JP5332112B2 - 高耐圧横型mosfet - Google Patents
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Description
なお、本明細書では標準膜厚のゲート酸化膜を備えたHVPMOSを標準ゲートHVPMOSと呼び、厚膜のゲート酸化膜を備えたHVPMOSを厚膜ゲートHVPMOSと呼ぶ。
図4は、従来の厚膜ゲートHVPMOSの構成図であり、同図(a)は要部平面図、同図(b)は同図(a)のX−X線で切断した要部断面図、同図(c)は同図(a)のY−Y線で切断した要部断面図である。この図では素子が形成されるn型半導体基板1はパワーICの出力回路を構成するnチャネル型素子の形成を容易にする目的から選んでいる。なお、このn型半導体基板1は、パワーICの用途に応じてCZ基板や接合分離基板、あるいはSOI基板などが選択される。
厚膜ゲートHVPMOSにおいて、最も厳しい電圧印加状態となるのが、ゲート・ソース間とドレイン・ソース間に出力側電源電圧が印加される時である。即ち、図3のP2において、N4がオンしてP2のゲート電位がGND電位となり、N1がオンして出力端子VoutがGND電位になった時である。この厳しい電圧印加状態になると直線部分に比べ曲率部分では電界が集中し易くなり、ゲート電極10直下の図5で示すA部に電界集中が生じ、この電界集中によるオン状態の耐圧(以下、オン耐圧と略す)低下が起こる。すなわち、厚膜ゲートHVPMOSにおいてはオフ耐圧を確保するだけではなく、ゲート電極10とソース電極7の間に出力側電源電圧を印加した場合のオン耐圧も確保する必要がある。
図5は、厚膜ゲートHVPMOSがブレークダウンする電圧での等電位線を示した図である。ゲート電極10とn型ウェル領域4に挟まれたゲート酸化膜7はその膜厚が薄いために、A部のn型ウェル領域4の表面で電界集中が起こる。
また、特許文献3にはSOI基板上の横型HVPMOSに関し、ゲート電極にソース電極を基準として高電圧を印加したときのオン耐圧向上に関して述べられているが、HVPMOSにおけるコーナー部での電界集中における耐圧劣化に対する方策に関してはなんら記載されていない。
ソース電極9に対しドレイン電極11のみに負の高電圧を印加した場合ではp型オフセット領域2とn型ドリフト領域(n型半導体基板1)の接合で高電界が発生する。しかし、図5に示したように、ゲート電極10にも負の高電圧を印加した場合にはゲート電極10直下のn型ウェル領域の表面に高電界が発生することとなる。そして、これが素子のオン耐圧の低下を招き、オフ耐圧よりもオン耐圧が低下するという問題が発生する。
また、パワーICに集積される厚膜ゲートHVPMOSにおいては、ドレイン電極11とソース電極9の間に高電圧が印加される。その場合でもn型半導体基板1に形成される他デバイス(制御回路や保護回路を構成するデバイス)が高電圧の影響を受けないようにする必要があり、通常、出力側電源電圧に固定されるソース電極9が接続するソース領域5で、電位が変動するドレイン電極11が接続するドレイン領域3を取り囲むパターンになっている。しかし、このようなパターンでは、コーナー部の曲率部分では直線部分より電界集中が起こり厚膜ゲートHVPMOSのオン耐圧が低下する。そのため、曲率部分でのオン耐圧の低下をいかに防ぐかが課題となる。
この発明の目的は、前記の課題を解決して、曲率部分でのオン耐圧を向上させることができる高耐圧横型MOSFETを提供することにある。
N型の半導体層の表面層に選択的に形成されたN型のウェル領域と、前記半導体層の表面層に前記ウェル領域から離して選択的に形成されたP型のオフセット領域と、前記ウェル領域の表面層に選択的に形成されたP型のソース領域と、前記オフセット領域の表面層に選択的に形成されたP型のドレイン領域と、前記ウェル領域の表面層に選択的に形成されたN型のコンタクト領域と、前記ソース領域と前記オフセット領域に挟まれた前記半導体層上と前記ウェル領域上に前記第1ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第1ゲート絶縁膜と接し前記オフセット領域上を覆う前記第1ゲート絶縁膜より厚い第1フィールド絶縁膜とを備え、前記ドレイン電極が前記ドレイン領域と接し、前記ソース電極が前記ソース領域と前記コンタクト領域と接し、
