JP2012009522A5 - - Google Patents
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ベース層１３０は、キャリア蓄積層１２０と基板１００Ａの一方主面１０１との間に位置し基板厚さ方向１０３を自身の厚さ方向として広がる層である。換言すれば、ベース層１３０は、基板厚さ方向１０３においてドリフト層１１０およびキャリア蓄積層１２０に対して一方主面１０１の側に位置し、当該厚さ方向１０３においてキャリア蓄積層１２０を介してドリフト層１１０に対面している。ベース層１３０は、キャリア蓄積層１２０から引き続き、一方主面１０１に到達している。但し、ベース層１３０の一部には後述のエミッタ層１４０が形成されている。ここではベース層１３０が基板全体に広がっている場合を例示する。かかる例によれば、ベース層１３０は、素子部３１に設けられた複数のＩＧＢＴ単位素子に渡って広がり、これらの単位素子に共有される。また、かかる例によれば、ベース層１３０は、中央部４１と外周部４２とに渡って存在する形状を有している。
エミッタ層１４０は、ベース層１３０の一部領域を占めるウェルとして設けられている。エミッタ層１４０は、基板１００Ａの一方主面１０１から所定深さまで形成されているが、ベース層１３０よりも浅く、従ってキャリア蓄積層１２０とは離れている。この場合、エミッタ層１４０は、基板厚さ方向１０３においてドリフト層１１０とキャリア蓄積層１２０とベース層１３０の一部とに対して一方主面１０１の側に位置し、当該厚さ方向１０３においてキャリア蓄積層１２０とベース層１３０の一部とを介してドリフト層１１０に対面している。エミッタ層１４０は、素子部３１内の各ＩＧＢＴ単位素子に個別に設けられ、また、中央部４１と外周部４２のいずれにも設けられている。
溝１５０は、基板１００Ａの一方主面１０１から他方主面１０２の側へ向けて、エミッタ層１４０とベース層１３０とキャリア蓄積層１２０とを貫通し、ドリフト層１１０内の所定深さまで形成されている。溝１５０は、素子部３１内の各ＩＧＢＴ単位素子に個別に設けられ、また、中央部４１と外周部４２のいずれにも設けられている。
ＩＧＢＴ１０Ａは既知の各種処理を利用して製造可能である。例えば、最終的にドリフト層１１０を提供するＮ−型の半導体基板を出発材料として準備し、当該基板に対してイオン注入、エピタキシャル成膜、マスキング、エッチング、酸化等の処理を行うことによってＩＧＢＴ１０Ａの上記構造を形成可能である。
ＩＧＢＴ１０Ｈは、半導体基板１００Ｇ（図１７参照）の代わりに半導体基板１００Ｈを含んでいる点を除いて、基本的にはＩＧＢＴ１０Ｇ（図１７参照）と同様の構成を有している。半導体基板１００Ｈは、キャリア蓄積層１２０Ｇ（図１７参照）の代わりにキャリア蓄積層１２０Ｈを含んでいる点を除いて、基本的には半導体基板１００Ｇと同様の構成を有している。
なお、ドレイン層２２０Ｍが存在しない中央部４１では、ドリフト層１１０が基板１００Ｍの他方主面１０２まで延在してドレイン電極２５６に接している（図２９の左側上段図を参照）。
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