JP2015076544A5 - - Google Patents

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また、空乏化されたＰ−型耐圧保持領域７内の電界強度分布は均一ではなく、Ｐ型ウェル領域６とＰ−型耐圧保持領域７との接合部や、第１のフィールドプレート１１および第２のフィールドプレート１３の端部（すなわち、深さ方向において互いの端部が重なる部分）の直下において電界が高くなり、アバランシェ降伏が生じる。特に、第２のフィールドプレート１３の直下において電界が高くなる。
図３に示すように、本実施の形態１による半導体装置では、第２のフィールドプレート１３の直下に形成される第１の絶縁膜１０の膜厚が、Ｘ方向直線部２２およびＹ方向直線部２３よりもコーナー部２４の方が厚くなるように形成している。このような構成とすることによって、第２のフィールドプレート１３の直下における電界強度のピーク値を低減することができ、コーナー部２４における電界の集中を緩和することができる。従って、エミッタ電極３を基準としてコレクタ電極２に正電位を印加したときにおける半導体装置の耐圧を向上させることが可能となる。
図１０に示すように、本発明の実施の形態４では、凹部領域１５は、基板表面９の非凹部領域（凹部領域１５が形成されていない領域）との境界面が基板表面９に対して９０度以下のテーパー角度１８の傾斜を有するテーパー形状で形成されていることを特徴とする。その他の構成は、実施の形態２，３と同様であるため、ここでは説明を省略する。
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