前記曲率部分は、
前記ウェル領域と、前記オフセット領域と、前記ドレイン領域と、前記コンタクト領域と、前記ウェル領域の上から前記オフセット領域上に亘って形成される第2ゲート絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極と、前記第2ゲート絶縁膜と接し前記オフセット領域上を覆う前記第1フィールド絶縁膜と同じ厚さの第2フィールド絶縁膜とを備え、前記ドレイン電極が前記ドレイン領域と接し、前記ソース電極が前記コンタクト領域と接し、
前記第1ゲート絶縁膜の厚さより前記第2ゲート絶縁膜の方が厚く、前記第2ゲート絶縁膜は、前記曲率部分全域に形成されている構成とする。
また、前記第2フィールド絶縁膜と前記第2ゲート絶縁膜とが同じ厚さであるとよい。
また、前記第1フィールド絶縁膜、前記第2フィールド絶縁膜および前記第2ゲート絶縁膜が1つのLOCOS(選択酸化膜)であるとよい。
また、ドレイン電極とソース電極とが平行に形成された直線部分とドレイン電極をソース電極が取り囲む曲率部分とを備え、前記ドレイン電極と前記ソース電極との間にゲート電極が配置された平面パターンを有する横型MOSFETにおいて、前記ゲート電極が前記直線部分のみに形成される構成とする。
前記第1のPチャネル型MOSFETのゲートが前記ハイサイドスイッチのゲートと接続され、前記第2のPチャネル型MOSFETのゲートが前記第1のPチャネル型MOSFETと前記第1のNチャネル型MOSFETとの接続点と接続され、
前記第2のPチャネル型MOSFETと前記第2のNチャネル型MOSFETとの接続点と前記ハイサイドスイッチのゲートと接続され、
前記第2のPチャネル型MOSFETと前記第2のNチャネル型MOSFETとの接続点と前記ハイサイドスイッチの低電位側端子とがツェナーダイオードを介して接続され、
前記第1のPチャネル型MOSFETおよび前記第2のPチャネル型MOSFETが前記高耐圧横型MOSFETである構成とする。
前記直線部分は、
N型の半導体層の表面層に選択的に形成されたN型のウェル領域と、前記半導体層の表面層に前記ウェル領域から離して選択的に形成されたP型のオフセット領域と、前記ウェル領域の表面層に選択的に形成されたN型のソース領域と、前記オフセット領域の表面層に選択的に形成されたP型のドレイン領域と、前記ウェル領域の表面層に選択的に形成されたN型のコンタクト領域と、前記ソース領域と前記オフセット領域に挟まれた前記半導体層上と前記ウェル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜と接し前記オフセット領域上を覆うフィールド絶縁膜とを備え、前記ドレイン電極が前記ドレイン領域と接し、前記ソース電極が前記ソース領域と前記コンタクト領域と接し、
前記曲率部分は、
前記ウェル領域と、前記オフセット領域と、前記ドレイン領域と、前記コンタクト領域と、前記ウェル領域の上から前記オフセット領域上に亘って形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と接し前記オフセット領域上を覆うフィールド絶縁膜とを備え、前記ドレイン電極が前記ドレイン領域と接し、前記ソース電極が前記コンタクト領域と接し、
前記ゲート電極が前記直線部分のみに形成される構成とする。
また、ゲート電極を直線領域にのみに配置し、曲率部分上にはゲート電極を配置しないことで、Vgs間に高電圧が印加されても曲率部分での電界集中を回避することができる。その結果高いオン耐圧を確保することが可能となる。
