JP2014042064A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】六方晶構造を有する第1導電型のSiC層と、前記SiC層に形成された第2導電型の第1のSiC領域と、前記第1のSiC領域に形成された立方晶構造のSiCと、前記SiC層、前記第1のSiC領域および前記立方晶構造のSiCに接した第2導電型の導電層と、を有する半導体装置が提供される。
【選択図】図1
Description
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の断面を示す模式図である。本実施形態では、N型SiC層に形成された、電力制御用のダイオード1を例として説明する。
図4は、第2の実施形態に係る半導体装置の断面を示す模式図である。本実施形態では、N型SiC層3に形成されたパワーMOSFET20を例として説明する。また、図4は、パワーMOSFET20のユニットセルの断面を模式的に示している。
図9は、第3の実施形態に係る半導体装置の断面を示す模式図である。本実施形態に係るパワーMOSFET30は、P型SiC層53に形成されたPMOS構造を有する点で、第2の実施形態に係るパワーMOSFET20と異なる。なお、本実施形態では、第1導電型をP型、第2導電型をN型として説明する。
図10は、第4の実施形態に係る半導体装置の断面を示す模式図である。本実施形態に係る半導体装置は、SiCを材料とするIGBT40(Insulated Gate Bipolar Transistor)である。
2 N型SiC基板
3 N型SiC層
5 再結晶領域
6、17、58 P型導電層
7 動作領域
10、50 SiCウェーハ
11 P型ベース領域
12 N型ソース領域
13 P型コンタクト領域
14 ゲート酸化膜
16、57 N型導電層
18 ゲート電極
19 ドレイン電極
23 ソース配線
24 ゲート配線
36 ポリシリコン層
37 ダメージ領域
53 P型SiC層
54 N型ベース領域
55 P型ソース領域
56 N型コンタクト領域
Claims (7)
- 六方晶構造を有する第1導電型のSiC層と、
前記SiC層に形成された第2導電型の第1のSiC領域と、
前記第1のSiC領域に形成された立方晶構造のSiCと、
前記SiC層、前記第1のSiC領域および前記立方晶構造のSiCに接した第2導電型の導電層と、
を有する半導体装置。 - 前記第1のSiC領域は、複数設けられる請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のSiC領域の周辺に、第2導電型の第2のSiC領域が設けられる請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記第2のSiC領域は、前記導電層の端に接する請求項3に記載の半導体装置。
- 前記導電層は、ポリシリコン層である請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 六方晶構造を有する第1導電型のSiC層と、
前記SiC層に設けられた第2導電型の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域に選択的に設けられた第1導電型の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域に隣接して、前記第1半導体領域に選択的に設けられた第2導電型の第3半導体領域と、
前記第2半導体領域に接する第1導電型の第1導電層と、
前記第3半導体領域に接する第2導電型の第2導電層と、
を備え、
前記第2半導体領域および前記第3半導体領域のうちのP型の導電型を有する領域は、前記第1または第2導電層に接する部分に立方晶構造のSiCを含む半導体装置。 - 前記第2半導体領域および前記第3半導体領域のうちのP型の導電型を有する前記領域に接する前記第1または第2導電層は、P型不純物がドープされたポリシリコン層である請求項6記載の半導体装置。
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