基板”指的是基板传送机构按照既定配方所规定的顺序在循环路径内反复前进和停止，顺向传送基板。这意味着不含不符合既定传送配方所规定的顺序的基板传送，例如不含基板传送机构在循环路径内后退逆向传送基板的情况。
“基板交付停止期间”指的是停止从盒子部向处理部交付基板的期间。换言之，该期间是交付机构不向基板传送机构交付基板的期间，也可以说是在基板传送机构不持有基板的状态下，沿循环路径移动循环时间的整数倍时间的空循环传送期间。该期间(空循环次数)根据由既定配方提供的循环时间和虚分配时间来算出。例如，循环时间为A秒、虚分配时间为B秒时，首先，求出满足不等式A×x＜B关系的整数x(包含0)。然后，在整数x上加1，求出(x+1)。该整数(x+1)相当于晶片交付停止次数。将循环时间整数(x+1)倍时变成基板交付停止期间。
操作者根据存储配方预测虚分配时间，可根据该预测的虚分配时间确定基板交付停止期间。
虚分配的执行定时(Execution Timing)使用批量间间隔(Interval betweenlots)、批量间时间间隔(Time interval between lots)、最低处理个数(Minimumwafer count)中的任一个来控制。而且，可将虚分配的执行定时作为处理配方变更时间。
从上次虚分配之后开始计数基板的连续处理个数，根据计数数，可判断是否进行下次的虚分配。在这种情况下，基板的连续处理个数的计数可在处理部或盒子部处进行。
从上次虚分配之后开始计数基板的连续处理时间，根据该计数时间，可判断是否进行下次的虚分配。
检测先行批量的最末尾的基板是否还在上述处理部内，根据检测结果判断是否进行下次的虚分配。
而且，为了检测先行批量的最末尾的基板和后续批量的开头的基板位于哪个工序中，计数上述处理部中实际流动的基板，可根据计数结果判断是否进行下次的虚分配。
为了不使虚分配时排放的液体的雾气或蒸汽对基板造成恶劣影响，优选在基板不位于涂敷部件和显影部件中时执行虚分配。
附图说明
图1是现有装置内的基板的传送路径的平面模式图；
图2是显示基板处理装置的概要的平面图；
图3是显示基板处理装置的概要的透视图；
图4是基板处理装置的搁板部件部分的侧面模式图；
图5是本发明装置内的基板的传送路径的平面模式图；
图6是基板处理装置的涂敷装置部分的截面模式图；
图7是基板控制装置的控制部和各部分的控制器的控制方框图；
图8是控制部的配方存储部的概念图；
图9模式地示出了虚分配的执行定时(Execution Timing)的时序图；
图10A是显示本发明方法的实施例(插入1次虚分配)的图表，图10B是显示本发明方法的另一个实施例(插入2次虚分配)的图表；
图11A、11B是在计算机向控制器发出虚分配执行指令之前在计算机内部预先进行软件处理的控制流程图；
图12是用于说明与虚分配有关的主要功能的方框概念图；
图13是一例虚分配配方编辑画面的模式图；
图14是一例虚分配动作顺序设定画面的模式图。
具体实施方式
首先，参照图2、3对实施上述本发明的基板处理方法的基板处理装置的一例的概要进行说明。如图2、3所示，基板处理装置具有盒子站21，辅助传送机构24，2个主传送机构26A、26B，处理部S1，第一接口部S2，第二接口部S3，和控制部6。盒子站21具有载置部22，在该载置部22中沿Y轴以等纵向间距最多载置4个盒子C。盒子C是有可开闭的盖的密闭容纳型，其中例如最多容纳13个12英寸大小的晶片W。
从载置部22看，设有设置在前方壁面上的开闭部23和、用于通过开闭部23从盒子C中取出晶片W的辅助传送机构24。辅助传送机构24构成为臂可升降自由、前后左右自由移动且绕垂直轴自由旋转，根据来自控制部6的指令由控制器40(参考图6)控制驱动。
被框体包围周围的处理部S1连接到盒子站21内侧，在处理部S1中设置成：从面前侧开始顺次多级化加热·冷却系统的部件的3个搁板部件25(25A、25B、25C)和后述用于液体处理部件间晶片W交付的2个主传送机构26(26A、26B)交互配列。主传送机构26(26A、26B)例如分别具有2个臂27，该臂27构成为能自由升降、前后左右自由移动且绕垂直轴自由旋转，根据来自控制部6的指令由控制器40(参考图6)控制驱动。
从盒子站21侧面看，搁板部件25(25A、25B、25C)和主传送机构26(26A、26B)配列成前后一列，在各个连接部位G上形成未图示的晶片传送用开口部，因此，在该处理部S1内，晶片W能从一端侧的搁板部件25A自由移动至另一端侧的搁板部件25C。
