JPS6393174A - フオトダイオ−ド - Google Patents
フオトダイオ−ドInfo
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- JPS6393174A JPS6393174A JP61239701A JP23970186A JPS6393174A JP S6393174 A JPS6393174 A JP S6393174A JP 61239701 A JP61239701 A JP 61239701A JP 23970186 A JP23970186 A JP 23970186A JP S6393174 A JPS6393174 A JP S6393174A
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- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 21
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 15
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はフォトダイオードに関する。
従来この種のフォトダイオードは、第３図に示すごとく
、多結晶シリコン基板１の上に、二酸化シリコン２によ
って、島状に分離された単結晶シリコン領域３が形成さ
れておシ、たとえば、単結晶シリコン領域がｎ型であれ
ば単結晶領域内に、図に示す様にｐ領域４を形成し、Ｐ
Ｎ接合を作る。
、多結晶シリコン基板１の上に、二酸化シリコン２によ
って、島状に分離された単結晶シリコン領域３が形成さ
れておシ、たとえば、単結晶シリコン領域がｎ型であれ
ば単結晶領域内に、図に示す様にｐ領域４を形成し、Ｐ
Ｎ接合を作る。
さらに通常は分離用の二酸化シリコンと、単結晶領域３
の境界部に、ｎ土層５が形成されておシ、また単結晶領
域の表面に、配線金属６（通常はｈｔ）と、オーミック
コンタクトを作るためｎ十領域７も形成されておシ、配
綜と接続される。配線部の下側には絶縁のため、二酸化
シリコン８を形成しておく。また表面での反射を減少さ
せるため単結晶領域の表面に、薄い反射防止膜（たとえ
ばｙ Ｓ；Ｏ＃ １８ ： ｏ、、 Ｔ ＝ ０２ｐ
ｅ ｔｃ ）を形成することもある。
の境界部に、ｎ土層５が形成されておシ、また単結晶領
域の表面に、配線金属６（通常はｈｔ）と、オーミック
コンタクトを作るためｎ十領域７も形成されておシ、配
綜と接続される。配線部の下側には絶縁のため、二酸化
シリコン８を形成しておく。また表面での反射を減少さ
せるため単結晶領域の表面に、薄い反射防止膜（たとえ
ばｙ Ｓ；Ｏ＃ １８ ： ｏ、、 Ｔ ＝ ０２ｐ
ｅ ｔｃ ）を形成することもある。
このように形成された、フォトダイオードに、光１０が
入射すると単結晶内の原子１１を励起し、正孔１３と電
子１２を生成し、正孔と電子はＰＮ接合によって生じた
静電ポテンシャルにより、それぞれＰ領域、ｎ領域に分
かれ起電子を発生する。
入射すると単結晶内の原子１１を励起し、正孔１３と電
子１２を生成し、正孔と電子はＰＮ接合によって生じた
静電ポテンシャルにより、それぞれＰ領域、ｎ領域に分
かれ起電子を発生する。
通常はこのようなフォトダイオードを多結晶基板上に複
数個形成し、それぞれ直列に接続して任意の起電力を発
生する。このように構成されたフォトダイオードにおい
て、入射した光の内２０〜３０Ｘは、単結晶領域内で吸
収されず、多結晶領域に抜け、損失となる。
数個形成し、それぞれ直列に接続して任意の起電力を発
生する。このように構成されたフォトダイオードにおい
て、入射した光の内２０〜３０Ｘは、単結晶領域内で吸
収されず、多結晶領域に抜け、損失となる。
このように、従来までのフォトダイオードにおいては、
光の通過による損失が存在する欠点があった。
光の通過による損失が存在する欠点があった。
本発明は、上記欠点を解決するため、分離用の二酸化シ
リコン層と多結晶シリコン基板の境界部分に、金属層を
設けている。
リコン層と多結晶シリコン基板の境界部分に、金属層を
設けている。
次Ｋ、本発明について、図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す断面図でおる。多結
晶シリコン基板１の上に、二酸化シリコン層２で分離さ
れた、単結晶領域３が図のごとく形成されておシ、ＰＮ
接合を作る。さらに、分離用の二酸化シリコン層こと、
多結晶シリコン基板１の境界面に、金属層９を設けてい
る。また、分離用の二酸化シリコン層２と、単結晶領域
３の境界部１１Ｃｎ＋層５が設けられまた単結晶領域の
表面には配線６と、オーミックコンタクトを取るための
ｎ十層７が形成されている。配線金属６の下側には、絶
縁のため、二酸化シリコン層８が形成されている。金属
層９に適した金属としては、プロセス上なるべく融点の
高いＭｏ、Ｗ等の金属が望ましいが、Ｊｋｔ等でも可能
でおる。この場合は１分離用の二酸化シリコン層、多結
晶シリコン基板の生成、拡散等の後工程に低温プロセス
を導入する必要が生ずる。
晶シリコン基板１の上に、二酸化シリコン層２で分離さ
れた、単結晶領域３が図のごとく形成されておシ、ＰＮ
接合を作る。さらに、分離用の二酸化シリコン層こと、
多結晶シリコン基板１の境界面に、金属層９を設けてい
