JP2010267762A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 炭化珪素の基板上に形成された第１導電型のドリフト層と、
   前記ドリフト層の上部に選択的に形成された第２導電型領域とを有し、
   前記第２導電型領域と前記ドリフト層との境界のｐｎ接合に降伏電圧が印加されたとき当該ｐｎ接合から伸びる空乏層が前記ドリフト層を突き抜けるパンチスルー型の半導体素子を備える半導体装置であって、
   前記第２導電型領域は、
   中央部に、端部よりも第２導電型不純物濃度プロファイルの前記ドリフト層の深さ方向への裾引きが長い部分を有している
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 前記半導体素子はＭＯＳＦＥＴであり、
   前記第２導電型領域は、前記ＭＯＳＦＥＴのボディ層であり、
   前記第２導電型領域の端部は、前記ＭＯＳＦＥＴのチャネル形成領域である
   請求項１記載の半導体装置。
3. 前記半導体素子はＭＯＳＦＥＴであり、
   前記第２導電型領域は、前記ＭＯＳＦＥＴのボディ層であり、
   前記第２導電型領域の端部は、前記ＭＯＳＦＥＴの形成領域の外周部である終端領域である
   請求項１記載の半導体装置。
4. 前記終端領域は、外側が浅く形成された段階的な構造を有している
   請求項３記載の半導体装置。
5. 前記ＭＯＳＦＥＴは、
   前記第２導電型領域内に形成されたソース領域に接続するソース電極をさらに備え、
   前記第２導電型領域は、
   当該第２導電型領域の中央部に配設され、前記ソース電極に接続するコンタクト領域を含んでおり、
   前記コンタクト領域の第２導電型不純物濃度プロファイルの前記ドリフト層の深さ方向への裾引きが、前記第２導電型領域の他の部分よりも長い
   請求項２から請求項４のいずれか１項記載の半導体装置。
6. 基準面である結晶面から所定のオフ角だけ傾いた表面を有する炭化珪素の基板を準備する工程と、
   前記基板上に第１導電型のドリフト層を形成する工程と、
   前記ドリフト層の上部に第２導電型領域を選択的に形成するイオン注入工程とを備え、
   前記イオン注入工程は、
   前記第２導電型領域の中央部を含む領域を形成するための第１のイオン注入と、
   前記第２導電型領域の端部を形成するための第２のイオン注入とを含み、
   前記第１のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角は、前記第２のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角度よりも小さい
   ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 前記第２導電型領域は、ＭＯＳＦＥＴのボディ層であり、
   前記第２導電型領域の端部は、前記ＭＯＳＦＥＴのチャネル形成領域である
   請求項６記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第２導電型領域は、ＭＯＳＦＥＴのボディ層であり、
   前記第２導電型領域の端部は、前記ＭＯＳＦＥＴの形成領域の外周部である終端領域である
   請求項６記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記終端領域の外側の部分に、イオン注入によって前記終端領域より浅く第２導電型の領域を形成する工程をさらに備える
   請求項８記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記第２導電型領域内に、イオン注入によって第１導電型のソース領域を形成する工程と、
    前記ソース領域に接続するソース電極を形成する工程とをさらに備え、
    前記イオン注入工程は、
    前記第２導電型領域の中央部に、前記ソース電極に前記ソース領域と共に接続する第２導電型のコンタクト領域を形成する第３のイオン注入を含み、
    前記第３のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角は、前記第１のイオン注入の注入方向が前記基準面の垂線と成す角よりも小さい
    請求項７から請求項９のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記イオン注入工程は、
    当該イオン注入工程で行う各イオン注入の注入方向を設定する工程を含み、
    前記注入方向の設定工程では、
    前記基準面の垂線に対する所望の注入角度を得ることが可能な注入方向が複数存在する場合、そのうち前記ドリフト層上面の垂線に近いものが選定される
    請求項６から請求項１０のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。