JP2010103326A - Igbt、及び、igbtの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第2導電型のボディ領域内に第1導電型のフローティング領域が形成されている縦型IGBTであって、フローティング領域とその上側のボディ領域との境界部近傍における第1導電型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って上昇するように分布しており、フローティング領域とその下側のボディ領域との境界部近傍における第1導電型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って低下するように分布しており、フローティング領域とその上側のボディ領域との境界部近傍における第2導電型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って低下するように分布しており、フローティング領域とその下側のボディ領域との境界部近傍における第2導電型不純物濃度が上側から下側に向かうに従って上昇するように分布している。
【選択図】図2
Description
また、図5は、従来のIGBTのフローティング領域近傍のN型不純物濃度及びP型不純物濃度の分布を示している。図5では、実線のグラフB1が従来のIGBTの設計値のN型不純物濃度を示しており、点線のグラフB2、B3が設計値から一定量のずれが生じたときのN型不純物濃度を示している。図5に示す従来のIGBTでは、P型不純物濃度が、トップボディ領域からボトムボディ領域に向かってなだらかに低下するように分布している。このようにP型不純物濃度が分布しているのは、従来のIGBTでは、最初に半導体基板のボディ領域及びフローティング領域に対応する範囲全体にP型不純物を注入し、その後、フローティング領域に対応する範囲にN型不純物を高濃度(P型不純物濃度より高濃度)で注入することによってフローティング領域を形成するためである。図5に示すように、従来のIGBTでは、N型不純物濃度にグラフB2、B3に示すばらつき(図4のグラフA2、A3と同量のばらつき)が生じた場合に、フローティング領域の幅が幅W3と幅W4の間で変動する。
図4と図5を比較することで明らかなように、本発明のIGBTでは、フローティング領域の境界部において上述したように不純物濃度が分布しているために、N型不純物濃度にばらつきが生じた場合におけるフローティング領域の幅のばらつき(幅W1と幅W2の差)が、従来のIGBTのフローティング領域の幅のばらつき(幅W3と幅W4の差)より小さくなる。すなわち、本発明のIGBTは、N型不純物濃度のばらつきが生じた場合でも、従来のIGBTに比べてフローティング領域の幅がばらつき難い。このため、本発明のIGBTは、オン電圧がばらつき難い。なお、上記の説明では、N型不純物濃度にばらつきが生じた場合について説明したが、フローティング領域の幅は、N型不純物濃度及びP型不純物濃度の双方の分布によって決まるため、P型不純物濃度に製造ばらつきが生じた場合にも同様のことがいえる。P型不純物濃度に製造ばらつきが生じた場合も、本発明のIGBTは、従来のIGBTよりもフローティング領域の幅のばらつきが生じ難く、オン電圧がばらつき難い。
なお、図4に示すIGBTは、本発明のIGBTの不純物濃度分布の一例を示したに過ぎない。フローティング領域の境界部近傍における不純物濃度分布が上述したように分布していれば、図4に示す以外の不純物濃度分布を有するIGBTも本発明に含まれる。また、図4では、フローティング領域がN型であり、トップボディ領域及びボトムボディ領域がP型であるIGBTを例示しているが、フローティング領域がP型であり、トップボディ領域及びボトムボディ領域がN型であるIGBTであっても同様の効果を得ることができる。
