JP4731816B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明が適用可能な半導体装置の一例を説明するための図であり、一般的なパワーデバイスおよびパワーデバイス駆動装置を示す図である。パワースイッチングデバイスであるnチャネル型IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)51,52は、主電源である高電圧HVをスイッチングする。ノードN30には負荷が接続されており、IGBT51,52のそれぞれには、該負荷による逆起電圧から保護するためのフリーホイールダイオードD1、D2が接続されている。
図14は、実施の形態2に係るHV−MOSの構成を示す図である。実施の形態1において図6に示したHV−MOSと異なる点は、ドレイン電極119が、第2絶縁膜LB上に延びる部位DBを有していることである。この部位DBは通常の(フローティング状態ではない)フィールドプレートとして機能しており、以下「第2ドレイン電極部DB」と称する。
図17は、実施の形態3に係るHV−MOSの構成を示す図である。この図においては、図6および図14に示したものと同様の要素には同一符号を付してあるので、それらの詳細な説明は省略する。
図20は、実施の形態4に係るHV−MOSの構成を示す図である。この図においては、図6および図14に示したものと同様の要素には同一符号を付してあるので、それらの詳細な説明は省略する。
図26は、実施の形態5に係るHV−MOSの構成を示す図である。この図においては、図6および図14に示したものと同様の要素には同一符号を付してあるので、それらの詳細な説明は省略する。
図27は、実施の形態6に係るHV−MOSの構成を示す図である。この図においては、図20に示したものと同様の要素には同一符号を付してあるので、それらの詳細な説明は省略する。
図31は、実施の形態7に係るHV−MOSの構成を示す図である。この図においては、図6および図14に示したものと同様の要素には同一符号を付してあるので、それらの詳細な説明は省略する。
実施の形態8では、実施の形態6に実施の形態7を適用した例を示す。図38は、本実施の形態に係るHV−MOSの構成を示す図である。この図においては、図6および図29に示したものと同様の要素には同一符号を付してあるので、それらの詳細な説明は省略する。
以上の各実施の形態では、本発明を、RESURF構造を適用した横型のデバイスに適用したが、本発明は縦型のデバイスに対しても適用可能である。ここでは、縦型のデバイスに上記実施の形態1を適用した変形例を示す。
Claims (9)
- 第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域を挟むように形成された第2導電型の第2半導体領域および前記第1半導体領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1半導体領域上方に、前記第3半導体領域から前記第2半導体領域へ向かう第1方向に並べて配設された複数個の第1フローティングフィールドプレートと、
前記第1フローティングフィールドプレート上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1半導体領域上方に、前記第1方向に並べて配設された複数個の第2フローティングフィールドプレートと、
前記第2フローティングフィールドプレート上に形成された第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に形成され、前記第1半導体領域上方に、前記第1方向に並べて配設された複数個の第3フローティングフィールドプレートとを備え、
前記第1絶縁膜の厚さをaとし、前記第1フローティングフィールドプレートと前記第2フローティングフィールドプレートとの間の前記厚さの方向である第2方向の距離をbとし、前記第2フローティングフィールドプレートと前記第3フローティングフィールドプレートとの間の前記第2方向の距離をcとしたとき、
a>b且つa>cである
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記第3半導体領域上に形成された電極をさらに有し、
前記電極は、前記第1絶縁膜上に延びる第1電極部および前記第2絶縁膜上に延びる第2電極部を有し、
前記第2電極部における前記第1絶縁膜上方を前記第1方向に延びた部分の長さは、前記第1電極部における前記第1絶縁膜上を前記第1方向に延びた部分の長さよりも長い
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項2記載の半導体装置であって、
前記第1電極部における前記第1絶縁膜上を前記第1方向に延びた部分の長さをdとし、前記第2電極部における前記第1絶縁膜上方を前記第1方向に延びた部分の長さが、前記長さdよりもさらに長さeだけ長いとしたとき、
d>eである
ことを特徴とする半導体装置。 - 第1導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域を挟むように形成された第2導電型の第2半導体領域および前記第1半導体領域よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1半導体領域上方に、前記第3半導体領域から前記第2半導体領域へ向かう第1方向に並べて配設された複数個の第1フローティングフィールドプレートと、
前記第1フローティングフィールドプレート上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1半導体領域上方に、前記第1方向に並べて配設された複数個の第2フローティングフィールドプレートと、
前記第2フローティングフィールドプレート上に形成された第3絶縁膜と、
前記第3絶縁膜上に形成され、前記第1半導体領域上方に、前記第1方向に並べて配設された複数個の第3フローティングフィールドプレートとを備える半導体装置であって、
前記第1絶縁膜の厚さをaとし、前記第1フローティングフィールドプレートと前記第2フローティングフィールドプレートとの間の前記厚さの方向である第2方向の距離をbとし、前記第2フローティングフィールドプレートと前記第3フローティングフィールドプレートとの間の前記第2方向の距離をcとしたとき、
c<a、且つ、c<bである
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第2半導体領域は、トランジスタのチャネル領域として機能し、
前記第3半導体領域は、前記トランジスタのドレインとして機能する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第2半導体領域は、ダイオードのアノードとして機能し、
前記第3半導体領域は、前記ダイオードのカソードとして機能する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第3半導体領域は、チップの外周部のチャネルストッパとして機能する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置であって、
前記第1半導体領域の下側に接する第2導電型の第4半導体領域をさらに有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項8に記載の半導体装置であって、
前記第1半導体領域と前記第4半導体領域との間の第1pn接合に、前記第1半導体領域と前記第2半導体領域との間の第2pn接合の降伏電圧よりも低い逆方向電圧が印加されることによって、前記第2半導体領域と前記第3半導体領域との間で、空乏層が、前記第1pn接合から前記第1半導体領域の上面にまで拡がるように、前記第1半導体領域の不純物濃度が低く且つ厚さが薄い
ことを特徴とする半導体装置。
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