主传送机构26(26A、26B)放置在由从盒子站21看配置在前后方向上的搁板部件25(25A、25B、25C)侧的一个面、例如右侧的液体处理装置侧的一个面、和形成左侧的一个面的背面部分所构成的分隔壁包围的空间内。
在主传送机构26A、26B的搁板部件25A、25B、25C不连接的部位例如前述的右侧面部分上，设置涂敷装置4A和显影装置4B等将液体处理装置多级化的液体处理部件28A、28B。如图3所示，这些液体处理部件28A、28B中，容纳涂敷装置4A等的处理容器29层积成多个级(例如5级)，在该处理容器29的基板传送装置侧的侧面上，形成传送口29a，以便在晶片W出入时臂27可进入，在传送口29a中设置未图示的闸板。
如图4所示，搁板部件25(25A、25B、25C)具有多个交付部件TRS1、TRS2、TRS3、TRS4，多个加热部件LHP1、LHP2和多个冷却部件CPL1、CPL2、CPL3。交付部件TRS1～TRS4分别具备用于进行晶片交付的交付台。加热部件LHP1、LHP2在涂敷抗蚀剂后或涂敷显影液后对晶片进行加热。冷却部件CPL1、CPL2、CPL3在涂敷抗蚀剂前后或在显影处理前对晶片进行冷却处理。加热部件(PEB)等例如分割为上下10级。这里，TRS1、TRS4用于在盒子站21和处理部S1之间交付晶片，TRS2、TRS3用于在2个主传送机构26A、26B彼此之间交付晶片。
在本实施例中，交付部件TRS1、TRS2、TRS3、TRS4、加热部件LHP1、LHP2、冷却部件CPL1、CPL2、CPL3、加热部件PEB和加热部件相当于“处理部件”。交付部件TRS1、TRS4、加热部件PEB、辅助传送机构24相当于“交付机构”。交付部件TRS1～TRS4不仅进行基板的交付，而且兼用于基板的加热·冷却。
在这种处理部S1中，曝光装置S4通过第一接口部S2和第二接口部S3连接到搁板部件25C的内侧。第一接口部S2构成为升降自由且绕垂直轴自由旋转，如后述，具有：辅助传送机构31，对于处理部S1的搁板部件25C的CPL2和PEB进行晶片的交付；搁板部件32A，周边曝光装置、和用于一次容纳送入曝光装置S4的晶片的输入用缓冲盒子、和用于一次容纳从曝光装置S4送出的晶片的输出用缓冲盒子配置成多级；搁板部件32B，晶片的交付部件和高精度调温部件配置成多级。
在第二接口部S3中设置有在大致水平方向上自由移动、升降自由且绕垂直轴自由旋转地构成的辅助传送机构33，由此，对于第一接口S1的交付部件和高精度调温部件、曝光装置S4的输入台34和输出台35进行晶片的交付。
下面，对处理部S1内主传送机构26A、26B的动作进行说明。如图5所示，2个主传送机构26A、26B这样移动：以TRS1->CPL1->涂敷单元(COT)->TRS2->LHP1->CPL2的顺序从盒子站21向第一接口部S2传送晶片W，之后，以PEB->CPL3->显影单元(DEV)->LHP2->TRS3->TRS4的顺序从第一接口部S2向盒子站21传送晶片。此外，在处理部S1和第一接口部S2之间，通过CPL2和PEB进行晶片W的交付。
如图5中虚线所示，一个主传送机构26A以TRS1->CPL1->COT->TRS2->TRS3->TRS4->TRS1的顺序传送晶片W，另一个主传送机构26B以TRS2->LHP1->CPL2->PEB->CPL3->DEV->LHP2->TRS3->TRS2的顺序传送晶片W。因此，如图4所示，TRS1、TRS4配置在搁板部件25A中，TRS2、TRS3配置在搁板部件25B中，CPL2和PEB配置在搁板部件25C中，CPL1配置在搁板部件25A或搁板部件25B中，LHP1、LHP2配置在搁板部件25B或搁板部件25C中。
对本装置内晶片的流动进行说明。首先，将容纳来自外部的晶片W的盒子C送入盒子站21时，和开闭部23一起卸下盒子C的盖，通过辅助传送机构24取出晶片W。接着，通过作为搁板部件25A的一个部分的交付部件(TRS1)将晶片W从辅助传送机构24交付给主传送机构26A，之后，通过主传送机构26A、26B以TRS1->CPL1->COT->TRS2->LHP1->CPL2的顺序传送晶片，经CPL2将涂敷有抗蚀液的晶片送给第一接口部S2。
晶片在第一接口部S2内，通过辅助传送机构31以输入用缓冲盒子->周边曝光装置->高精度调温部件的顺序传送，经搁板部件32B的交付部件传送给第二接口部S3，通过第二接口部S3的辅助传送机构33经曝光装置S4的输入台34传送给曝光装置S4，进行曝光。
曝光后，晶片经第二接口部S3->第一接口部S2并经处理部S1的PEB传送至处理部S1，以PEB->CPL3->DEV->LHP2->TRS3->TRS4的顺序传送。
