JP5183173B2 - 光センサーおよび表示装置 - Google Patents
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Images
Description
図1は、本発明に係る表示装置1の全体構成を表すブロック図である。この表示装置1は、I/O表示パネル3と、バックライト5と、表示ドライブ回路7と、受光ドライブ回路9と、画像処理部11と、アプリケーションプログラム実行部13とを備えている。
図2は、I/O表示パネル3の表示領域3aにおける回路構成を示す図である。
図3は、主に画素部31に配置される薄膜トランジスタTrの構成と、センサー部32に配置される光センサーSの構成を説明するためのI/O表示パネル3の表示領域3aの概略断面図である。尚、図2で説明したと同様の構成要素には同一の符号を付している。
図4(1)は、第1実施形態の表示装置における特徴部である光センサーS1(S)を説明するための要部概略断面図である。また図4(2)は、この光センサーS1の平面図であり、この平面図におけるA−A’断面が図4(1)に相当する。
図5(1)は、第2実施形態の表示装置における特徴部である光センサーS2(S)を説明するための要部概略断面図である。また図5(2)は、この光センサーS2の平面図であり、この平面図におけるA−A’断面が図5(1)に相当する。
図6(1)は、第3実施形態の表示装置における特徴部である光センサーS3(S)を説明するための要部概略断面図である。また図6(2)は、この光センサーS3の平面図であり、この平面図におけるA−A’断面が図6(1)に相当する。
図7は、第4実施形態の表示装置における特徴部である光センサーS4(S)を説明するための平面図である。尚、この図7のA−A’断面は、図6(1)と同様である。
図8は、上記第3実施形態および第4実施形態の光センサーS3,S4の製造工程図であり、以下にこの図に従って光センサーS3,S4の作製手順を説明する。
以上説明した本発明に係る表示装置は、図9〜図13に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。
Claims (7)
- 半導体薄膜中に、p型の不純物領域と、i型の不純物領域と、n型の不純物領域とをこの順に接して設けてなる光センサーにおいて、
前記i型の不純物領域が積層される位置に順テーパ形状の傾斜側壁を備えた凹部が設けられた基板と、
前記基板上に、前記基板の凹部の表面形状に沿って設けられた反射材料層と、
前記反射材料層および前記基板を覆う絶縁膜と、
前記反射材料層上からその両脇に掛けてを覆う状態で前記絶縁膜上に設けられた前記半導体薄膜と、
前記半導体薄膜を覆う状態で設けられた光透過性の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられると共に、前記層間絶縁膜に形成された接続孔を介して前記p型の不純物領域とn型の不純物領域とにそれぞれ接続された各取り出し電極とを備え、
前記反射材料層は、前記取り出し電極を介して前記p型の不純物領域またはn型の不純物領域の一方に接続され、
前記凹部の底部上に前記i型の不純物領域が配置されている
光センサー。 - 請求項1記載の光センサーにおいて、
前記i型の不純物領域では、可視光もしくは不可視光を検知する、光センサー。 - 基板上に画素部と共に光センサーが設けられた表示装置において、
前記光センサーは、
半導体薄膜中に、p型の不純物領域と、i型の不純物領域と、n型の不純物領域とをこの順に接して設けてなるもので、
前記i型の不純物領域が積層される位置に順テーパ形状の傾斜側壁を備えた凹部が設けられた基板と、
前記基板上に、前記基板の凹部の表面形状に沿って設けられた反射材料層と、
前記反射材料層および前記基板を覆う絶縁膜と、
前記反射材料層上からその両脇に掛けてを覆う状態で前記絶縁膜上に設けられた前記半導体薄膜と
前記半導体薄膜を覆う状態で設けられた光透過性の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられると共に、前記層間絶縁膜に形成された接続孔を介して前記p型の不純物領域とn型の不純物領域とにそれぞれ接続された各取り出し電極とを備え、
前記反射材料層は、前記取り出し電極を介して前記p型の不純物領域またはn型の不純物領域の一方に接続され、
前記凹部の底部上に前記i型の不純物領域が配置されている
表示装置。 - 請求項3記載の表示装置において、
前記画素部には、画素駆動用の薄膜トランジスタが設けられ、
前記光センサーを構成する半導体薄膜は、前記薄膜トランジスタの活性層を構成する半導体薄膜と同一層で構成され、
前記反射材料層は、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一層で構成されている、表示装置。 - 請求項3記載の表示装置において、
前記基板における前記光センサーの形成面側に対向基板が配置され、
前記基板と対向基板との間に液晶層が挟持されている、表示装置。 - 請求項5記載の表示装置において、
前記基板の外側にバックライトが設けられている、表示装置。 - 請求項6記載の表示装置において、
前記バックライトは、可視光もしくは不可視光を放出する、表示装置。
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