る。また、分離用の二酸化シリコン層２と、単結晶領域
３の境界部１１Ｃｎ＋層５が設けられまた単結晶領域の
表面には配線６と、オーミックコンタクトを取るための
ｎ十層７が形成されている。配線金属６の下側には、絶
縁のため、二酸化シリコン層８が形成されている。金属
層９に適した金属としては、プロセス上なるべく融点の
高いＭｏ、Ｗ等の金属が望ましいが、Ｊｋｔ等でも可能
でおる。この場合は１分離用の二酸化シリコン層、多結
晶シリコン基板の生成、拡散等の後工程に低温プロセス
を導入する必要が生ずる。
このような構造をもつフォトダイオードの場合入射した
光の内底面まで達したものは、すべて反射されるため、
多結晶基板に抜けて損失となることはない。
光の内底面まで達したものは、すべて反射されるため、
多結晶基板に抜けて損失となることはない。
以上述べた本発明の実施例についての製造工程の概略に
ついて第２図を参照して説明する。
ついて第２図を参照して説明する。
第２図の（ａ）〜（ｅ）までは、本発明の実施例の製造
工程を示す工程図である。
工程を示す工程図である。
第２図（ａ）、単結晶基板１４の表面に異方性エツチン
グを行ないＶ字形の溝を作る。
グを行ないＶ字形の溝を作る。
第２図（ｂ）、この異方性エツチングを行なった単結晶
基板１４の表面部にｎ＋の拡散を行ないｎ十層５を形成
する。
基板１４の表面部にｎ＋の拡散を行ないｎ十層５を形成
する。
第２図（Ｃ）、この表面に、二酸化シリコン２を７Ｄ等
で蓄積し、さらにこの表面に金属層９をスパッタあるい
は、蒸着を用いて形成する。この時、使用する金属とし
ては、なるべく高融点のものが望ましくＪＪｉ Ｏｓｗ
等がある力込り等の低融点金属でも使用可能である。こ
の場合は、後工程は低温プロセスを用いる必要がある。
で蓄積し、さらにこの表面に金属層９をスパッタあるい
は、蒸着を用いて形成する。この時、使用する金属とし
ては、なるべく高融点のものが望ましくＪＪｉ Ｏｓｗ
等がある力込り等の低融点金属でも使用可能である。こ
の場合は、後工程は低温プロセスを用いる必要がある。
第２図（ｄ）、この表面にさらに、多結晶シリコンを蓄
積し、多結晶シリコン基板１を形成する。
積し、多結晶シリコン基板１を形成する。
第２Ｎ（ｅ）、基板を反転し単結晶基板側を、必要な深
さまで研磨して、単結晶領域３を分離する。
さまで研磨して、単結晶領域３を分離する。
これ以後は実施例についての説明の際に述べた様に、単
結晶領域へのＰＮ接合の形成及び、配線層などの形成を
通常の拡散工程を用いて行なう。
結晶領域へのＰＮ接合の形成及び、配線層などの形成を
通常の拡散工程を用いて行なう。
以上説明したように、本発明は、フォトダイオードを分
離するだめの二酸化シリコン層と多結晶シリコン基板の
境界部に金属層を設けることによシ、大幅に損失をへら
した効率の高いフォトダイオードを得ることができる。
離するだめの二酸化シリコン層と多結晶シリコン基板の
境界部に金属層を設けることによシ、大幅に損失をへら
した効率の高いフォトダイオードを得ることができる。
なお１本発明の説明は、主にｎ型の単結晶と、多結晶シ
リコン基板を用いた場合について述べたが、Ｐ型の単結
晶、および他の種類の基板（アルミナ、サフイア、ガラ
ス等）を用いた場合及び、相互の組合せの場合において
も、同様々効果が得られる。
リコン基板を用いた場合について述べたが、Ｐ型の単結
晶、および他の種類の基板（アルミナ、サフイア、ガラ
ス等）を用いた場合及び、相互の組合せの場合において
も、同様々効果が得られる。
第１図は、本発明によるフォトダイオードの断面図、第
２図は本発明のフォトダイオードの製造工程を示す工程
図、第３図は、従来までのフォトダイオードの断面図で
ある。 １・・・・・・多結晶シリコン基板、２・・・・−・分
離用の二酸化シリコン層、３・・・・・・単結晶シリコ
ン領域、４・・・・・・Ｐ型領域、５・・・・・・ｎ土
層、６・・・・・・配線金属、７・・・・・・ｎ土層、
８・・・・・・絶縁用の二酸化シリコン層、９・・・・
・・金属層、１０・・・・・・入射光、１１・・・・・
・原子、１２・・・・−・電子、１３・・・・・・正孔
、１４・・・・・・単結晶基板、 俟 第２回
２図は本発明のフォトダイオードの製造工程を示す工程
図、第３図は、従来までのフォトダイオードの断面図で
ある。 １・・・・・・多結晶シリコン基板、２・・・・−・分
離用の二酸化シリコン層、３・・・・・・単結晶シリコ
ン領域、４・・・・・・Ｐ型領域、５・・・・・・ｎ土
層、６・・・・・・配線金属、７・・・・・・ｎ土層、
８・・・・・・絶縁用の二酸化シリコン層、９・・・・
・・金属層、１０・・・・・・入射光、１１・・・・・
・原子、１２・・・・−・電子、１３・・・・・・正孔
、１４・・・・・・単結晶基板、 俟 第２回
Claims (1)
- ＰＮ接合を形成した単結晶領域と、これを包み分離する
誘電体層と、これらを一体に結合して支持する多結晶半
導体母体によって構成されたフォトダイオードあるいは
該単結晶領域を複数個設け、これらを相互に接続した、
フォトダイオードアレーにおいて、単結晶領域を包み分
離する誘電体層と、多結晶半導体母体の境界部に、金属
