JP2017168561A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n+型ドレイン領域1上のn−型ドリフト領域2、ドリフト領域2上部のp型チャネル領域3a,3b、ドリフト領域2上部の注入制限領域3c、チャネル領域3a,3b上部のn+型ソース領域5a,5b、チャネル領域3a,3b上の絶縁されたゲート電極8、ソース領域5a,5b上のソース電極10に接続され、注入制限領域3c上のショットキーコンタクト電極16を備え、ソース領域5a,5bからチャネル領域3a,3b、ドリフト領域2を経由してドレイン領域1に至る経路をワイドバンドギャップ半導体材料を用いた主電流経路とし、電極16と注入制限領域3cとのショットキー接合により電極16を経由してドリフト領域2からの少数キャリアが注入されるのを制限する。
【選択図】図1
Description
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置において、図1に示すように、通常動作セルC1と、通常動作セルC1に隣接して配列された欠陥成長抑制セルC2を有する構造を単位構造として、この単位構造を複数個配列したマルチチャネル構造である。通常動作セルC1はMOSFETの通常動作を行うためのユニットセルであり、欠陥成長抑制セルC2は積層欠陥の成長を抑制するためのユニットセルである。単位構造には1本の欠陥成長抑制セルC2に対して複数本の通常動作セルC1が含まれていてもよい。また、連続した複数本の欠陥成長抑制セルと複数本の通常動作セルC1が含まれていてもよい。
本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置は、図7に示すように、平面パターンとして見た場合に、六角形のオーミックコンタクト電極9及びショットキーコンタクト電極16にそれぞれ対応する六角形のユニットセルを備える点が、図2に示したストライプ状のオーミックコンタクト電極9及びショットキーコンタクト電極16にそれぞれ対応するストライプ状のユニットセルと異なる。
本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置は、図8に示すように、積層欠陥の成長を抑制するための欠陥成長抑制セルC2の構成が、図1に示した欠陥成長抑制セルC2の構成と異なる。層間絶縁膜17の上を含めた全面にTi膜19、TiN膜20及びTi膜21のバリアメタルは図示を省略しているが、図1と同様に設けるのが好ましい。欠陥成長抑制セルC2において、ドリフト領域2の上部にはp型の半導体領域3c,3dが設けられている。半導体領域3c,3dの下部にはp+型の半導体領域4b,4cが設けられている。半導体領域3c,3d及び半導体領域4b,4cは、通常動作セルC1のチャネル領域3a,3b及びベース領域4aを形成する工程において同時に形成可能である。ドリフト領域2の半導体領域3c,3dに挟まれた部分は、ショットキーコンタクト電極18にショットキー接触し、ショットキーコンタクト電極18からの少数キャリアの注入を制限する注入制限領域を構成する。
本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置は、図10に示すように、積層欠陥の成長を抑制するための欠陥成長抑制セルC2の構成が、図8と示した欠陥成長抑制セルC2の構成と異なる。層間絶縁膜17の上を含めた全面にTi膜19、TiN膜20及びTi膜21のバリアメタルは図示を省略しているが、図1と同様に設けるのが好ましい。欠陥成長抑制セルC2において、ドリフト領域2の上部にp型の半導体領域3c,3d,3eが設けられている。半導体領域3c,3d,3eの下部にはp+型の半導体領域4b,4c,4dが設けられている。半導体領域3c,3d,3e及び半導体領域4b,4c,4dは、通常動作セルC1のチャネル領域3a,3b及びベース領域4aを形成する工程において同時に形成可能である。
上記のように、本発明は第1〜第4の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2,102…ドリフト領域
3a,3b,103…チャネル領域
3c,3d,3e,4b,4c,4d…半導体領域
4a,104…ベース領域
5a,5b,105…ソース領域
6,106…ベースコンタクト領域
7,107…ゲート絶縁膜
8a,8b,8c,108…ゲート電極
9,109…オーミックコンタクト電極
10,110…ソース電極
11,111…ドレイン電極
12,112…活性領域
13,113…周辺耐圧構造
14,114…三角欠陥
15,115…帯状欠陥
16,18…ショットキーコンタクト電極
17,117…層間絶縁膜
19,21…Ti膜
20…TiN膜
22,120…ゲートパッド
20a,20b,20c,20d…MOSFET
21a,21b,21c,21d…ショットキーバリアダイオード
22a,22b,22c,22d…ゲート駆動回路
23…DC電源
24…負荷インダクタンス
C1,C2,C101,C102…ユニットセル
Claims (8)
- シリコンよりも禁制帯幅が広い半導体材料を主電流経路に用いた半導体装置であって、
第1導電型のドレイン領域と、
前記ドレイン領域上に配置され、前記ドレイン領域より低不純物濃度の第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上部に設けられた第2導電型のチャネル領域と、
前記ドリフト領域の上部に前記チャネル領域と離間して設けられた注入制限領域と、
前記チャネル領域の上部の一部に設けられた第1導電型のソース領域と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記ソース領域上に配置されたソース電極と、
前記ドレイン領域の裏面に配置されたドレイン電極と、
前記ソース電極に接続されて、前記注入制限領域上に配置されたショットキーコンタクト電極とを備え、
前記ソース領域から前記チャネル領域、前記ドリフト領域を経由して前記ドレイン領域に至る経路を前記主電流経路とし、前記ショットキーコンタクト電極と前記注入制限領域がショットキー接合を構成することにより、前記ショットキーコンタクト電極を経由して前記第2導電型のチャネル領域から前記ドリフト領域に少数キャリアが注入されるのを制限することを特徴とする半導体装置。 - 前記注入制限領域が、前記ドレイン領域を定義する半導体基板のオフ方向により規定される帯状の積層欠陥の成長方向に対して直交する方向に延在し、
前記成長方向に沿った前記注入制限領域の幅が、前記ゲート電極直下に位置する部分となる前記ドリフト領域の幅よりも広い
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記注入制限領域が、前記ショットキーコンタクト電極とショットキー接触するように、前記ドリフト領域の上部に前記チャネル領域と離間して設けられた第2導電型の半導体領域を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記注入制限領域が、
前記ドリフト領域の上部に前記チャネル領域と離間して設けられた第2導電型の半導体領域を有し、
前記半導体領域に隣接する部分となる前記ドリフト領域が前記ショットキーコンタクト電極とショットキー接触することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記半導体領域が前記ショットキーコンタクト電極とショットキー接触することを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記ドリフト領域にライフタイムキラーが導入されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記半導体材料は、炭化珪素、窒化ガリウム、ダイヤモンド又は窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- シリコンよりも禁制帯幅が広い半導体材料の第1導電型のドレイン領域上に、前記ドレイン領域より低不純物濃度の前記半導体材料で第1導電型のドリフト領域を形成する工程と、
前記ドリフト領域の上部に第2導電型のチャネル領域を形成する工程と、
前記ドリフト領域の上部に前記チャネル領域と離間するように注入制限領域を形成する工程と、
前記チャネル領域の上部の一部に第1導電型のソース領域を形成する工程と、
前記チャネル領域上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記チャネル領域及び前記ソース領域上にソース電極を形成する工程と、
前記ドレイン領域の裏面にドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極に接続するように前記注入制限領域にショットキーコンタクト電極を形成する工程とを含み、
前記ショットキーコンタクト電極と前記注入制限領域がショットキー接合を構成することにより、前記ショットキーコンタクト電極を経由して前記第2導電型のチャネル領域から前記ドリフト領域に少数キャリアが注入されるのを制限することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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