第一主传送机构26A通过TRS1将批量的第n个晶片Wn传送给下一工序的CPL1，接着，以COT->TRS2->TRS3->TRS4->TS1的顺序通过，再次返回TRS1(1个循环)，通过TRS1将下面的第(n+1)个晶片Wn+1传送给CPL1。在该1个循环期间，第二主传送机构26B将TRS2的晶片传送给下一工序的LHP1，接着，以CPL2->PEB->CPL3->DEV->LHP2->TRS3->TRS2的路径在1个循环时间之后返回TRS2，通过TRS2将下一个晶片传送给LHP1。
对图6所示的涂敷装置4A的情况进行说明。旋压卡盘41可通过包含电动机和升降部的驱动部42大致绕垂直轴旋转，并且可升降。在旋压卡盘41的周围设置有包围从晶片W跨越旋压卡盘41的部分、并且形成横亘下方侧四周的凹部的液体接收杯43，在液体接收杯43的底面上连接排气管44和排水管45。
在液体接收杯43的上方侧设置抗蚀液的供给喷嘴46，该供给喷嘴46通过未图示的移动机构在晶片W的中央部上方和上述液体接收杯43外侧的等待部48之间移动。供给喷嘴46通过安装有用于向喷嘴46压送抗蚀液的泵P和阀V的供给管路49与作为抗蚀液供给源的抗蚀液槽50连通。
在等待部48中设置用于储存作为清洗液的冲淡剂的清洗槽51。该清洗槽51具有：向该清洗槽51内提供清洗液的清洗液供给管52，和用于排泄清洗槽内的清洗液等的排出管53。
在该等待部48中，在虚分配时，从供给喷嘴46向清洗槽51内排出抗蚀液，该排出的抗蚀液从排出管53排放，在供给喷嘴46等待时，将喷嘴46浸渍到装满清洗液的清洗槽51内，清洗喷嘴46。
这样，主传送机构26A将晶片W送入涂敷装置4A，移载到旋压卡盘41上。接着，在晶片W上旋涂抗蚀剂。此时的驱动部42和阀V、泵P的动作由控制器40控制。驱动部42和阀V的开关、泵P动作的开始、停止时间、旋压卡盘41的旋转次数、抗蚀液的排出量等诸条件由后述的控制部6设定，从控制部6指示给控制器40A。
下面，参照图7对控制部6进行说明。
控制部6制作和管理各处理部件的配方，同时根据它们的配方控制各处理部件。控制部6具有：配方制作部61，配方存储部62，配方选择部63，循环时间计算部64，虚分配时间计算部65，交付停止次数计算部66，计数部67，虚分配判断部68。这些各个部61～68通过系统总线B1相互连接。
而且，为了给主传送机构26A、26B，辅助传送机构24，涂敷装置4A和显影装置4B，设在搁板部件25A～25C中的CPL、LHP、PEB等加热冷却系统部件54发送控制信号，控制部6与各控制器260、240、40A、40B、540连接。
在配方制作部61中，可输入将抗蚀剂的种类和显影液的种类、加热温度和时间、冷却温度和时间、抗蚀液的涂敷时间、显影时间、虚分配的定时、1个批量的晶片个数等处理条件组合起来的处理配方。配方制作部61包含图13、14所示的多个配方编辑画面。用配方制作部61制作的各配方存储在配方存储部62中。
如图8所示，配方存储部62存储处理配方71、晶片传送配方72、泵配方73、虚分配配方74等。
在配方选择部63中，操作人员根据要完成的处理，基于在操作画面上输入的数据，从处理配方71、传送配方72、泵配方73、虚分配配方74中进行选择。
在本实施例中，循环时间计算部64能计算向涂敷部件COT传送晶片的主传送机构26A的循环时间。这里所谓“循环时间”指的是从将盒子站21的盒子C内第n个晶片交付给主传送机构26A开始到将下一个第(n+1)个晶片交付给主传送机构26A为止的时间。具体地说，指的是：主传送机构26A接收通过辅助传送机构24从盒子C交付给处理部S1的TRS1的第n个晶片，晶片以既定路径在处理部S1内移动，直至主传送机构26A再次在TRS1中接收从盒子站21交付给TRS1的第(n+1)个晶片的时间。该循环时间根据由配方选择部63选择的处理配方71和传送配方72算出。循环时间例如为30秒。
虚分配时间计算部65能计算涂敷装置的虚分配时间。虚分配时间根据由配方选择部63选择的泵配方73和虚分配配方74算出。虚分配时间例如为20秒(或40秒)。
晶片交付停止次数计算部66具有这样的功能：在液体处理部件中，在先行批量和后续批量之间进行虚分配的情况下，在处于盒子站21中的先行批量的最后的晶片A25交付给主传送机构26A后，计算停止向基板传送装置交付后续批量的最初的晶片B01的期间次数。
