JPWO2013121519A1 - Igbt、及び、igbtの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体基板の上面に形成されており、前記領域を貫通するトレンチと、
トレンチ内に形成されており、前記領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有するスイッチング素子の製造方法であって、
半導体基板の上面にトレンチを形成する工程と、
トレンチ内に絶縁膜を形成する工程と、
絶縁膜の形成後に、半導体基板上及びトレンチ内に電極層を形成する工程と、
電極層の上面を平坦化する工程と、
電極層の上面を平坦化後に、半導体基板の上面側から前記領域の深さに不純物を注入する工程、
を有する製造方法。
半導体基板の上面に形成されており、前記領域を貫通するトレンチと、
トレンチ内に形成されており、前記領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有するスイッチング素子の製造方法であって、
半導体基板の上面にトレンチを形成する工程と、
トレンチ内に絶縁膜を形成する工程と、
絶縁膜の形成後に、トレンチ内に、ゲート電極の上面がトレンチの上端よりも下側に位置するように、ゲート電極を形成する工程と、
ゲート電極上にマスク部材を形成する工程、または、ゲート電極上において他の領域よりも厚くなるように半導体基板上にマスク部材を形成する工程と、
マスク部材の形成後に、半導体基板の上面側から前記領域の深さにn型不純物を注入する工程、
を有する製造方法。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
Claims (6)
- IGBTであって、
n型のエミッタ領域と、
エミッタ領域の下側に形成されているp型のトップボディ領域と、
トップボディ領域の下側に形成されているn型の中間領域と、
中間領域の下側に形成されているp型のボトムボディ領域と、
ボトムボディ領域の下側に形成されているn型のドリフト領域と、
ドリフト領域に接しているp型のコレクタ領域と、
半導体基板の上面から、エミッタ領域、トップボディ領域、中間領域、及び、ボトムボディ領域を貫通してドリフト領域に達する複数のトレンチと、
トレンチ内に形成されており、エミッタ領域とドリフト領域の間のトップボディ領域、中間領域、及び、ボトムボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有しており、
2つのゲート電極の間に存在する中間領域の下端の深さのばらつきが、110nm以下であるIGBT。 - n型のエミッタ領域と、
エミッタ領域の下側に形成されているp型のトップボディ領域と、
トップボディ領域の下側に形成されているn型の中間領域と、
中間領域の下側に形成されているp型のボトムボディ領域と、
ボトムボディ領域の下側に形成されているn型のドリフト領域と、
ドリフト領域に接しているp型のコレクタ領域と、
半導体基板の上面から、エミッタ領域、トップボディ領域、中間領域、及び、ボトムボディ領域を貫通してドリフト領域に達する複数のトレンチと、
トレンチ内に形成されており、エミッタ領域とドリフト領域の間のトップボディ領域、中間領域、及び、ボトムボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有するIGBTの製造方法であって、
半導体基板の上面にトレンチを形成する工程と、
トレンチ内に絶縁膜を形成する工程と、
絶縁膜の形成後に、半導体基板上及びトレンチ内に電極層を形成する工程と、
電極層の上面を平坦化する工程と、
電極層の上面を平坦化後に、半導体基板の上面側から中間領域の深さにn型不純物を注入する工程、
を有する製造方法。 - n型のエミッタ領域と、
エミッタ領域の下側に形成されているp型のトップボディ領域と、
トップボディ領域の下側に形成されているn型の中間領域と、
中間領域の下側に形成されているp型のボトムボディ領域と、
ボトムボディ領域の下側に形成されているn型のドリフト領域と、
ドリフト領域に接しているp型のコレクタ領域と、
半導体基板の上面から、エミッタ領域、トップボディ領域、中間領域、及び、ボトムボディ領域を貫通してドリフト領域に達する複数のトレンチと、
トレンチ内に形成されており、エミッタ領域とドリフト領域の間のトップボディ領域、中間領域、及び、ボトムボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有するIGBTの製造方法であって、
半導体基板の上面にトレンチを形成する工程と、
トレンチ内に絶縁膜を形成する工程と、
絶縁膜の形成後に、トレンチ内に、ゲート電極の上面がトレンチの上端よりも下側に位置するように、ゲート電極を形成する工程と、
ゲート電極上にマスク部材を形成する工程、または、ゲート電極上において他の領域よりも厚くなるように半導体基板上にマスク部材を形成する工程と、
マスク部材の形成後に、半導体基板の上面側から中間領域の深さにn型不純物を注入する工程、
を有する製造方法。 - IGBTであって、
n型のエミッタ領域と、
エミッタ領域の下側に形成されているp型のボディ領域と、
ボディ領域の下側に形成されているn型の中間領域と、
中間領域の下側に形成されており、n型不純物濃度が中間領域よりも低く、n型不純物濃度が略一定であるn型のドリフト領域と、
ドリフト領域の下側に形成されているp型のコレクタ領域と、
半導体基板の上面から、エミッタ領域、ボディ領域、及び、中間領域を貫通してドリフト領域に達する複数のトレンチと、
トレンチ内に形成されており、エミッタ領域と中間領域の間のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有しており、
2つのゲート電極の間に存在する中間領域の下端の深さのばらつきが、110nm以下であるIGBT。 - n型のエミッタ領域と、
エミッタ領域の下側に形成されているp型のボディ領域と、
ボディ領域の下側に形成されているn型の中間領域と、
中間領域の下側に形成されており、n型不純物濃度が中間領域よりも低いn型のドリフト領域と、
ドリフト領域の下側に形成されているp型のコレクタ領域と、
半導体基板の上面から、エミッタ領域、ボディ領域、及び、中間領域を貫通してドリフト領域に達する複数のトレンチと、
トレンチ内に形成されており、エミッタ領域と中間領域の間のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有するIGBTの製造方法であって、
半導体基板の上面にトレンチを形成する工程と、
トレンチ内に絶縁膜を形成する工程と、
絶縁膜の形成後に、半導体基板上及びトレンチ内に電極層を形成する工程と、
電極層の上面を平坦化する工程と、
電極層の上面を平坦化後に、半導体基板の上面側から中間領域の深さにn型不純物を注入する工程、
を有する製造方法。 - n型のエミッタ領域と、
エミッタ領域の下側に形成されているp型のボディ領域と、
ボディ領域の下側に形成されているn型の中間領域と、
中間領域の下側に形成されており、n型不純物濃度が中間領域よりも低いn型のドリフト領域と、
ドリフト領域の下側に形成されているp型のコレクタ領域と、
半導体基板の上面から、エミッタ領域、ボディ領域、及び、中間領域を貫通してドリフト領域に達する複数のトレンチと、
トレンチ内に形成されており、エミッタ領域と中間領域の間のボディ領域に絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有するIGBTの製造方法であって、
半導体基板の上面にトレンチを形成する工程と、
トレンチ内に絶縁膜を形成する工程と、