層を設けたことを特徴とするフォトダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239701A JPS6393174A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | フオトダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61239701A JPS6393174A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | フオトダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393174A true JPS6393174A (ja) | 1988-04-23 |
Family
ID=17048634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61239701A Pending JPS6393174A (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | フオトダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6393174A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU649732B2 (en) * | 1990-10-05 | 1994-06-02 | Ethical Pharmaceuticals Limited | Transdermal device |
| JPH06224460A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出器およびその製造方法 |
| KR19990061335A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 윤종용 | 전하 결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| JP2009135186A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Sony Corp | 光センサーおよび表示装置 |
| JP2010056167A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP4769910B1 (ja) * | 2011-02-18 | 2011-09-07 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4769911B1 (ja) * | 2010-10-29 | 2011-09-07 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61239701A patent/JPS6393174A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU649732B2 (en) * | 1990-10-05 | 1994-06-02 | Ethical Pharmaceuticals Limited | Transdermal device |
| JPH06224460A (ja) * | 1993-01-26 | 1994-08-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出器およびその製造方法 |
| KR19990061335A (ko) * | 1997-12-31 | 1999-07-26 | 윤종용 | 전하 결합형 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
| JP2009135186A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Sony Corp | 光センサーおよび表示装置 |
| JP2010056167A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| US8129213B2 (en) | 2008-08-26 | 2012-03-06 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
| US8896037B2 (en) | 2008-08-26 | 2014-11-25 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing the same |
| JP4769911B1 (ja) * | 2010-10-29 | 2011-09-07 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| WO2012056586A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4769910B1 (ja) * | 2011-02-18 | 2011-09-07 | 日本ユニサンティスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
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