在本实施例中，“晶片交付停止期间(循环次数)”指的是停止从盒子站21向TRS1交付晶片的期间(循环次数)。该晶片交付停止期间(循环次数)根据由既定配方提供的循环时间和虚分配时间来算出。例如循环时间为A秒、虚分配时间为B秒时，首先求出满足不等式A×x＜B关系的整数x(包含0)。接着，在整数x上加1求出(x+1)。该(x+1)次为晶片交付停止次数，即主传送机构26A不传送晶片的晶片交付停止期间。
显示具体的数值来说明。循环时间A为30秒、虚分配时间B为20秒时，循环时间A比虚分配时间B长，因此，不等式A×x＜B的关系不成立。这样，x＝0，晶片交付停止次数(x+1)为1次。晶片交付停止次数为1次的情况下，主传送机构26A的晶片传送配方变成如图10A所示。图中，标号DD所示的是虚分配。循环时间A和虚分配时间B是相同的时间(A＝B)时，不等式A×x＜B的关系不成立，因此，晶片交付停止次数为1次。
循环时间A为30秒、虚分配时间B为40秒时，循环时间A比虚分配时间B短，因此，不等式A×x＜B的关系成立。这样，x＝1，晶片交付停止次数(x+1)为2次。晶片交付停止次数为2次的情况下，主传送机构26A的晶片传送配方变成如图10B所示。
计数部67具有计数处理部S1中晶片的处理个数的功能。例如，在从盒子站21的辅助传送机构24向处理部S1的TRS1交付晶片时，通过计数部67进行计数。而且，虚分配判断部68具有例如基于由计数部67计数的晶片个数判断是否进行虚分配的功能。
下面，对用本实施例的基板处理装置形成抗蚀剂图案的情况进行说明。
首先，在形成抗蚀剂图案之前，操作人员通过配方选择部63选择将要形成的膜的处理配方71、传送配方72、泵配方73和虚分配配方74。这里，目标配方如果例如是在先行批量A和后续批量B之间通过涂敷装置4A进行虚分配的配方时，在循环时间计算部64中，通过先行批量A的处理配方71和传送配方72，计算向涂敷装置4A传送晶片的主传送机构26A的循环时间，而且，在虚分配时间计算部65中，通过先行批量A的泵配方73和虚分配配方74计算涂敷装置4A的虚分配时间B。
接着，在交付停止次数计算部66中，通过主传送机构26A的循环时间A和虚分配时间B，分别计算停止从盒子站21向处理部S1的TRS1交付晶片的次数(x+1)和晶片交付停止期间(sec)。例如，在盒子站21的交付臂24的控制器240中，在先行批量A的最后的晶片A25交付给TRS1之后，将从盒子C中取出晶片的动作停止上述计算出的停止次数，取出该后续批量B的最初的晶片B01，向TRS1输出交付指令。
接着，控制部6向各个部分输出先行批量A的开始指令。例如，通过计数部67计算在通过盒子站21的辅助传送机构24向处理部S1的TRS1交付晶片时的晶片个数，同时通过主传送机构26A、26B传送晶片并进行既定的处理，基于上述计数数判断是否进行虚分配。
在本实施例中，在计数了预先设定的个数时，例如，在计数了先行批量A的最后的晶片A25时，判定为进行虚分配。在判定为不进行虚分配时，通过主传送机构26A、26B经由已述路径传送晶片并进行既定处理。
在判定为进行虚分配时，通过控制部6向涂敷装置4A的泵P和阀V输出指令，在从涂敷装置4A取出晶片A25时，阀V打开，泵P动作，进行虚分配。在先行批量A的最后的晶片A25被计数时，根据来自控制部6的指令，盒子站21的辅助传送机构24停止取出所计算个数的晶片，从而仅在既定期间停止向处理部S1的TRS1交付晶片的动作。
辅助传送机构24向TRS1传送后续批量B的最初的晶片B01，主传送机构26A、26B将其送入处理部S1。另外，执行虚分配，停止通过盒子站21的辅助传送机构24取出后续批量B的最初的晶片B01时，将计数数复位。在将后续批量B的最初的晶片B01传送给处理部S1的TRS1时，开始下次计数。
在先行批量A的最后的晶片A25和后续批量B的最初的晶片B01之间，将从盒子站21利用辅助传送机构24向处理部S1的TRS1交付晶片的动作停止进行既定次数，其间进行虚分配。
如图9所示，涂敷装置4A中，在先行批量A的处理和后续批量B的处理之间设置不传送晶片的期间，在此期间内，执行虚分配。因此，涂敷装置4A中，在虚分配结束之前，基板不滞留在处理部内。即，不出现基板在加热部件中等待的状态，可避免抗蚀膜的过度烘焙。
例如，循环时间为30秒、虚分配时间为20秒时，晶片交付停止次数(x+1)为1次。这时，在晶片A25和晶片B01之间，如图10A所示，出现不传送1个晶片的空闲时间。在结束通过涂敷装置4A在晶片A25上涂敷抗蚀剂、晶片A25被传送到作为涂敷装置4A的下一工序的TRS2中时，晶片B01被传送给涂敷转置4A的前一工序的CPL1。在这种状态下，虽然在涂敷装置4A中进行虚分配，但因为虚分配时间为20秒、循环时间为30秒，因此，从虚分配结束开始，通过主传送机构26A向涂敷装置4A传送CPL1的晶片B01。因此，将晶片B01不等待而立即交付给涂敷装置4A，因此，虚分配期间，不停止通过基板传送装置传送晶片，可进行平滑的传送，实现了生产量的提高。