絶縁膜の形成後に、トレンチ内に、ゲート電極の上面がトレンチの上端よりも下側に位置するように、ゲート電極を形成する工程と、
ゲート電極上にマスク部材を形成する工程、または、ゲート電極上において他の領域よりも厚くなるように半導体基板上にマスク部材を形成する工程と、
マスク部材の形成後に、半導体基板の上面側から中間領域の深さにn型不純物を注入する工程、
を有する製造方法。
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Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6245107B2 (ja) | 2014-08-06 | 2017-12-13 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6036765B2 (ja) * | 2014-08-22 | 2016-11-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP6152861B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2017-06-28 | トヨタ自動車株式会社 | ダイオードの製造方法 |
DE102017107174B4 (de) | 2017-04-04 | 2020-10-08 | Infineon Technologies Ag | IGBT mit dV/dt-Steuerbarkeit und Verfahren zum Verarbeiten eines IGBT |
DE102017124871B4 (de) | 2017-10-24 | 2021-06-17 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiter-Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleiter-Vorrichtung |
DE102017124872B4 (de) | 2017-10-24 | 2021-02-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines IGBT mit dV/dt-Steuerbarkeit |
JP7003688B2 (ja) * | 2018-01-25 | 2022-01-20 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7484093B2 (ja) * | 2019-06-24 | 2024-05-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6459868A (en) * | 1987-08-29 | 1989-03-07 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor device having insulating gate |
JP2005268679A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2005347289A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型半導体装置 |
US20050287743A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of manufacturing semiconductor device having recess channel structure |
JP2007123551A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2008205015A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008235399A (ja) * | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Toshiba Corp | トレンチ型電力用半導体装置及びその製造方法 |
JP2008251620A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Toyota Motor Corp | 半導体装置とその製造方法 |
JP2010103326A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Toyota Motor Corp | Igbt、及び、igbtの製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0368173A (ja) | 1989-08-05 | 1991-03-25 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP3288218B2 (ja) | 1995-03-14 | 2002-06-04 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法 |
US6040599A (en) | 1996-03-12 | 2000-03-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated trench semiconductor device with particular layer structure |
CN100514675C (zh) | 2004-05-12 | 2009-07-15 | 株式会社丰田中央研究所 | 半导体器件 |
JP5443670B2 (ja) | 2007-02-20 | 2014-03-19 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置とその製造方法 |
DE102007018367B4 (de) | 2007-04-18 | 2013-09-05 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP5261137B2 (ja) * | 2008-11-04 | 2013-08-14 | 株式会社豊田中央研究所 | バイポーラ型半導体装置 |
JP2011071161A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Toshiba Corp | 半導体素子及びその製造方法 |
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2012
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005347289A (ja) * | 2004-05-31 | 2005-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 絶縁ゲート型半導体装置 |
US20050287743A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of manufacturing semiconductor device having recess channel structure |
JP2007123551A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
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