フローティング領域の上側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値は、IGBTのゲート閾値電圧を大きく左右する。すなわち、その最大値の製造ばらつきが大きいと、IGBTのゲート閾値電圧は大きくばらつく。フローティング領域の上側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値が、エミッタ領域またはフローティング領域との境界部に存在していると、その最大値は第1導電型不純物濃度と第2導電型不純物濃度の双方のばらつきの影響を受けて大きくばらつく。例えば、第2導電型不純物濃度の分布が同一でも、第1導電型不純物濃度の分布が変化すると、エミッタ領域とフローティング領域の境界の位置が変化し、上記最大値も変化する。一方、フローティング領域の上側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の極大値が最大値となっていれば、その最大値は第1導電型不純物濃度のばらつきの影響を受けない。したがって、最大値にばらつきが生じ難くなる。このため、このIGBTは、ゲート閾値電圧のばらつきが生じ難い。
フローティング領域の下側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値も、IGBTのゲート閾値電圧を大きく左右する。上記のように、フローティング領域の下側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の極大値が最大値となっていれば、その最大値は第1導電型不純物濃度のばらつきの影響を受けない。したがって、最大値にばらつきが生じ難くなる。このため、このIGBTは、ゲート閾値電圧のばらつきが生じ難い。
IGBTのゲート閾値電圧は、フローティング領域の上側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値と、フローティング領域の下側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値のうちのいずれか高い方の値の影響を最も大きく受ける。上記のように最大値を設定しておくことで、ゲート閾値電圧がフローティング領域の上側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値に応じて決まるようになり、ゲート閾値電圧の製造ばらつきが抑制される。また、フローティング領域の下側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値を高くする場合に比べて、半導体基板の深い位置に多くの不純物を注入する必要がなくなる。したがって、IGBTの製造時に、半導体基板中に結晶欠陥が形成されることを抑制することができる。
なお、上述したトップボディ領域注入工程、ボトムボディ領域注入工程、及び、フローティング領域注入工程は、何れの順序で実施しても良い。
これによって、トップボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値を、ボトムボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値より高くすることができる。したがって、ゲート閾値電圧のばらつきが生ずることを抑制しながら、IGBTを製造することができる。
酸化膜形成工程及びゲート電極形成工程では、半導体基板を熱処理する必要がある。したがって、不純物注入工程(すなわち、トップボディ領域注入工程、ボトムボディ領域注入工程、及び、フローティング領域注入工程)の後にトレンチ構造形成工程(すなわち、トレンチ形成工程、酸化膜形成工程及びゲート電極形成工程)を実施すると、トレンチ構造形成工程における熱処理によって注入した不純物が熱拡散する。これによって、IGBT内の不純物濃度の分布のばらつきが大きくなり、IGBTの特性ばらつきの要因となる。上記の製造方法では、不純物注入工程より前にトレンチ構造形成工程を実施するので、このような問題が生じない。不純物の熱拡散による特性ばらつきを抑制しながら、IGBTを製造することができる。
すなわち、トレンチ構造を形成すると、ゲート電極の上面部分によって半導体基板の上面に凹部が形成される。トレンチ構造形成工程後に不純物注入を実施すると、トレンチ近傍に注入した不純物の停止位置がこの凹部の影響を受けて変動する。ここで、凹部が浅い場合(0.2μm未満の場合)には、不純物の停止位置は凹部の深さによって大きく変動する。一方、凹部が深い場合(0.2μm以上の場合)には、凹部の深さが変動しても不純物の停止位置それほど変動しない。したがって、上記のように、ゲート電極の上面と半導体基板の上面との間の深さ方向の距離(すなわち、凹部の深さ)を0.2μm以上とすることで、トレンチ近傍に注入される不純物の停止位置のばらつきを抑制することができる。これによって、IGBTのゲート閾値電圧のばらつきを抑制することができる。