在循环时间为30秒、虚分配时间为40秒时，晶片交付停止次数(x+1)为2次。这时，在晶片A25和晶片B01之间，如图10B所示，出现2次不传送晶片的空闲传送时间。
这里，根据目标膜的种类，存在进行虚分配的涂敷装置的下一工序为加热晶片的加热装置的情况。根据现有方法传送晶片的情况下，必须等到虚分配结束，才能将晶片加热装置中取出。因此，现有方法中，从加热装置中取出晶片延迟了虚分配时间那么长，使抗蚀膜被过度烘焙。过度烘焙的抗蚀膜厚度变小，结果，图案线宽就会改变。
但是，在本发明方法中，在涂敷装置4A中执行虚分配的情况下，因为停止从盒子站21的辅助传送机构24向主传送机构26A交付晶片W，所以抗蚀膜没有在加热装置中被过度烘焙。
下面，参照图11A、11B对在控制部6内部进行软件处理的控制流程进行说明。
首先，注册“配方指定抗蚀剂”作为控制项。在控制项“配方指定抗蚀剂”的顺序设定时，用“对象抗蚀剂”选择按钮选择对象抗蚀剂，针对其中显示的全部抗蚀剂分别设定动作顺序。可设定项目(动作条件)如1)～5)。
1)PJ间隔
2)最低处理个数
3)执行定时(PJ开头/PJ执行后)
4)PJ间时间间隔
5)处理配方变更条件(通过系统参数设定：有效/无效)
在注册配方指定抗蚀剂时，项目1)的PJ间隔必须要设定。项目4)的PJ间时间间隔仅在执行定时为PJ开头时可以设定。
控制项“配方指定抗蚀剂”的注册结束时，在控制部6的内部开始PJ处理编程(工序S1)。通过PJ处理编程，首先判定“执行定时”是否是PJ开头(工序S2)。工序S2判定为YES时，在从PJ开头晶片的载体(盒子)中取出前(工序S3)，在配方注册后，判定是否为最初的PJ(工序S4)。在工序S2判定为NO时，进入后述的工序S21～S26。
工序S4判定为YES时，在PJ开头执行虚分配(工序S5)。工序S4判定为NO时，判定“处理配方变更条件虚分配”是有效还是无效(工序S6)。
进一步，判定使用的配方与之前在PJ中使用的配方是否不同(工序S7)。工序S7判定为YES时，在PJ开头执行虚分配，因此，控制晶片的送入间隔(工序S8)。工序S7判定为NO时，进一步判定是否设定了“PJ间时间间隔”(工序S9)。
工序S9判定为YES时，判定是否满足设定的“PJ间时间间隔”(工序S10)。工序S10判定为YES时，分别向主传送机构26A、26B发送控制信号，通过控制两个传送机构26A、26B的动作，调节晶片的送入间隔，以便可在PJ开头执行虚分配(工序S11)。
工序S9、10判定为NO时，判定是否满足设定的“PJ间隔”(工序S12)。工序S12判定YES时，判定是否设定了“最低处理个数”(工序S13)。
工序S13判定为YES时，判定是否满足设定的“最低处理个数”(工序S14)。
工序S14判定为YES时，分别向主传送机构26A、26B发送控制信号，通过控制两个传送机构26A、26B的动作，调节晶片的送入间隔，以便可在PJ开头执行虚分配(工序S15)。工序S12、S14判定为NO时，不执行虚分配(工序S16)。
于是，在上述的工序S2判定为NO时，从对象模块中送入PJ最后晶片后(工序S21)，判定是否满足设定的“PJ间隔“(工序S22)。工序S22判定为YES时，判定是否设定了“最低处理个数”(工序S23)。接着，工序S23判定为YES时，判定是否满足设定的“最低处理个数”(工序S24)。接着，工序S24判定为YES时，分别向主传送机构26A、26B发送控制信号，控制两个传送机构26A、26B的动作。由此，调节通过两个传送机构26A、26B送入晶片的间隔，以便在PJ开头执行虚分配(工序S25)。工序S22、S24判定为NO时，不执行虚分配(工序S26)。
如图12所示，作为与虚分配配方有关的功能，有(1)配方编辑和(2)注册·清除等2个功能。首先，在输入操作面板中选择虚分配配方画面，显示“配方一览表”。在进行配方编辑时，在“配方一览表”画面中点击重新制作按钮或编辑按钮，显示配方编辑画面，在既定的编辑操作后点击完成按钮或放弃完成按钮，结束画面。在进行登记·清除时，在“配方一览表”画面上点击注册按钮、清除按钮、自动注册按钮或自动注册清除按钮中的任一个按钮。
下面，对虚分配配方的概要进行说明。