厚膜ゲートHVPMOSのゲート端子Gとドレイン端子Dを0Vとし、ソース端子Sの電位を上昇させ、オン状態でのI−V曲線である。つまりオン耐圧曲線である。前記したように、曲率部分の第1ゲート酸化膜7を第2ゲート酸化膜であるLOCOS8に替えることで、曲率部分のゲート電極10とn型ウェル領域4の間のLOCOS8で電圧分担する電圧が増大し、その結果ゲート電極7直下のn型ウェル領域4の表面領域の電界集中が緩和されるので、ソース・ドレイン間に170Vの高い電圧を印加しても、素子はブレークダウンせずに170Vの高いオン耐圧が確保され正常動作する。つまり、本発明の厚膜ゲートHVPMOSのオン耐圧は、従来の厚膜ゲートHVPMOSのオン耐圧より高くすることができる。
図4との違いは、曲率部分のゲート電極を削除した点である。即ち、ゲート電極は図4(a)の直線部分のみに形成している。また、同図(c)に示すように曲率部分のゲート酸化膜7上にはゲート電極を形成しない。
尚、図1においても、図7に示すように曲率部分のゲート電極を削除しても構わない。
2 p型オフセット領域
3 p型ドレイン領域
4 n型ウェル領域
5 p型ソース領域
6 n型コンタクト領域
7 ゲート酸化膜
8 LOCOS
9 ソース電極
10 ゲート電極
11 ドレイン電極
D ドレイン端子
G ゲート端子
S ソース端子
A 出力回路部
B レベルシフト回路部
N1,N2 IGBT
N3,N4 nチャネルMOSFET
P1,P2 pチャネルMOSFET
ZD ツェナーダイオード
VH 出力側電圧電源の高電位側端子
GND グランド
Vin1,Vin2,Vin3 ゲート信号
Vout 出力端子
Claims (7)
- ドレイン電極とソース電極とが平行に形成された直線部分とドレイン電極をソース電極が取り囲む曲率部分とを備え、前記ドレイン電極と前記ソース電極との間にゲート電極が配置された平面パターンを有する横型MOSFETにおいて、
前記直線部分は、
N型の半導体層の表面層に選択的に形成されたN型のウェル領域と、前記半導体層の表面層に前記ウェル領域から離して選択的に形成されたP型のオフセット領域と、前記ウェル領域の表面層に選択的に形成されたP型のソース領域と、前記オフセット領域の表面層に選択的に形成されたP型のドレイン領域と、前記ウェル領域の表面層に選択的に形成されたN型のコンタクト領域と、前記ソース領域と前記オフセット領域に挟まれた前記半導体層上と前記ウェル領域上に第1ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記第1ゲート絶縁膜と接し前記オフセット領域上を覆う前記第1ゲート絶縁膜より厚い第1フィールド絶縁膜とを備え、前記ドレイン電極が前記ドレイン領域と接し、前記ソース電極が前記ソース領域と前記コンタクト領域と接し、
前記曲率部分は、
前記ウェル領域と、前記オフセット領域と、前記ドレイン領域と、前記コンタクト領域と、前記ウェル領域の上から前記オフセット領域上に亘って形成される第2ゲート絶縁膜を介して形成された前記ゲート電極と、前記第2ゲート絶縁膜と接し前記オフセット領域上を覆う前記第1フィールド絶縁膜と同じ厚さの第2フィールド絶縁膜とを備え、前記ドレイン電極が前記ドレイン領域と接し、前記ソース電極が前記コンタクト領域と接し、
前記第1ゲート絶縁膜の厚さより前記第2ゲート絶縁膜の方が厚く、前記第2ゲート絶縁膜は、前記曲率部分全域に形成されていることを特徴とする高耐圧横型MOSFET。 - 前記曲率部分に前記ソース領域が形成されていないことを特徴とする請求項1に記載の高耐圧横型MOSFET。
- 前記第2フィールド絶縁膜と前記第2ゲート絶縁膜とが同じ厚さであることを特徴とする請求項1または2に記載の高耐圧横型MOSFET。
- 前記第1フィールド絶縁膜、前記第2フィールド絶縁膜および前記第2ゲート絶縁膜が1つのLOCOS(選択酸化膜)であることを特徴とする請求項3に記載の高耐圧横型MOSFET。