トレンチと不純物注入方向の関係を上記の関係とすることによって、トレンチの壁面に対して平行に不純物を注入することができる。また、半導体基板の結晶方位と不純物注入方向の関係を上記の関係とすることによって、不純物注入時にチャネリングが生じることを抑制することができる。これによって、IGBTの特性の製造ばらつきをより抑制することができる。
(特徴1)フローティング領域内の第2不純物濃度が、上端から下側に向かうにしたがって低下して極小値となり、その極小値の深さから下端に向かうにしたがって上昇している。
(特徴2)フローティング領域内の第1不純物濃度が、上端から下側に向かうにしたがって上昇して極大値となり、その極大値の深さから下端に向かうにしたがって上昇している。
(特徴3)フローティング領域の上側のボディ領域内の第2不純物濃度が、上端から下側に向かうにしたがって上昇して極大値となり、その極大値の深さから下端に向かうにしたがって低下している。
(特徴4)フローティング領域の下側のボディ領域内の第2不純物濃度が、上端から下側に向かうにしたがって上昇して極大値となり、その極大値の深さから下端に向かうにしたがって低下している。
実施例のIGBTについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施例のIGBT10の断面図を示している。IGBT10は、エミッタ領域20、ボディコンタクト領域22、トップボディ領域24、フローティング領域26、ボトムボディ領域28、ドリフト領域30、バッファ領域32、コレクタ領域34、ゲート電極36、及び、外周耐圧領域38を有している。エミッタ領域20は、N型領域であり、半導体基板12の上面に臨む範囲に選択的に形成されている。ボディコンタクト領域22は、高濃度のP型不純物を含有するP型領域である。ボディコンタクト領域22は、半導体基板12の上面に臨む範囲において、エミッタ領域20と隣接して形成されている。トップボディ領域24は、P型領域であり、エミッタ領域20及びボディコンタクト領域22の下側に形成されている。フローティング領域26は、N型領域であり、トップボディ領域24の下側に形成されている。フローティング領域26は、トップボディ領域24によってエミッタ領域20から分離されている。また、フローティング領域26は、ボトムボディ領域28によって、ドリフト領域30から分離されている。ボトムボディ領域28は、P型領域であり、フローティング領域26の下側に形成されている。ドリフト領域30は、低濃度のN型不純物を含有するN型領域である。ドリフト領域30は、ボトムボディ領域28の下側に形成されている。バッファ領域32は、高濃度のN型不純物を含有するN型領域である。バッファ領域32は、ドリフト領域30の下側に形成されている。コレクタ領域34は、高濃度のP型不純物を含有するP型領域である。コレクタ領域34は、半導体基板12の下面に臨む範囲の全面に形成されている。半導体基板12には、その上面から、エミッタ領域20、トップボディ領域24、フローティング領域26、及び、ボトムボディ領域28を貫通してドリフト領域30に達するトレンチ35が形成されている。トレンチ35の内面は、トレンチ絶縁膜37で覆われている。トレンチ35内には、ゲート電極36が形成されている。すなわち、ゲート電極36は、エミッタ領域20とドリフト領域30の間を分離している範囲のトップボディ領域24、フローティング領域26、及び、ボトムボディ領域28に対してトレンチ絶縁膜37を介して対向している。ゲート電極36の上面は、キャップ絶縁膜39に覆われている。但し、図示しない位置で、ゲート電極36は外部に接続可能とされている。外周耐圧領域38は、高濃度のP型不純物を含有するP型領域である。外周耐圧領域38は、半導体基板12の上面からトレンチ35の下端より深い位置までの深さ範囲に形成されている。外周耐圧領域38は、半導体基板12の外周に沿って形成されている。すなわち、外周耐圧領域38は、IGBT領域(エミッタ領域20、ボディコンタクト領域22、トップボディ領域24、フローティング領域26、ボトムボディ領域28、及び、ゲート電極36が形成されている領域)の周囲を囲むように形成されている。
図2に示すように、N型不純物濃度は、エミッタ領域20の上端で最大である。N型不純物濃度は、エミッタ領域20の上端から下側に向かうにしたがって低下し、トップボディ領域24内で極小値N1となる。N型不純物濃度は、極小値N1の深さから下側に向かうにしたがって増加し、フローティング領域26内で極大値N2となる。N型不純物濃度は、極大値N2の深さから下側に向かうにしたがって低下し、ドリフト領域30内で略一定値となる。