操作者在一个虚分配配方中能在每个模块的控制项中设定“虚分配动作条件”、“动作顺序”“泵配方”。而且，对于模块和控制项来说，仅在需要重新制作配方时仅仅需要的部分才自动地被设定成所需配方。操作者不能追加·消除模块或控制项。对于配方指定抗蚀剂(或配方指定显影液)，可对每个抗蚀剂(或显影液)设定动作顺序和泵配方。
在各个模块中有效的控制项如表1所示按以下基准(i)(ii)(iii)设定。
(i)分配构成参数中为“Yes”的所有分配。
(ii)多种抗蚀剂1～抗蚀剂N(或喷嘴1～喷嘴N)中的任一个若处于(i)中，则追加“配方指定抗蚀剂(或配方指定显影液)”。
(iii)多个虚分配条件设定功能选项有效时，在每个抗蚀剂(或显影液)中追加所谓“抗蚀剂名priority1”“抗蚀剂名priority2”……“抗蚀剂名priorityN”(N由选项决定)名称的项。
在控制项为配方指定抗蚀剂(或配方指定显影液)时，将PJ条件(ProcessJob condition＝Lot condition)、最低处理个数(Minimum wafer count)、执行定时(Execution Timing)和PJ间时间间隔(Time interval between PJ)作为可设定的动作条件。在多个虚分配条件设定功能的选项有效时，控制项为抗蚀剂priorityN时，将时间条件(Time interval)和处理中的执行可否(Dispense duringprocess/Not)作为可设定的动作条件。进一步，在控制项为上述以外时，如表1所示，将时间条件(Time interval)、个数条件(Processed wafercount)、处理中的执行可否(Dispense during process/Not)作为可设定的动作条件。另外，在配方指定抗蚀剂(或配方指定显影液)的情况下，可为每个抗蚀剂设定动作顺序和泵配方。
下面，对分别作为控制部的配方制作部61、配方存储部62、配方选择部63的画面构成的概要进行说明。
虚分配配方一览画面(未图示)是用于配方存储部62的画面，在其中显示编辑、重新制作、注册、清除、自动注册、自动注册清除、删除、完成等多个选择按钮。若选择该一览画面的“编辑“按钮，则如图13所示在输入操作面板中显示“虚分配配方编辑画面”。
该虚分配配方编辑画面是用于配方制作部61的画面，其中显示(1)选择模块显示栏、(2)配方指定抗蚀剂一览、(3)选择模块选择按钮、(4)装置构成图选择按钮、(5)PJ间隔选择按钮、(6)时间条件选择按钮、(7)个数条件选择按钮、(8)PJ间隔选择按钮、(9)不使用最低处理个数的选择按钮、(10)执行定时PJ开头选择按钮、(11)PJ间时间间隔(30see)选择按钮、(12)顺序设定按钮、(13)完成按钮、(14)放弃完成按钮、(15)保存按钮、(16)标题信息按钮、(17)复制按钮、(18)有效/无效按钮、(19)有无效项显示按钮、及其它的按钮。
图13中的显示栏(1)和(2)是为了使操作者容易理解画面用的，操作者不能随便追加·删除这些显示。按钮(3)用于切换在显示栏(1)中显示的选择模块。若选择画面的按钮(4)，则切换为装置构成图的画面。装置构成图画面(未图示)是用于配方制作部61的画面，操作者在切换选择模块时利用它。
图13中的(5)～(12)的按钮群用于编辑虚分配动作条件。其中(5)～(7)的按钮群和(8)～(11)的按钮群择一切换地进行画面显示。在配方指定抗蚀剂以外的控制项中有游标时在画面上显示前者，在配方指定抗蚀剂(或配方指定显影液)中有游标时在画面上显示后者。
在选择这些按钮(5)～(12)时，分别在画面上显示表2中No.1～8所示的功能。例如若选择按钮(12)，则呈现图14所示的虚分配动作顺序设定画面。在该画面中，可进行步骤的删除·插入和有效·无效的切换，以及可为每个抗蚀剂系统单独地设定虚分配时间(sec)等。在该画面的No.1栏中显示虚分配系统编号，在No.2栏中显示环路条件，在No.3栏中显示虚分配时间(sec)，在No.4栏中显示虚分配系统编号，在No.5栏中一并显示虚分配系统编号、虚分配名称、泵配方名称。
例如，若选择图14所示画面的No.4功能按钮，则呈现虚分配选择画面(未图示)。该虚分配选择画面是用于配方选择部63的，用于分别选择设定抗蚀剂喷嘴和溶剂喷嘴。
若选择虚分配动作顺序设定画面的No.5功能按钮，则呈现泵配方选择画面(未图示)。该泵配方选择画面是用于配方选择部63的，用于分别选择设定虚分配量和泵。
