JP6825298B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 43
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 19
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 155
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 48
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
特許文献2に示すように、半導体素子の表面電極の上面は、はんだによって外部の導電部材(ヒ―トシンクブロック)に対して電気的に接続される。スイッチングにより半導体素子に生じた熱は、導電部材を経由し、放熱板から放熱される。
半導体基板に形成されている。セル領域において、半導体基板の上面には、電極層が配置
されている。電極層の上面には、接合電極が配置されている。接合電極の上面には、接合
部材を介して、導電部材が接続される。セル領域は、半導体基板の上面に露出する範囲に
形成されている第1導電型の第1半導体層と、第1半導体層の下面側に形成されており、
第1半導体層に接する第2導電型の第2半導体層と、第2半導体層の下面側に形成されて
おり、第2半導体層によって第1半導体層から分離されている第1導電型の第3半導体層
と、半導体基板の上面に形成されており、第1半導体層と第2半導体層を貫通して、前記
第3半導体層に達するトレンチと、トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜と、トレンチの内
部に配置されており、ゲート絶縁膜によって半導体基板から絶縁されているゲート電極と
、を備えており、第2半導体層の第2導電型の不純物濃度は、セル領域の中央部よりも外
周部の方が高い。半導体基板に垂直な平面視において、セル領域の中央部と外周部との間の境界は、導電部材の外周縁よりも内側に位置する。
20 :半導体素子
21 :第1金属膜(電極層)
22 :第2金属膜(接合電極)
23 :表面電極
24 :半導体基板
26 :保護膜
28 :裏面電極
52 :開口部
62 :絶縁膜
64 :電極
80 :ヒートシンクブロック(導電部材)
81 :表面側放熱板
82 :裏面側放熱板
83 :封止樹脂
91 :はんだ層(接合部材)
92 :はんだ層
93 :はんだ層
20A :セル領域
20B :周辺領域
212 :エミッタ層(第1半導体層)
214 :ボディ層(第2半導体層)
215 :ボディコンタクト層
232 :ドリフト層(第3半導体層)
234 :バッファ層
236 :コレクタ層
240 :トレンチ
242 :ゲート絶縁膜
244 :ゲート電極
252 :リサーフ層
256 :ディープp型層
258 :端部n型層
Claims (1)
- セル領域と、前記セル領域を取り囲む周辺領域とを有する半導体基板と、
前記セル領域において、前記半導体基板の上面に配置されている電極層と、
前記電極層の上面に配置されている接合電極と、
前記接合電極の上面に、接合部材を介して接続される導電部材と、
を備えた半導体装置であって、
前記セル領域は、前記半導体基板の上面に露出する範囲に形成されている第1導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層の下面側に形成されており、第1半導体層に接する第2導電型の第2半導体層と、
前記第2半導体層の下面側に形成されており、前記第2半導体層によって前記第1半導体層から分離されている第1導電型の第3半導体層と、
前記半導体基板の上面に形成されており、前記第1半導体層と前記第2半導体層を貫通して、前記第3半導体層に達する、トレンチと、
前記トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜と、
前記トレンチの内部に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されているゲート電極と、
を備え、
前記第2半導体層の第2導電型の不純物濃度は、前記セル領域の中央部よりも外周部の方が高く、
前記半導体基板に垂直な平面視において、前記セル領域の前記中央部と前記外周部との間の境界は、前記導電部材の外周縁よりも内側に位置する、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016205027A JP6825298B2 (ja) | 2016-10-19 | 2016-10-19 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016205027A JP6825298B2 (ja) | 2016-10-19 | 2016-10-19 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018067625A JP2018067625A (ja) | 2018-04-26 |
JP6825298B2 true JP6825298B2 (ja) | 2021-02-03 |
Family
ID=62086303
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016205027A Active JP6825298B2 (ja) | 2016-10-19 | 2016-10-19 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6825298B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020027878A (ja) * | 2018-08-10 | 2020-02-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3361874B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2003-01-07 | 三菱電機株式会社 | 電界効果型半導体装置 |
JP5561922B2 (ja) * | 2008-05-20 | 2014-07-30 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
JP2011060883A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Toyota Motor Corp | 絶縁ゲートトランジスタ |
JP5361808B2 (ja) * | 2010-06-23 | 2013-12-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
JP6179538B2 (ja) * | 2015-03-04 | 2017-08-16 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-10-19 JP JP2016205027A patent/JP6825298B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018067625A (ja) | 2018-04-26 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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