一方、P型不純物濃度は、エミッタ領域20の上端から下側に向かうにしたがって増加し、トップボディ領域24内で極大値P1となる。P型不純物濃度は、極大値P1の深さから下側に向かうにしたがって低下し、フローティング領域26内で極小値P2となる。P型不純物濃度は、極小値P2の深さから下側に向かうにしたがって増加し、ボトムボディ領域28内で極大値P3となる。P型不純物濃度は、極大値P3の深さから下側に向かうにしたがって低下し、ドリフト領域30内で略ゼロとなる。後に詳述するが、P型不純物濃度が極大値P1、P3、及び、極小値P2を有しているのは、IGBT10の製造時に、トップボディ領域24に対するP型不純物注入工程と、ボトムボディ領域28に対するP型不純物注入工程をそれぞれ実施するためである。
従来のIGBTでは、N型不純物濃度は、本実施例のIGBT10と略等しいプロファイルで分布している。
一方、P型不純物濃度は、エミッタ領域の上端で最大であり、エミッタ領域の上端から下側に向かうにしたがって緩やかに低下し、ドリフト領域内で略ゼロとなる。このように、従来のIGBTでは、P型不純物濃度が極大値や極小値を有さずになだらかに分布している。これは、従来のIGBTの製造方法では、IGBT領域(すなわち、エミッタ領域、ボディコンタクト領域、トップボディ領域、フローティング領域、及び、ボトムボディ領域)の全体に比較的均一にP型不純物を注入し、その後、熱処理によってP型不純物を拡散させるためである。
図4は、図2のフローティング領域26内の不純物濃度分布の拡大図を示している。また、図5は、図3のフローティング領域内の不純物濃度分布の拡大図を示している。なお、図4では、実線のグラフA1がIGBT10の設計値のN型不純物濃度を示しており、点線のグラフA2、A3が設計値から一定量のずれが生じたときのN型不純物濃度を示している。同様に、図5では、実線のグラフB1が従来のIGBTの設計値のN型不純物濃度を示しており、点線のグラフB2、B3が設計値から一定量のずれが生じたときのN型不純物濃度を示している。
図4に示すように、本実施例のIGBT10では、N型不純物濃度が低くなってグラフA2に示す分布となると、フローティング領域26の幅(すなわち、P型不純物濃度よりN型不純物濃度の方が高い領域の幅)が狭くなる(図4の幅W1参照)。一方、N型不純物濃度が高くなってグラフA3に示す分布となると、フローティング領域26の幅が広くなる(図4の幅W2参照)。したがって、IGBT10の製造時にグラフA2とグラフA3の間でN型不純物濃度のばらつきが生じると、IGBT10のフローティング領域26の幅が幅W1と幅W2の間でばらつく。図5に示すように、従来のIGBTでは、N型不純物濃度が低くなると(グラフB2参照)、フローティング領域の幅は幅W3となる。N型不純物濃度が高くなると(グラフB3参照)、フローティング領域の幅は幅W4となる。図4と図5を比較することで明らかなように、幅W1と幅W2の差は、幅W3と幅W4の差より小さい。すなわち、本実施例のIGBT10では、従来のIGBTと同程度にN型不純物濃度にばらつきが生じた場合にも、従来のIGBTよりフローティング領域の幅にばらつきが生じ難い。
なお、図4、5では、N型不純物濃度に製造ばらつきが生じた場合について説明した。しかしながら、フローティング領域26の幅は、P型不純物濃度とN型不純物濃度の双方の分布によって決まるため、P型不純物濃度に製造ばらつきが生じた場合にも同様のことがいえる。P型不純物濃度に製造ばらつきが生じた場合も、本実施例のIGBT10は、従来のIGBTよりもフローティング領域26の幅のばらつきが生じ難い。
まず、イオン注入、熱拡散を行うことによって、図7に示すように半導体ウエハ70の下面70b側にバッファ領域32とコレクタ領域34を形成する。同様にして、半導体ウエハ70の上面70a側に、外周耐圧領域38を形成する。
次に、RIE法を用いたエッチングによって、図8に示すように、半導体ウエハ70の上面70aにトレンチ35を形成する。なお、トレンチ35は、図9に示すように、半導体ウエハ70の上面70aにおいて、半導体ウエハ70の011結晶方位に対して垂直に伸びるように(すなわち、0−11結晶方位に沿って伸びるように)形成する。