图13中的(13)～(19)的按钮群是功能按钮群。若选择这些功能按钮(13)～(19)，则分别在画面上呈现表3中No.1～7所示的功能。例如若选择按钮(17)，则显示复制画面(未图示)。复制画面是用于配方制作部61的，其中具有与复制源相同的控制项的模块作为复制目标的选择支而被显示，复制源的控制项相同的模块可作为复制目标的控制项而进行复制。
选项画面(未图示)在对1种抗蚀剂设定多个虚分配条件时使用。例如，在选项画面上为每个配方指定抗蚀剂显示“抗蚀剂名”“虚分配时间条件”“处理中的执行可否”。从选项画面中调用虚分配动作顺序设定画面(未图示)，设定多重虚分配条件。
如上所述，在本发明的方法中，判断为涂敷装置4A中进行虚分配时，或者预测为进行虚分配时，停止从盒子站21向处理部S1的TRS1交付后续批量的最初的晶片B01，在先行批量和后续批量之间空出用于虚分配的既定时间间隔。
是否进行虚分配的判断也包含操作人员根据存储的上述配方预测的情况，可计数晶片的处理个数来进行，也可计数处理时间来进行。
也可以是控制部6对先行批量的最末尾的晶片A25处于哪个工序中进行位置检测，根据位置检测结果，判断是否进行虚分配。
进一步，可通过直接计数晶片数量来识别先行批量最末尾的晶片A25和后续批量开头的晶片B01。也可以在控制部6处确认晶片处于哪个工序中。晶片的计数场所不限于处理部S1的TRS1，也可以是盒子站21的盒子C。
这里，作为在液体处理装置中进行虚分配的定时，是每次处理设定的批量数时，处理配方变更时，先行批量和后续批量开始之前的时间空闲大于既定间隔时，每个设定的时间，每次处理设定的个数(例如100个)时。
进行虚分配的对象不限于涂敷装置4A，也包含显影装置4B和粘附部件。在显影装置4B中进行虚分配时，第一接口部S2的辅助传送机构31相当于本发明的交付机构，第一接口部S2的输出用缓冲盒子相当于本发明的盒子，处理部S1的PEB相当于本发明的交付部。
虚分配是由共用的基板传送装置传送的多个部件的情况下，采用最长的时间作为虚分配时间，由该虚分配时间和主传送机构的循环时间决定晶片的交付停止期间(空传送循环次数)。
操作者可将循环时间和虚分配时间直接输入到配方制作部61中。操作者可预测液体处理装置的虚分配时间，决定向主传送机构交付后续批量的最初的基板的停止期间。
进一步，主传送机构可从盒子中直接取出晶片。在这种情况下，虚分配时控制主传送机构的动作，停止取出后续批量的最初的晶片。主传送机构不限于2个，也可以是3个以上，也可以是1个。
根据本发明，在液体处理装置中进行虚分配时，因为仅将从盒子部向处理部交付基板停止既定期间，所以基板不滞留在处理部内，例如避免了抗蚀膜在加热装置中被过度烘焙。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，通过交付机构以每个既定循环时间的定时将基板一个一个地从盒子部交付给处理部，上述盒子部具有容纳构成批量的多个基板的盒子，上述处理部包含多个液体处理部件和基板传送机构，通过上述基板传送机构沿上述处理部的循环路径顺序地(in sequence)传送基板，对基板顺序地(in sequence)进行多个处理，将处理后的基板从上述处理部传送到上述盒子部中，在先行批量基板处理和后续批量基板处理之间的时间内，在至少一个上述液体处理部件中进行虚分配，其特征在于，
通过上述交付机构将上述先行批量最末尾的基板从上述盒子部交付给上述处理部之后，使上述后续批量开头的基板的交付仅停止上述循环时间的整数倍的期间，
在上述基板交付停止期间内，在上述液体处理部件中进行既定的虚分配时间的虚分配，
在上述虚分配之后，通过上述交付机构将上述后续批量开头的基板交付给上述处理部。
2.在权利要求1的方法中，进一步
分别制作用于控制上述交付机构、上述基板传送机构和上述液体处理部件的各个动作的配方和规定初始条件的配方，
将制作好的上述配方存储起来，
从存储的上述配方中选择必要的配方，
根据所选的上述配方分别设定上述循环时间和上述虚分配时间，
根据上述循环时间和上述虚分配时间求出上述基板交付停止期间，
分别用上述基板交付停止期间、上述循环时间和上述虚分配时间控制上述交付机构、上述基板传送机构和上述液体处理部件的动作，由此在上述基板交付停止期间内，在至少1个上述液体处理部件中进行虚分配。
3.在权利要求2的方法中，根据存储的上述配方预测上述虚分配时间，根据该预测的虚分配时间和上述循环时间决定上述基板交付停止期间。
4.在权利要求2的方法中，进一步
计数处理过的基板数量，
根据上述处理基板计数数和上述配方，决定上述虚分配的执行定时(Execution Timing)，
在决定的执行定时(Execution Timing)中，在上述液体处理部件中进行虚分配。