- 出力側電源の高電位側に接続されるハイサイドスイッチを駆動し、前記出力側電源により駆動する駆動回路が、前記出力側電源間に接続される第1のPチャネル型MOSFETと第1のNチャネル型MOSFETからなる第1の直列回路と、前記第1の直列回路と並列に接続される第2のPチャネル型MOSFETと第2のNチャネル型MOSFETからなる第2の直列回路とを備え、
前記第1のPチャネル型MOSFETのゲートが前記ハイサイドスイッチのゲートと接続され、
前記第2のPチャネル型MOSFETのゲートが前記第1のPチャネル型MOSFETと前記第1のNチャネル型MOSFETとの接続点と接続され、
前記第2のPチャネル型MOSFETと前記第2のNチャネル型MOSFETとの接続点と前記ハイサイドスイッチのゲートと接続され、
前記第2のPチャネル型MOSFETと前記第2のNチャネル型MOSFETとの接続点と前記ハイサイドスイッチの低電位側端子とがツェナーダイオードを介して接続され、
前記第1のPチャネル型MOSFETおよび前記第2のPチャネル型MOSFETが前記高耐圧横型MOSFETであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の高耐圧横型MOSFET。 - ドレイン電極とソース電極とが平行に形成された直線部分とドレイン電極をソース電極が取り囲む曲率部分とを備え、前記ドレイン電極と前記ソース電極との間にゲート電極が配置された平面パターンを有する横型MOSFETにおいて、
前記直線部分は、
N型の半導体層の表面層に選択的に形成されたN型のウェル領域と、前記半導体層の表面層に前記ウェル領域から離して選択的に形成されたP型のオフセット領域と、前記ウェル領域の表面層に選択的に形成されたN型のソース領域と、前記オフセット領域の表面層に選択的に形成されたP型のドレイン領域と、前記ウェル領域の表面層に選択的に形成されたN型のコンタクト領域と、前記ソース領域と前記オフセット領域に挟まれた前記半導体層上と前記ウェル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート絶縁膜と接し前記オフセット領域上を覆うフィールド絶縁膜とを備え、前記ドレイン電極が前記ドレイン領域と接し、前記ソース電極が前記ソース領域と前記コンタクト領域と接し、
前記曲率部分は、
前記ウェル領域と、前記オフセット領域と、前記ドレイン領域と、前記コンタクト領域と、前記ウェル領域の上から前記オフセット領域上に亘って形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜と接し前記オフセット領域上を覆うフィールド絶縁膜とを備え、前記ドレイン電極が前記ドレイン領域と接し、前記ソース電極が前記コンタクト領域と接し、
前記ゲート電極が前記直線部分のみに形成されることを特徴とする高耐圧横型MOSFET。 - 出力側電源の高電位側に接続されるハイサイドスイッチを駆動し、前記出力側電源により駆動する駆動回路が、前記出力側電源間に接続される第1のPチャネル型MOSFETと第1のNチャネル型MOSFETからなる第1の直列回路と、前記第1の直列回路と並列に接続される第2のPチャネル型MOSFETと第2のNチャネル型MOSFETからなる第2の直列回路とを備え、
前記第1のPチャネル型MOSFETのゲートが前記ハイサイドスイッチのゲートと接続され、
前記第2のPチャネル型MOSFETのゲートが前記第1のPチャネル型MOSFETと前記第1のNチャネル型MOSFETとの接続点と接続され、
前記第2のPチャネル型MOSFETと前記第2のNチャネル型MOSFETとの接続点と前記ハイサイドスイッチのゲートと接続され、
前記第2のPチャネル型MOSFETと前記第2のNチャネル型MOSFETとの接続点と前記ハイサイドスイッチの低電位側端子とがツェナーダイオードを介して接続され、
前記第1のPチャネル型MOSFETおよび前記第2のPチャネル型MOSFETが前記高耐圧横型MOSFETであることを特徴とする請求項6に記載の高耐圧横型MOSFET。
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