トレンチ35を形成したら、半導体ウエハ70を熱処理して、半導体ウエハ70の表面とトレンチ35の内面に犠牲酸化膜を形成する。その後、犠牲酸化膜をエッチングで除去する。犠牲酸化膜を除去したら、再度、半導体ウエハ70を熱処理し、半導体ウエハ70の表面とトレンチ35の内面にシリコン酸化膜を形成する。トレンチ35内のシリコン酸化膜が、トレンチ絶縁膜37となる。トレンチ絶縁膜37を形成したら、CVD法によって半導体ウエハ70上にポリシリコンを堆積させる。このとき、トレンチ35内にポリシリコンが充填される。ポリシリコンを堆積させたら、トレンチ35の外部のポリシリコンをCDE法等のエッチングによって除去する。これによって、トレンチ35内に残存させたポリシリコンがゲート電極36となる。ゲート電極36を形成したら、半導体ウエハ70を熱処理することによって、ゲート電極36の上面にキャップ絶縁膜39を形成する。これによって、半導体ウエハ70の断面構造が、図10に示す構造となる。
図11は、図10の断面図のゲート電極36の上面近傍の拡大図を示している。図11に示すように、ゲート電極36は、その上面36aが半導体ウエハ70の上面70aから凹んだ位置に存在するように形成する。本実施例では、ゲート電極36の上面36aと半導体ウエハ70の上面70aとの間の段差の高さH1(以下、トレンチリセス深さH1という)が約0.3μmとなるように、ゲート電極36を形成する。
次に、図12に示すように、半導体ウエハ70の上面70a上の外周耐圧領域38より外側にレジスト72を形成する。すなわち、IGBT領域が開口しているレジスト72を形成する。そして、上面70a側から半導体ウエハ70にイオンを注入する。
まず、ボトムボディ領域28に対応する深さにP型不純物を注入する(ボトムボディ領域注入工程)。すなわち、注入したP型不純物がボトムボディ領域28に対応する深さ範囲内で停止するように、加速電圧を調整して注入する。より詳細には、注入されたP型不純物の停止位置のピークが、図2の極大値P3の深さとなるように注入する。
次に、フローティング領域26に対応する深さにN型不純物を注入する(フローティング領域注入工程)。すなわち、注入したN型不純物がフローティング領域26に対応する深さ範囲内で停止するように、加速電圧を調整して注入する。より詳細には、N型不純物の停止位置のピークが、図2の極大値N2の深さとなるように注入する。
次に、トップボディ領域24に対応する深さにP型不純物を注入する(トップボディ領域注入工程)。すなわち、注入したP型不純物がトップボディ領域24に対応する深さ範囲内で停止するように、加速電圧を調整して注入する。より詳細には、P型不純物の停止位置のピークが、図2の極大値P1の深さとなるように注入する。なお、トップボディ領域注入工程では、ボトムボディ領域注入工程よりも高濃度にP型不純物を注入する。
次に、レジスト72を除去し、図13に示すように新たにレジスト74を形成する。レジスト74は、外周耐圧領域38より外側の領域と、ボディコンタクト領域22に対応する領域をカバーするように形成する。そして、上面70a側からエミッタ領域20に対応する深さ(すなわち、最表層部)にN型不純物を注入する(エミッタ領域注入工程)。
次に、レジスト74を除去し、図14に示すように新たにレジスト76を形成する。レジスト76は、外周耐圧領域38より外側の領域と、エミッタ領域20に対応する領域をカバーするように形成する。そして、上面70a側からボディコンタクト領域22に対応する深さ(すなわち、最表層部)にP型不純物を注入する(ボディコンタクト領域注入工程)。
イオン注入が終了したら、半導体ウエハ70を熱処理する。熱処理を行うと、注入した不純物が、拡散するとともに活性化する。これによって、図1に示すように、エミッタ領域20、ボディコンタクト領域22、トップボディ領域24、フローティング領域26、及び、ボトムボディ領域28が形成される。上述したように、トップボディ領域24、フローティング領域26、及び、ボトムボディ領域28のそれぞれに対してイオン注入を行っているので、これらの領域における不純物濃度分布が、図2に示す分布となる。すなわち、トップボディ領域24に極大値P1が形成され、フローティング領域26に極大値N2が形成され、ボトムボディ領域28に極大値P3が形成される。また、フローティング領域26内に停止するようにP型不純物を注入する工程を実施しないので、フローティング領域26に極小値P2が形成される。