5.在权利要求4的方法中，从上次虚分配后开始计数基板的连续处理个数，根据该计数个数判断是否进行下次的虚分配。
6.在权利要求5的方法中，上述基板的连续处理个数的计数在上述处理部或盒子部中进行。
7.在权利要求4的方法中，从上次虚分配后开始计数基板的连续处理时间，根据该计数时间判断是否进行下次的虚分配。
8.在权利要求1的方法中，进一步，
检测先行批量最末尾的基板是否处于上述处理部内，根据该检测结果，判断是否进行下次的虚分配。
9.在权利要求8的方法中，为了检测先行批量最末尾的基板和后续批量开头的基板处于哪个工序中，计数在上述处理部中实际流动的基板，根据该计数结果，判断是否进行下次的虚分配。
10.在权利要求2的方法中，进一步，
从存储的上述配方中选择并调用批量间时间间隔(Time interval betweenlots)，
根据上述批量间时间间隔和上述配方，决定上述虚分配的执行定时(Execution Timing)，
在上述执行定时(Execution Timing)，在上述液体处理部件中进行虚分配。
11.在权利要求2的方法中，进一步，
从存储的上述配方中选择并调用最低处理个数(Minimum wafer count)，
根据上述最低处理个数和上述配方，决定上述虚分配的执行定时(ExecutionTiming)，
在上述执行定时(Execution Timing)中，在上述液体处理部件中进行虚分配。
12.在权利要求2的方法中，进一步，
从存储的上述配方中选择并调用处理配方变更时间，
根据上述处理配方变更时间和上述配方，决定上述虚分配的执行定时(Execution Timing)，
在上述执行定时中(Execution Timing)，在上述液体处理部件中进行虚分配。
13.在权利要求1的方法中，上述循环时间是从将上述盒子内的第n个基板从上述交付机构交付给上述基板传送机构开始到将下一个的盒子内的第(n+1)个基板从上述交付机构交付给上述基板传送机构为止的时间。
14.在权利要求1的方法中，上述循环时间是上述基板传送机构绕上述循环路径一周的时间。
15.一种基板处理装置，其特征在于，具有：
盒子部，使容纳构成批量的多个基板的盒子出入；
处理部，对基板顺序地(in sequence)进行多个处理；
多个液体处理部件，设在上述处理部中，用既定的处理液处理基板；
交付机构，从上述盒子部的盒子中取出基板，将该基板交付给上述处理部；
基板传送机构，交付来自交付机构的基板，在上述处理部内顺序地(insequence)传送基板，将基板送给上述盒子部；
循环路径，设在上述处理部内，使上述基板传送机构循环移动；
控制部，制作分别规定上述交付机构、上述基板传送机构和上述液体处理部件的动作的配方，根据上述配方求出循环时间和虚分配时间，根据上述配方、上述循环时间和上述虚分配时间求出基板交付停止时间，在该基板交付停止期间内停止从上述盒子部向上述处理部交付后续批量的基板，在该基板交付停止期间内，在上述液体处理部件中进行虚分配，之后，通过上述交付机构使上述后续批量的基板交付给上述处理部。
16.根据权利要求15的装置，上述控制部具有：
配方制作部，制作分别规定上述交付机构、上述基板传送机构和上述液体处理部件的动作的配方；
配方存储部，存储由上述配方制作部制作的配方；
配方选择部，选择并调用存储在上述配方存储部的配方；
循环时间计算部，根据上述配方算出上述循环时间；
虚分配计算部，根据上述配方算出上述虚分配时间；
交付停止期间计算部，根据上述配方、上述循环时间和上述虚分配时间算出上述基板交付停止期间；
计数部，计数处理完的基板个数；
虚分配判断部，根据上述处理基板计数数和上述交付停止期间决定虚分配的执行定时(Execution Timing)。
17.在权利要求16的装置中，上述虚分配判断部根据上述配方求出批量间时间间隔(Time interval between lots)，根据该批量间时间间隔决定虚分配的执行定时。
18.在权利要求16的方法中，上述虚分配判断部根据上述配方求出最低处理个数(Minimum wafer count)，根据该最低处理个数决定虚分配的执行定时。
19.在权利要求16的方法中，上述虚分配判断部根据上述配方求出处理配方变更时间，根据该处理配方变更时间决定虚分配的执行定时。
20.在权利要求16的方法中，上述虚分配判断部从上次虚分配之后开始计数基板的连续处理个数，根据该计数个数判断是否进行虚分配。
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