上述したように、トレンチ絶縁膜・ゲート電極形成工程では、高温の熱処理を実施する。拡散領域形成後にトレンチ絶縁膜・ゲート電極形成工程の熱処理を行うと、拡散領域内の不純物がさらに拡散する。これによって、拡散領域が拡大したり、不純物が外方拡散したり、不純物がトレンチ絶縁膜内等に偏析(パイルアップ)したりする。これらの現象が生じることによって、製造するIGBTの特性が安定しないという問題が生じる。また、イオン注入後に半導体ウエハの熱酸化処理(犠牲酸化膜、トレンチ絶縁膜37の形成)を行うと、イオン注入時に形成された結晶欠陥を起点としてOSF(酸化誘起積層欠陥:Oxidation Induced Stacking Fault)が形成され易い。OSFは、熱酸化処理時にシリコン層/酸化シリコン層界面で格子間シリコンが生じ、その格子間シリコンがシリコン層内に拡散し、シリコン層内の結晶欠陥と結びついて成長する欠陥である。OSFがシリコン層内に形成されると、IGBTがリークし易くなるという問題が生じる。
本実施例の製造方法では、トレンチ絶縁膜・ゲート電極形成工程後にイオン注入工程を実施するため、上記の問題は生じない。製造するIGBT10の特性を安定させることが可能であるとともに、IGBT10にリーク不良が生じることを抑制することができる。
図16は、トレンチリセス深さH1(図11参照)を0μmとした場合のトップボディ領域注入工程前の半導体ウエハ70の断面図を示している。図16の範囲24は、この場合(トレンチリセス深さH1が0μmの状態でイオン注入工程、熱拡散工程を行った場合)に、トップボディ領域24が形成される範囲を示している。この場合、トレンチリセス部分に凹みが形成されていないため、トップボディ領域注入工程では、トレンチ絶縁膜37近傍とその他の部分とで注入されたP型不純物の停止位置がほとんど変わらない。したがって、図16に示すように、トップボディ領域24は略一定の深さに、一定の幅で形成される。
上述したように、本実施例の製造方法では、図11に示すように、トレンチリセス深さH1を約0.3μmとする。図11の領域24は、トレンチリセス深さH1を0.3μmとしてIGBT10を形成した場合に、トップボディ領域24が形成される範囲を示している。トレンチリセス深さH1が0.3μmである場合は、トップボディ領域注入工程においてトレンチリセス部分の形状の影響を受ける。したがって、トレンチ絶縁膜37に近い位置ほど注入されたP型不純物が深い位置に停止し易くなる。このため、図11に示すように、トップボディ領域24は、トレンチ絶縁膜37に近い位置ほど深い位置に変位した形状で形成される。このように、トップボディ領域24がトレンチ絶縁膜37近傍で変位しているため、トレンチ絶縁膜37近傍のトップボディ領域24の幅D1が、その他の部分のトップボディ領域24の幅D2より広くなる。このため、幅D1の部分(すなわち、図1のチャネル40が形成される領域(以下、チャネル領域40という))のP型不純物濃度が低くなる。
図17は、トレンチリセス深さH1を0.6μmとした場合のトップボディ領域注入工程前の半導体ウエハの断面図を示している。図17の範囲24は、この場合に、トップボディ領域24が形成される範囲を示している。図11と図17を比較すると明らかなように、トレンチリセス深さH1を0.3μmから0.6μmに大きくすると、トップボディ領域24の幅D1の部分が広くなる(図17の横方向に広くなる)が、幅D1はそれほど拡大しない。したがって、トレンチリセス深さH1が0.6μmである場合は、トレンチリセス深さH1が0.3μmである場合と比べて、幅D1の部分(すなわち、図1のチャネル領域40)のP型不純物濃度がそれほど低下しない。
図18は、トレンチリセス深さH1を種々に変化させてIGBTを製造した場合における、トレンチ絶縁膜37近傍のトップボディ領域24(すなわち、図1のチャネル領域40)のP型不純物濃度のピーク値を示している。また、図19は、トレンチリセス深さH1を種々に変化させてIGBTを製造した場合における、IGBTのゲート閾値電圧を示している。図18に示すように、トレンチリセス深さH1が0.2μmより小さい区間ではグラフの傾きが大きいが、トレンチリセス深さH1が0.2μm以上の区間ではグラフの傾きが小さくなる。このため、図19においても、トレンチリセス深さH1が0.2μmより小さい区間ではグラフの傾きが約−6.3V/μmであるのに対し、トレンチリセス深さH1が0.2μm以上の区間においてはグラフの傾きが約−0.39V/μmである。すなわち、0.2μmのトレンチリセス深さH1を境にして、グラフの傾きが急に変化する。以上に説明したように、トレンチリセス深さH1が0.2μm以上であれば、トレンチリセス深さH1のばらつきが生じても、チャネル40のP型不純物濃度にばらつきが生じ難い。このため、ゲート閾値電圧のばらつきが生じ難い。
上述したように、本実施例の製造方法では、トレンチリセス深さH1を約0.3μmとする。したがって、本実施例の製造方法によれば、ゲート閾値電圧のばらつきを抑制しながら、IGBT10を製造することができる。なお、図19に示すように、トレンチリセス深さH1を0.3μm以上とすると、グラフの傾きが略一定となるためより好ましい。
一方、半導体ウエハ70にイオン注入する際には、チャネリングが生じない角度でイオン注入する必要がある。チャネリングの発生量は、チルト角θ1の中心軸82と半導体ウエハ70の001結晶方位との間の角度θ2(図15参照:以下、ツイスト角θ2という)と、チルト角θ1の双方によって変化する。チルト角θ1は、一般に、7°前後のときにチャネリングが生じ難い。但し、チルト角θ1は、必要に応じて適宜変更される。一方、ツイスト角θ2は、45°、または、225°のときにチャネリングが生じ難い。なお、ツイスト角θ2を45°、または、225°とした場合は、中心軸82は011結晶方位と一致する。
したがって、イオン注入工程では、イオン注入方向とトレンチ35の壁面とが平行となり、かつ、中心軸82が011結晶方位と一致する位置関係で実施することが好ましい。本実施例の製造方法では、半導体ウエハ70の上面70aが100面であり、011結晶方位と一致する中心軸82を中心に7.1°だけチルト角を設けてイオン注入する。このため、チャネリングが防止される。また、トレンチ35は、半導体ウエハ70の上面70a(すなわち、100面)において011結晶方位に対して垂直に伸びるように形成されている。したがって、イオン注入方向80とトレンチ35の壁面は平行となる。したがって、トレンチ35の両側で略等しい分布で不純物が注入される。これによって、ゲート閾値電圧のばらつきがさらに抑制される。
図20のグラフE1は、チルト角θ1を7.1°とし、ツイスト角θ2を45°とし、トレンチリセス深さH1を種々に変動させてIGBTを製造したときのIGBTのゲート閾値電圧の変化を示している。図20のグラフE2は、チルト角θ1を7.1°とし、ツイスト角θ2を135°とし、トレンチリセス深さH1を種々に変動させてIGBTを製造したときのIGBTのゲート閾値電圧の変化を示している。図20に示すように、グラフE1では、グラフE2に比べて傾きが小さくなっている。トレンチ35の壁面とイオン注入方向80とを平行とし、かつ、チャネリングが生じ難い角度でイオン注入することで、トレンチリセス深さH1に起因するゲート閾値電圧のばらつきをさらに低減することができることが分かる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
12:半導体基板
20:エミッタ領域
22:ボディコンタクト領域
24:トップボディ領域
26:フローティング領域
28:ボトムボディ領域
30:ドリフト領域
32:バッファ領域
34:コレクタ領域
35:トレンチ
36:ゲート電極
36a:上面
37:トレンチ絶縁膜
38:外周耐圧領域
39:キャップ絶縁膜
40:チャネル
42:チャネル
70:半導体ウエハ
70a:上面
70b:下面
72:レジスト
74:レジスト
76:レジスト
80:イオン注入方向
82:中心軸
92:インゴット
Claims (9)
- 縦型のIGBTであって、
第1導電型のエミッタ領域と、
エミッタ領域に対して深い位置で隣接する第2導電型のボディ領域と、
ボディ領域に対して深い位置で隣接するとともにボディ領域によってエミッタ領域から分離されている第1導電型のドリフト領域と、
ドリフト領域に対して深い位置で隣接するとともにドリフト領域によってボディ領域から分離されている第2導電型のコレクタ領域と、
ボディ領域内に形成されており、ボディ領域によってエミッタ領域及びドリフト領域から分離されている第1導電型のフローティング領域と、
エミッタ領域とドリフト領域を分離している範囲のボディ領域と絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有しており、
フローティング領域とその上側のボディ領域との境界部近傍における第1導電型不純物濃度が、上側から下側に向かうにしたがって上昇するように分布しており、
フローティング領域とその下側のボディ領域との境界部近傍における第1導電型不純物濃度が、上側から下側に向かうにしたがって低下するように分布しており、
フローティング領域とその上側のボディ領域との境界部近傍における第2導電型不純物濃度が、上側から下側に向かうにしたがって低下するように分布しており、
フローティング領域とその下側のボディ領域との境界部近傍における第2導電型不純物濃度が、上側から下側に向かうにしたがって上昇するように分布している、
ことを特徴とするIGBT。 - フローティング領域の上側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度が、深さ方向において極大値を有するように分布しており、その極大値がフローティング領域の上側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値であることを特徴とする請求項1に記載のIGBT。
- フローティング領域の下側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度が、深さ方向において極大値を有するように分布しており、その極大値がフローティング領域の下側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値であることを特徴とする請求項1または2に記載のIGBT。
- フローティング領域の上側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値が、フローティング領域の下側のボディ領域内の第2導電型不純物濃度の最大値より高いことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のIGBT。
- 第1導電型のエミッタ領域と、
エミッタ領域に対して深い位置で隣接する第2導電型のボディ領域と、
ボディ領域に対して深い位置で隣接するとともにボディ領域によってエミッタ領域から分離されている第1導電型のドリフト領域と、
ドリフト領域に対して深い位置で隣接するとともにドリフト領域によってボディ領域から分離されている第2導電型のコレクタ領域と、
ボディ領域内に形成されており、ボディ領域によってエミッタ領域及びドリフト領域から分離されている第1導電型のフローティング領域と、
エミッタ領域とドリフト領域を分離している範囲のボディ領域と絶縁膜を介して対向しているゲート電極、
を有する縦型のIGBTの製造方法であって、
半導体基板のうち、フローティング領域より上側のボディ領域に対応する深さに第2導電型不純物を注入するトップボディ領域注入工程と、
半導体基板のうち、フローティング領域より下側のボディ領域に対応する深さに第2導電型不純物を注入するボトムボディ領域注入工程と、
半導体基板のうち、フローティング領域に対応する深さに第1導電型不純物を注入するフローティング領域注入工程、
を備えていることを特徴とする製造方法。 - トップボディ領域注入工程では、ボトムボディ領域注入工程より高濃度に第2導電型不純物を注入することを特徴とする請求項5に記載の製造方法。
- トップボディ領域注入工程、ボトムボディ領域注入工程、及び、フローティング領域注入工程より前に、半導体基板の上面にトレンチを形成するトレンチ形成工程と、熱処理によってトレンチの壁面に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、トレンチ内にゲート電極を形成するゲート電極形成工程を実施することを特徴とすることを特徴とする請求項5または6に記載の製造方法。
- ゲート電極形成工程では、ゲート電極の上面と半導体基板の上面との間の深さ方向の距離を0.2μm以上とすることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。
- トレンチ形成工程では、半導体基板の上面に半導体基板の011結晶方位に対して垂直に伸びるトレンチを形成し、
トップボディ領域注入工程、ボトムボディ領域注入工程、及び、フローティング領域注入工程では、半導体基板の011結晶方位を軸として不純物注入方向と半導体基板の100結晶方位との間に角度を設けて不純物を注入することを特徴とする請求項7または8に記載の製造方法。
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